DE2721280C2

DE2721280C2 - Verfahren zur Herstellung eines Eingangbildschirms eines Bildverstärkers

Info

Publication number: DE2721280C2
Application number: DE2721280A
Authority: DE
Inventors: Tomiya Machida Tokyo Sonoda; Hiroshi Kawasaki Washida
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1976-05-11
Filing date: 1977-05-11
Publication date: 1982-04-08
Also published as: DE2721280A1; GB1547011A; FR2351494B1; US4184077A; FR2351494A1

Description

den säulenförmigen Leuchtstoffblöcken ausreichend groß zu gestalten, so daß die Gefahr eines Zusammenwachsens ausgeschaltet wird.

Ausgehend von dem Verfahren der eingangs genannten Art wird diese Aufgabe erfhidungsgemäß dadurch gelöst, daß das Aluminiumsubstrat nach dem Anodisierungsprozeß einem Versiegelungsprozeß durch Eintauchen in siedendes Wasser und dann einer Wärmebehandlung unterzogen wird, so daß eine mosaikartige Fläche mit einer großen Anzahl von schmalen Rillen erhalten wird, über denen die Risse in der Leuchtstoffschicht ausgebildet werden.

Aus der Zeitschrift »Philips Res. Repts.« Bd. 29,1974, Seiten 353 bis 362 isi es zwar bereits bekannt, regulär verlaufende Rißmuster mit vorgeschriebenen Abmessungen herzustellen. Bei diesem Verfahren wird die Substratoberfläche mit einem das Rißmuster bestimmenden Muster versehen. Zu diesem Zweck wird das Substrat diesem Muster entsprechend geätzt oder es wird ein Drahtgitter auf das Substrat autgebracht, so daß dieses bekannte Verfahren aufwendig ist.

Das erfindungsgemäße Verfahren bietet insbesondere den Vorteil, daß sich die Breite und die Tiefe der in der mosaikartigen Oberfläche des Aluminiumsubstrats ausgebildeten engen Rillen sowie die Dicke der Leuchtschicht optimal aufeinander abstimmen lassen, wobei auch nicht mehr die Gefahr besteht, daß die einzelnen Leuchtstoffinseln zusammenwachsen.

Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Patentansprüchen 2 bis 9.

Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt

F i g. 1 eine schematische Darstellung eines Röntgen-Strahlen-Bildverstärkers mit einem Eingangsbildschirm,

F i g. 2 eine in stark vergrößertem Maßstab gehaltene perspektivische Ansicht eines beim Eingangsbildschirm gemäß F i g. 1 verwendeten Aluminiumsubstrats mit mosaikartiger Oberfläche,

F i g. 3, 4 und 5 in vergrößertem Maßstab gehaltene Schnittansichten von Eingangsbildschirmen,

F i g. 6 eine graphische Darstellung des Bereichs einer bevorzugten Beziehung zwischen der Breite der Rillen in der mosaikartigen Oberfläche eines Substrats und der Dicke einer Leuchtschicht und

F i g. 7 eine graphische Darstellung der Ergebnisse der Bestimmung der Beziehung zwischen der Breite der engen, Inseln festlegenden Rillen und der Aufiösungsleistung eines Eingangsbildschirms unter Heranziehung der Dicke der Leuchtschicht als Parameter.

Der in Fig. 1 schematisch als Ganzes dargestellte Röntgenstrahlen-Bildverstärker weist einen Glaskolben 12 mit einem Eingangsbildschirm 13, welcher der konvexen Stirnfläche des Glaskolbens 12 angepaßt ist, und einen in der Nähe der hinteren Stirnfläche des Glaskolbens 12 angeordneten Ausgangsbildschirm 14 auf. Zwischen Eingangs- und Ausgangsbildschirm 13 bzw. 14 sind auf übliche Weise eine Fokussier- bzw. Bündelungselektrode 15 und eine Beschleunigungselektrode 16 zur Bündelung der Elektronenstrahlen vom Eingangsbildschirm 13 und zur Beschleunigung dieser Elektronenstrahlen angeordnet. Der Eingangsbildschirm 13 besteht aus einem Substrat 19 in Form einer für Röntgenstrahlen durchlässigen Aluminiumschicht, einer auf der Innenfläche des Substrats 19 ausgebildeten, durch die durch das Substrat hindurchfallenden Röntgenstrahlen zur Abstrahlung von sichtbarem Licht anregbaren Leuchtstoffschicht 20, einer auf der Leuchtschicht 20 angeordneten Sperrschicht 21 aus einem chemisch stabilen und für das von der Leuchtschicht 20 abgegebene Licht durchlässigen Stoff sowie einer auf die Sperrschicht 21 aufgebrachten Photokathode 22. In F i g. 1 sind bei 17 Röntgenstrahlen und bei 18 ein den Röntgenstrahlen ausgesetztes Objekt angedeutet

Im folgenden ist anhand der F i g. 2 und 3 der genaue Aufbau des Eingangsbildschirms 13 in Verbindung mit dem Verfahren zu seiner Herstellung erläutert. Die eine Seite einer 0,5 ,am dicken Aluminiumschicht bzw. -folie wird anodisiert und dann einer Behandlung zum Verschließen der in ihr befindlichen winzigen Poren sowie einer Wärmebehandlung unterworfen, so daß die bebandelte Seite der Aluminiumschicht ein mosaikartiges Muster aus einer großen Zahl von Inseln 19i> zeigt, die unregelmäßig durch einge Rillen 19a getrennt werden. Genauer gesagt: die Aluminiumschicht bzw. -folie wird etwa eine Stunde lang in einer 3%igen Oxalsäureiösung unter Stromeinführung in einer Dichte von 1 A/dm^? anodisiert, so daß die Oberfläche der Aluminiumschicht porös wird. Sodann wird die Aluminiumschicht mit Wasser gewaschen und hierauf etwa eine Stunde lang in siedendes Wasser eingetaucht, un: ein Quellen durch das in den Poren enthaltene Krista'.lwasser zu bewirken; dies bedeutet, daß die Aluminiumschicht einem sog. Versiegelungsvorgang unterworfen wird. Die Kristallwasser enthaltende, oxidierte Aluminiumschicht wird sodann einige Minuten lang bei einer Temperatur von mehr als etwa 250⁰C wärmebehandelt, um das Kristallwasser aus den Poren zu verdampfen. Infolgedessen erhält die das Substrat 19 bildende Aluminiumschicht bzw. -folie 19 eine mosaikartige Oberfläche. Bei Betrachtung unter dem Mikroskop zeigt die mosaikartige Oberfläche des Substrats 19 enge Rillen 19a mit einer Breite W von etwa 3-7 μίτι und einer Tiefe O von etwa 10 μΐη sowie Inseln 196, von denen der größte Teil einen Durchmesser von 50 - 100 μΐη besitzt (Fig. 2).

Als nächstes wird eine Leuchtstoffschicht 20 in der Weise ausgebildet, daß Cäsiumiodid im Vakuum in einer Dicke von etwa 150 μΐπ und mit einer Geschwindigkeit von 3 — 6 μηι/Γηίη (beim beschriebenen Au&führungsbeispiel von 5 μπι/πιίη) thermisch aufgedampft wird, wobei das Substrat 19 in einem Temperaturbereich zwischen Raumtemperatur und 150°C (im vorligenden Ausführungsbeispiel 100°C) gehalten wird. Die Leuchtschicht 20 umfaßt eine große Zahl säulenartiger Blöcke 2Oi von etwa 50—100 μΐη Durchmesser, die durch über den Rillen 19a des Substrats 19 gebildete Risse 20a gebildet werden und auf der Oberfläche des Substrats 19 parallel zueinander angeordnet sind. Wenn eine Leuchtschicht 20 aus Cäsiumiodid thermisch auf die mosaikartige Oberfläche des Substrats 19 aufgedampft wird, lagert sich der größte Teil des Cäsiumiodids unter Bildung von säulenförmigen Blöcken auf den Inseln 196 ab, weil die Leuchtschicht in kristalliner Form vertikal auf den Inseln gebildet wird. Während der Aufdampfung des Cäsiumiodids auf die mosaikartige Fläche des Substrats 19 sind die Kristalle des Cäsiumiodids der Hitze des Substrats 19 und der von dem als Verdampfungsquelle benutzten Schiffchen abgestrahlten Hitze ausgesetzt. Die die säulenförmigen Blöcke 20b bildenden Cäsiumiodidkristalle wachsen allmählich auf großen Durchmesser, so daß die Risse 20a im Verlauf des thermischen Aufdampfens des Cäsiumiodids fortschreitend enger werden. Wenn die Leuchtschicht 20 eine große Dicke

besitzt, verschwinden die Risse manchmal im oberen Bereich dieser Schicht vollständig. Selbst in diesem Falle entstehen jedoch über den Rissen 20a aufgrund der durch diese hervorgerufenen Spannungen Spalte bzw. Zwischenräume. Infolgedessen sind die säulenförmigen Blöcke 20b der Cäsiumiodid-Leuchtschicht durch die Spalte und Risse 20a voneinander getrennt.

Zur Verbreiterung der Rillen 19a im Aluminiumsubstrat 19 beim beschreibenen Verfahren empfiehlt es sich, die Zeit für den Versiegelungsvorgang auf z. B. 6—lOStd. zu verlängern oder den Vorgang des Versiegeins und der Wärmebehandlung zu wiederholen. Durch dieses Vorgehen können die Rillen 19a auf eine Breite von maximal 7 μΐη gebracht werden, wenn zudem der Versiegelungsvorgang in siedendem Wasser durchgeführt wird, das etwa 2 g/l Lithiumchlorid oder Cäsiumchlorid enthält, können die Rillen 19a in einem einzigen Arbeitsschritt auf eine Breite von 7 μΐη eingestellt werden. Durch Wiederholung der Arbeitsschritte des Versiegeins und der Wärmebehandlung können die Rillen 19a zudem auf eine Breite von bis zu 15 μΐη gebracht werden. Die Breite der Rillen 19a kann auch dadurch vergrößert werden, daß das Versiegeln in siedendem Wasser durchgeführt wird, das beispielsweise durch Zugabe von Natriumkarbonat, Ammoniak oder Natriumhydroxyd auf einen pH-Wert von etwa 11 eingestellt ist.

Falls das Substrat 19 bei Verwendung von Cäsiumiodid als Leuchtstoff beim thermischen Aufdampfen des Cäsiumiodids auf einer Temperatur von unter 150⁰C gehalten wird, verschwinden die Risse 20a weniger leicht.

Auf die nach dem vorstehend beschriebenen Verfahren ausgebildete Oberfläche der Leuchtschicht 20 wird auf thermischem Wege Aluminium oder Titan aufgedampft, um eine leitende Sperrschicht 21 zu bilden. Weiterhin wird noch die Photokathode 22 auf die Sperrschicht 21 aufgedampft, worauf der Eingangsbildschirm 13 fertiggestellt ist. Wenn die Sperrschicht 21 auf thermischem Wege auf die Leuchtschicht 20 aufgedampft wird, in welcher Risse 20a bis zu ihrer Oberfläche verlaufen, besteht auch eine Wahrscheinlichkeit für eine Bildung von Rissen in der Sperrschicht 21. Zur Vermeidung einer solchen, unerwünschten Rißbildung empfiehlt es sich. Maßnahmen zu ergreifen, durch welche eine Bildung von Rissen 20a an der Oberfläche der Leuchtschicht 20 verhindert wird. Wenn sich Risse 20a gebildet haben, sollten diese vorzugsweise ausgefüllt werden, indem die Oberfläche der Leuchtschicht 20 erwärmt und sodann Cäsiumiodid, welches die Leuchtschicht 20 bildet, auf die Risse 20a aufgesprüht wird. Falls beim Auftreten von Rissen 20a in der Oberfläche der Leuchtschicht 20 die Sperrschicht 21 sorgfältig in schräger Richtung thermisch auf die Leuchtschicht 20 aufgedampft wird, besteht nur eine geringe Wahrscheinlichkeit für eine Rißbildung in der Sperrschicht 21. F i g. 3 veranschaulicht eine Ausbildung, bei welcher die Oberfläche der Leuchtschicht 20 frei von Rissen 20a ist, während sich gemäß F i g. 4 die Risse 20a bis zur Oberfläche der Leuchtschicht 20 erstrecken. Wenn Risse 20s in der Oberfläche der Leuchtschicht 20 erscheinen, muß die Sperrschicht 21 aus einem leitfähigem Material gebildet werden. Ist die Oberfläche der Leuchtschicht 2ft dagegen frei von Rissen 20a, kann die Sperrschicht 21 aus Isoliermaterial bestehen.

Bei der auf die beschriebene Weise ausgebildeten Leuchtschicht 20 sind die säulenförmigen Blöcke 20& durch enge Risse 20a voneinander getrennt Das in der Leuchtschicht 20 erzeugte, zur Photokathode gerichtete Licht wird daher an den Seitenwänden der säulenförmigen Blöcke 20b total reflektiert, so daß es sich ohne seitliche Streuung zur Photokathode ausbreitet und an j dieser Photoelektronen freigibt. Das in der Leuchtschicht 20 erzeugte, zum Substrat 19 gerichtete Licht wird dagegen an den Seitenfläche der säulenförmigen Blöcke 20£> sowie von der Oberfläche des Substrats 19 total reflektiert und ebenfalls zur Photokalhode geworfen.

Wie sich durch Versuche erwiesen hat, besitzt der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Bildverstärker-Eingangsbildschirm mit einem Aluminiumsubstral, das eine mosaikartige Oberfläche aufweist, eine erheblich verbesserte Auflösung von 45 lp/cm gegenüber einer solchen von 28 lp/cm beim bisher üblichen Eingangsbildschirm.

Beim Eingangsbildschirm gemäß der abgewandelten Ausführungsform nach F i g. 5 ist auf der mosaikartigen Fläche eine Spiegelfläche vorgesehen. In diesem Fall wird beispielsweise eine Aluminiumschicht 23 auf thermischem Wege in einer Dicke von etwa 200 nm auf das nach dem beschriebenen Verfahren mit der mosaikartigen Oberfläche versehene Aluminiumsubstrat 19 aufgedampft. Die Leuchtstoffschicht 20 wird auf diese Aluminiumschicht 23 aufgedampft. Beim Eingangsbildschirm nach Fig. 5 wirkt die Aluminiumschicht 23 als Reflektor. Die diese Schicht 23 erreichenden Lichtstrahlen werden daher in größerer Menge reflektiert, so daß das Bild eine um 20% größere Helligkeit erhält als bei den vorher beschriebenen Ausführungsformen. Die Anordnung der Aluminiumsi-iiiJn 23 bietet den weitere Vorteil, daß Substrat 19 und Leuchtschicht 20 fester miteinander verbunden werden können.

Wenn die genannte Aluminiumschicht 23 auf dem Substrat 19 mit einer geringen Dicke von z. B. 100 nm ausgebildet wird, wirkt diese Schicht 23 als lichtabsorbierende Schicht, die das zu ihr geleitete Licht absorbiert. Obgleich in diesem Fall keine verbesserte Helligkeit des Bildes erwartet werden kann, wird dennoch die Auflösung des Eingangsbildschirms weiter verbessert. Diese verbesserte Auflösung kann dem folgenden Umstand zugeschrieben werden: Selbst wenn sehr viele säulenförmige Blöcke 20b, wie bei den vorher beschriebenen Ausführungsformen, durch in der Leuchtschicht 20 ausgebildete Risse voneinander getrennt sind, tritt ein Teil des zu den Seitenflächen der säulenförmigen Blöcke 20ό gerichteten Lichts je nach dem Einfallswinkel des Lichts an diesen Seitenflächen durch letztere hindurch. Die als Lichtabsorber wirkende, genannte dünne Aluminiumschicht 23 verhindert jedoch praktisch vollständig eine Lichtreflexion vom Substrat 19, wodurch die in die Seitenflächen der säulenförmigen Blöcke 20b eintretende Lichtmenge wesentlich verringert wird.

Bei dem nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Eingangsbildschirm besitzen die Breite W und die Tiefe £>der in der mosaikartigen Oberfläche des Aluminiumsubstrats 19 vorhandenen Rillen 19a einerseits und die Dicke Tder Leuchtschicht 20 andererseits eine enge Beziehung zur Auflösung des Eingangsbildschirms. Anhand von Versuchen wurden die nachstehenden Bedingungen als optimal ermittelt:

T

DSL—W

worin bedeuten:

A = 30;
und

Das Diagramm von Fig. 6 zeigt die Beziehung zwischen der Breite W der in der mosaikartigen Oberfläche des Substrats 19 vorgesehenen Rillen 20a und der Dicke Tder Leuchtschicht 20, wobei die Breite W auf der Abszisse und die Dicke T auf der Ordinate aufgetragen sind. Die bevorzugten Werte der Breite W und der Dicke Γ wurden als in den schraffierten Bereich fallend ermittelt. Dieser schraffierte Bereich wird durch die Linie a (bei 5=45 μπη), die Linie 6(bei B= —65 μΐη), die Dicke Γ einer Größe von mehr ais 50 μπι und die Breite Wim Bereich von 1 — 15 μπι umrissen. .

Die optimale Beziehung gemäß Fig.6 zwischen der Breite W der Rillen 20a und der Dicke T der Leuchtschicht 20 wurde durch Bestimmung der Auflösung des Eingangsbildschirms in Abhängigkeit von der Breite W ermittelt, wobei die Dicke T der Leuchtschicht 20 als Parameter herangezogen wurde. Die Ergebnisse der Bestimmung der Beziehung zwischen der Breite W und der Dicke T bezüglich der Auflösung des Eingangsbildschirms sind in F i g. 7 aufgeführt, in welcher die Auflösung auf der Ordinate und die Breite Wauf der Abszisse aufgetragen sind. Zur Erzielung der gewünschten Auflösung sollte die Breite W der in der mosaikartigen Oberfläche der Leuchtschicht 20 ausgebildeten Rillen 20a vorzugsweise 9 —12 μΐη, 4 — 7 μηι und 2— 5 μίτι betragen, wenn die Dicke T der Leuchtschicht 20 auf 300 μπι, 150 μπι bzw. 100 μηι eingestellt ist. Eine geringere Dicke Γ der Leuchtschicht 20 als 50 μπι ist nicht vorteilhaft, weil dadurch das Umwandlungsverhältnis von Röntgenstrahlenenergie in Licht verringert wird. Die Tiefe D der Rillen 20a hängt zwar nicht von der Dicke T der Leuchtschicht 20 ab, doch sollte sie vorteilhaft größer sein als die halbe Breite VKder Rillen 20a.

Wenn die Rillen 20a eine Breite W von weniger als 1 μΐη besitzen, ist es unmöglich, solche Risse vorzusehen, weiche die säulenförmigen Blöcke 206 der Leuchtschicht 20 ausreichend voneinander trennen.

ίο Wenn die Breite Wder Rillen 20a dagegen größer ist als 15 μΐη, verschlechtert sich die Güte des erzeugten Bilds. Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen besteht die Leuchtschicht 20 aus Cäsiumiodid, doch kann diese Schicht auch aus einem anderen Alkalihalogenid, wie Kaliumiodid, bestehen. Obgleich nicht immer erforderlich, verhindert eine zwischen der Leuchtschicht 20 und der Photokathode vorgesehene, dünne Schicht aus Aluminium- oder Siliziumoxid, daß die Photokathode von der Leuchtschicht absorbiert wird bzw. in diese hineindiffundiert. Die dünne Zwischenschicht besitzt vorzugsweise eine Dicke im Bereich von einem bis einigen 10 nm. Die Photokathode kann aus an sich bekannten photoelektrischen Materialien, wie Sb-Cs, Sb-K-Cs oder Sb-K-Na-Cs, hergestellt werden.

Da das Aluminiumsubstrat zur Ausbildung des Mosaikmusters auf seiner Oberfläche während einer langen Zeitspanne in siedendem Wasser behandelt wird, ist es gegen das Eindringen von Säuren und anderen Fremdstoffen geschützt. Insbesondere dann, wenn eine Leuchtschicht aus einem Alkalihalogenid auf thermischem Wege auf das Aluminiumsubstrat 19 aufgedampft wird, wird seine Mosaikfläche sauber gehalten und zudem geringfügig aufgerauht, so daß die Leuchtschicht mit größerer Bindungsfestigkeil mit dem Aluminiumsubstrat verbunden ist.

Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zur Herstellung eines Eingangsbildschirms eines Bildverstärkers zur Umwandlung von einfallender Strahlung in Elektronen, wonach auf einem Aluminiumsubstrat eine Leuchtstoffschicht mit einer großen Anzahl von säulenförmigen Blöcken, die durch Risse definiert sind, ausgebildet wird und das Aluminiumsubstrat zunächst einem Anodisierungsprozeß unterzogen wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Aluminiumsubstrat nach dem Anodisierungsprozeß einem Versiegelungsprozeß durch Eintauchen in siedendes Wasser und dann einer Wärmebehandlung unterzogen wird, so daß eine mosaikartige Fläche mit einer großen Anzahl von schmalen Rillen erhalten wird über denen die Risse in der Leuclustofschicht ausgebildet werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß über der Leuchtstoffschicht eine Photokathode ausgebildet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Leuchtstoffschicht und der Photokathode eine dünne Sperrschicht ausgebildet wird, welche eine Absorption der Masse der Photokathode durch die Leuchtstoffschicht verhindert.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Sperrschicht aus einem Material wie Aluminium- oder Siliziumoxid hergestellt wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Leuchtstoffschicht aus Cäsiumiodid hergestellt wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Aluminiumsubstrat nach dem Versiegelungsprozeß einige Minuten lang bei einer Temperatur von mehr als 250° C wärmebehandelt wird, so daß die Breite Wund die Tiefe Dder in der mosaikartigen Oberfläche des Aluminiumsubstrats ausgebildeten engen Rillen, sowie Dicke Tder Leuchtschicht in solchen Größen ausgebildet werden, daß sie den folgenden Gleichungen

T = AW + B.
genügen, worin bedeuten:

9. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Sperrschicht durch Aufdampfen von Aluminium oder Titan hergestellt wird.

10

15

20

25

30

35

40

45

50

= 30; -65_μηιδβ545μηι; Γδ50μΐτι;

55

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß auf der der Leucht-Stoffschicht zugewandten mosaikartigen Oberfläche des Aluminiumsubstrats eine Reflexionsschicht ausgebildet wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß auf der der Leucht-Stoffschicht zugewandten mosaikartigen Oberfläche des Aluminiumsubstrats eine lichtabsorbierende Schicht ausgebildet wird.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Eingangsbildschirms eines Bildverstärkers zur Umwandlung von einfallender Strahlung in Elektronen, wonach auf einem Aluminiumsubstrat eine Leuchtstoffschicht mit einer großen Anzahl von säulenförmigen Blöcken, die durch Risse definiert sind, ausgebildet wird und das Aluminiumsubstrat zunächst einem Anodisierungsprozeß unterzogen wird.

Ein mit einem Eingangsbildschirm versehener Bildverstärker muß eine hohe Auflösung besitzen. Ein Abfall der Auflsöung ist dem Umstand zuzuschreiben, daß die in der Leuchtschicht erzeugten Lichtstrahlen in verschiedenen Richtungen gestreut werden, so daß sie sich quer zur Leuchtschicht ausbreiten, zum Substrat laufen und von diesem regellos reflektiert werden, was zu einem unscharfen Bild führt, wenn die Lichtstrahlen eine Photokathode des Bildschirms erreichen.

Bei einem bekannten Verfahren (z. B. US-PS 38 25 763) zur Verhinderung einer Querausbreitung der Lichtstrahlen in bezug auf die Leuchtschicht werden absichtlich ia der Leuchtschicht in Richtung ihrer Dicke verlaufende Risse ausgebildet. Bei diesem Verfahren wird auf thermischem Wege Cäsiumiodid auf ein Substrat aus Aluminium aufgetragen, um eine Leuchtschicht auszubilden, worauf beide Elemente einer Wärmebehandlung unterworfen und in der Leuchtschicht aufgrund der unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten der beiden Elemente absichtlich Risse gebildet werden. Auch eine auf diese Weise hergestellte Leuchtschicht wirft noch Schwierigkeiten bezüglich der Erzielung einer ausreichend hohen Auflösung auf. Der Grund für diese weiterhin bestehenden Schwierigkeiten liegt darin, daß es unmöglich ist, die Risse sich in schmaler Form durch die Gesamtdicke der Leuchtschicht von der Seite der Photokathode her zum Substrat erstrecken zu lassen, so daß, obgleich die Lichtstrahlen durch die Risse an einer Ausbreitung quer zur Leuchtschicht in der Nähe der Photokathode gehindert werden, die Lichtstrahlen dennoch die Möglichkeit haben, sich in der Nähe des Substrats, bis zu welchem die Risse nicht reichen, in der Leuchtschicht in Querrichtung auszubreiten.

Aus der US-PS 37 69 059 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Eingangsbildschirms für einen Bildwandler zur Umwandlung von Röntgen- oder Gammastrahlen in Elektronen bekannt, bei dem ein Substrat aus Aluminium mit einer durch Anodisieren erzeugten Oberfläche Verwendung findet, und ferner auf dieses Substrat eine Leuchtstoffschicht aufgedampft wird, wobei sich eine nadeiförmige Struktur des Leuchtstoffs ergibt. Diese bekannte Struktur hat den Vorteil, daß die Leuchtstoffschicht auf dem Substrat sehr gut haftet. Die nadeiförmigen Leuchtstoffblöcke weisen jedoch nur sehr kleine Abstände voneinander auf, so daß die Gefahr des Zusammenwachsens der Leuchtstoffblöcke besteht.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, ein einfach durchführbares Verfahren zur Herstellung eines Eingangsbildschirmes eines Bildverstärkers der eingangs genannten Art zu schaffen, welches die Möglichkeit bietet, die Abstände zwischen