DE2545943A1 - Gatter - Google Patents

Gatter

Info

Publication number
DE2545943A1
DE2545943A1 DE19752545943 DE2545943A DE2545943A1 DE 2545943 A1 DE2545943 A1 DE 2545943A1 DE 19752545943 DE19752545943 DE 19752545943 DE 2545943 A DE2545943 A DE 2545943A DE 2545943 A1 DE2545943 A1 DE 2545943A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
diode
gate
resistor
input transistor
transfer characteristics
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19752545943
Other languages
English (en)
Inventor
Willi Dipl Ing Kotte
Hans-Martin Dipl Ing Dr Rein
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority to DE19752545943 priority Critical patent/DE2545943A1/de
Publication of DE2545943A1 publication Critical patent/DE2545943A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/082—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
    • H03K19/088—Transistor-transistor logic
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003—Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00307—Modifications for increasing the reliability for protection in bipolar transistor circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/018—Coupling arrangements; Interface arrangements using bipolar transistors only
    • H03K19/01806—Interface arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
    • H03K19/08—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices
    • H03K19/082—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using semiconductor devices using bipolar transistors
    • H03K19/084—Diode-transistor logic

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Bipolar Integrated Circuits (AREA)

Description

  • Gatter
  • Die Erfindung betrifft ein Gatter, insbesondere DTL- oder TTL-Gatter, bei dem zwischen dem Emitter des Eingangstransistors und dem Bezugspotential ein Zweipol liegt.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Gatter der eingangs erwähnten Art anzugeben, welches gute Übertragungseigenschaften aufweist und sich leicht in integrierter Bauweise herstellen läßt. Zur Lösung dieser Aufgabe wird bei einem Gatter der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung vorgeschlagen, daß der Zweipol eine Diode aufweist. Als Diode wird vorzugsweise eine Schottky-Diode verwendet.
  • Durch den nach der Erfindung vorgesehenen Zweipol wird die Übertragungskennlinie des Gatters steil gemacht und dadurch der Störabstand des Gatters erhöht. Der nach der Erfindung vorgesehene Zweipol besteht entweder aus der Diode allein oder er enthält noch einen ohmschen Widerstand in Serie zu der Diode. Wird auf den zusätzlichen ohmschen Widerstand verzichtet, so wird der Bahnwiderstand der Diode vorzugsweise als ohmscher Widerstand ausgenutzt.
  • Die Erfindung wird im folgenden an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert.
  • Die Figur 1 zeigt ein DTL-Gatter nach der Erfindung. Das Gatter der Figur 1 besteht im wesentlichen aus den Transistoren T2, T3 und T4 sowie aus den Dioden D1 und D3 und dem Zweipol Z. Der Transistor T2 ist der Eingangstransistor und der Transistor T4 der Ausgangstransistor des Gatters.
  • Der nach der Erfindung vorgesehene Zweipol Z liegt zwischen dem Emitter des Eingangstransistors T2 und dem Bezugspotential bzw. der Masse. Der Emitter des Eingangs transistors T2 ist außer mit dem Zweipol Z mit der Basis des Ausgangs transistors T4 verbunden. Die Batteriespannung UB ist über den ohmschen Widerstand R2 mit dem Kollektor des Transistors T2 und über den ohmschen Widerstand R3 mit dem Kollektor des Transistors T3 verbunden. Zwischen dem Emitter des Transistors T3 und dem Kollektor des Ausgangs transistors T4 liegt die Diode UD3.
  • Die Basis des Eingangstransistors T2 ist über den ohmschen Widerstand R1 mit der Batteriespannung U, UB verbunden. Zwischen dem Eingang des Gatters und der Basis des Eingangstransistors T2 liegt die Diode D1.
  • Der Zweipol Z besteht gemäß der Figur 2 aus der Reihenschaltung einer Diode Dq mit dem ohmschen Widerstand R4; der Zweipol Z kann aber auch allein aus der Diode D4 bestehen. Ist der ohmsche Widerstand R4 nicht vorhanden, so wird als ohmscher Widerstand vorzugsweise der Bahnwiderstand der Diode D4 ausgenutzt. Die Diode D4 ist vorzugsweise eine Schottky-Diode.
  • Der Transistor T2 beginnt bei einer Eingangsspannung U zu leiten, die sich aus der Formel UEi = UBE2 + UD4 - UDl ergibt. Im Bereich UE1 < UE <UE2 gilt zwischen der Ausgangsspannung UA und der Eingangsspannung UE folgender Zusammenhang: R2 UA = UB - UBE3 - UD3 - R4 (UE - UBE2 - UD4 + UD1) Unter der Annahme, daß sich die Diodenspannungen nur geringfügig ändern, gilt im Bereich UEi4UE <UE2 für die Spannungsverstärkung: v = dUA/dUE = - R2/R4 Durch die Verwendung einer Diode im Zweipol Z erhöht sich der untere Störabstand des Gatters, da die Abnahme der Ausgangsspannung UA erst bei höherer Eingangsspannung beginnt. Die Übertragungskennlinie eines Gatters nach der Erfindung und damit die Abhängigkeit der Ausgangsspannung UA von der Eingangsspannung UE zeigt die Figur 3.
  • Der Vorteil einer durch die Verwendung einer Diode versteilerten Übertragungskennlinie wirkt sich nicht nur bei einem Einzelgatter aus, sondern erhöht auch vor allem die Störsicherheit einer Serienschaltung von Gattern oder bistabilen Elementen.

Claims (5)

  1. Patentansprüche Gatter, insbesondere DTL- oder TTL-Gatter, bei dem zwischen dem Emitter des Eingangstransistors und dem Bezugspotential ein Zweipol liegt, dadurch gekennzeichnet, daß der Zweipol eine Diode aufweist.
  2. 2) Gatter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Zweipol aus der Diode besteht.
  3. 3) Gatter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Zweipol aus der Serienschaltung der Diode mit einem ohmschen Widerstand besteht.
  4. 4) Gatter nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß anstelle eines gesonderten ohmschen Widerstandes der Bahnwiderstand der Diode als ohmscher Widerstand benutzt wird.
  5. 5) Gatter nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Diode eine Schottky-Diode vorgesehen ist.
DE19752545943 1975-10-14 1975-10-14 Gatter Pending DE2545943A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752545943 DE2545943A1 (de) 1975-10-14 1975-10-14 Gatter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752545943 DE2545943A1 (de) 1975-10-14 1975-10-14 Gatter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2545943A1 true DE2545943A1 (de) 1977-04-28

Family

ID=5959107

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752545943 Pending DE2545943A1 (de) 1975-10-14 1975-10-14 Gatter

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2545943A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0072694A2 (de) * 1981-08-17 1983-02-23 Fujitsu Limited Transistorschaltung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0072694A2 (de) * 1981-08-17 1983-02-23 Fujitsu Limited Transistorschaltung
EP0072694A3 (en) * 1981-08-17 1984-05-23 Fujitsu Limited Transistor circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3814667C2 (de)
DE3244630A1 (de) Begrenzende wandlerschaltung fuer binaer kodierte wechselsignale als eingangsstufe einer integrierten schaltung mit igfet
EP0076963B1 (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines von Schwankungen einer Versorgungsgleichspannung freien Gleichspannungspegels
DE3024936C2 (de) Wechselspannungsverstärker in Form einer integrierten Schaltung
DE3889570T2 (de) Halbleiterschaltung.
DE2019804C3 (de) Monolithisch integrierbare monostabile Kippschaltung
DE2130909A1 (de) Ungesaettigte Logikschaltung fuer TTL- und DTL-Schaltungen
DE2545943A1 (de) Gatter
DE2413147C3 (de) Impulsformer
DE3713687C2 (de)
DE69131532T2 (de) Schaltung zum Ansteuern einer schwebenden Schaltung mit einem digitalen Signal
DE2740833C2 (de) Schaltungsanordnung zum Betreiben elektromechanischer Schaltwerke
DE2907231C2 (de) Monostabiler Multivibrator
DE2855168A1 (de) Bipolarer spannungsdetektor
DE2055487A1 (de) Statisches mehrstufiges Schiebe register
DE1762803A1 (de) Multivibrator mit stabilisierter Frequenz bei Temperaturschwankungen
DE2651422A1 (de) Ladungsspeicher mit halbleiterelementen
DE2350514A1 (de) Schaltungsanordnung zur anzeige von frequenzaenderungen einer wechselspannung
DE2607045B2 (de) Elektronische Schaltung mit einem Verstärker
DE2907387C2 (de) Triggerimpuls-Netzwerk
DE4427015C1 (de) Schaltungsanordnung zur Störsignalunterdrückung
DE3929350C1 (en) CMOS input to digital output signal level converter - has PMOS and NMOS FET control transistors and current limiter
DE2057856A1 (de) Schaltungsanordnung zur Umwandlung einer elektrischen Spannung in eine der Spannung proportionale Frequenz
DE69318281T2 (de) Monolithisch integrierbares Zeitverzögerungsfilter
DE3714903C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
OHJ Non-payment of the annual fee