DE2711831A1 - Verfahren und vorrichtung zum plasma-mig-schweissen - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zum plasma-mig-schweissenInfo
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Description
PHN. i
^ WIJ/AVDV
O 7.1.77
lh. ΠΙίΤΠϊ:·::-' ^morr
.V.Fl,i!i[.:' C ·..
"Verfahren und Vorrichtung zum Plasma-MIG-Schweissen".
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Plasma-MIG-Schweissen, wobei
in einem Gasstrom zwischen einer nicht-abschmelzenden Plasmaelektrode und einem Werkstück ein Plasmabogen
unterhalten wird, eine abschmelzende Elektrode axial in das Gasplasma geführt wird und zwischen der abschmelzenden
Elektrode und dem Werkstück ein MIG-Bogen unterhalten wird.
Ein derartiges Verfahren ist bereits aus der britischen Patentschrift 1.338.866 bekannt;
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PHN.83k'L ,,
wenn dabei geschweisst wird mit positiver Polarität
der Plasmaelektrode und der abschmelzenden Elektrode, tritt über einer bestimmten Stromstärke in der abschmelzenden
Elektrode, Übergangsstromstärke genannt, eine Rotation des MIG-Bogens sowie des Endes der
abschmelzenden Elektrode auf. Der Wert dieser Übergangsstromstärke ist in wesentlichem Masse von dem Durchmesser,
der Zusammenstellung und der herausragenden freien Länge der abschmelzende Elektrode abhängig.
Wenn mit einer Stromstärke in der abschmelzenden Elektrode unterhalb der genannten Übergangsstromstärke
geschweisst wird, dreht sich der MIG-Bogen nicht und bleibt ortsfest. Beim Schweissen mit dem ortsfesten
MIG-Bogen und mit der maximal anwendbaren Stromstärke ist die pro Zeiteinheit abgeschmolzene Materialmenge durch
diese Übergangsstromstärke begrenzt. Ausser der genannten
Übergangsstromstärke gibt es noch eine meistens höhere kritische Stromstärke, Über der Bogeninstabilitäten
und die Schweissverbindung porös wird. Auch bei negativer 20- Polarität der Plasmaelektrode und der abschmelzenden
Elektrode ist von einer kritischen Stromstärke die Rede, über welcher der Materiältibergang weniger ruhig verläuft
als unterhalb dieser kritischen Stromstärke.
Die Erfindung bezweckt nun, diese Beschränkungen zu verringern und die Anwendungsmöglichkeiten des
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»Τ- PHN. 83'H
Plaama-MIG-Schweissverfahrens zu erweitern. Dies wird
nach der Erfindung im wesentlichen dadurch erreicht, dass mindestens eine zweite abschmelzende Elektrode
in dasselbe Gasplasma geführt wird und zwar in einer Richtung parallel zur ersten abschmelzenden Elektrode,
wobei zwischen der zweiten abschmelzenden Elektrode und dem Werkstück ebenfalls ein MIG-Bogen unterhalten
wird.
Überraschenderweise hat es sich herausgestellt, dass trotz der Tatsache, dass die beiden
abschmelzenden Elektroden sich in demselben Gasplasma befinden, sie sich dennoch unabhängig voneinander
verhalten und verschiedene Zusammenstellungen, Durchmesser und Potentiale haben können und mit ver-
1_ schiedenen Geschwindigkeiten zugeführt werden können,
sogar wenn sie an dieselbe Speisequelle angeschlossen sind,
Für jede abschmelzende Eloktrode gelten, was die ÜbergangsStromstärke, die kritische Stromstärke
und die Abschmelzgeschwindigkeit anbelangt, nahezu die-
9_ selben Bedingungen wie beim Schweissen mit jeder der
beiden Elektroden einzeln; dies bedeutet, dass bei sonst gleichen Parametern die gesamte Ubergangsstromstärke
einen höheren Wert hat. Mit dem erfindungsgemässen
Verfahren lassen sich beim Schweissen mit zwei orts-
2e festen MIG-Bogen wesentlich höhere, in bestimmten Fällen
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-/Γ- PHN.;
doppelte Stromstärken und Abschmelzgeschwindigkeiten erzielen als beim Schweissen mit einer einzigen
abschmelzenden Elektrode.
Es sei bemerkt, dass es aus der deutshen Patentschrift 1.789.079 an sich bekannt ist, mit
einem Plasmabogen und mit mehreren stromführenden Schweisselektroden zu schweissen. Dabei treten jedoch
die genannten Probleme und zwar Rotation des MIG-Bogens nicht auf, weil die Schweisselektroden nicht axial
in das Gasplasma geführt werden, sondern seitlich; dieses Verfahren ist zum Auftragsschweissen bestimmt
und eignet sich ausserdem nicht zum Herstellen von Schweissverbindungen.
Die Erfindung bezieht sich ebenfalls auf eine Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens
mit einem Schweissbrenner, der im wesentlichen aus einem
Gehäuse mit einer Düse, die eine Plasmaöffnung aufweist, einer nicht abschmelzenden Plasmaelektrode, einer Drahtführung,
einem Kontaktelement und Mitteln zum Zuführen eines Plasmagases besteht, welche Vorrichtung weiter
eine erste Speisequelle aufweist, an die die Plasmaelektrode angeschlossen ist, und eine zweite Speisequelle,
an die das Kontaktelement angeschlossen ist. Diese Vorrichtung weist nach der Erfindung das Kenn-.,
zeichen auf, dass im Gehäuse mindestens eine zweite
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PHN.
Drahtführung parallel zur ersten Drahtführung angeordnet
ist. Es hat sich herausgestellt, dass der Abstand zwischen den beiden Drahtführungen innerhalb weiter
Toleranzen variieren kann und zwar ohne nennens- > werte Abweichung der Abschmelzgeschwindigkeit, unter
der Bedingung dass die abzuschmelzenden Schweissdrähte einander nicht berühren; ein minimaler Abstand der
beiden Schweissdrähte etwa entsprechend dem dreifachen Durchmesser des Drahtes hat sich als ausreichend erwiesen.
Durch Änderung des Abstandes der abschmelzenden Elektroden und ihrer Lage gegenüber der Schweissstelle
kann die Form der Einschmelzung des Werkstücks beeinflusst
werden.
Das Kontaktelement kann verschiedenartig ausgebildet sein. Bei einer bevorzugten Ausführungsform
der erfindungsgemässen Vorrichtung sind die beiden
Drahtführungen als Kontaktelemente ausgebildet, wobei
die zweite Drahtführung an eine dritte Speisequelle angeschlossen ist. Bei dieser Ausführungsform erhalten die
beiden abzuschmelzenden Schweissdrähte ihrem Schweissstrom über die als Kontaktelemente ausgebildeten Drahtführungen
von gesonderten Speisequellen, so dass die Schweissdrähte gegenüber dem Gasplasma auf verschiedene
Potentiale eingestellt werden können. Bei dieser Ausführungsform muss das Gehäuse derart bemessen sein,
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PHN.
dass im Gehäuse genügend Raum zum Unterbringen , der Plasmaelektrode und der beiden Drahtführungen
verfügbar ist.
Eine einfachere und gedrängtere Konstruktion wird bei einer anderen bevorzugten Ausführungsform der
erfindungsgemässen Vorrichtung erhalten und zwar dadurch,
dass die beiden Drahtführungen zu einem gemeinsamen Kontaktelement zusammengefügt sind, das zentral im
Gehäuse angeordnet ist. Dabei erhalten die beiden Schweissdrähte ihrem Schweissstrom über das gemeinsame
Kontaktelement von deJT^weiten Speisequelle.
Bei den beiden obenstehend beschriebenen Ausführungsformen kann die Plasmaelektrode zentral
oder exzentrisch im Gehäuse angeordnet werden, wobei die beiden Drahtführungen exzentrisch oder die eine
Drahtführung zentral und der andere exzentrisch angeordnet ;;ind.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
der erfindungsgemässen Vorrichtung ist die Düse als
2ß gemeinsames Kontaktelement ausgebildet, wobei die beiden Drahtführungen exzentrisch im Gehäuse angeordnet sind
und die Mittellinien der Drahtführungen den Umfang der
Plasmaöffnung nahezu berühren. Mit dieser Ausführungsform
kann mit einer minimalen herausragenden freien Länge der beiden Schweissdrähte geschwiesst werden; dabei wird
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PHN. 83 'H
unter herausragender freier Länge der stromführende Teil der Schweissdrähte zwischen der Düse und ihrem
freien Ende verstanden. Die beiden Drahtführungen sind
jedenfalls exzentrisch im Gehäuse angeordnet. Die Plasraa-)
elektrode kann entweder zentral oder ebenfalls exzentrisch angeordnet werden.
Dadurch, dass bei einer anderen Ausführungsform
der erfindungsgeniässen Vorrichtung die Düse als Plasmaelektrode ausgebildet ist, kann eine gesonderte Plasmaelektrode
im Gehäuse entfallen und wird eine sehr gedrängte Brennerkonstruktion erhalten.
Verschiedene Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Fig. 1 bis h der Zeichnung dargestellt und
werden im folgenden näher beschrieben. In der Zeichnung .- sind gleichartige Elemente mit den gleichen Bezugszeichen
angedeutet.
Fig. 1 zeigt eine Vorrichtung 1 mit einem Schweissbrenner 3» dessen Gehäuse 5 eine Düse 7
mit einer Plasmaöffnung 9 aufweist. Eine nicht
PQ abschmelzende Plasmaelektrode 11, die beispielsweise
aus Wolfram besteht und auf einem Elektrodenhalter 13 aus Kupfer befestigt ist, ist im Gehäuse 3 angeordnet
und zwar exzentrisch gegenüber der Mittellinie X-X des Gehäuses und der Düse.
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Veiter sind im Gehäuse 51 mit ihren
Mittellinien Y-Y und Z-Zparallel zueinander, eine erste
Drahtführung 15 sowie eine zweite Drahtfürung 17 .angeordnet, die zürn Führen der Schweissdrähte 19 bzw.
21 dienen.
Der Elektrodenhalter 13 mit der Plasmaelektrode
11 sowie die beiden Drahtführungen 15 und 17 sind in einer Abschlusskappe 23 aus elektrisch
isolierendem Material befestigt und sind dadurch gegeneinander und gegenüber dem Gehäuse elektrisch
isoliert. Das Gehäuse 5 ist weiter mit einem Anschluss zum Zuführen eines Plasmagases A, beispielsweise eines
Inertgases wie Argon, versehen. Ein Schirm 27 mit Anschlüssen 29 dient zum Zuführen eines Schutzgases S,
beispielsweise eines Argon-Kohlensäuregasgemisches, das zum Schütze der Schweissstelle vor Oxydation dient.
Die Plasmaelektrode 11 ist über eine Anschlussklemme
31 am Elektrodenhalter 13 und über einen Hochfrequenzgenerator
33 an den positiven Pol einer ersten Spannungsquelle 35 mit einer fallenden Kennlinie
angeschlossen deren negativer Pol an ein zu bearbeitendes Werkstück W angeschlossen ist. Die beiden Schweissdrähte
19 und 21 werden zugeführt mittels Transportrollen 37 bzw. 39» die mit regelbarer Geschwindigkeit von
Elektromotoren 41 bzw. k3 angetrieben werden.
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PHN.
7.1.77
Nach der Erfindung sind die beiden Drahtführungen zugleich als Kontaktelemente zum Übertragen
des Schweissstromes auf die beiden Schweissdrähte ausgebildet und sind dazu mit Anschlussklemmen ί»5 bzw. ^7
) versehen; die Drahtführung 15 ist an den positiven Pol einer zweiten Speisequelle 49 angeschlossen,
während die Drahtführung 17 an den positiven Pol einer dritten Speisequelle 51 angeschlossen ist;
die beiden Speisequellen, die eine flache Kennlinie aufweisen, sind mit ihrem negativen Pol ebenfalls mit
dem Werkstück W verbunden.
Zum Schweissen des Werkstücks W wird über den Anschluss 25 ein inertes Plasmagas A durch das
Gehäuse 5 und die Plasmaöffnung 9 in Richtung des
Werkstücks W geführt. Durch die Anschlüsse 29 im Schirm
27 wird ein Schutzgas S zugeführt. Ein mittels einer
Hochfrequenzentladung gezündeter Plasmabogen wird im inerten Gasstrom zwischen der Plasmaelektrode 11
und dem Werkstück W unterhalten. Durch Ionisation des inerten Gases wird ein Gasplasma erzeugt. Zwischen
den beiden axial in das Gasplasma geführten Schweissdrähten 19» 21 einerseits und dem Werkstück W andererseits
werden zwei MIG-Bögen gezündet und unterhalten. Die beiden Schweissdrähte werden auf diese Weise in
einem Mantel aus Plasmagas abgeschmolzen. Mit L ist
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die frei herausragende, stromführende Länge der Schweissdrähte bezeichnet.
Dadurch, dass in demselben Gasplasma gleichzeitig zwei oder mehrere Schweissdrähte zum Schmelzen
gebracht werden, wird, wie bereits erläutert, die gesamte pro Zeiteinheit abgeschmolzene Materialmenge
wesentlich vergrössert. Bei der Vorrichtung 61 nach Fig. 2 sind die beiden Drahtführungen zu einem
gemeinsamen Kontaktelement 63 zusammengefügt, das im
Gehäuse 5 zentral angeordnet ist. Über eine Anschlussklemme 65 ist das Kontaktelement 63 an die zweite
Speisequelle 49 angeschlossen. Die Transportrollen 37
sowie die Transportrollen 39 zum Transport der beiden
Schweissdrähte 19 und 21 werden gemeinsam vom Elektromotor 41 angetrieben. Bei dieser Ausführungsform
entfallen die dritte Speisequelle sowie ein zweiter Elektromotor für den gesonderten Antrieb eines der
Schweissdrähte.
Fig. 3 zeigt eine Vorrichtung 71» wobei die Düse 7 als gemeinsames Kontaktelement ausgebildet ist.
Dazu ist die Düse mittels einer Anschlussklemme 73 an die zweite Speisequelle 49 angeschlossen. Die beiden
Drahtführungen 15 und 17 sind derart im Gehäuse 5
angeordnet, dass ihre Mittellinien Y-Y bzw. Z-Z den Innenumfang 75 der Düse 7, die* die Plasmaöffnung 9
.709841/0659
PHN. 3
begrenzt, nahezu berühren und zwar derart, dass die Schweissdrähte beim Vorschieben am Innenumfang 75
entlanggleiten. Bei dieser Ausführungsform entfällt die
dritte Speisequelle ebenfalls. Im dargestellten > Ausführungsbeispiel sind die beiden Drahtführungen
15 und 17 gegenüber der zentral angeordneten Plasmaelektrode 11 symmetrisch angeordnet. Andere Aufstellungen
der Plasmaelektrode und der Drahtführungen sind jedoch auch möglich, beispielsweise eine
Aufstellung der Drahtführungen nebeneinander und/oder eine exzentrische Aufstellung der Plasmaelektrode.
Bei deriiFig. k dargestellte Vorrichtung 81
ist die Düse 7 als Plasmaelektrode ausgebildet.
Dazu ist die Düse mittels einer Anschlussklemme 83 an die erste Speisequelle 35 angeschlossen. Dadurch,
dass eine gesonderte Plasmaelektrode im Gehäuse 5 entfällt, wird eine gedrängte Brennerkonstruktion mit
verhältnismässig geringen Abmessungen erhalten. Ausserdem kann der Abstand zwischen dem Kontaktelement
^3 un<* der Düse 7 verhältnismässig kurz gehalten werden,
so dass auch mit dieser Ausführungsform mit verhältnismässig
geringer frei herausragender Länge der Schweissdrahte geschweisst werden kann. Bei dieser Ausführungsform ist der Hochfrequenzgenerator 33 nicht mehr notwendig,
weil der Plasmabogen spontan zum Sünden gebracht werden
709841/065 9
-VST- PIIN. 83'+1
7-1.77
kann und zwar durch die MIG-Bögen, die auf einfache
Weise dadurch gezündet werden, dass die Schweissdrähte mit dem Werkstück in Berührung gebracht werden.
Bei Versuchen, die mit einer Vorrichtung nach Fig. 2 mit zu einem gemeinsamen Kontaktelement
zusammengefügten Drahtführungen durchgeführt wurden,
wurde zum Schweissen von Flussstahl mit positiver Polarität der beiden Schweissdrähtemit je einem
Durchmesser von 1,2 mm geschweisst; die Stromstärke des Plasmabogens betrug 120 A bei k3 V. Die Gesamtstromstärke
durch die zwei Schweissdrähte betrug 520 A bei 30 V. Dabei wurde eine totale Abschmelzgeschwindigkext
von 252 g/Minute erzielt, ohne dass Rotation des
MIG-Bogens stattfand. Der Abstand zwischen den
1_ Mittellinien der Schweissdrähte betrug dabei 6 mm.
Bei Vergleichsversuchen, die mit einem einzigen Schweissdraht durchgeführt wurden, dessen Querschnitt
nahezu der Summe der Querschnitte der beiden genannten Schweissdrähte entsprach, d.h. mit einem Durchmesser
von 1,7 mm, und mit denselben weiteren Schweissparametern, wurde lediglich eine maximale Abschmelzgeschwindigkeit
von 14O g/Minute erreicht.
Beim Schweissen mit einem einzigen Schweissdraht mit einem Durchmesser von 1,2 mm lag der
Wert für die kritische Stromstärke unter bestimmten
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PHN.83'4 7.1.77
Umständen bei '*70 A. Unter praktisch denselben
Umständen liess sich mit zwei Schweissdrähten schweissen mit einer Stromstärke von 390 A durch
jeden Schweissdraht, d.h. mit einer Gesamtstromstärke
) von 780 A.
Mit dem Verfahren und der ,Vorrichtung
nach der Erfindung können zwei oder mehrere Schweissdrähte verschiedener Zusammenstellungen und/oder
verschiedener Durchmesser verwendet werden, wobei die Schweissdrähte ausserdem mit verschiedenen Geschwindigkeiten
zugeführt werden können.
Die Vorteile der Erfindung treten auch
beim Auftragschweissen von Materialien auf, wobei die
Materialübergang bei rotierendem MIG-Bogen auf weniger kontrollierte Weise erfolgt, beispielsweise
beim Auftragsschweissen einer Nickellegierung; beim Füllen schmaler Nähte mit hoher Abschmelzgeschwindigkeit,
wobei es nicht möglich ist, mit einem sich drehenden MIG-Bogen in die Naht zu gelangen;
beim Legieren mit Hilfe von genormten Schweissdrähten verschiedener Zusammenstellungen, beispielsweise beim
Verschweissen zweier Werkstücke aus verschiedenen Materialien.
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Claims (1)
- ΡΗΝ.83ΉPATENTANSPRÜCHE:1· Verfahren zum Plasma-MIG-Schweissen, wobei in einem Gasstrom zwischen einer nichtabschmelzenden Elektrode und einem Werkstück ein Plasmabogen unterhalten wird, eine abschmelzende Elektrode axial in das Gasplasma geführt wird und zwischen der abschmelzenden Elektrode und dem Werkstück ein MIG-Bogen unterhalten wird, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine zweite abschmelzende Elektrode (21) in dasselbe Gasplasma geführt wird und zwar in einer Richtung parallel zur ersten abschmelzenden Elektrode (19)» wobei zwischen der zweiten abschmelzenden Elektrode (21) und dem Werkstück (w) ebenfalls ein MIG-Bogen unterhalten wird.2. Werkstück, das mit dem Verfahren nach Anspruch 1 geschweisst worden ist.3· Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens nach Anspruch 1, mit einem Schweissbrenner, der im wesentlichen aus einem Gehäuse mit einer Düse, die eine Plasmaöffnung aufweist, einer nicht abschmelzenden Plasmaelektrode, einer Drahtführung, einem Kontaktelement und Mitteln zum Zuführen eines Plasmagases besteht, welche Vorrichtung weiter eine erste Speisequelle aufweist, an die die Plasmaelektrode angeschlossen ist,7 0 ü π /, 1 / η γ, π 9ORIGINAL INSPECTEDPHN.und eine zweite Speisequelle, an die das Kontaktelement angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet,dass im Gehäuse (5) mindestens eine zweite Drahtführung (17) parallel zur ersten Drahtführung (15) angeordnet ist. h. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Drahtführungen (15»17) als Kontaktelemente ausgebildet sind, wobei die zweite Drahtführung (17) an eine dritte Speisequelle (51) angeschlossen ist.5· Vorrichtung nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Drahtführungen (15|17) zu einem gemeinsamen Kontaktelement (63) zusammengefügt sind, das zentral im Gehäuse (5) angeordnet ist.6. Vorrichtung nach Anspruch 3i dadurch gekennzeichnet, dass die Düse (7) als gemeinsames Kontaktelement ausgebildet ist, wobei die beiden Drahtführungen (15117) exzentrisch im Gehäuse (5) angeordnet sind und die Mittellinien der Drahtführungen (15»17) den Umfang der Plasmaöffnung (9) nahezu berühren (Fig. 3).7. Vorrichtung nach Anspruch k oder 5» dadurch gekennzeichnet, dass die Düse (7) als Plasmaelektrode ausgebildet ist. (Fig. 4)./0659
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