DE2601956A1 - Photocoupler - Google Patents
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Description
PATEZNTArjwälte £ÖU leiDD
SCHIFF v. FÜNER STREHl SCHÜBEL-HOPF EBBINGHAUS
MÜNCHEN 9O, MARIAHILFPLATZ 2*3 POSTADRESSE: D-8 MÜNCHEN 95, POSTFACH 95 O1 GO
Hitachi, Ltd.
DA-11981 20. Januar 1976
Photocoupler
Die Erfindung betrifft einen verbesserten Photocoupler sowie
eine aus derartigen Photocoupler!! bestehende Anordnung oder Matrix. Eine optische Kopplungseinrichtung, die eine Leuchtdiode
und eine lichtempfindliche Halbieitereinrichtung umfaßt (und hier als Photocoupler bezeichnet wird), wird für die
Isolation von Festkörperrelais und Übsrtragungsleitungen verwendet. Photocoupler»AnOrdnungen, die aus einer Vielzahl von
auf dem gleichen Substrat montierten Photoccuplern bestehen,
oder kombinierte Schaltungen aus einem Photocoupler und einer integrierten Schaltung sind für logische Schaltungen oder
Sprechstromschaltungen sehr vorteilhaft.
Bei einem Photocoupler nach dem Stand der Technik ist eine lichtempfindliche Einrichtung auf einem isolierenden Substrat
montiert und elektrisch mit einer leitenden Schicht verbunden, die auf einer Oberfläche des isolierenden Substrats für die
photoempfindliche Einrichtung angeordnet ist und ein bestimmtes Muster hat. Über der lichtempfindlichen Einrichtung ist unter
Zwischenschaltung einer transparenten Isolation eine Leucht~ diode .angeordnet, die mit einer auf einer Oberfläche des isolierenden
Substrats vorgesehenen leitenden Schicht für die Leuchtdiode über einen Leitungsdraht elektrisch verbunden ist«
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ORIGINAL INSPECTED
Bei einem anderen Photocoupler nach dem Stand der Technik sind
eine lichtempfindliche Einrichtung und eine Leuchtdiode auf den beiden Oberflächen eines isolierenden Substrats mit einem
durchgehenden Loch derart montiert, daß die Leuchtdiode der lichtempfindlichen Oberfläche der lichtempfindlichen Einrichtung
zugewandt ist. Die Leuchtdiode, und die lichtempfindliche Einrichtung
sind mit auf den beiden Oberflächen des isolierenden Substrats in vorgegebenen Mustern angeordneten leitenden
Schichten elektrisch verbunden.
Diese beiden Photocoupler nach dem Stand der Technik haben zahlreiche Mangel. So erreicht effektiv nur dasjenige Licht,
das von der einen, der lichtempfindlichen Einrichtung zugewandten Oberfläche der Leuchtdiode emittert wird, die lichtempfindliche
Oberfläche dieser Einrichtung. Bei den bekannten Photocouplern wird also das von den anderen Flächen der Leuchtdiode
emittierte Licht nicht voll ausgenutzt, so daß das Lichtübertragungsvermögen zwischen der Leuchtdiode und der lichtempfindlichen
Einrichtung bei den bekannten Photocouplern verhältnismäßig niedrig ist.
Wird eine Vielzahl von Photocouplern oder Einrichtungen wie
etwa integrierte Schaltungen nahe beieinander angeordnet, so treten unerwünschte Funktionen auf, die durch das von den
Oberflächen benachbarter Leuchtdioden emittierte Licht verursacht v/erden. Daher sind einer Erhöhung der Packungsdichte in
Photocoupler-Anordnungen Grenzen gesetzt.
Weiterhin ist die mechanische Festigkeit des bekannten Photocouplers
gering, da die Leuchtdiode, die lichtempfindliche Einrichtung und die elektrischen Verbindungen dafür auf der
Außenseite angeordnet sind. Bestehen ferner die elektrischen Verbindungen zwischen der Leuchtdiode und der leitenden Schicht
aus Drähten" wie etwa Golddrähten mit einem Durchmesser von etwa 50 μ, so wird die Betriebszuverlässigkeit des Produktes
infolge Durchbrennens der Drähte während der Handhabung beim Herstellverfahren verringert.
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Um das LichtÜbertragungsvermögen des Photocouplers zu erhöhen,
ist es erforderlich, die lichtempfindliche Einrichtung dort anzuordnen, wo die Intensität des von der Leuchtdiode
emittierten Lichts maximal ist. Bei den Photocouplern bekannter Bauart beleuchtet das von der Leuchtdiode emittierte Licht
die breite Fläche der lichtempfindlichen Einrichtung, weshalb eine genaue Anordnung der lichtempfindlichen Einrichtung genau
über der Leuchtdiode sehr schwierig zu erreichen ist. Aus diesem Grund ist die Massenproduktion derartiger Photocoupler
beschränkt.
Bei Photocoupler-Anordnungen, in denen die Leiter für die
einzelnen Photocoupler und sonstigen Einrichtungen nahe beieinander angeordnet sind, soll ferner die elektrostatische
Kapazität zwischen den leitenden Schichten für die Leuchtdiode und die lichtempfindliche Einrichtung vorzugsweise so klein
wie möglich sein. Bei den Photocoupler-Anordnungen bekannten
Aufbaus, insbesondere bei demjenigen Typ, bei dem die leitenden
Schichten nur auf einer Seite des Substrats ausgebildet sind, reicht jedoch die Durchbruchspannung nicht aus, was die Packungsdichte
der Photocoupler-Anordnung Grenzen setzt.
Ein Ziel der Erfindung besteht darin, einen Photocoupler mit ■hohem Lichtübertragungsvermögen zu schaffen. Außerdem soll die
mechanische Festigkeit und die Betriebszuverlässigkeit des
Photocouplers erhöht werden. Der Photocoupler soll dabei einen Aufbau haben, der sich für Massenfertigung eignet. Die elektrostatische
Kapazität zwischen der leitenden Schicht für die Leuchtdiode und der für die lichtempfindliche Einrichtung soll
gering sein. Ziel der Erfindung ist ferner eine Photocoupler-Anordnung, die eine hohe Packungsdichte für die einzelnen
Photocoupler aufweist.
Die Erfindung kennzeichnet sich dadurch, daß eine Leuchtdiode in einer in einem bestimmten Teil eines Substrats vorgesehenen
Aussparung montiert und ein wesentlicher lichtemittierender Bereich der Leuchtdiode in der Aussparung angeordnet ist. Der
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erfindingsgemäße Photocoupler umfaßt dabei ein erstes isolierendes
Substrat, das mit e'iner ersten leitenden Schicht für -eine
Leuchtdiode versehen ist, sowie ein zweites isolierendes Substrat, das mit einer zweiten leitenden Schicht für eine lichtempfindliche Einrichtung sowie an einem bestimmten Teil mit
einem durchgehenden Loch versehen ist, wobei das zweite Substrat auf dem ersten Substrat derart angeordnet ist, daß sich
die erste leitende Schicht zwischen diesen beiden Substraten befindet. Die Leuchtdiode ist auf dem ersten Substrat in dem
Loch des zweiten Substrats montiert, und ihre Anschlüsse sind mit der ersten leitenden Schicht elektrisch verbunden, während
die lichtempfindliche Einrichtung auf dem zweiten Substrat derart montiert ist, daß sie das Loch in dem zweiten Substrat bedeckt
und ihre lichtempfindliche Fläche der Leuchtdiode zugewandt ist. Die lichtemittierende Diode ist mit der zweiten
leitenden Schicht elektrisch verbunden.
Die Erfindung wird in der nachstehenden Beschreibung dreier bevorzugter
Ausführungsbeispiele erläutert, die in/Fig. 1 bis 3
der Zeichnung jeweils im Schnitt dargestellt sind.
Bei dem in Fig. 1 gezeigten ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung
besteht eine Trägerschicht 1 aus einem ersten leitenden Substrat 2 und einem zweiten leitenden Substrat 4. Auf einer
Oberfläche des ersten Substrats 2 ist eine erste leitende Schicht 3 mit einem vorgegebenen Muster gebildet. Ähnlich ist
auf eine Oberfläche des zweiten Substrats 4 eine zweite leitende Schicht 5 mit einem vorgegebenen Muster aufgetragen. Das zweite
Substrat 4 ist derart auf dem ersten Substrat 2 angeordnet, daß die andere Oberfläche des zweiten Substrats 4 der besagten
einen Oberfläche des ersten Substrats 2 zugewandt ist. Das zweite Substrat 4 ist ferner in einem bestimmten Teil mit einem
durchgehenden Loch versehen, wodurch in einem bestimmten Bereich der Trägerschicht 1 eine Aussparung gebildet ist, deren
Boden von der besagten einen, die erste leitende Schicht 3 tragenden Oberfläche des ersten Substrats 2 definiert wird.
Für die isolierenden Substrate wird erfindungsgemäß Keramik be-
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vorzugt. Ein keramisches isolierendes Substrat v/eist gute Wärmebeständigkeit, Wärmeleitfähigkeit und Betriebszuverlässigkeit
als Substrat für den erfindungsgemäßen Photocoupler auf.
Zur Herstellung der Trägerschicht 1 wird erfindungsgemäß vorzugsweise
ein grünes Keramikplättchen verwendet. Dabei wird ein solches Keramikplättchen, das in einem bestimmten Bereich
ein durchgehendes Loch sowie auf seiner Oberfläche eine leitende Schicht aufweist, für das zweite isolierende Stibstrat
4 und ein weiteres derartiges Keramikplättchen, das wiederum an seiner Oberfläche eine leitende Schicht trägt, für das erste
isolierende Substrat 2 verwendet. Eine geeignete Trägerschicht
1 wird dadurch erhalten, daß das aus den beiden oben erwähnten
grünen Keramikplättchen gebildete Laminat gesintert wird. Eine dünne leitende Schicht von etwa 200 bis 300 u Dicke wird in
Drucktechnik erzeugt.
Ein Herstellverfahren, daß als Material für die Trägerschicht grüne Keramikplättchen verwendet, eignet sich wegen der
leichten Handhabung für die Massenproduktion.
Am Boden der Aussparung ist eine Leuchtdiode 10 montiert. Eine wesentliche lichtemittierende Zone 12 der Leuchtdiode 10 befindet
sich in der Aussparung. Ein Anschluß der Leuchtdiode 10 ist mit der leitenden Schicht 3 am Boden der Aussparung über
einen Verbindungsdraht 14, etwa einen Golddraht, elektrisch verbunden. Der andere Anschluß der Leuchtdiode ist mit der
leitenden Schicht 3 durch Lot 11 elektrisch verbunden.
Auf dem zweiten isolierenden Substrat 4 ist eine lichtempfindliche
Einrichtung 30 montiert, die die Aussparung der Trägerschicht 1 derart überdeckt, daß sie der Leuchtdiode 10 gegenübersteht.
Die lichtempfindliche Einrichtung 30 ist an der Oberfläche des zweiten Substrats 4 durch Lot 31 befestigt, wobei
die elektrische Verbindung zwischen der lichtempfindlichen Einrichtung 30 und der auf dem zweiten Substrat 4 vorhandenen zweiten
leitenden Schicht 5 durch das Lot 31 gebildet ist.
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Der oben beschriebene Aufbau des erfindungsgemäßen Photocouplers
hat folgende Vorteile. Eine Streuung des von der Leuchtdiode 10 emittierten Lichtes wird durch die Innenwand der Aussparung
verhindert, so daß das emittierte Licht nur aiif die lichtempfindliche
Fläche der Einrichtung 30 fällt. Die Streulichtmenge wird also verringert, so daß sich das Lichtübertragungsvermögen
des Photocouplers erhöht und dadurch eine höhere Packungsdichte in einer Photocoupler-Anordnung möglich ist.
Die Leuchtdiode 10 und ihre elektrischen Anschlüsse sind in dem von der lichtempfindlichen Einrichtung 30 und den beiden Substraten
2 und 4 gebildeten Raum eingeschlossen, so daß Beschädigungen der Leuchtdiode und Brüche der elektrischen Verbindungen
ausgeschlossen sind, d.h. die mechanische Festigkeit des Photocouplers
erhöht ist.
Da die erste leitende Schicht 3 für die Leuchtdiode 10 und die zweite leitende Schicht 5 für die lichtempfindliche Einrichtung
30 durch das zweite Substrat 4 voneinander getrennt und isoliert sind, ist die elektrostatische Kapazität zwischen den
beiden leitenden Schichten 3 und 5 gering und die Durchbruch-..spannung
zwischen diesen Schichten erhöht. Daher können unerwünschte Funktionen, die sich aus einer engen elektrostatischen
Kopplung zwischen diesen leitenden Schichten ergeben, kaum auftreten.
Weiterhin ist beim Aufbau einer Photocoupler-AnOrdnung insbesondere
in Matrixform, bei der mehrere Photocoupler als Matrix
mit zwei mal zwei (insgesamt vier) oder drei mal drei (insgesamt neun) Einheiten angeordnet sind, die Komplexität der
Leiteranordnung verbessert.
Bei dem in Fig. 2 gezeigten zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung hat die Trägerschicht 1, die wiederum ein erstes
isolierendes Substrat 2, eine erste leitende Schicht 3» ein zweites- isolierendes Substrat 4 und eine zweite leitende Schicht
5 umfaßt, den gleichen Aufbau wie in Fig. 1. In dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 wird als Leuchtdiode 10 eine Halbleiter-
RnQ a 31 /nfiftR
η
ι
diode verwendet, die aus einer Verbindung von Elementen der III. und V. Gruppe des Periodensystems besteht. Die lichtemittierende
Zone 12 und die elektrischen Anschlüsse der P- und N-Zonen sind an einer Hauptoberfläche der Diode ausgebildet.
Ein Photocoupler mit der oben erläuterten Leuchtdiode 10 hat folgende Vorteile. Da für die elektrische Verbindung zwischen
d.en Anschlüssen der Leuchtdiode und der leitenden Schicht kein
Draht erforderlich ist und zur Verbindung beider aktiver Einrichtungen mit dem Substrat und der leitenden Schicht mit einer
Ansch-Lußmethode gearbeitet wird, bei der die Frontfläche nach
unten weist, etwa der CCB-Methode (Controlled Collapsed Bonding Method), ist die Leuchtdiode 10 sehr nah an der lichtempfindlichen
Oberfläche der Einrichtung 30 angeordnet, und die mechanische Festigkeit sowie die Möglichkeit der Massenproduktion
des Photocouplers sind weiterhin verbessert.
Die Stellen, an denen die lichtempfindliche Einrichtung 30 und die Leuchtdiode -10 auf der Trägerschicht 1 angeordnet v/erden,
lassen sich nach dem Muster der leitenden Schichten 3 und 5 auf den Substraten 2 und 4 leicht bestimmen, so daß die Handhabung
"während der Herstellung einfach ist; dadurch wird die Möglichkeit der Massenfertigung des Photocouplers weiter verbessert.
Die Abmessungen des durchgehenden Loches sind geringfügig größer als die der Leuchtdiode, so daß sich die Packungsdichte für die
Photocoupler, weiterhin erhöhen läßt.
Das nachstehende Beispiel 1 dient dazu, das Herstellverfahren für die in Fig. 1 veranschaulichte Ausführungsform der Erfindung
im einzelnen zu erläutern.
Beisp.iel_1
Für die beiden isolierenden Substrate 2 und 4 wurden grüne Aluminiumoxid^
ΑΙ,,Ο,-) Plättchen verwendet. Auf die eine Oberfläche derartiger
Plättchen wurde ein W/Nl-Pastenfilm mit einer Dicke von
etwa 50 ti und mit einem bestimmten Muster aufgedruckt, um die
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leitenden Schichten 3 und 5 zu erzeugen. In bestimmten Teilen des das zweite Substrat 4 bildenden Al O,~Plättchens wurden
zwei durchgehende Löcher mit einem Durchmesser von etwa 2 mm gebohrt.
Die beiden AIpCU-Plättchen . wurden durch Druck miteinanderverbunden
und anschließend gesintert. Die Dicke des gesinterten Plättchens betrug etwa 0,8 mm für das erste Substrat 2 und
etwa 0,3 ram für das zweite Substrat 4.
Der freiliegende Teil der leitenden Schichten 3 und 5 außerhalb der Trägerschicht 1 wurde vergoldet.
Als Leuchtdiode 10 wurde eine infrarotes Licht emittierende Diode aus Si-dotiertem GaAs einer Größe von etwa 0,5 x 0,5 χ
0,3 mm verwendet. Die gesamte Oberfläche der P-Zone der
Leuchtdiode wurde vorher mit Au-Zn und Au-Ge in dieser Reihenfolge
durch Verdampfen überzogen, und auf der Oberfläche der N-Zone der Diode 10 wurde ein elektrischer Anschlußteil mit
einem Durchmesser von etwa 100 μ vorher durch Verdampfen mit Au-Ge-Ni und Au in dieser Reihenfolge überzogen. Diese Beschichtungen
bildeten die Elektroden der Leuchtdiode.
Leuchtdioden des oben beschriebenen Typs wurden jeweils in den in der Trägerschicht 1 gebildeten Aussparungen montiert und
danach einer Wärmebehandlung bei 45O0C unterzogen, um die Oberfläche
der P-Zone der Leuchtdiode 10 mit der ersten leitenden
Schicht 3 zu verbinden. Die an der Oberfläche der N-Zone der
Leuchtdiode 10 gebildete Elektrode wurde mit der'ersten leitenden Schicht 3 über einen Leitungsdraht, etwa einen Golddraht
mit einem Durchmesser von etwa 25 μ, elektrisch verbunden.
Als lichtempfindliche .Einrichtung 30 wurde eine Siliciumeinrichtung
mit Abmessungen von etwa 5 x 5 x 0,03 mm verwendet, in der zwei Phototransistoren ausgebildet waren. Die Elektrodenteile
der Vorrichtung wurden vorher mit Al, Cr, Cu, Au und Lot in dieser Reihenfolge überzogen. Die Siliciumeinrichtung 30
wurde mit der auf dem zweiten Substrat 4 vorgesehenen zweiten leitenden Schicht 5 unter Verwendung der oben erwähnten CCB-
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Methode verbunden, wobei die lichtempfindliche Oberfläche des Phototransistors gerade oberhalb der Leuchtdiode 10 in der
Aussparung angeordnet wurde.
Bsi dem in Figo 3 gezeigten dritten Ausführungsbeispiel der
Erfindung ist der Raum zwischen der Leuchtdiode 10 und der lichtempfindlichen Oberfläche der Einrichtung 350 mit einem
transparenten Medium 40, etwa Siliconharz, ausgefüllt. Die übrigen baulichen Merkmale dieser Ausführungsform sind gleich
denen bei Fig. 1 und 2, so daß sich ihre Erläuterung erübrigt.
Das transparente Medium 40 hat einen höheren Brechungsindex als Luft. Die von der Leuchtdiode 10 emittierten, auf die
Grenzfläche zwischen dem transparenten Medium 40 und Luft fallenden Lichtstrahlen werden daher innerhalb des Mediums 40
reflektiert, so daß die Lichtstrahlen an der lichtempfindlichen Oberfläche der Einrichtung 30 gesammelt werden und das auf
andere Bereiche der lichtempfindlichen Einrichtung 30 mit Ausnahme der lichtempfindlichen Oberfläche fallende Streulicht
reduziert wird. Dadurch erhöhte sich das Lichtübertragungsvermögen des Photocouplers nach Fig.3 um etwa 70%.
Das nachstehende Beispiel 2 dient dazu, das Herstellverfahren der Ausführungßform nach Fig. 3 im einzelnen zu erläutern.
Beisp_iel_2
Für die beiden isolierenden Substrate 2 und 4 wurden grüne Al2O^-Plättchen verwendet. An der vorgegebenen Stelle des
Plättchens für das Substrat 4 wurden durchgehende Löcher mit
ρ einem Querschnitt von 0,5 x 0,5 mm gebohrt.
Auf der einen Oberfläche jedes Al2O,,-Platt chens wurden nach
dem in Beispiel 1 erläuterten Verfahren die leitenden Schichten mit vorgegebenem Muster gebildet.
Die beiden Al2O,-Plättchen wurden sodann durch Druck miteinanderverbunden
und danach gesintert.
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Die Dicke der gesinterten AIpO-,-Plättchen betrug etwa 0,8 mm
für das erste Substrat 2 und etwa 0,3 nun für das zweite Substrat 4.
Die so erhaltene Trägerschicht 3 wurde in geschmolzenes Lot eingetaucht, ura die freiliegenden leitenden Schichten 3 und
5 mit einer dünnen Lotschicht zu überziehen.
Als Leuchtdiode 10 wurde eine Siliciumdiode mit Abmessungen von etwa 0,4 χ 0,4 χ 0,2 mm verv/endet. In dem mit Si dotierten
N-leitenden GaAs-Substrat der Diode wurde die P-leitende GaAs-Schicht
selektiv vorgesehen. Auf der P- und der N-Zone der Leuchtdiode wurden vorher die Elektroden aufgebracht. Die
Elektrode auf der P-Zone wurde mit einem Mehrfachüberzug aus Al, Cr, Au und Lot, die Elektrode auf der N-Zone mit einem
Mehrfachüberzug aus Al-Ge-Ni, Al, Cr, Cu, Au und Lot versehen.
Als lichtempfindliche Einrichtung 30 wurde ein siliciumgesteuertc-r
Photogleichrichter mit Abmessungen von etwa 0,7 x 0,7 x 0,2
mm verwendet* Auf einem vorbestimmten Teil des Gleichrichters wurden vorher die Elektroden durch Aufdampfen von Al, Cr, Cu,
-^u und Lot vorgesehen.
Die oben erwähnten Leuchtdioden 10 wurden jeweils in den Löchern des zweiten Substrats 4 montiert, woraufhin der Gleichrichter
30 auf dem zweiten Substrat 4 derart angebracht wurde,
daß seine lichtempfindliche Oberfläche der Leuchtdiode TO zugewandt war. Sodann wurde die gesamte Photocoupler-Anordnung auf
etwa 33O0C erwärmt, so daß die' L.otschichten der Elektroden an
der Leuchtdiode 10 und dem Gleichrichter 30 sowie die leitenden Schichten 3 und 5 auf den Substraten 2 und 4 schmolzen und sich
miteinander verbanden.
Schließlich wurde zwischen die Leuchtdiode 10 und die lichtempfindliche
Oberfläche des siliciumgesteuerten Photogleichrichters 30 ein Siliconharz der Bezeichnung EJC-245 (ein Erzeugnis
der Firma General Electric Co.) eingefüllt und durch eine #instündige
Wärmebehandlung bei 1500C gehärtet.
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Claims (9)
1../' Photocoupler, gekennzeichnet durch ein erstes isolierendes
Substrat (2), das auf seiner einen Oberfläche mit einer ersten leitenden Schicht (3) mit vorgegebenem Muster versehen ist,
ein zweites isolierendes Substrat (4), das auf seiner einen Oberfläche mit einer zweiten leitenden Schicht (5) mit einem
vorgegebenem Muster versehen ist und an einer vorgegebenen Stelle ein durchgehendes Loch aufweist, wobei das zweite Substrat
(4) derart auf dem ersten Substrat (2) angeordnet ist, daß die andere Fläche des zweiten Substrats (4) der besagten
einen Fläche des ersten Substrats (2) zugewandt ist, eine auf dem ersten Substrat (2) in dem Loch des zweiten Substrats
(4) montierte Leuchtdiode, deren einer Anschluß mit der ersten leitenden Schicht (3) elektrisch verbunden ist, sowie eine
auf dem zweiten Substrat (4) montierte lichtempfindliche Einrichtung (30), die das Loch in dem zweiten Substrat (4) verdeckt
und mit ihrer lichtempfindlichen Fläche der Leuchtdiode (10) zugewandt ist.
2. Photocoupler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine wesentliche lichtemittierende Zone der Leuchtdiode (10)
in dem Loch des zweiten Substrats (4) angeordnet ist.
3. Photocoupler nach Anspruch 1 oder 2, dadurch -gekennzeichnet,
daß die lichtempfindliche Einrichtung (30) auf der besagten einen Oberfläche des zweiten Substrats (4) mittels Lot (31)
befestigt ist und die elektrische Verbindung zwischen der lichtempfindlichen Einrichtung (30) und der zweiten leitenden
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- 12 Schicht (5) durch das Lot (31) gebildet ist.
4. Photocoupler nach einem der Ansprüche 1 bis 3» dadurch
gekennzeichnet, daß die Leuchtdiode (10) auf der besagten einen Oberfläche des ersten Substrats (2) mittels Lot (11)
befestigt ist und die elektrische Verbindung zwischen der Leuchtdiode (10) und der ersten leitenden Schicht (3) durch
das Lot (11) gebildet ist.
5« Photocoupler nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß der andere Anschluß der Leuchtdiode (10) mit der ersten leitenden' Schicht (3) über eine Drahtverbindung (14)
elektrisch verbunden ist.
6. Photocoupler nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
daß der Raum zwischen der Leuchtdiode (10) und der lichtempfindlichen Einrichtung (30) mit einem lichtdurchlässigen
Medium (40) ausgefüllt ist.
7. Photocoupler nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet,
daß die beiden isolierenden Substrate (2, 4) aus Keramik bestehen.
8. Photocoupler nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das lichtdurchlässige Medium (40) aus Siliconharz besteht.
9. Photocoupler-Anordnung, die eine Vielzahl von Photocouplern
nach einem der Ansprüche 1 bis 8 umfaßt, dadurch gekennzeich-
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net, daß die Leuchtdioden der einzelinen Photocoupler jeweils in Löchern in dem durchgehenden zweiten Substrat angeordnet
und die lichtempfindlichen Einrichtungen der einzelnen Photocoupler
auf dem zweiten Substrat über den betreffenden Löchern angeordnet sind.
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