DE2623989B2 - Monomode-Lichtleiter - Google Patents
Monomode-LichtleiterInfo
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- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen dielektrischen Monomode-Lichtleiter mit geringer Dämpfung.
Unter einem Monomode-Lichtleiter versteht man einen Lichtleiter, in dem vorzugsweise nur eine einzige
Wellenform oder »Mode« des elektrischen Feldes ausbreitungsfähig ist
Ein Lichtleiter mit derartigen Eigenschaften besteht üblicherweise aus einem Kembereich und einen diesen
Kernbereich konzentrisch umgebenden Mantelbereich. Zwischen Kern- und Mantelbereich besteht ein
Brechzahlunterschied, und zwar derart, daß der Mantelbereich eine geringere Brechzahl hat als der
Kernbereich. Der Durchmesser des Kernbereichs eines solchen Monomode-Lichtleiters liegt etwa in der Größenordnung
der zu übertragenden Lichtwellenlänge.
Als Grundmaterial für die Herstellung sowohl des Kern- als auch des Mantelbereichs eines solchen Lichtleiters
wird wegen seiner hervorragenden optischen Eigenschaften bevorzugt Quarzglas verwendet. Der für
die Lichtführungseigenschaften notwendige Brechzahlunterschied zwischen Kern- und Mantelbereich wird
durch Hinzufügen geeigneter Dotierungsmittelsubstanzen eingestellt.
Es ist bereits ein Lichtleiter bekannt, dessen Kernbereich aus reinstem Quarzglas besteht. Da reines
Quarzglas bekanntermaßen eine sehr niedrige Brechzahl hat, bereitet es Schwierigkeiten, einen Mantelbereich
mit noch niedrigerer Brechzahl herzustellen. Die Auswahl an dafür geeigneten Dotierungsmittelsubstanzen
ist gering. Meist werden für diesen Zweck Verbindungen der Elemente Bor oder Fluor verwendet. Die
Herstellung eines solchen Lichtleiters ist relativ schwierig, weil für die Verarbeitung von reinem Quarzglas
bekanntermaßen sehr hohe Temperaturen in der Größenordnung von 20000C erforderlich sind.
Weiterhin ist ein Lichtleiter bekannt, bei dem entweder nur der Kernbereich oder der Kernbereich und in
geringerem Maße der Mantelbereich eine gleichartige Dotierungssubstanz oder mehrere Dotierungssubstanzen
enthalten. Durch die Dotierungsmittelanteile soll einerseits die für die Lichtführung erforderliche Brechzahldifferenz
zwischen Kern- und Mantelbereich eingestellt werden; andererseits ergibt sich zusätzlich der
Vorteil, daß solches Dotierungsmittel enthaltendes Quarzglas bei niedrigeren Temperaturen verarbeitbar
ist als völlig reines Quarzglas. Als Dotierungsmittel werden
dabei Substanzen verwendet, die zwar die Brechzahl des Quarzglases verändern, jedoch die Lichtübertragungseigenschaften
des Quarzglases möglichst wenig in nachteiliger Weise beeinflussen. Insbesondere soll
das Dotierungsmittel nicht zu einem Anstieg der Absorption führen. Wie aus den Druckschriften Proc. IEEE,
vol. 62, pp. 1280—1281, Sept. 1974, und Electron. Lett, voL 10, pp. 289—290, July 25, 1974, bekannt ist, werden
deshalb als Dotierungsmittel Sauerstoffverbindungen der Elemente Phosphor oder Germanium gewählt
Diese Verbindungen sind bei hohen Temperaturen relativ leichtflüchtig, so daß sie bei der Herstellung der
Lichtleiter, auf die weiter unten noch näher eingegangen
wird, relativ leicht verdampfen können. Dadurch verändert sich in unerwünschter Weise der über dem
-Ή Durchmesser des Lichtleiters aufgetragene Brechzahlverlauf.
Aus der DE-OS 25 24 335 ist ein Lichtleiter bekannt dessen Xernbereich ein erstes Dotierungsmittel enthält,
welches die Brechzahl erhöht, und dessen Mantelbe-
-'"> reich das erste Dotierungsmittel in geringer Konzentration
enthält und ggf. ein die Brechzahl erniedrigendes zweites Dotierungsmittel aufweist.
Nachteilig macht sich jedoch noch eine nicht vermeidbare Diffusion des im Kernbereich enthaltenen
jo leichtflüchtigen Dotierungsmittels in den Mantelbereich
bemerkbar. Dadurch wird nämlich das für die Lichtführung an sich angestrebte stufenförmig zwischen
Kern- und Mantelbereich abfallende Brechzahlprofil abgeflacht In vielen Fällen kann so nur eine
Monomode-Lichtleitung mit sehr hoher Dämpfung erreicht werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Lichtleiter anzugeben, der nicht mit den vorstehend
geschilderten Nachteilen behaftet ist und der infolge
4(i seiner Monomode-Lichtleitungseigenschaften zu einer
sehr breitbandigen Übertragung optischer Signale geeignet ist
Ausgehend von einem dielektrischen Monomode-Lichtleiter mit aus Quarzglas und Dotierungsmittelan-
4> teilen bestehenden Kern- und Mantelbereichen, wobei
Kern- und Mantelbereich ein erstes, die Brechzahl erhöhendes Dotierungsmittel wie z. B. Phosphor- oder
Germaniumoxid enthalten, wird die Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das erste, die
w Brechzahl erhöhende Dotierungsmittel im Kern- und Mantelbereich in gleicher Konzentration vorliegt und
daß ausschließlich der Mantelbereich des Lichtleiters zusätzlich als ein die Brechzahl erniedrigendes weiteres
Dotierungsmittel Boroxid enthält
« Die Herstellung des erfindungsgemäßen Lichtleiters
wird nachfolgend erläutert, wobei auf die Zeichnung Bezug genommen wird. Dabei zeigt
F i g. 1 einen Querschnitt eines innenbeschichteten Trägerrohrs,
t>o Fig.2 den Querschnitt einer daraus hergestellten
Kern-Mantelfaser,
F i g. 3 eine Kurve, die das Dämpfungsverhalten als Funktion der Wellenlänge darstellt.
Die Herstellung des erfindungsgemäßen Lichtleiters
Die Herstellung des erfindungsgemäßen Lichtleiters
b5 erfolgt in einem an sich bekannten Verfahren in der
Weise, daß zunächst eine sog. »preform« oder Vorform hergestellt wird, die aus einem Trägerrohr besteht, auf
dessen Innenwandung Schichten aufgebracht sind. In
einem weiteren Schritt des Herstellungsverfahrens wird diese Vorform sodann erhitzt und zu einer Kern-Mantelfaser ausgezogen.
Ein Querschnitt durch eine derartige Vorform ist in F i g. 1 dargestellt Mit 10 ist dabei das eigentliche
Trägerrohr bezeichnet, auf dessen Innenwandung übereinanderliegende Schichten U und 12 aufgebracht
sind. Durch Erhitzen dieser Vorform und Ausziehen in einer Faserz'iehmaschine entsteht eine Kern-Mantelfaser, die in F i g. 2 im Querschnitt dargestellt ist. Beim
Ausziehvorgang fällt die zuletzt auf der !nnenwandung des Trägerrohrs (Fig. 1) aufgebrachte Schicht 12
zusammen, so daß der mit 12' bezeichnete Kernbereich des Lichtleiters gebildet wird. Aus der Schicht U
entsteht der den Kernbereich 12' konzentrisch umgebende Mantelbereich 11'. Die beim fertiggestellten
Lichtleiter ebenfalls noch vorhandenen Bestandteile 10' Jes ursprünglichen Trägerrohrs 10, die Kern- und
Mantelbereich des Lichtleiters ebenfalls konzentrisch umfassen, verleihen dem fertigen Lichtleiter im
wesentlichen eine ausreichende mechanische Stabilität Für die eigentliche Lichtleitung sind dagegen Kernbereich 12* und Mantelbereich 11' des Lichtleiters
maßgebend. Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wurde folgendermaßen hergestellt Auf die Innenwandung eines als Trägerrohr verwendeten Quarzglasrohrs
mit 11 mm Außendurchmesser und 1,5 mm Wandstärke
wurden nach dem CVD-Verfahren (chemical vapor deposition) Schichten abgeschieden. Dazu wurden über
ein Trägergas Reaktionsgase in das Rohrinnere geleitet, während ein das Trägerrohr lediglich stückweise
koaxial umfassender Graphitofen entlang der Längsachse des Trägerrohrs hin- und hergeführt wurde und
dabei das Rohrinnere auf die für die Reaktion erforderliche Temperatur eritzte. Als Trägergas wurde
Sauerstoff verwendet, der mit den Reaktionsgasen Siliciumtetrachiorid (SiCU), Bortribromid (BBn) und
Phosphoroxychlorid (POCI3) gesättigt wurde, indem er
durch mit diesen Substanzen gefüllte Waschflaschen geleitet wurde. Die Waschflaschen waren bei etwa 16° C
thermostatisiert. Die zunächt auf die Innenwandung des Trägerrohrs 10 aufgebrachte Schicht 11 (F i g. 1), die im
fertiggestellten Lichtleiter die Mantelschicht 11' (F i g. 2) bildet, wurde durch sukzessives Aufbringen von
zehn übereinanderliegenden Schichten hergestellt. Diese Schichten bestanden aus Quarzglas, dem Dotierungsmittelanteile beigefügt waren. Die Konzentration der
jeweiligen Dotierungsmiltel wurde über die Durchflußmengen des durch die jeweiligen Waschflaschen
hindurchtretenden Trägergases eingestellt. Durch die SiCU enthaltende Waschflasche wurde Sauerstoffgas in
einer Menge von etwa 7,5 l/h hindurchgeleitet Durch
die die erste Dotierungssubstanz BBn enthaltende Waschflasche wurde Trägergas in einer Menge von
etwa 9,0 l/h hindurchgeleitet während durch die die zweite Dotierungssubstanz POCb enthaltende Waschflasche Trägergas mit einer Durchflußrate von etwa
1,8 l/h hindurchströmte. Nach insgesamt zehn Beschich· tungsgängen war die Schicht 11 (Fig. 1) fertiggestellt.
Die Verbindung zu der ΒΒΓ3 enthaltenden Waschflasche
wurde unterbrochen; die Durchflußrate des Trägergases durch die beiden anderen Waschflaschen wurde auf
folgende Werte eingestellt: SiCU etwa 5,0 l/h; PoCl3
etwa 1,2 l/h, so daß das bei der Beschichtung des Mantels vorliegende Verhältnis Trägergas SiCU/Trägergas POCL3 konstant blieb. Auf die zuvor aus zehn
Teilschichten bestehende Schicht 11 wurde sodann in einem einzigen Durchgang eine einzige dünne Schicht
12 aus Kernmaterial aufgetragen, die lediglich eine Phosphorverbindung als Dotiermittel enthielt Das
gleiche Dotiermittel war bereits in der den Mantelbereich des Lichtleiters bildenden Schicht 11 eingelagert.
Zusätzlich und ausschließlich war in dieser Mantelschicht U, wie zuvor beschrieben, eine Borverbindung
als Dotiermittel abgelagert worden.
Gute Lichtübertragungseigenschaften wurden erreicht mit einer Konzentration an Phosphor- oder
Germaniumoxid im Kern- und Mantelbereich zwischen 0,2 und maximal 2 Gewichtsprozent Die Konzentration
des weiteren Dotiermittels Boroxid (B2O3) im Mantelbereich des Lichtleiters ist so zu wählen, daß sich der für
die Monomode-Lichtleitung erforderliche Brechungsindexunterschied zum Kernbereich ergibt.
Im vorerwähnten Beispiel waren dafür etwa 16 Gewichtsprozent Boroxid notwendig.
In einer Faserziehmaschine wurde das beschichtete Trägerrohr erhitzt und zu einer Lichtleitfaser von etwa
120 Mikrometer 0 ausgezogen.
Die an einem solchen Lichtleiter ermittelten Dämpfungswerte sind als Funktion der Wellenlänge in F i g. 3
dargestellt (Kurve B) Es konnten niedrige Dämpfungswerte über einen relativ breiten Längenbereich
gemessen werden, der auch die für die optische Nachrichtenübertragung interessierenden Wellenlängen einschloß. Zum Vergleich ist in Kurve A der
Dämpfungsverlauf eines weiteren Lichtleiters dargestellt, der im wesentlichen nach dem gleichen Verfahren
wie der erfindungsgemäße Lichtleiter hergestellt worden war, bei dem jedoch der Kernbereich
ausschließlich eine Phosphorverbindung und der Mantelbereich ausschließlich eine Borverbindung als Dotierungsmittel enthielt.
Claims (3)
1. Dielektrischer Monomode-Lichtleiter mit aus Quarzglas und Dotierungsmittelanteilen bestehenden
Kern- und Mantelbereichen, wobei Kern- und Mantelbereich ein erstes, die Brechzahl erhöhendes
Dotierungsmittel wie z. B. Phosphor- oder Germaniumoxid enthalten, dadurch gekennzeichnet,
daß das erste, die Brechzahl erhöhende Dotierungsmittel im Kern- und Mantelbereich in
gleicher Konzentration vorliegt und daß ausschließlich der Mantelbereich des Lichtleiters zusätzlich als
ein die Brechzahl erniedrigendes weiteres Dotierungsmittel Boroxid enthält.
2. Lichtleiter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß Kern- und Mantelbereich Phosphoroder
Germaniumoxid als erstes Dotiermittel enthalten.
3. Lichtleiter nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet daß die Konzentratton des im Kern- und
Mantelbereich enthaltenen ersten Dotiermittels zwischen OJ und 2 Gewichtsprozent liegt
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DE (1) | DE2623989C3 (de) |
Cited By (1)
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JPS5565909A (en) * | 1978-11-13 | 1980-05-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical fiber |
US4439007A (en) * | 1981-06-09 | 1984-03-27 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Low dispersion single mode fiber |
-
1976
- 1976-05-28 DE DE19762623989 patent/DE2623989C3/de not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0044712A2 (de) * | 1980-07-17 | 1982-01-27 | BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company | Glasfasern für optische Übertragung |
EP0044712A3 (en) * | 1980-07-17 | 1982-08-04 | The Post Office | Improvements in and relating to glass fibres for optical communication |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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DE2623989C3 (de) | 1981-02-26 |
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