DE2706903A1 - Vorrichtung mit magnetblasendomaenen und verfahren zu deren herstellung - Google Patents

Vorrichtung mit magnetblasendomaenen und verfahren zu deren herstellung

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DE2706903A1
DE2706903A1 DE19772706903 DE2706903A DE2706903A1 DE 2706903 A1 DE2706903 A1 DE 2706903A1 DE 19772706903 DE19772706903 DE 19772706903 DE 2706903 A DE2706903 A DE 2706903A DE 2706903 A1 DE2706903 A1 DE 2706903A1
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bubble
chips
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Description

  • Titel: Vorrichtung mit Magnetblasendomänen und
  • Verfahren zu deren Herstellung Beschreibung Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung mit Magnetbiasendomänen und auf eine durch ein solches Verfahren hergestellte derartige Vorrichtung nach dem Oberbegriff des Anspruches 1 bzw. dem des Anspruches 2.
  • Als Material mit Blasenbereichen bzw. Bubble-Domänen wird Granat verwendet. Damit es effektiv ist, muß es in Form eines etwa einige m dünnen Films vorliegen. Seit im Jahre 1971 in dem Aufsatz Approaches for Making Bubble-Domain Materials" von Lawrence J.
  • Varnerin in IEEE Transactions on Magnetics, MAG-7, Seiten 404-409 eine epitaxiale Aufwachstechnik zum Herstellen eines magnetischen Granatfilms auf einem Einkristall-Substrat beschrieben wurde, wird ein durch diese Technik aufgewachsener, dünner Magnetischer Granat film allgemein verwendet. Unter den Einkristall-Substraten zur Verwendung als Substrat f#r BubbledoiAnen-Materialien kann man beispielsweise ei'flache (111)-Scheibe bzw. -Wafer aus einem seltenen Erdmetall-Gallium-Granat nehmen, das in folgendem abgekürzt als RGG bezeichnet wird und das als seltenes Erdmetallelement beispielsweise Gadolinium enthält.
  • Wie in dem Aufsatz "Magnetic Bubble Technology" von Hsu Chang im Jahre 1975 in IEEE Inc., New York, Seiten 182 - 186 beschrieben ist, wird eine Bubbledomänen-Vorrichtung im allgemeinen durch folgende Schritte hergestellt: Man läßt ein magnetisches Granat als Bubbledomänen-Material auf ein RGG-Substrat mittels der Epitaxialtechnik (Kristallwachstumstechnik) aufwachsen, darauf sieht man ein Muster wejchmagnetischer Elemente aus Permalloy oder dgl. für die Ausbreitung der Bubbledomänen und ein Muster von Leiterelementen zum Steuern der Verschiebung der Bubbledomänen vor, wobei eine geeignete Abstandsschicht dazwischen gefügt wird. Da das auf der Bubbledomänen-Vorrichtung vorgesehene Permalloy und Leiterelementeruituster durch die Photolithographie-Technik vorbereitet werden, ist, was die Herstellungsgenauigkeit der Photomaske und die Ausbeute des Photolithographieverfahrens anbetrifft, eine Blockeinheit bzw. ein Bauteil, die bzw. das eine vollkommene Funktion einer Bubbledomä.nen-Vorrichtung, d.h. eines Bubbledomänen-Chips besitzt, hinsichtlich seiner Abmessungen unausweichlich begrenzt. Zur Zeit wird im allgemeinen eine Chipgröße von 6 mm x 6 mm verwendet.
  • Betrachtet man den Herstellungsprozess für Bubbiedomänen-Vonfichtungen, so sind die Vorteile, wie oben beschrieben, eine große Anzahl von Bubbledomänen-Chips auf einem großflächigen Wafer aus Bubbledomänen-Material herzustellen und die betreffenden Chips in einem letzten Herstellungsschritt individuell und einzeln abzuschneiden, bereits bei der Halbleiter-IC-Herstellung, also bei der Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen bekannt. Ferner ist es bei einem Verfahren zum Ausschneiden von Chips, wie sich aus der periodisch erscheinenden Zeitschrift Circuit Manufacturing II, Juni 1970, Seiten 7# - 76 ergibt, allgemeine Praxis, die Chips längs vorgezeichneter bzw. -geritzter Linien, die mittels eines Diamantwerkzeuges gezogen werden und kristallinen Richtungen eines Halbleiterplättchens zugeordnet sind, auszuschneiden.
  • Wie beispielsweise in Fig. 30 auf Seite 1187, in Fig. 34 auf Seite 1188 und in Fig. 16 auf Seite 1182 eines in PROCEEDINGS OF THE IEEE, Band 63, Nummer 8, 1975, Seiten 1176 - 1195 unter dem Titel Magnetic Bubbles - An Emerging New Memory Technology" erschienen Artikels von A.H. Bobeck et al dargestellt ist, werden Bubbledomänen-Chips im allgemeinen rechteckfomnig hergestellt und parallel zu den Kanten der REchteckform ausgeschnitten. Es ist ferner allgemeine Praxis, die vorgezeichneten Linien parallel zu den Kanten der rechteckförmigen Chips anzuordnen und die Chips dadurch auszuschneiden, daß sie längs der vorgezeichneten Linien abgetrennt werden. Jedoch besteht beim Ausschneiden der Bubbledomänen-Chips die Gefahr, daß der Wafer bzw. das Plättchen neben der vorgezeichneten Linie, die die Schnittlinie darstellt, bricht, so daß das betreffende Bubbledomänen-Chip nicht abgenommen bzw. verwendet werden kann und so der Gesamtertrag wesentlich herabgesetzt ist.
  • Als ein Verfahren zum Vorzeichnen der Linien wird in breitem Maße ein Diamantanreiß-Verfahren verwendet, bei dem die Linien mittels eines Diamantwerkzeuges vorgezeichnet werden. Da jedoch die Spaltungs- bzw. Brucheigenschaft von RGG nicht so bedeutend ist, hängt der Erfolg beim Abbrechen des Wafers hauptsächlich von der Schärfe des Diamantwerkzeuges am Anreißgerät ab, so daß bei einem oft verwendeten Diamantwerkzeug ein unregelmäßiges Brechen des Bubbledomänen-Chips vorkommen kann. Wenn auch ein tiefes und scharfes Einritzen mit dem Diamantwerkzeug eine gute Ausbeute beim Abtrennen des Wafers in Chips bewirkt, so wird doch das Diamantwerkzeug sehr schnell abgenützt.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, ein Verfahren zum Herstellen einer Vorrichtung mit Magnetblasendomänen und ferner eine solche Vorrichtung selbst zu schaffen, bei dem bzw. bei der die Ausbeute bei der Herstellung von Bubbledomänen-Chips verbessert ist und das Diamantwerkzeug eines Diamantanreißgerätes eine längere lebensdauer besitzt.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß hinsichtlich des Verfahrens durch die im Kennzeichen des Anspruches 1 angegebenen Merkmale und die hinsichtlich der Vorrichtung durch die im Kennzeichen des Anspruches 2 angegebenen Merkmale gelöst.
  • Weitere Einzelheiten und Ausgestaltungen der Erfindung sind der folgenden Beschreibung zu entnehmen, in der die Erfindung anhand der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele naher beschrieben und erläutert wird. Es zeigen: Fig. 1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer aus einem rechteckförmigen Chip bestehenden, bekannten Bubbledomänen-Vorrichtung, Fig. 2 die Draufsicht auf ein erstes Ausf#hrungsbeispiel vorliegender Erfindung und Fig. 3 die Draufsicht auf ein zweites Ausführungsbeispiel vorliegender Erfindung.
  • Zunächst sei der Hintergrund beschrieben, auf dem die vorliegende Erfindung basiert. Während durch D. Medellin, M.F. Ehmann and G.W. Johnson in der Literatur Metallographic Specimen Preparation" Seiten 143 - 153 (herausgegeben von J.L. McCall and W.H.Mueller und veröffentlicht durch PLENUM PRESS, New York und London 1974) die mechanischen Eigenschaften von Gadolinium-Gallium-Granat (im weiteren mit GGG abgekürzt), das eine Art des RGG ist, beschrieben wurden, wurde über dessen Brucheigenschaft nichts ausgesagt, und man hat allgemein angenommen, daß das GGG keine merkliche Brucheigenschaft bzw. -fähigkeit besitzt. Als Ergebnis einer Untersuchung des Erfinders vorliegender Erfindung an einem GGG-(111)-Wafer haben sich jedoch folgende Fakten ergeben: Wenn manchen (111)-Wafer bzw. -Scheibe dadurch bricht, daß auf ihn ein konzentrierter Druck ausgeübt wird, so ergibt sich, daß die gespaltenen Linien zu 80% in einem Bereich innerhalb von 20 von der Richtung senkrecht zu [112], [i2iJ oder621 ,(das ist die Richtung von oder621 ,(das ist, oder ) und zu 95% im Bereich innerhalb von 100 von derselben Richtung verteilt sind. Ferner können, auch in dem Falle, in dem eine vorgezeichnete Linie auf der (111)-Scheibe besteht, und wenn die vorgeritzte Linie nicht ausreichend tief und scharf ist und die Scheibe nicht genau längs der vorgeritzten Linie dadurch gespalten werden, daß ein Druck längs der geritzten Linie von der Rückseite der Scheibe mit der vorgeritzten Linie ausgeübt wird, dennoch die Risse bzw. Bruchstellen in einer Richtung senkrecht zu einer [ii23, [121]- oder [211]-Richtung des Substrats verlaufen.
  • Aus der o.g. Tatsache wird ersichtlich, daß der GGG-(111)-Wafer bzw. -Scheibe eine Spaltungs- bzw. Bruchfähigkeit in Richtung senkrecht zur liia -, [i2#1i - oder [21# -Richtung besitzt. Wenn deshalb die Ränder der Bubbledomänen-Chips in der Richtung senkrecht zur #ii\-, [121]- oder [211]-Richtung verlaufen, dann ist das Bubbledomanen-Material, das aus dieser (111)-GGG-Scheibe besteht, längs der vorgeritzten Linien parallel zu den Rändern leicht abzubrechen und auf die Scheibe zum Zwecke des Ausschneidens von Chips aufzubringen. Dasselbe kann auch bei anderen RGG als dem GGG wegen der Ähnlichkeiten der Kristallsymmetrie und der mechanischen Festigkeit zum GGG angewendet werden. Mit anderen Worten, man kann im Falle von Bubbledomänen-Chips, die in der oben beschriebenen Weise hergestellt sind, Verbesserungen in der Ausbeute beim Abtrennen eines Chips erreiden, und auch das Diamantwerkzeug eines Anreißgerätes kann folglich eine längere Lebensdauer besitzen.
  • Die vorliegende Erfindung sei nun in weiteren Einzelheiten beschrieben. Gemäß Fig. 1 ist ein Bubble-Domänen-Chip, das ein Haupt-Neben-Schleifensystem besitzt, wie in Fig. 15 auf Seite 1182 der o.g. Literaturstelle "PROCEEDINGS OF THE IEEE", Band 63, Nummer 8, August 1975, dargestellt ist, im wesentlichen aus einer Hauptschleife 53 und einer Gruppe von Nebenschleifen 52, die die erstere in einem rechten Winkel kreuzen, ferner aus einem Steuerleiter für die Bubbledomänen-Verschiebung bzw. Transfer und seinen Anschlüssen 54, einem Leiter zum Abtasten und seinen Anschlüssen 55, einem Leiter zur Leerabtastung mit seinen Anschlüssen 56, einem Leiter zum Löschen und seinen Klemmen 57 und einem Leiter zur Bubbledomänen-Erzeugung und seinen Anschlossen 58 zusammengesetzt, wobei diese Anordnung eine rechteckförmige Einheit bildet. Durch die Ränder 51 der rechteckförmigen Einheit ist eine Bubbledomänen-Einheit abgegrenzt, die sich von anderen rechteckförmigen Einheiten unterscheidet.
  • Diese rechteckförmige Einheit wird im weiteren als Chip bezeichnet.
  • Gemäß Fig. 2, die ein erstes Ausführungsbeispiel vorliegender Erfindung zeigt, ist auf einem Bubbledomänen-Material 1 von 38 mm Durchmesser und 0,4 mm Dicke, das als Substrat eine RGG-(111)-Scheibe besitzt, eine Vielzahl von Bubbledomänen-Chips 5 rechteckförmiger Gestalt derart vorgesehen, daß ihre Ränder 51 (Fig.l) in einer Richtung parallel zu oder senkrecht zu einer der Richtungen von den drei durch Pfeile 3 dargestellten Richtungen [iii# [121] verlaufen. Diese Bubbledomänen-Chips 5 werden längs vorgeritzter Linien 2 in Richtung senkrecht zu einer der genannten Richtungen [112],[121] bzw. [211] abgetrennt, um unabhängige Bubbledomänen-Chips von 6 mm x 6 mm und 0,4 mm Dicke zu bilden. In diesem Falle ist es für die Herstellung der vorliegenden Bubbledomänen-Vorrichtung sehr bequem, die RGG-(111)-Scheibe mit einem polierten bzw. ~glanzgeschliffenen Flächenrand 4 zu versehen, der eine dieser Richtungen bzw. ,[1212bzw.62111 anzeigt.
  • Gemäß Fig, 3 ist eine RGG-(111)-Scheibe 1 als ein Substrat für die Bubbledomänen-Vorrichtung mit einem glanzgeschliffenen Flachenrand 4 versehen, der die Richtung senkrecht zu einer der Richtungen [112], [i2i] bzw. 621; anzeigt, wobei ähnlich dem Fall des ersten Ausführungsbeispieles die vorgeritzten Linien 2 zum Abtrennen der Bubbledomänen-Chips 5, deren Ränder parallel zum genannten glanzgeschliffenen Flächenrand 4 verlaufen, auf die Scheibe bzw. Wafer entsprechend diesem Flächenrand 4 aufgebracht sind.
  • Im vorstehenden wurde der Fall beschrieben, bei dem die Bubbledomänen-Chips rechteckförmiger Gestalt sind. Selbstverständlich können sie auch die Form eines Parallelogramms aufweisen, wenn die Ränder der Chips in einer Richtung innerhalb von von der Richtung senkrecht zu einer der Richtungen [L#12} ,F-121# bzw. [21 des Substrates verlaufen, wobei das Herstellungsverfahren und die hergestellte Bubbledomänen-Vorrichtung innerhalb des Rahmens vorliegender Erfindung liegen. Auch damit können naturgemäß die Wirkungen und Vorteile der vorliegenden Erfindung erreicht werden.
  • Wie oben beschrieben, können gemäß vorliegender Erfindung bei der Herstellung von Bubbledomänen-Vorrichtungen, die eine Scheibe längs einer (111)-OberflAche des RGG-Einkristalls als Substrat besitzen, die Ausbeute an Bubbledomänen-Chips erhöht und das Diamantwerkzeug des Anreißgerätes davor geschützt werden, daß es sehr leicht abgenutzt wird.
  • Leerseite

Claims (2)

  1. Titel: Vorrichtung mit Magnetbiasendomanen und Verfahren zu deren Herstellung Patentansprüche Verfahren zum Herstellen von Vorrichtungen mit Magnetblasendomänen, bei dem ein Dünnfilm eines Blasendomänen-Materials auf ein Substrat aufgewachsen wird, das aus einer Scheibe eines seltenen Erdmetalls-Gallium-Granat-Einkristalls (RGG) mit einer (111)-Oberfläche besteht, bei dem in dem Dünnfilm eine Vielzahl von Einheiten mit Mustern aus Leiterelementen und/oder weichmagnetischen Elementen zur Domänenausbreitung und/oder -verschiebung gebildet werden und bei dem das Substrat entsprechend den Einheiten vorgeritzt und die Einheiten vom Substrat abgetrennt werden, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Dünnfilm eine Vielzahl von Einheiten (5) rechteck-oder parallelogrammfdrmiger Gestalt gebildet werden, von denen zumindest ein Rand (51) in einer Richtung innerhalb von 50 von der Richtung senkrecht zu einer El12)-, [i2#- oder[2#1j-Richtung des Substrats verläuft, und daß das Vorritzen des Substrats parallel zu den betreffenden Rändern (51) der Einheiten (5) erfolgt.
  2. 2. Durch das Verfahren nach Anspruch 1 hergestellte Blasendomänen-Vorrichtung, bei der ein Dunnfilm eines Blasendomänen-Materials auf ein Substrat aufgewchsen wird, das aus einer Scheibe eines seltenen Erdmetalls-Gallium-Grant-Einkristalls (RGG) mit einer (lll)-Oberfläche besteht, bei den in dem Ixlnnfilm eine Vielzahl von Einheiten mit Mustern aus Leiterelementen und/oder weichmagnetischen Elementen zur Domänenausbreitung und/oder -verschiebung gebildet sind und bei dem das Substrat entsprechend den Einheiten vorgeritzt und die Einheiten vom Substrat abtrennbar sind, dadurch gekennzeichnet, daß in dem DUnnfilm eine Vielzahl von Einheiten (5) rechteck - oder parallelogranförmiger Gestalt gebildet sind, deren zumindest einer Rand (51) in einer Richtung innerhalb von 50 von der Richtung senkrecht zu einer L11i - oder [211]-Richtung des Substrats verläuft,und daß das Substrat parallel zu den betreffenden Rändern (51) der Einheiten (5) vorgeritzt ist.
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