DE2720097A1 - Mit einer mikroschaltung versehene elementarscheibe mit elektrolytisch gezuechteten metallknollen sowie verfahren zum herstellen einer derartigen scheibe - Google Patents

Mit einer mikroschaltung versehene elementarscheibe mit elektrolytisch gezuechteten metallknollen sowie verfahren zum herstellen einer derartigen scheibe

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DE2720097A1
DE2720097A1 DE19772720097 DE2720097A DE2720097A1 DE 2720097 A1 DE2720097 A1 DE 2720097A1 DE 19772720097 DE19772720097 DE 19772720097 DE 2720097 A DE2720097 A DE 2720097A DE 2720097 A1 DE2720097 A1 DE 2720097A1
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Franz Hofer
Gustaaf Herman Antonius Hoorn
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Description

-1- PIDi S^i 1
KUPP/CB 1.4.1977
"-: r. P'T im ' ■?
V Philips- Gloeilu,..pfcnfQbriekee 2720097
Mit einer Mikroschaltung versehene Elementarscheibe mit elektrolytisch gezüchteten Metallknollen sowie Verfahren zum Herstellen einer derartigen Scheibe.
Diel Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer mit einer Mikroschaltung versehenen Elementarscheibe mit einem System von Leiterspuren, das von der Mikroschaltung nach mindestens einem der Ränder der Elementarscheibe
führt und dort mit einer Anzahl elektrischer Kontakte versehen ist, wobei eine Hauptscheibe geschaffen wird, in der eine Anzahl in einem regelmässigen Muster geordneter Elementarscheiben,
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-ά- PHN 8411
1.4.1977
272U097
die längs künftige Trennungslinien aneinander grenzen, gebildet sind, und wobei auf jeder Elementarscheibe nahe mindestens einer künftigen Trennungslinie eine Anzahl Kontakte in Form an Kontaktstellen abgelagerter Metallknollen angebracht wird.
Verfahren der eingangs erwähnten Art sind unter anderem von Interesse bei der Herstellung mit Mikroschaltungen versehener Elementarscheiben (sogenannte "chips"), wobei in diesem Zusammenhang unter Mikroschaltungen beispielsweise Halbleiterschaltungen, Magnetblasenbehandlungssysteme und Reihen von Dünnfilmmagnetköpfen verstanden seien, die mit elektrischen Kontakten für die Verbindung mit externen Schaltungen versehen werden massen.
Um eine grosse Anzahl von Verbindungen in einem Male und auf möglichst stabile Weise herzustellen, ist es aus der Halbleitertechnologie bekannt, eine sogenannte "Flip chip"-Technik anzuwenden. Diese Technik besteht darin, dass auf einer Scheibe Metallknollen (sogenannte "Solder bumps^Lötknollen-) abgelagert werden, dass die Scheibe anschliessend umgekehrt und über die Metallknollen an ein auf einem Träger
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PHN 8U11 1.4.1977
2720007
angebrachtes System von Leitern befestigt wird, das für die Verbindung mit externen Schaltungen sorgt.
Bei dieser aus der Halbleitertechnologie bekannten Technik ist es üblich, zunächst die erforderlichen Leiterspuren auf einer Hauptscheibe ("slice") anzubringen, sodann eine Deckschicht aus Quarz aufzusputtern, in dieser Schicht Löcher an Positionen (Kontaktstellen) anzubringen, an denen Kontakte gewünscht werden, anschliessend auf die Quarzschicht eine leitende Hilfsschicht aufzudampfen, die über die Löcher mit den Kontaktstellen in Verbindung steht, eine Photolackschichtmaske mit Öffnungen über den Kontaktstellen oxizubringen und danach in einer Metallsalze haltenden Lösung an den Kontaktstellen Metallknollen abzulagern. Nach dem Ablauf muss dann die Leitschicht, die beim Ablagern für die Verbindung zwischen den Kontaktstellen sorgte, durch einen Ätzvorgang entfernt werden, um die Kontaktstellen elektrisch voneinander zutrennen, wonach die Hauptscheibe in Elementarscheiben verteilt wird. Beim bekannten
Verfahren ist die Anzahl der Verfahrensschritte somit gross.
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-V- PHN 8411
1.4.1977
• . 2720U97
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen von Elementarscheiben mit Metallknollen zu schaffen, bei dem die Anzahl der Verfahrensschritte möglichst gering ist und wobei insbesondere der Ätzvorgang vermieden wird, der bei der bekannten Technik zum Entfernen der leitenden Hilfsschicht erforderlich ist. Der herkömmliche Ätzvorgang wird als unvorteilhaft erfahren, weil er die bereits gebildeten Mikroschaltungen nachteilig beeinflussen könnte.
Das erfindungsgemässe Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass auf jeder Elementarscheibe ein leitender Streifen angebracht wird, der nahe einer gleichen Trennungslinie liegende Kontaktstellen in Serie verbindet und diese Trennungslinie zwischen jeden zwei aufeinanderfolgende Kontaktstellen mindestens zweimal passiert und frei von Schnittpunkten ist, wobei mindestens eine der Kontaktstellen mit einer Spannungsquelle verbindbar ist; dass die Seite der Hauptscheibe, an der die Kontaktstellen angeordnet sind, mittels einer Isolationsschicht, die die Kontaktstellen freilässt, maskiert wird; das an den Kontaktstellen Metallknollen abgelagert werden und dass die Hauptscheibe längs der Trennungslinien in
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PIIN 8411 1.4.1977
eine Anzahl von Elementarscheiben unter Unterbrechung der elektrischen Verbindungen zwischen den Kontaktstellen verteilt wird.
Der Vorteil des erfindungsgemässen Verfahrens besteht darin, dass das Aufdampfen einer die ganze Oberfläche bedeckenden leitenden Hilfsschicht für das . elektrolytische Züchten der Metallknollen nicht nötig ist, weil ein spezielles Leitermuster, das aus ("im Zick-Zack" angebrachten) leitenden Streifen besteht, angebracht wird, die die Kontaktstellen elektrisch miteinander verbinden. Dieses Muster kann gleichzeitig mit den Kontaktstellen und den Leiterspuren auf der Hauptscheibe gebildet werden und braucht nicht mit Hilfe eines "Ätzvorganges entfernt zu werden, denn da der leitende Streifen im "Zick-Zack" über die Trennungslinien verläuft, \*erden beim Verteilen der Hauptscheibe in Elementarscheiben über die Trennungslinien die elektrische Verbindüngen zwischen den Kontaktstellen automatisch unterbrochen, (in diesem Zusammenhang sei unter "in Zick-Zack" insbesondere ein Muster verstanden, das jede Kontaktstelle auf einer bestimmten Elementarscheibe mit zwei angrenzenden Kontaktstel- len auf einer benachbarten Elementarscheibe verbindet) .
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PHN 8411
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Um eine einfache Verbindung der Kontaktstellen der in der Hauptscheibe gebildeten Elementarscheiben mit einer Spannungsquelle zu ermöglichen, ist eine Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahrens dadurch gekennzeichnet, dass die Elementarscheiben in Zeilen und Spalten geordnet sind, während zeilenweise bzw. spaltenweise die Kontaktstellen angrenzender Elementarscheiben fluchtend angebracht werden und die sie verbindenden, leitenden Streifen miteinander verbunden werden.
Es ist dabei insbesondere möglich, nach einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahrens die Kontaktstellen zeilenweise bzw. spaltenweise mit einem am Rande der Hauptscheibe angebrachten, mit einer Spannung· quelle verbindbaren Leiter zu verbinden. Dieser Leiter kann gegebenenfalls auch durch einen Teil der Klemmenanordnung gebildet werden, mit der die Hauptscheibe beim Eintauchen in ein elektrolytisches Bad festgehalten wird.
Um beim elektrolytischen Wachstumsverfahren dafür zu sorgen, dass die Stromvertei lung über die Hauptscheibe möglichst einheitlich
ist und dadurch die gebildeten Metallknollen eine
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PHN 8411
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einheitliche Höhe haben, ist eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemassen Verfahrens dadurch gekennzeichnet, dass an definierten Stellen der Hauptscheibe mit den Kontaktstellen verbundene Kontaktflächen zum direkten Verbinden mit einer Spannungsquelle angebracht werden.
Beim Verteilen der Hauptscheibe in Elementarscheiben (was beispielsweise durch Kratzen und Brechen, Sägen, Ätzen oder mit Hilfe eines Laserstrahls erfolgen kann) ist es vorteilhaft, wenn die trennende Bearbeitung nicht von der Seite zu erfolgen braucht, an der das Leitstreifenmuster angebracht ist, sondern an der gegenüberliegenden Seite beginnen kann. Eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemassen Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, dass die Hauptscheibe aus durchsichtigem Werkstoff gebildet ist und dass die Verteilung in Eleinentarscheiben über Trennungslinien an der Seite der Hauptscheibe gegenüber der . Seite erfolgt, an der die Kontaktstellen angebracht werden.
Insbesondere.äind bei der Herstellung von Blasendomänensystemen Hauptscheiben aus durchsichtigem Werkstoff in Form von Substraten aus synthetischem Granatmaterial, wie bei-
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-ε- PHN8411
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spielsweise Gadolinium-Gallium-Granat verfügbar.
Obschon das erfindingsgemässe Verfahren und die verschiedenen Ausführungsformen bei der Herstellung verschiedener Mikroschaltungs-
chipsarten angewandt werden können, liegt die wesentlichste Anwendung im Bereich der Herstellung von Elementarscheiben mit Magnetblasenbehandlungssystemen ("magnetic bubble chips").
Besonders hier ist es möglich, nicht nur die
Leiterspuren, die Leitstreifen und die Kontaktstellen, sondern auch die Blasenbehandlungsysterne aus dem gleichen Material zu bilden, das in einem einzigen'Verfahrensschritt angebracht wird.
Eine weitere Ausführungsform des
erfindungsgemässen Verfahrens bezieht sich daher auf die Herstellung einer Magnetblasenelementarscheibe, mit einer Magnetblasenbehandlungsstruktur und mit einem nach mindestens einem Rand
der Scheibe gehenden System von Leiterspuren, das nahe diesem Rand mit einer Anzahl elektrischer Kontakte für die Verbindung mit externen Schaltungen versehen ist, wobei ein nicht magnetisches Substrat geschaffen wird, auf dem eine
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anisotrope magnetische Schicht, in der Magnetblasen aufrechterhalten werden können, gezüchtet wird, und wobei auf der magnetische Schicht eine Schicht aus Weichmagneti; chem elektrisch leitendem, Material angebracht wird, welches Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, dass aus der weichmagnetischen, elektrisch leitenden Schicht durch Ätzen Magnetblasenbehandlungsstruktureirlfür eine Anzahl Magnetblasenelementarscheiben, die längs künftiger Trennungslinien aneinander grenzen, zusammen mit Leiterspuren und Kontaktstellen gebildet werden, wobei auf jeder elementaren Magnetblasenscheibe nahe mindestens einer künftigen Trennungslinie eine Anzahl von Kontaktstellen gebildet wird, die in Serie mittels eines leitenden Streifens verbunden werden, der die erwähnte Trennungslinie mindestens zweimal zwischen zwei aufeinanderfolgenden Kontaktstellen passiert und frei von Schnittpunkten ist, wobei mindestens eine der Kontaktstellen mit einer Spannungsquelle verbindbar ist, dass weiter die elektrisch leitende Schicht mit Hilfe einer elektrisch isolierenden Schicht, die die Kontaktstellen freilässt, maskiert wird; dass an den Kontaktstellen Metall knollen abgelagert werden und dass die Verteilung
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PHN 8411
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Ab
in eine Anzahl elementarer Magnetblasenscheiben unter Unterbrechung der elektrischen Verbindungen zwischen den Kontaktstellen erfolgt.
Die Erfindung bezieht sich weiter auf eine unter Verwendung des erfindungsgemässen Verfahrens hergestellte Hauptscheibe und eine daraus erhaltene Elementarscheibe sowie auf eine Hybridschaltung, bei der eine derartige Elementarscheibe über Metallknollen direkt an ein auf einem Träger angebrachtes Leitersystem befestigt ist.
Die Erfindung wird beispielsweise an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine Draufsicht einer in eine Anzahl von Elementarscheiben zu verteilende Haupt scheibe in einer bestimmten Phase des erfindungsgemässen Verfahrens,
Fig. 2 schematisch eine Draufsicht einer Elementarscheibe mit einem Magnetblasenspeichersystem ("bubble memory chip").
Fig. 1 zeigt eine Draufsicht einer Hauptscheibe 1, in der eine Anzahl von Elementarscheiben 2, 3, 4, 5 usw. gebildet sind. Die Elementarscheiben sind mit Mikroschaltungen versehen, von denen eine beispielsweise mit der
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Bezugsziffer 6 bezeichnet wird. Die Erfindung wird nachstehend an Hand Magnetblasenscheiben erläutert, aber gilt genau so für Scheiben mit Halbleiterschaltungen und Scheiben mit Reihen von Dünnfilmköpfen d.h. in Fig. 1 kann die Mikroschaltung 6 sowohl ein Magnetblasenbehandlungssystem als eine Halbleiterschaltung als auch eine Reihe von Dünnfilmköpfen darstellen.
Die Herstellung elementarer Magnetblasenscheiben ist.an sich bekannt, siehe beispielsweise IEEE Transactions on Magnetics, Vol. Mag. -11, No. 5i September 1975, S. 1157...1159t aber als kennzeichnendes Beispiel'werden nachstehend die bedeutendsten Schritte angegeben.
Eine Hauptscheibe 1 wird durch eine mit Hilfe von Epitaxy aus der flüssigen Phase auf der (ill) Fläche eines Gadolinium-Gallium-Granatsubstrats mit einem Querschnitt von 0,5 mm gezüchtete Magnetblasenschicht gebildet (Dicke :
6/um, Zusammensetzung (YSm)„(GaFe)_0 ?), wobei auf der Magnetblasenschicht eine Quarzzwischen-
schicht von 8000 A aufgesputtert wird. Zur Bildung einer Magnetblasenbehandlungsstruktur wird auf der mit Quarz bedeckten Magnetblasenschicht eine Schicht von 80$ Ni-20# Fe mit einer
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Dicke von 4OOO A aufgesputtert (Gegebenenfalls wird zunächst eine Haftschicht vr>n 100 bis
200 A dick TiO auf der Quarzsbhicht aufgesputters). Über eine Photolackschichtmaske wird in der Ni-Fe-Schicht ein Muster gebildet (mittels Sputterätzung), das pro Elementarscheibe sowohl eine Magnetblasenbehandlungsstruktur als auch Leiterspuren sowie Kontaktstellen enthält.(Nachstehend wird dieser Vorgang an Hand der Fig. 2 erläutert). Im Rahmen der Erfindung wird nunmehr dafür gesorgt, dass ausserdem ein "im Zick-Zack" verlaufender leitender Streifen 7 die Kontaktstellen 8, 9, 10, 11, 12, 13 und H, 15, 16, 17, 18, 19 zweier angrenzender Elementarscheiben 20 und 21 sowohl gegenseitig als auch miteinander verbindet. Gleichartige "im Zick-Zack" verlaufende leitende Streifen werden über alle Trennungslinien zwischen benachbarten Elementarscheiben angebracht, längs denen man Kontakte herstellen möchte. Deutlichkeitshalber sind sie jedoch nicht alle in der Figur dargestellt. Mit Hilfe der leitenden Streifen werden die Kontaktstellen spaltenweise miteinander verbunden, wie auch in Fig. 1 dargestellt. (Verbindung pro Zeile ist auch
möglich, und wenn man Kontakte längs aller vier
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Seiten einer Elementarscheibe herstellen möchte, ist es möglich, die Streifen sowohl spaltenweise als auch Zeilenweise miteinander zu verbinden). Am Rande der Hauptscheibe 1 können spezielle Kontaktflächen (wie mit der Bezugsziffer 22 bezeichnet) für die Verbindung mit einer externen Spannungsquelle beim elektrischen Züchten von Metallknollen an den Kontaktstellen gebildet werden. Auch können derartige spezielle Kontaktflächen (beispielsweise die Kontaktflächen 23, 2k, 25 und 26) in der Mitte der Hauptscheibe 1 gebildet werden, um eine einheitliche Stromverteilung beim elektrolytischen Wachstumsverfahren zu gewährleisten, übrigens ist es möglich, einen über die Trennungslinie zweier benachbarter Elementarscheiben "im Zick-Zack" verlaufenden leitenden Streifen nur die Kontaktstellen auf einer der Elementarscheiben verbinden zu lassen. Siehe beispielsweise den~Streifen 27 auf der Elementarscheibe 5.
Über die Ni-Fe Schicht wird anschlies- send eine Photolackschichtmaske angebracht, die die Kontaktstellen 8, 9, 10, 11, 12, 13 und 14, 15, 16, 17, 18, 19 usw. freilässt. Dabei wird die Hauptscheibe 1 in eine Klemme gebracht und in
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ein elektrolytisches Bad eingetaucht, um Züchten von Metallknollen an den Kontaktstellen zu ermöglichen. Für das elektrolytische Bad kann ein eutektisches Pb. -Sn^ -Bad benutzt werden. Gegebenenfalls werden zunächst eine oder mehrere Zwischenschichten aufgebracht.
Schliesslichwird die Photolackschichtmaske entfernt und die Hauptscheibe 1 wird in Elementarscheiben 2, 3» 4, 5 usw. verteilt, beispielsweise indem an der Rückseite an den gewünschten Stellen Kratzer gemacht werden, die die Trennungslinien 28, 29, 30 usw. angeben (dabei ist wichtig, dass das benutzte Gadolinium-Gallium-Granat-Substrat durchsichtig ist) und dann die Teilung durchzuführen.
Fig. 2 zeigt als Beispiel eine auf oben beschriebene Weise erhaltene Elementarscheibe 31 mit einem aus zwei identischen Untersystemen bestehenden Magnetblasenbehand lux}gsystem, das für die Mikroschaltung 6 nach Fig. 1 kennzeichnend 1st. In diesem Falle zeigen die Magnetblasenbehandlungs-Untersysteme eine sogenannte Ober-/Unterschleifen-Organisation ("major-minor loop") mit einer Oberschleife 32»
Unterschleifen 33, 33· usw., einer Stromweiche
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34, einem Detektor 35 und einem Generator/ Vernichter 36. Für die Verbindung des Untersystems mit externen Schaltungen sind an den Kontaktstellen 37, 38, 39, 4O, 41, 42 Metallknollen gezüchtet.
Es-sei bemerkt, dass an den Stellen, an denen in der obigen Beschreibung von Magnetblasenbehandlungsstrukturen die Rede ist, Strukturen gemäss Fig. 2 gemeint werden, also Kombinationen von Fortpflanzungsschleifen (Ober-/ Unterschleifen), Stromweichen, Generatoren/ Vernichter u. dgl. Bekanntlich werden Fortpflanzungsschleifen beispielsweise«durch Muster von Ni-Fe in Form sogenannter T-Balken ("T-bars") und I-Balken (MI"-bars) gebildet. Im betreffenden Fall sind also auch die kurzen Leiterspuren 43» 44, 45, 46, 47, 48, die zu den Kontaktstellen 37» 38, 39, 40, 41 und 42 führen, in Ni-Fe ausgeführt.
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Claims (1)

  1. PHN 8k11 l.4.1977
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    PATENTANSPRUECHE
    Verfahren.zum Herstellen einer mit einer Mikroschaltung versehenen Elementarscheibe mit einem System von Leiterspuren, das von der Mikroschaltung nach mindestens einem der Ränder der Elementarscheibe führt und dort mit einer Anzahl elektrischer Kontakte versehen ist, wobei eine Hauptscheibe geschaffen wird, in der eine Anzahl in einem regelmässigen Muster geordneterElementarscheiben, die längs künftige Trennungslinien aneinander grenzen, gebildet sind, und wobei auf jeder Elementarscheibe nahe mindestens einer künftigen Trennungslinie eine Anzahl Kontakte in Form an Kontaktstellen abgelagerter Metallknollen angebracht wird, dadurch gekennzeichnet, dass auf jeder Elementarscheibe ein leitender Streifen angebracht wird, der nahe einer gleichen Trennungslinie liegende Kontaktstellen in Serie verbindet und diese Trennungslinie zwisehen jeden zwei aufeinanderfolgende Kontaktstellen mindestens zweimal passiert und frei von Schnittpunkten ist, wobei mindestens eine der Kontaktstellen mit einerSpannungsquelle verbindbar ist ; dass die Seite der Hauptscheibe, an der die Kontaktstellen angeordnet sind, mittels einer
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    Isolationsschicht, die die Kontaktstellen freilässt, maskiert wird; dass an den Kontaktstellen Metallknollen abgelagert werden und dass die Hauptscheibe längs der Trennungslinien in eine Anzahl von ElemBntarscheiben unter Unterbrechung der elektrischen Verbindungen zwischen den Kontaktstellen verteilt wird.
    2. . Verfahren; nach Anspruch 1, wobei die Elementarscheiben in Zeilen und Spalten geordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass zeilenweise bzw. spaltenweise die Kontaktstellen benachbarter Elementarscheiben: fluchtend angebracht und die sie verbindenden leitenden Streifen miteinander verbunden werden.
    3· Verfahren^nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,dass je Zeilenpaar bzw. je Spaltenpaar auf jeden zwei angrenzendem Blementarscheiben nahe ihrer künftigen Trennungslinie eine Reihe von Kontaktstellen angebracht wird, die derart von einem leitenden Streifen verbunden werden, dass im Prinzip jede Kontaktstelle auf einer Scheibe mit zwei angrenzenden Kontaktstellen auf der anderen Scheibe verbunden ist.
    k. Verfahren nach Anspruch 2 oder 31 dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktstellen
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    zeilenweise bzw. spaltenweise mit einem am Rand der Hauptscheibe angebrachten, mit einer Spannungsquelle verbindbaren Leiter verbunden werden.
    5· Verfahren! nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass an definierten Stellen der Hauptscheibe mit den Kontaktstellen verbundene Kontaktflächen für direkte Verbindung mit einer Spannungsquelle, angebracht werden.
    6. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3» 4 oder 5» dadurch gekennzeichnet, dass die Hauptscheibe aus durchsichtigem Werkstoff gebildet wird, und dass die Verteilung in Elementarscheiben über Trennungslinien an der Seite der Hauptscheibe gegenüber der Seite erfolgt, an der die Kontaktsteilem angebracht werden.
    7. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3ι 4, oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterspuren, die leitenden Streifen und die Kontaktstellen aus gleichem elektrisch leitendem Werkstoff bestehen, der in einem einzigen Verfahrenschritt angebracht wird.
    8. Verfahren zum Herstellen einer Magnetblasenelementarscheibe mit einer Magnetblasenbehandlungsstruktur und mit einem nach mindestens
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    einem Rand der Scheibe gehenden System von Leiterspuren, das nahe diesem Rand mit einer Anzahl elektrischer Kontakte für die Verbindung mit aternen Schaltungen versehen ist, wobei ein nicht magnetisches Substrat geschaffen wird, auf dem eine anisotrope magnetische Schicht, in der Magnetblasen aufrechterhalten werden können, gezüchtet wird, und wobei auf der magnetische Schicht eine Schicht aus Weichmagnetischem, elektrischleitendem, Material angebracht wird, dadurch gekennzeichnet, dass aus der wecfimagnetischen,elektrisch leitenden Schicht durch Ätzen Magnetblasenbehandlungsstrukturen für eine Anzahl elementarer Magnetblasenelementarscheiben, die längs künftiger Trennungslinien aneinander grenzen, zusammen mit Leiterspuren und Kontaktstellen gebildet werden, wobei auf jeder Magnetblaseneletnentarscheibe nahe mindestens einer künftigen Trennungslinie eine Anzahl von Kontaktstellen.-.gebildet wird, die in Serie mittels eines leitenden Streifens verbunden werden, der die erwähnte Trennungslinie mindestens zweimal zwischen zwei aufeinanderfolgenden Kontaktstellen passiert und frei von Schnittpunkten ist, wobei mindestens eine der Kontaktstellen mit einer
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    Spannungsquelle verbindbar ist, dass weiter die elektrisch leitende Schicht mit Hilfe einer elektrisch isolierenden Schicht, die die Kontaktstellen freilässt, maskiert wird; dass an den Kontaktstellen Metallknollen abgelagert werden, und dass Verteilung in eine Anzahl Magnetblasenelementarscheiben unter Unterbrechung der elektrischen Verbindungen zwischen den Kontaktstellen.erfolgt.
    9· Elementarscheibe die unter Verwendung eines der Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 7 hergestellt ist.
    10. Hauptscheibe, in der eine Aazahl nach einem regelnlässigen Muster geordneter EIementarscheiben, die längs künftiger Trennungslinien aneinander grenzen, gebildet sind und wobei jede Elementarscheibe mit einem System vun Leiterspuren versehen ist, das von einer auf der betreffenden Scheibe angebrachten Mikroschaltung nach mindestens einem von den erwähnten Trennungslinien definierten Rand führt und dort mit einer Anzahl elektrischer Kontakte versehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass auf jeder Elementarscheibe ein leitender Streifen angebracht ist, der nahe dem gleichen Rand liegende Kontaktstellen in Serie
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    verbindet und der die den erwähnten Rand definierende" Trennungslinie zwischen jeden zwei aufeinanderfolgenden Kontaktstellen mindestens zweimal passiert und frei von Schnittpunkten ist, und dass an den Kontaktstellen Metallknollen abgelagert worden sind. 11. Elementarscheibe, die durch Verteilung längs der Trennungslinien aus einer Hauptscheibe nach Anspruch 10 hergestellt ist. 12. Hybridschaltung, bei der eine Elementarscheibe nach Anspruch 11 über die Metallknollen direkt an einem auf einem Träger angebrachten Leitersystenu befestigt ist.
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DE19772720097 1976-05-17 1977-05-05 Mit einer mikroschaltung versehene elementarscheibe mit elektrolytisch gezuechteten metallknollen sowie verfahren zum herstellen einer derartigen scheibe Ceased DE2720097A1 (de)

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