DE2634483C3 - Vorrichtung zur Beeinflussung der auf einem elektrischen Leiter übertragenen Wechselspannung - Google Patents
Vorrichtung zur Beeinflussung der auf einem elektrischen Leiter übertragenen WechselspannungInfo
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- DE2634483C3 DE2634483C3 DE19762634483 DE2634483A DE2634483C3 DE 2634483 C3 DE2634483 C3 DE 2634483C3 DE 19762634483 DE19762634483 DE 19762634483 DE 2634483 A DE2634483 A DE 2634483A DE 2634483 C3 DE2634483 C3 DE 2634483C3
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Description
30
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Beeinflussung der auf einem elektrischen Leiter
übertragenen Wechselspannung durch Vorgabe eines einstellbaren Schwellenwerte:», an den die Wechselspannung
für eine Zeitspanne angeklemmt wird, in der sie eine den Schwellenwert in einer festlegbaren Polarität
überschreitende Tendenz aufweist.
Eine derartige Vorrichtung ist aus der DE-AS 12 92 907 bekannt. Photoelektrische Bahnabtaster werden,
wie z. B. aus der DE-AS 12 92 907 hervorgeht, über Koppelkondensatoren mit Verstärker verbunden. Zur
Begrenzung des Potentials auf der Eingangsleitung des Verstärkers kann dieser min einer Diode verbunden
werden, deren eine Elektrode mit einem Bezugspotential beaufschlagt wird. Der Grenzwert der Spannung auf
dem Leiter ergibt sich bei dieser Anordnung aus der Differenz zwischen dem Bezugspotential und dem
Spannungsabfall an der Diode. Die Dioden weisen nichtlineare Stromspannungs-Kennlinien auf, die überdies
in Abhängigkeit von der Temperatur ihren Verlauf ändern. Daher treten beim Übergang der Wechselspannung
auf den Begrenzungswert und beim Verlassen dieses Werts Potentialverschiebungen auf.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung der eingangs erwähnten Gattung derart
weiterzuentwickeln, daß unkontrollierte Aufladungen vermieden und störende Verzerrungen und Potentialverschiebungen
während des; Erreichens oder Verlassens des Schwellenwc·*«; weitgehend unterdrückt
werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Wechselspannung dem einen Eingang eines
Differenzverstärkers zuführlbar ist, dessen zweiter Eingang mit einem für den Sichwellenwert maßgebenden
Bezugspotential beaufschlagbar ist, und daß über den Ausgang des Differenzverstärker ein Halbleiterelement
mit dem Leiter verbunden ist, das beim Anklemmen der Wechselspannung an den Schwellenwert
und zur Festlegung des Ruhepotentials bei nicht mit Wechselspannung beaufschlagtem Leiter einen
Ausgleichsstrom zur Aufrechterhaltung des Schwellenwerts führt
Infolge des großen Verstärkungsgrads des Differenzverstärkers wird das Halbleiterelement schon bei sehr
kleinen Unterschieden zwischen der Wechselspannung und dem Begrenzungswert von einem hinreichend
großen Strom durchflossen. Daher werden Sättigungserscheinungen, wie sie durch die nichtlineare Diodenkennlinie
erzeugt werden, oder Einflüsse von Widerständen, z.B. der leitenden Feldeffekttransistoren,
umgangen. Nachgeschaltete Verarbeitungseinrichtungen können somit auf den Unterschied zwischen dem
Begrenzungswert und der von einer Spannungsquelle abgegebenen maximalen Spannung abgestimmt sein.
Wenn kein Nutzsignal auf den Leiter übertragen wird, ist das Leiterpotential durch den Stromfluß auf den
Schwellenwert festgelegt Bei Übertragung eines Nutzsignals beginnt die Spannung auf dem Leiter
deshalb von einem definierten Potential aus anzusteigen.
Bei einer zweckmäßigen Ausführungsform mit einem Kondensator, über den die Wechselspannung auf den
Leiter übertragbar ist, ist vorgesehen, daß ein Eingang des Differenzverstärkers mit einem Potential beaufschlagbar
ist und daß bei einem das Potential dieses Eingangs unterschreitenden oder überschreitenden
Potential am zweiten Eingang der Ausgang des Differenzverstärkers einen Strom abgibt, mit dem das
Halbleiterelement durchlässig steuerbar ist, wobei der Strom zumindest teilweise über einen Widerstand an ein
negatives oder positives Potential ableitbar ist Diese Anordnung ermöglicht die Anklemmung der Wechselspannung
auf einen vorlegbaren Wert, der als Anklemmpotential bezeichnet werden kann, das positiv,
negativ oder null Volt ist. Bei negativer Anklemmung ist es vorteilhaft, das Potential am Differenzverstärkereingang
entsprechend negativ zu machen, um einen größeren Signalhub des Nutzsignals verfügbar zu haben.
Mit dieser Anordnung kann auch die Wechselspannung auf einen positiven Wert begrenzt werden, wenn
dem Differenzverstärkereingang positives oder Massepotential zugeführt wird.
Vorzugsweise ist der nichtinvertierende Eingang des Differenzverstärkers an Anklemmpotential und der
invertierende Eingang an den Leiter gelegt, wobei der Ausgang des Differenzverstärkers über eine Diode den
Leiter speist, die mit ihrer Anode an den Ausgang des Differenzverstärkers angeschlossen ist Diese Anordnung
klemmt die negativen Wellen der Wechselspannung auf einen geringfügig negativen Schwellenwert an.
Der Aufwand an elektronischen Bauelementen ist bei dieser Anordnung gering.
Bei einer anderen zweckmäßigen Ausführungsform ist der invertierende Eingang des Difrerenzverstärkers
an Anklemmpotential und der nichtinvertierende Eingang an den Leiter gelegt, wobei der Ausgang des
Differenzverstärkers mit der Basis eines Transistors verbunden ist, der mit seinem Kollektor an den Leiter
und mit seinem Emitter an ein positives Potential angeschlossen iüt. Die negativen Wellenanteile der
Wechselspannung werden bei dieser Anordnung auf einen geringfügig negativen Schwellenwert angeklemmt,
wenn als Anklemmpotential Masse dient. Der pnp-Transistor kann bei dieser Anordnung durch einen
p-Kanal-Feldeffekttransistor ersetzt werden. Um die
negativen Wellenanteile der Wechselspannung anzuklemmen, kann der Differenzverstärker auch mit dem
invertierenden Eingang an den Leiter und mit dem nichtinvertierenden Eingang an Anklemmpotentail
gelegt sein, während der Differenzverstärkerausgang die Basis eines Transistors speist, dessen Kollektor mit
positivem Bezugspotential versorgt und dessen Emitter mit dem Leiter verbunden ist. Bei negativem oder
Masse-Anklemmpotential werden die negativen Amplituden begrenzt An die Stelle des npn-Transistors kann
auch ein n-Kanal-Feldeffekttransistor treten, dessen
Gate-Anschluß mit dem Differenzverstärkerausgang verbunden ist
Eine andere günstige Ausführungsform besteht darin, daß der invertierende Eingang des Differenzverstärkers
an Anklemmpotential und der nichtinvertierende Eingang an den Leiter gelegt ist und daß der Ausgang
des Differenzverstärkers mit der Basis eines Transistors verbunden ist der mit seinem Kollektor an den Leiter
und mit seinem Emitter an negatives Potential angeschlossen ist Die positiven Wellenanteile der
Wechselspannung werden mit dieser Anordnung auf einen geringfügig positiven Schwellenart angeklemmt,
sofern Masse als Anklemmpotential dient. An Stelle des npn-Transistors läßt sich auch ein n-Kanal-Feldeffekttransistor
einsetzen.
Zur Anklemmung der positiven Wellenanteile der Wechselspannung kann der Differenzverstärker auch
mit dem invertierenden Eingang an den Leiter und mit dem nichtinvertierenden Eingang an Anklemmpotential
gelegt sein, während der Ausgang des Differenzverstärkers die Basis eines Transistors speist der mit seiner
Emitter-Kollektor-Strecke zwischen den Leiter und ein negatives Bezugspotential geschaltet ist An Stelle
eines pnp-Transistors kann auch ein n-Kanal-Feldeffekttransistor verwendet werden.
Bei einer vorteilhaften Ausführungsform ist der nichtinvertierende Eingang des Differenzverstärkers an
Anklemmpotential und der invertierende Eingang an den Leiter gelegt wobei der Ausgang des Differenzverstärkers
über eine Diode den Leiter speist die mit ihrer Kathode an den Differenzverstärkerausgang angeschlossen
ist Die positiven Amplituden der Wechselspannung werden bei dieser Anordnung auf einen
geringfügig positiven Schwellenwert angeklemmt, wenn das Anklemmpotential Massepotential entspricht Die
Anordnung kommt ebenfalls mit einem Minimum an elektronischen Bauelementen aus.
Eine Ausführungsform mit einem ohmschen Widerstand über den die Wechselspannung auf den Leiter
übertragbar ist besteht darin, daß ein Eingang des Differenzverstärkers an den Leiter und der andere an
Anklemmpotential gelegt ist und daß der Ausgang des Differenzverstärkers über ein Halbleiterelement mit
einem Kondensator, einem den Stromfluß bei fehlender Eingangsspannung über einen Widerstand aufrecht
erhaltenen Potential und einem Verstärker verbunden ist der über einen Widerstand an den Leiter
angeschlossen ist
Bei einer weiteren zweckmäßigen Ausführungsform ist die Wechselspannung dem nichtinvertierenden
Eingang eines zusätzlichen Differenzverstärkers zuführbar, dessen invertierender Eingang über einen Widerstand
mit einem Kondensator verbunden ist der über einen weiteren Widerstand an Bezugspotential und über
das Halbleiterelement an den Ausgang des Differenzverstärkers angeschlossen ist dessen einer Eingang mit
Bezugspotential beaufschlagt und dessen anderer Eingang an den Leiter angeschlossen ist, der vom
Ausgang des zusätzlichen Differenzverstärkers gespeist ist
Vorzugsweise ist der nichtinvertierende Eingang des Differenzverstärkers an den Leiter und der invertierende
Eingang an Massepotential gelegt wobei der Ausgang des Differenzverstärkers über eine Diode,
deren Kathode an den Kondensator angeschlossen ist, den Kondensator speist der über den Widerstand an
negatives Bezugspotential gelegt ist Diese Anordnung klemmt die positiven Wellenanteile der Wechselspannung
auf einen Schwellenwert an, der ungefähr gleich dem Massepotential ist
IJm die negativen Wellenanteile anzuklemmen, wird die vorstehend beschriebene Anordnung derart abgeändert,
daß die Diode umgekehrt gepolt und der Kondensator über den Widerstand an ein positives
Bezugspotential gelegt ist Die vorstehend erläuterten Anordnungen haben den Vorteil, daß die Wechselspannung
neben der Anklemmung im Bereich über oder unter dem Schwellenwert noch verstärkt wird.
Die vorstehend erläuterten Anordnungen werden vorzugsweise in einer Schaltung zur Abtastung von
Markierungen auf Bahnen verwendet bei der auf den Leiter ein von einem optischen Bahntaster stammendes
Signal übertragbar ist, wobei an den Leiter ein steuerbares Schaltelement angeschlossen ist das weiterhin
mit einem Bezugspotential beaufschlagbar ist, und das während eines für die Abtastung der Markierungen
verfügbaren Zeitraums geöffnet ist Außerhalb des Abtastungszeitraums wird somit dem Leiter über das
Schaltelement das kontaktlos ausgebildet sein kann, das Referenzpotential zugeführt. Mit dem steuerbaren
Schaltelement werden starke Signalschwankungen, die beispielsweise durch einen Satzspiegel auf bedrucktem
Papier hervorgerufen werden, auf dem Leiter unterdrückt. Da das Schaltelement zur Erzielung großer
Schalthäufigkeiten kontaktlos, sein muß, werden hierfür zumeist Transistoren verwendet
Die Erfindung wird im folgenden an Hand von in
einer Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert Es zeigt
Fig. la bis Fig. Ic Schaltbilder von Anordnungen zur Anklemmung der negativen Wellenanteile der über einen Kondensator auf den Leiter übertragenen Wechselspannungen,
Fig. la bis Fig. Ic Schaltbilder von Anordnungen zur Anklemmung der negativen Wellenanteile der über einen Kondensator auf den Leiter übertragenen Wechselspannungen,
Fig.2a bis Fig.2c Schaltbilder von Anordnungen
zur Anklemmung der positiven Wellenanteile der über einen Kondensator auf den Leiter übertragenen
Wechselspannungen,
F i g. 3a und F i g. 3b Schaltbilder von Anordnungen zur Anklemmung der negativen Wellenanteile der über
einen ohmschen Widerstand auf den Leiter übertragenen Wechselspannungen,
F i g. 4a und F i g. 4b Schaltbilder von Anordnungen zur Anklemmung der positiven Wellenanteile der über
einen ohmschen Widerstand auf den Leiter übertragenen Wechselspannungen,
Fig.5a und Fig.5b Schaltbilder von Anordnungen
zur Anklemmung der negativen oder positiven Wellenanteile der am Ausgang eines Verstärkers abgreifbaren
Wechselspannung,
F i g. 6 ein Schaltbild einer Abänderung der AnordnunggemäßFig.5a,
F i g. 6 ein Schaltbild einer Abänderung der AnordnunggemäßFig.5a,
F i g. 7 ein Schaltbild einer Abänderung der Anordnung gemäß F i g. 5b.
Die auf einen vorgebbaren Schwellenwert anzuklem-
mende Wechselspannung wird bei der Anordnung gemäß Fig. la über einen Kondensator 1 auf einen
elektrischen Leiter 2 übertragen, an den ein Differenzverstärker 3 angeschlossen ist. Der Ausgang des
Differenzverstärkers 3 steht über ein Halbleiterelement 4 mit dem Leiter 2 in Verbindung. Bei dem
Halbleiterelement 4 handelt es sich um eine Diode, deren Anode vom Ausgang des Differenzverstärkers 3
gespeist wird, während die Kathode der Diode an den Leiter 2 angeschlossen ist. Die Polung der Diode in ι ο
Bezug auf den Leiter 2 und den Ausgang des Differenzverstärkers 3 hängt von der Polarität des
Schwellenwerts ab. Ein Eingang des Differenzverstärkers 3 ist mit dem Leiter 2 verbunden, während der
andere Eingang von einem Bezugspotential beaufschlagt ist.
Da die Wechselspannungsanteile mit negativer Polarität an den Schwellenwert angeklemmt werden
sollen, ist der invertierende Eingang des Differenzverstärkers 3 an den Leiter 2 und der nichtinvertierende
Eingang an das Bezugspotential gelegt, bei dem es sich beispielsweise um Massepotential handelt. Der Leiter 2
steht ferner über einen Widerstand 8 mit einem negativen Bezugspotential in Verbindung.
An den Leiter 2 ist ein weiterer Verstärker 5 angeschlossen, z. B. ein Impedanzwandler, der nachgeschaltete
Verarbeitungsgeräte, etwa über ein Kabel, speist. Weiterhin steht mit dem Leiter 2 ein steuerbares
Schaltelement 6 in Verbindung. Als Schaltelement 6 wird beispielsweise ein Feldeffekttransistor verwendet,
dessen Source an Bezugspotential gelegt ist, während der Drain-Anschluß mit dem Leiter 2 verbunden ist. Der
Gate-Anschluß ist an eine Klemme 7 gelegt, der Steuersignale von einer nicht dargestellten Einheil
zugeführt werden. Als Bezugspotential dient z. B. Massepotential.
Solange der Kondensator 1 nicht mit einer veränderlichen Spannung beaufschlagt wird, herrscht am
invertierenden Eingang des Differenzverstärkers eine gegenüber Massepotential geringfügig negative Span- ίο
nung. die durch einen Stromfluß vom Ausgang des Differenzverstärkers 3 über die Diode und den Widerstand
8 aufrecht erhalten wird. Diese geringfügig negative Spannung entspricht dem Ruhepotential auf
dem Leiter 2.
Wird über den Kondensator 1 eine positiv verlaufende Spannung auf den Leiter 2 übertragen, dann gibt der
Differenzverstärker 3 infolge der positiven Polarität der Spannung am invertierenden Eingang gegenüber dem
Massepotential eine negative Spannung am Ausgang ab. Die Diode ist in diesem Fall in Sperrichtung gepolt. Der
positive Verlauf der Spannung auf dem Leiter 2 wird somit durch die Diode nicht beeinflußt.
Wenn die Spannung auf dem Leiter 2 gegenüber dem Massepotential geringfügig negativ wird, speist der eine «
große Stromverstärkung aufweisende Differenzverstärker 3 einen Strom über die Diode auf den Leiter 2 ein, so
daß die Spannung nicht mehr weiter absinken kann. Die Spannung auf dem Leiter 2 behält dabei unabhängig
vom weiteren negativen Verlauf der Spannung am Eingang des Kondensators 1 ihren geringfügig negativen
Schwellenwert bei. Erst nach einem erneuten Anstieg der Wechselspannung auf positive Werte wird
der über die Diode fließende Strom unterbrochen.
Durch den großen Verstärkungsgrad des Differenz-Verstärkers 3 wird der Einfluß der nichtlinearen
Kennlinie und des Temperatureinflusses auf die Kennlinie der Diode erheblich vermindert Daher treten
nur geringfügig Verzerrungen des Kurvenverlaufs der Wechselspannung auf dem Leiter 2 beim Erreichen des
Begrenzungswerts auf. Von den nachgeschalteten Einrichtungen werden nur die den Begrenzungswert
übersteigenden Signale weiterverarbeitet. Dies hat den Vorteil, daß nicht durch Überschwingen des Kurvenverlaufs
eine fehlerhafte Signalauswertung hervorgerufen wird.
Durch die Verbindung des Feldtransistors mit dem Leiter 2 eignet sich die in F i g. 1 dargestellte Anordnung
für die Verarbeitung von Signalen, die von Bahnabtastern abgegeben werden, wenn außer den Marken noch
andere Markierungen z. B. Buchstaben des Drucks an den Bahntastern vorbeilaufen. Durch ein entsprechendes
Steuersignal an der Klemme 7 wird der Feldeffekttransistor durchlässig und verbindet den Leiter 2 mit
dem Massepotential. Ein derartiges Steuersignal wird vorwiegend dann erzeugt, wenn an den Bahntastern der
Satzspiegel vorbeibewegt wird. Erscheint an den Bahntastern der druckfreie Raum vor den Marken, so
wird durch Beendigung des Steuersignals an der Klemme 7 der Feldeffekttransistor in den nichtleitenden
Zustand versetzt.
Die aus den Elementen (Differenzverstärker 3 und Halbleiterelement 4) bestehende Anordnung hält den
Pegel auf dem Leiter 2 auch während des Übergangs des Feldeffekttransistors (Schaltelement 6) vom leitenden in
den nichtleitenden Zustand auf dem geringfügig negativen Schwellenwert fest, bis die über den
Kondensator 1 übertragene Spannung bei der Abtastung einer Marke positiv wird.
Die in Fig. Ib dargestellte Schaltungsanordnung
weicht von der Anordnung gemäß Fig. la nur insofern ab, als die Eingänge des Differenzverstärkers 3
vertauscht sind und an den Differenzverstärkerausgang nicht die Anode einer Diode sondern die Basis eines
Transistors (Halbleiterelement 9) angeschlossen ist. Gegenbenenfalls kann auch eine Röhre an Stelle des
Transistors verwendet werden. Der Emitter des Transistors wird von einem positiven Potential gespeist.
Der Kollektor des Transistors ist mit dem Leiter 2 verbunden.
Wenn auf der Leitung 2 geringes, negatives Potential herrscht, dann gibt der Differenzverstärker 3 eine
negative Spannung ab, die den Transistor leitend steuert. Wird über den Kondensator 1 eine negative
Spannung auf den Leiter 2 übertragen, dann begrenzt die aus den Teilen (Differenzverstärker 3) und
Transistor (Halbleiterelement 9) bestehende Anordnung die Spannung auf einen Schwellenwert, der nur
geringfügig negativer als das Massepotential am invertierenden Eingang des Differenzverstärkers 3 ist.
Die Anordnung gemäß Fig. Ib klemmt die negativ verlaufenden Anteile der Wechselspannung an. Steigt
die über den Kondensator 1 eingekoppelte Spannung auf positive Werte an, so gelangt ein positives Potential
auf den nichtinvertierenden Eingang des Differenzverstärkers 3. Der Differenzverstärker 3 gibt dadurch eine
positive Spannung am Ausgang ab, die den Transistor sperrt. Der Spannungsverlauf auf dem Leiter 2 wird
daher, sofern das Potential positiv ist, nicht durch den Transistor beeinflußt. Die vorstehend beschriebene
Anordnung unterdrückt an den Übergängen von der Wechselspannung zur Begrenzung bzw. in umgekehrter
Richtung ebenso störendes Überschwingen wie die in F i g. la dargestellte Anordnung.
Anstelle des pnp-Transistors (Halbleiterelement 9) kann auch ein p-Kanal-Feldeffekttransistor verwendet
werden, dessen Gate-Anschluß mit dem Differenzverstärkerausgang verbunden ist.
Bei der in F i g. Ic dargestellten Schaltungsanordnung
ist im Vergleich zur Schaltungsanordnung gemäß Fig. la lediglich an die Stelle der Diode ein Transistor
(Halbleiterlement 10) getreten, dessen Basis an den Ausgang des Differenzverstärkers 3 angeschlossen ist.
Der Emitter des npn-Transistors ist mit dem Leiter 2 verbunden. Der Kollektor des Transistors wird von
einem positiven Potential gespeist. Die Anordnung nach F i g. Ic klemmt ebenso wie die Anordnung der F i g. la
und Ib die negativen Wechselspannungsanleile an den Schwellenwert an. Der Transistor kann durch einen
n-Kanal-Feldeffekttransistor ersetzt werden, dessen Gate-Anschluß vom Differenzverstärker 3 gespeist
"wird.
Die in den F i g. 2a bis 2c dargestellten Schaltungsanordnungen dienen zum Anklemmen der positiv
verlaufenden Anteile der Wechselspannung auf einen Schwellenwert, der durch ein Bezugspotential bestimmt
wird. Als Bezugspotential ist bei allen Schaltungen der F i g. 2a bis 2c Massepotential vorgesehen. Hinsichtlich
der Anordnung des Kondensators 1, des Leiters 2 und des Verstärkers 5 bestehen keine Unterschiede
zwischen den Anordnungen der F i g. 1 a bis 2c.
Die Anordnung gemäß der Fig.2a enthält einen
Differenzverstärker 11, dessen nichtinvertierender Eingang mit dem Leiter 2 verbunden ist. Der
invertierende Eingang des Differenzverstärkers 11 ist an Massepotential gelegt. Der Ausgang des Differenzversärkers
11 speist die Basis eines npn-Transistors (Halbleiterelement 12), dessen Kollektor an den Leiter 2
angeschlossen ist. Der Emitter des Transistors steht mit einem negativen Bezugspotential in Verbindung. Der
Leiter 2 ist weiterhin über einen Widerstand 13 mit positivem Bezugspotential verbunden.
Wenn keine Wechselspannung über den Kondensator 1 eingekoppelt wird, dann herrscht am nichtinvertierenden
Eingang des Differenzverstärkers 11 ein gegenüber Massepotential geringfügig positives Potential. Der
Differenzverstärker 11 beaufschlagt die Basis des Transistors (Halbleiterelement 12) mit einem geringen
positiven Potential, so daß der Transistor leitend wird und dadurch den über den Widerstand 13 fließenden
Strom nach der negativen Spannungsquelle ableitet. Als Ruhepotential tritt auf dem Leiter 2 deshalb ein
gegenüber Massepotential nur sehr geringfügig höheres Potential auf. Wird über den Kondensator 1 eine
positive Spannung auf den Leiter 2 übertragen, dann wird der Differenzverstärker 11 zur Abgabe einer
höheren Gleichspannung veranlaßt, die den Transistor
31(11 λ^Ι QUJOlUU^l L« LS \*&l ICLlU 1111« U I ^,111 HUIlV t \*l O Ll Will
zum Leiter 2, durch den das Potential auf dem Leiter 2 nahezu auf dem vorgegebenen Schwellenwert gehalten
wird. Geht die Wechselspannung auf negative Werte über, dann treten am Differenzverstärkereingang negative
Spannungen auf, durch die das Ausgangssignal des Differenzverstärkers 11 ebenfalls auf einen negativen
Wert umgeschaltet wird. Dadurch wird der Transistor nichtleitend. Der negative Teil des Wechselspannung
wird somit durch die Anklemmschaltung nicht beeinträchtigt Statt des npn-Transistors kann auch ein
n-Kanal-Feldeffekttransistor verwendet werden. Die Teile (Schaltelement 6 und Klemme 7) sind in den
F i g. 2a bis 2c nicht dargestellt Je nach der Anwendung der Schaltungen können diese Teile in Übereinstimmung
mit der in Fig. la bis Ic gezeigten Anordnung
vorgesehen sein.
Gegenüber der in Fig.2a dargestellten Anordnung
unterscheidet sich die Anordnung gemäß F i g. 2b durch die Vertauschung der Eingänge des Differenzverstärkers
11 und durch einen pnp-Transistor (Halbleiterelement
14), dessen Emitter an den Leiter 2 angeschlossen ist. Der Kollektor des Transistors ist an die negative
Bezugsspannung gelegt. Der pnp-Transistor kann durch einen p-Kanal-Feldeffekttransistor ersetzt werden,
dessen Gate-Anschluß mit dem Differenzverstärkerausgang verbunden ist.
Bei der Schaltungsanordnung gemäß F;. g. 2c ist an
Stelle des in F i g. 2a gezeigten Transistors (Halbleiterelement 12) eine Diode (Halbleiterelement 15) vorgesehen,
deren Anode mit dem Leiter 2 und deren Kathode mit dem Ausgang des Differenzverstärkers 11 verbunden
isi. Weiterhin sind die Eingänge des Differenz-Verstärkers
11 gegenüber der F i g. 2a vertauscht.
Der Leiter 2 kann auch, wie aus den F i g. 3a und 3b ersichtlich ist, mittels eines ohmschen Widerstands 16 an
nicht dargestellte Wechselspannungsquellen angeschlossen sein. Vom Leiter 2 wird der invertierende
Eingang eines Differenzverstärkers 17 gespeist, dessen nichtinvertierender Eingang mit Massepotential beaufschlagt
ist. Eine Diode (Halbleiterelement 18) ist mit der Anode an den Ausgang des Differenzverstärkers 17
angeschlossen. Die Kathode der Diode ist mit einem Kondensator 19, dem Eingang eines Verstärkers 20 und
über einen Widerstand 21 mit negativem Potential verbunden. Der Ausgang des Verstärkers 20 speist über
einen Widerstand 22 die Leitung 2.
Gelangt eine negative Spannung über den Wider-
Kondensator 19 anstehende Spannung speist der Verstärker 20 einen Strom in den Spannungsteiler aus
den Widerständen 16 und 22. Über den Spannungsabfall am Widerstand 22 wird dadurch das Potential auf dem
Leiter auf einen Wert angehoben, der nahezu dem Massepotential am nichtinvertierenden Differenzverstärkereingang
entspricht. Die Spannung am Ausgang des Verstärkers 20 ist deshalb engegengesetzt zu der am
Eingang und hebt die Wirkung der negativen Eingangsspannungen am Widerstand 16 in dem Sinne auf, daß auf
dem Leiter 2 die Spannung von null Volt entsteht. Das Potential auf dem Leiter 2 ist nur geringfügig negativer
als das Massepotential. Die aus den Teilen 17,18,19,20,
21, 22 und 16 bestehende Anordnung verhindert also, daß der durch Massepotential vorgegebene Schwellenwert
auf dem Leiter 2 bei negativer Wechselspannung unterschritten wird. Die Anordnung klemmt daher die
negativ verlaufenden Wechselspannungsar.teile an.
Eine positive Wechselspannung auf dem Leiter 2 ruft am Ausgang des Differenzverstärkers 17 ein negatives
Potential hervor, so daß die Diode in Sperrichtung beansprucht wird. Daher sinkt das Potential am
Kondensator 19 ebenfalls allmählich ab. Der Verstärker 20 gibt demnach keinen Ausgangsstrom ab. Die
positiven Wechselspannungsanteile auf dem Leiter 2 werden somit nicht beeinflußt.
Herrscht am Eingang des Widerstands die Wechselspannung null Volt, so regelt der Differenzverstärker 17
über den Strom durch die Diode das Potential am Ausgang des Verstärkers 20 im Sinne einer Aufrechterhaltung
der Schwellenspannung.
Die in Fig.3b gezeigte Schaltungsanordnung dient
ebenfalls zum Anklemmen der negativen Wechselspannungsanteile an den vorgegebenen Schwellenwert
Gegenüber der in Fig.3a dargestellten Anordnung
unterscheidet sich die Anordnung gemäß F i g. 3b durch die Vertauschung der Eingänge des Differenzverstärkers
17, der Anschlüsse der Diode (Halbleiterelement 18), durch einen. Verstärker 20, der die Eingangsspannung
umkehrt, und durch einen an positives Potential angeschlossenen Widerstand 21.
In den F i g. 4a und 4b sind Schaltungsanordnungen zum Anklemmen der positiven Wechselspannungsanteile
an einen Schwellenwert dargestellt. Bei beiden Anordnungen sind die Leiter 2 über Widerstände 16 mit
nicht dargestellten Wechselspannungsquellen verbunden. Die Schaltungen gemäß F i g. 4a und 4b stimmen
mit den in Fig.3a und 3b gezeigten Schaltungen bezüglich der Anordnung von Differenzverstärkern 17,
Kondensatoren IS, Verstärkern 20 und Widerständen
16, 22 überein. Die Widerstände 21 werden von einer Spannungsquelle entgegengesetzter Polarität gespeist.
Die Spannungsquelle ist gemäß Fig.4a positiv. Die Anschlüsse der Dioden (Halbleiterelemente 18) sind
weiterhin vertauscht.
Die in der F i g. 4a dargestellte Schaltungsanordnung unterscheidet sich von der Anordnung gemäß F ι g. 3a
somit durch die Bezugsspannung am Widerstand 21 sowie durch die umgekehrte Polung der Diode. Die
gleichen Unterschiede bestehen zwischen der Schaltungsanordnung gemäß Fig.3b und der in Fig.4b
gezeigten Schaltung.
Bei der in Fig. 5a dargestellten Anordnung ist ein Eingang mit dem nichtinvertierenden Eingang eines
Differenzverstärkers 23 verbunden, dessen Ausgang an den Leiter 2 angeschlossen ist. Der Gleichstrompegel
am Differenzverstärkereingang ist durch einen, zwei Widerstände 24, 25 enthaltenden Spannungsteiler
festgelegt. Weiterhin ist der invertierende Differenzverstärkereingang an einen Abgriff eines Widerstände
aufweisenden Spannungsteilers angeschlossen, der zwischen dem Differenzverstärkerausgang und Masse
angeordnet ist, die nicht näher bezeichnet ist. Zwischen dem nichtinvertierenden Differenzverstärkereingang
und dem Abgriff zwischen den beiden Widerständen 26, 27 ist noch ein Rückkoppelungswiderstand 28 vorgesehen.
Der invertierende Eingang ist weiterhin über einen Widerstand 29 an einen Belag eines Kondensators 30
angeschlossen, dessen anderer Belag an ein Potential gelegt ist. Der Kondensator 30 ist über einen
Widerstand 31 an eine positive Spannungsquelle angeschlossen, die nicht näher bezeichnet ist. Zwischen
dem Kondensator 30 und dem Ausgang eines Differenzverstärkers 32 ist eine Diode (Halbleiterelement
33) angeordnet, deren Kathode vom Differenz-
rende Eingang des Differenzverstärkers 32 ist an den Leiter 2 gelegt, während der invertierende Eingang von
Massepotential beaufschlagt ist.
Wenn eine positive Wechselspannung zum DifferenzVerstärker 23 gelangt, dann überträgt dieser ein verstärktes positives Signal zum Leiter 2. Dadurch gibt der Differenzverstärker 32 ein positives Ausgangssignai ab. Da am Kondensator 30 zu diesem Zeitpunkt eine niedrigere Spannung ansteht, sperrt die Diode. Die Ausgangsspannung des Differenzverstärkers 23 hängt dadurch im wesentlichen von den Widerständen 26, 27, 28 ab, d. h. bei positiven Wechselspannungen wird der Verlauf der Spannung von den für die Anklemmung
Wenn eine positive Wechselspannung zum DifferenzVerstärker 23 gelangt, dann überträgt dieser ein verstärktes positives Signal zum Leiter 2. Dadurch gibt der Differenzverstärker 32 ein positives Ausgangssignai ab. Da am Kondensator 30 zu diesem Zeitpunkt eine niedrigere Spannung ansteht, sperrt die Diode. Die Ausgangsspannung des Differenzverstärkers 23 hängt dadurch im wesentlichen von den Widerständen 26, 27, 28 ab, d. h. bei positiven Wechselspannungen wird der Verlauf der Spannung von den für die Anklemmung
ίο vorgesehenes Teilen 29, 30, 31, 32, 33 weitgehend
unbeeinflußt.
Kommt eine negative Wechselspannung zum Differenzverstärker 23, so entsteht am Differenzverstärkerausgang
ebenfalls eine negative Spannung, die an den
Eingängen des Differenzverstärkers 32 die Polarität der c«»»»..n»on umkehrt Der Differenzverstärker 32 ^ibt
deshalb eine negative Spannung ab, so daß die Diode leitend wird. Das Potential am invertierenden Eingang
des Differenzverstärkers 23 sinkt deshalb ebenfalls ab.
Über den Differenzverstärker 23 wird die Spannung auf dem Leiter 2 auf einen Schwellenwert geregelt, der
geringfügig negativer als Massepotential ist. Dieser Schwellenwert bleibt für die Dauer der negativen
Anteile der Wechselspannung erhalten. Die Schaltung gemäß Fig.5a dient deshalb zur Anklemmung der
negativen Anteile der Wechselspannung.
Die in Fig.5b dargestellte Anordnung klemmt die
positiv verlaufenden Wechselstromanteile an den Schwellenwert an. Im Vergleich zu der Schaltungsan-Ordnung
gemäß Fig.5a ist die Diode (Halbleiterelement 33) umgekehrt gepolt und der Widerstand 31 von
einer negativen Spannung gespeist.
Statt der in Fig.5a gezeigten Diode kann ein pnp-Transistor (Halbleiterelement 34) gemäß Fig.6
verwendet werden, der mit seiner Kollektor-Emitter-Strecke parallel zum Kondensator 30 geschaltet ist. Die
Eingänge des Differenzverstärker 32 sind in diesem Fall zu vertauschen. Es ist möglich, anstelle des
npn-Transistors einen n-Kanal-Feldeffekttransistor zu
benutzen, dessen Gate-Anschluß mit dem Differenzverstärkerausgang
verbunden ist. Ohne Vertauschung der Eingänge des in F i g. 5a dargestellten Differenzverstärkers
32 läßt sich ein pnp-Transistor an den Ausgang anschließen, dessen Emitter-Kollektor-Strecke parallel
zum Kondensator 30 geschaltet ist An die Stelle des pnp-Transistors kann ein p-Kanal-Feldeffekttransistor
treten.
Die in F i g. 7 dargestellte Anordnung kann die Diode gemäß Fig.5b ersetzen. Dabei sind die Eingänge de-Differenzverstärkers
32 zu vertauschen und die Basis eines pnp-Transistors (Halbleiterelement 35) an den
Ausgang anzuschließen, dessen Emitter von einem positiven Potential gespeist wird. Der Kollektor des
Transistors ist mit dem Kondensator 30 verbunden.
Statt des Transistors läßt sich ein p-Kanal-Feldeffefcttransistor
einsetzen.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (16)
1. Vorrichtung zur Beeinflussung der auf einem elektrischen Leiter übertragenen Wechselspannung
durch Vorgabe eines einstellbaren Schwellenwerts, an den die Wechselspannung für eine Zeitspanne
angeklemmt wird, in der sie eine den Schwellenwert in einer festlegbaren Polarität überschreitende
Tendenz aufweist, dadurch gekennzeichnet,
daß die Wechselspannung dem einen Eingang eines Differenzverstärkers (3, 11: 17, 32) zuführbar
ist, dessen zweiter Eingang mit einem für den Schwellenwert maßgebenden Bezügspotential beaufschlagbar
ist, und daß über den Ausgang des Differenzverstärkers (3,11,17,32) ein Halbleiterelement
(4,9,10,12,14,15,18,33,34,35) mit dem Leiter
(2) verbunden ist, das beim Anklemmen der Wechselspannung an dei Schwellenwert und zur
Festlegung des Ruhepotentials bei nicht mit Wechselspannung beaufschlagtem Leiter (2) einen
Ausgleichsstrom zur Aufrechterhaltung des Schweljenwerts führt
2. Vorrichtung mit einem Kondensator, über den die Wechselspannung auf den Leiter übertragbar ist, ·
nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, daß ein Eingang des Differenzverstärkers (3, 11) mit einem
Potential beaufschlagbar ist und daß bei einem das Potential dieses Eingangs unterschreitenden oder
überschreitenden Potential am zweiten Eingang der Ausgang des Differenzverstärkers (3, 11) einen
Strom abgibt, mit dem das Halbleiterelement (4, 9, 10, 12, 14, 15) durchlässig steuerbar ist, wobei der
Strom zumindest teilweise über einen Widerstand (8, 13) an ein negatives oder positives Potential
ableitbar ist (F i g. 1 a bis lc; F i g. 2a bis 2c).
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der nichtinvertierende Eingang
des Differenzverstärkers (3) an Anklemmpotential und der invertierende Eingang an den Leiter (2)
gelegt ist und daß der Ausgang des Differenzverstärkers (3) über eine Diode (Halbleiterelement 4) den
Leiter (2) speist, die mit ihrer Anode an den Ausgang des Differenzverstärkers (3) angeschlossen ist
(Fig. la).
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der invertierende Eingang des
Differenzverstärkers (3) an Anklemmpotential und der nichtinvertierende Eingang an den Leiter (2)
gelegt ist und daß der Ausgang des Differenzverstärkers (3) mit der Basis eines Transistors (Halbleiterelement
9) verbunden ist, der mit seinem Kollektor an den Leiter (2) und mit seinem Emitter an ein
positives Potential angeschlossen ist (F i g. Ib).
5. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der nichtinvertierende Eingang
des Differenzverstärkers (3) an Anklemmpotential und der invertierende Eingang an den Leiter (2)
gelegt ist und daß der Ausgang des Differenzverstärkers (3) mit der Basis eines Transistors (Halbleiterelement
10) verbunden ist, der mit seinem Emitter an der Leiter (2) und mit seinem Kollektor an ein
positives Potential angeschlossen ist (F i g. Ic).
6. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der invertierende Eingang des
Differenzverstärkers (11) an Anklemmpotential und der nichtinvertierende Eingang an den Leiter (2)
gelegt ist und daß der Ausgang des Differenzverstärkers (11) mit der Basis eines Transistors (Halbleiter-
30
35
40
45
50
55
60 element 12) verbunden ist, der mit seinem Kollektor
an den Leiter (2) und mit seinem Emitter an negatives Potential angeschlossen ist (F i g. 2a).
7. Vorrichtung nach Anpsruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der nichtinvertierende Eingang
des Differenzverstärkers (11) an Anklemmpotential und der invertierende Eingang an den Leiter (2)
gelegt ist und daß der Ausgang des Differenzverstärkers
(11) mit der Basis eines Transistors (Halbleiterelement 14) verbunden ist, der mit seinem Emitter an
der Leiter (2) und mit seinem Kollektor an ein negatives Potential angeschlossen ist (F i g. 2b).
8. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der nichtinvertierende Eingang
des Differenzverstärkers (11) an Anklcmmpotential
und der invertierende Eingang an den Leiter 'T) gelegt ist und daß der Ausgang des Differenzverstärkers
(11) über eine Diode (Halbleiterelement 15) den Leiter (2) speist, die mit ihrer Kathode an den
Ausgang des Differenzverstärkers (11) angeschlossen ist (F i g. 2c).
9. Vorrichtung mit einem ohmschen Widerstand, über den die Wechselspannung auf den Leiter
übertragbar ist, nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Eingang des Differenzverstärkers
(17) an den Leiter (2) und der andere an Anklemmpotential gelegt ist und daß der Ausgang
des Differenzverstärkers (17) über ein Halbleiterelement (18) mit einem Kondensator (19) einem den
Stromfluß bei fehlender Eingangsspannung über einen Widerstand (21) aufrecht erhaltenden Potential
und einem Verstärker (20) verbunden ist, der über einen Widerstand (22) an den Leiter (2)
angeschlossen ist (F i g. 3a bis 3b; F i g. 4a bis 4b).
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleiterelement (18) eine
Diode mit der Kathode an den Kondensator (19) angeschlossen ist. daß der invertierende Eingang des
Differenzverstärkers (17) an den Leiter (2) gelegt ist und daß das Potential am Widerstand (21) negativ ist
(F ig. 3a).
11. Vorrichtung nach Anspruch 9. dadurch
gekennzeichnet, daß als Halbleiterelement (18) eine Diode mit der Anode an den Kondensator (19)
angeschlossen ist, daß der nichtinvertierende Eingang des Differenzverstärkers (17) an den Leiter (2)
gelegt und der Verstärker (20) als Umkehrverstärker ausgebildet ist und daß das Potential am Widerstand
(21) positiv ist (F ig. 3b).
12. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleiterelement (18) eine
Diode mit der Anode an den Kondensator (19) angeschlossen ist, daß der invertierende Eingang des
Differenzverstärkers (17) an den Leiter (2) gelegt ist und daß das Potential am Widerstand (21) positiv ist
(F ig. 4a).
13. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleiterelement (18) eine
Diode mit der Kathode an den Kondensator (19) angeschlossen ist, daß der nichtinvertierende Eingang
des Differenzverstärkers (17) an den Leiter (2) gelegt und der Verstärker (20) als Umkehrverstärker
ausgebildet ist und daß das Potential am Widerstand (21) negativ ist (F i g. 4b).
14. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wechselspannung dem
nichtinvertierenden Eingang eines zusätzlichen Differenzverstärkers (23) zuführbar ist, dessen
invertierender Eingang über einen Widerstand (29) mit einem Kondensator (310) verbunden ist, der über
einen weiteren Widerstand (31) an Bezugspotential und über das Halbleiterelement (33) an den Ausgang
des Differenzverstärkers (32) angeschlossen ist, dessen einer Eingang mit Bezugspotential beaufschlagt
und dessen anderer Eingang an den Leiter (2) angeschlossen ist, der vom Ausgang des zusätzlichen
Differenzverstärkers (23) gespeist ist (Fig.5a,
F ig. 5b). ίο
15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der nichtinvertierende Eingang
des Differenzverstärkers |[32) an den Leiter (2) und " der invertierende Eingang an Massepotential gelegt
ist und daß der Ausgang des Differenzverstärkers (32) über eine Diode (Halbleiterelement 33), deren
Kathode an den Kondensator (30) angeschlossen ist, den Kondensator (30) speist, der über den Widerstand
(31) an negatives Potential gelegt ist (F i g. 5b).
16. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der nichtinvertierende Eingang
des Differenzverstärkers |[32) an den Leiter (2) und der invertierende Eingang an Massepotential gelegt
ist und daß der Ausgang des Differenzverstärkers (32) über eine Diode (Halbleiterelement 33), deren
Anode an den Kondensator (30) angeschlossen ist, den Kondensator (30) speist, der über den Widerstand
(31) an positives Potential gelegt ist (F i g. 5a).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19762634483 DE2634483C3 (de) | 1976-07-31 | 1976-07-31 | Vorrichtung zur Beeinflussung der auf einem elektrischen Leiter übertragenen Wechselspannung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19762634483 DE2634483C3 (de) | 1976-07-31 | 1976-07-31 | Vorrichtung zur Beeinflussung der auf einem elektrischen Leiter übertragenen Wechselspannung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2634483A1 DE2634483A1 (de) | 1978-02-02 |
DE2634483B2 DE2634483B2 (de) | 1980-03-27 |
DE2634483C3 true DE2634483C3 (de) | 1980-11-13 |
Family
ID=5984382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19762634483 Expired DE2634483C3 (de) | 1976-07-31 | 1976-07-31 | Vorrichtung zur Beeinflussung der auf einem elektrischen Leiter übertragenen Wechselspannung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2634483C3 (de) |
-
1976
- 1976-07-31 DE DE19762634483 patent/DE2634483C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2634483A1 (de) | 1978-02-02 |
DE2634483B2 (de) | 1980-03-27 |
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