DE2538832C3 - Vorrichtung zum Herstellen von Metalleinkristallen - Google Patents
Vorrichtung zum Herstellen von MetalleinkristallenInfo
- Publication number
- DE2538832C3 DE2538832C3 DE2538832A DE2538832A DE2538832C3 DE 2538832 C3 DE2538832 C3 DE 2538832C3 DE 2538832 A DE2538832 A DE 2538832A DE 2538832 A DE2538832 A DE 2538832A DE 2538832 C3 DE2538832 C3 DE 2538832C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- seed crystal
- tube
- crystal
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/14—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method characterised by the seed, e.g. its crystallographic orientation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/52—Alloys
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Hauptanspruchs.
Es ist zweckmäßig, diese Erfindung beim Herstellen von einkristallinen Blöcken und Erzeugnissen aus
Metallen und deren Legierungen mit vorgegebener kristallographischer Orientierung, z. B. Laufschaufeln
für Turbomotoren, Dauermagneten usw. einzusetzen.
Zum Unterschied von polykristallinen Erzeugnissen fehlen bei einkristallinen Erzeugnissen die Grenzen
zwischen den unterschiedlich und zufällig orientierten Kristallen. Beim Einsatz der Erzeugnisse, insbesondere
bei erhöhten Temperaturen, sind diese Grenzen oft Schwachstellen. Da ein Kristall Anisotropie aufweist,
d. h. seine Eigenschaften, insbesondere die mechanischen und magnetischen Eigenschaften von der
Richtung im Kristall abhängig sind, in der sie gemessen werden, kann beim Einsatz einkristalliner Erzeugnisse
die optimale Orientierung des Kristalls ausgenutzt werden, die dem Erzeugnis unter seinen Einsatzverhältnissen
die höchsten Kennlinien verleiht. Untersuchungen zeigen, daß im Vergleich zu polykristallinen
Schaufeln die Lebensdauer von Einkristall-Schaufeln bei einem Turbomotor bei maximaler Betriebstemperatur
des Motors etwa um ein Vierfaches, bei gemäßigten Temperaturen um ein Sechs- bis Achtfaches, und die
Leistung von Einkristall-Dauermagneten gegenüber Magneten mit polykristallinem Gefüge um ein 2,5- bis
3faches zunimmt
Aus der FR-OS 22 18 939 ist eine Vorrichtung zum Herstellen monokristalliner Erzeugnisse durch senkrecht
gerichtete Kristallisation aus dem Schmelzfluß an einem Impfkristall bekannt Diese Vorrichtung enthält
eine keramische Form, die am Boden eine Tasche für den Impfkristall aufweist, und ein senkrecht verschiebbar
unter der Form angeordnetes Kühlgehäuse, das eine ebene Stirnfläche aufweist Im Kühlgehäuse ist eine
axiale Öffnung zur Aufnahme des Impfkristall-Kühlblocks
angeordnet, der mit der Impfkristalltasche zusammenwirkt und mit dieser starr verbunden ist
lä Bsi dieser bekannten Vorrichtung ist der Impfkristall-Kühlblock
ein Metall-, z. B. Kupferzylinder, der mit der unteren Stirnfläche des Impfkristalls in Berührung
gebracht wird Auf dem Zylinder kann ein Rohr oder eine Hülse verschoben werden, womit die Gesamtlänge
des Blocks verlängert oder verkürzt werden kann. Der
Kühlblock taucht in eine öffnung des Kühlgehäuses ein,
und durch die Möglichkeit der Längenänderung des Blocks mit Hilfe der Hülse ist es möglich, einen
notwendigen Abstand zwischen dem Boden der Form und der Kühlgehäuserampe, die eine ebene Stirnfläche
aufweist, einzustellen. Der Kühlblock dient dazu, die Erschmel?.ungsfront des Impfkristalls auf dem erforderlichen
Niveau zu halten, was durch Schaffung eines Temperaturgradienten am Impfkristall bei Erwärmung
der Form und den anschließenden Arbeitsgängen erreicht wird.
Beim Herstellen von einkristallinen Erzeugnissen, z. B. Turbinenschaufelns aus hitzebeständigen Legierungen
auf der Grundlage von Nickel, deren Kristallisationsbereich beträchtliche Werte (etwa 150°C) erreicht,
wird in der bekannten Vorrichtung mit Kühlblock kein genügend großer Temperaturgradient am Impfkristall
ausgebildet und es wird somit keine Zuverlässigkeit und Reproduzierbarkeit des Vorganges der Einkristallzüchtung
erreicht.
Die Größe des Temperaturgradienten muß so gewählt sein, daß am oberen »heißen« Ende des
Impfkristalls, das mit dem in die Form einzugießenden Schmelzgut in Berührung kommt, eine Temperatur von
1440°C und am unteren »kalten« Ende eine Temperatur, die zumindest um 100°C tiefer liegt als die Anfangserschmelzungstemperatur
der Legierung erreicht wird, um ein eventuelles Erschmelzen des Impfkristalls bei
gelegentlichen Überhitzungen der Form sowie einen Durchbruch des Schmelzflusses durch die Impfkristalltasche
in die Arbeitskammer zu vermeiden.
Bei der Erwärmung der Form und bei der Schmelzgutführung in diese werden drei Zonen auf der
Körperlänge des Impfkristalls ausgebildet, eine obere schmelzflüssige Zone, eine untere, vollkommen feste
Zone und eine mittlere, flüssigfeste Zwischen- oder Übergangszone.
Der Durchmesser des Impfkristalls, dessen Zweck die Übertragung seines streng orientierten kristallographi-
M) sehen Gefüges auf den zu züchtenden Kristall ist, muß
notwendigerweise in Übereinstimmung mit den Abmessungen der Startfläche, deren Stärke an der Keimbildungsstelle
des Kristalls 0,6 mm beträgt, minimal (1,5 bis 2 mm) sein.
f> Aus Gründen des Schutzes der Impfkristalltasche
gegen eventuelle Brüche muß der Impfkristall möglichsl kurz sein. Seine Reallänge beträgl 30 bis 34 mm. Über
diese Länge muß ein Temperalurgefälle von 3000C am
Impfkristall erreicht werden, der Temperaturgradient am Impfkristall beträgt also 300°C/34mm, d.h.
annähernd lOCC/cm.
Unter Verwendung der bekannten Vorrichtung kann aber nur ein Temperaturgefälle von nicht über 10°C/cm
am Impfkristall erhalten werden, d.h. es ist um eine ganze Größenordnung zu gering.
Die bekannte Vorrichtung, die für den Einsatz von natürlicher Kühlung des Impfkristalls mit dessen
Kühlblock in der öffnung des Kühlgehäuses, zudem unter Vakuumbedingungen (bei fehlender Konvektion)
ausgelegt ist, ist nur für die Einkristallzüchtung reiner und niedriglegierter Metalle mit einem engen Kristallisationsbereich
wirksam, während sie sich bei der Einkristallzüchtung von zusammengesetzten Legierungen,
z.B. hitzebeständigen Legierungen auf der Grundlage von Nickel, als vollkommen unwirtschaftlich
erweist
Es ist Zweck der Erfindung, die erwähnten Unzulänglichkeiten zu beseitigen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zum Herstellen von Metalleinkristallen
durch senkrecht gerichtete Kristallisation aus der Metallschmelze an einem Impfkristall zu entwickeln, bei
der die Konstruktion des Impfkristall-Kühlblocks eine künstliche Kühlung erlaubt und wobei der Werkstoff,
aus dem der Kühlblock besteht, Eigenschaften aufweisen soll, die eine starke Abkühlung der Impfkristalltasche
und des darin befindlichen Impfkristalls durch ein Kühlmittel gewährleisten können, so daß die Zuverlässigkeit
und Reproduzierbarkeit des Vorganges gewährleistet ist
Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung mit den im Anspruch 1 wiedergegebenen Merkmalen gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Unter Verwendung der vorliegenden Vorrichtung beträgt der axiele Temperaturgradient am Impfkristall
etwa 150°C/cm. Beim Vorhandensein eines solchen Temperaturgradienten wird die Übergangszone am
Impfkristall, die durch die Größe des Temperaturbereichs für die Kristallisation gegeben ist, bis auf eine
Größe von ca. 10 mm bei einem Temperaturbereich vcn ca. 15O0C bei hitzebeständigen Legierungen verringert.
Dadurch wird eine starke Abkühlung der Impfkristalltasche mitsamt dem Impfkristall und somit eine
zuverlässige Keimbildung des Einkristalls sowie eine hohe Ausbeute an brauchbarem Produkt (praktisch bis
100%, bezogen auf die Monokristallinität) gewährleistet.
Durch die Verschiebung des Kühlblocks, der in Form eines Rohres mit einer näher oder weiter vom Boden
der Form angeordneten inneren Trennwand ausgeführt ist, läßt sich der Temperaturwert am oberen Ende des
Impfkristalls, wo er vor dem Eingießen des Schmelzgutes in die vorgewärmte Form vollständig und ungehindert
erschmelze0 werden muß, leicht regeln. Durch die
Verwendung de\ Kühlblocks in Form eines Rohres
gemeinsam mit ^em Kühler, der eine ebene Stirnfläche
aufweist, wird i^'n hoher Wirkungsgrad des gesamten
Kühlsystem* sc'^ie die Anwendung der erarbeiteten Züchtungstechr>u|ogie zur Herstellung einkristalliner
Erzeugnisse au? zusammengesetzten Legierungen, darunter auch für E'ihkristall-Turbinenschaufelns, in Serienproduktion
gewährleistet.
Es ist vorteilhaft, im unteren Abschnitt des Innenraums des Rohres gleichachsig mit diesem ein weiteres
Rohr vorzusehen, das mit dem System der Kiihlmittelzuführung
in Verbindung steht
Durch das Vorhandensein eines Innenrohres, das mit dem Außenrohr koaxial angeordnet ist, bietet sich die
Möglichkeit, die Trennwand unmittelbar abzukühlen, durch die die Wände des Arbeitsteils (d.h. des
Rohrinnern oberhalb der Trennwand) des die Impfkristalltasche umfassenden Rohres intensiv abgekühlt
werden.
Es ist am zweckmäßigsten, hierfür ein Rohr aus
ίο Wolfram und Molybdän einzusetzen, da sich Wolfram
und Molybdän unter den schwerschmelzbaren Metallen durch besonders hohe Wärmeleitfähigkeit auszeichnen.
Beim Herstellen einkristalliner Erzeugnisse aus Gold,
Kupfer, Silber, Aluminium, d. h. aus Metallen mit einem Schmelzpunkt unter 1100° C, ist es höchst vorteilhaft
Kupfer als Metall für das die Impfkristalltasche umfassende Rohr zu verwenden. Es ist zweckmäßig, das
die Impfkristalltasche umfassende Rohr aus zwei untereinander verbundenen Teilen zusammenzusetzen,
2ü von denen das obere die Impfkristalltasche umfaßt und aus Molybdän und Wolfram und das untere aus
nichtrostendem Stahl besteht, wobei sich die Verbindungsstelle der Rohrteile in der axialen öffnung des
Kühlgehäuses befindet
Die nur teilweise Ausführung des Außenrohres aus Molybdän oder Wolfram gestattet es, diese teuren
Metalle einzusparen.
Nachstehend wird die Erfindung anhand eines konkreten Ausführungsbeispiels unter Bezug auf die
Zeichnung, die die erfindungsgemäße Vorrichtung im Längsschnitt zeigt näher erläutert.
Die Vorrichtung weist eine keramische Form 1 auf, die von einem Graphitheizelement 2 umgeben ist
Unterhalb der Form 1 befindet sich ein Kühlgehäuse 3.
J5 Gemeinsam mit dem Heizelement 2 und dem Kühlgehäuse
3 ist die Form 1 in einer Vakuumkammer 4 mit wassergekühlten Wänden angeordnet. Durch den (nicht
dargestellten) Oberdeckel der Kammer 4 ist eine senkrechte, im Hinblick auf die Kammer 4 auf und ab
verschiebbare Stange 5 herausgeführt, an der die Form 1 aufgehängt ist. Im unteren Teil der Kammer 4 ist das
Kühlgehäuse 3 auf einer senkrechten, verschiebbaren Stange 6 angeordnet. Die obere und untere Stange 5
bzw. 6 sind gleichachsig. Das Kühlgehäuse 3 enthält eine eine ebene Stirnfläche aufweisende horizontale Platte,
die mit Wasser gekühlt wird, das über den Kanal 7 in der Stange 6 und den Kanal 8 in der Platte des
Kühlgehäuses 3 einströmt. Unterhalb des Impfkristalls 9 ist in der Impfkristalltasche 10 eine Metallschrauben-
■jo mutter 11 angeordnet, an der das Schloß 12 des
Impfkristalls 9 befestigt ist, das mit der unteren Stirnfläche des Impfkristalls 9 in Berührung kommt und
diesen innerhalb der Impfkristalltasche 10 hält.
Im Kühlgehäuse 3 ist eine axiale öffnung 13 zur
Aufnahme des Kühlblocks des Impfkristalls 9 vorgesehen, der mit der Impfkristalltasche 10 zusammenwirkt.
Der Kühlblock ist im Hinblick auf das Kühlgehäuse 3 und die Impfkristalltasche 10 unabhängig vertikal
verschiebbar angeordnet.
wi Der Kühlblock des Impfkristalls 9 ist ein die
Impfkristalltasche 10 umfassendes Rohr 14, das eine innere Trennwand 15 aufweist, die das Innere 16 des
Roh.es 14 in zwei Hohlräume — einen oberen und unteren — unterteilt. Der untere Hohlraum ist für ein
b5 Kühlmittel bestimmt.
Das Rohr 14 und die Trennwand 15 bestehen aus einem Metall, dessen Wärmeleitfähigkeit die Herstellung
eines maximalen TemDeratureradienten dher Hip
Länge des Impfkristalls 9 zur Keimbildung eines Einkristalls gewährleistet.
Zur Kühlmittelzuführung in den unleren Hohlraum des Rohres 14 ist ein Rohr 17 vorgesehen, das innerhalb
des die Impfkristalltasche IO umfassenden Rohres 14 und in einer Achse mit diesem liegt. Das Rohr 14 setzt
sich aus zwei untereinander verbundenen Teilen zusammen. Das obere Teil umfaßt die Impfkristalltasche
10 und besteht aus Molybdän, während das untere Teil aus nichtrostendem Stahl ausgeführt ist. Die Verbindungsstelle
18 der Teile befindet sich in der axialen öffnung 13 des Kühlgehäuses 3, wo die Temperatur 20
bis 3O0C nicht überschreitet.
Das oberhalb der Trennwand 15 befindliche Teil des Rohres 14 bildet das Arbeitsteil des Kühlblocks. Bei der
Erwärmung der Form und während der Einkristalizüchtung umfaßt das Arbeiisteil des Rohres 14 die
Impfkristalltasche 10 in deren unterem Teil nur so weit, daß die Impfkristalltasche 10 zwischen der Stirnfläche
des Arbeitsteils des Rohres 14 und dem Boden der Form 1 für die ungehinderte Erwärmung durch das Heizelement
2 offen ist, und verbleibt während des Kristallisationsvorganges stets in dieser Stellung.
Je nachdem, ob ein höherer oder tieferer Temperaturgradient an der Impfkristalltasche 10 nötig ist, wird der
Kühlblock näher oder ferner von dem Boden der Form 1 angeordnet.
Die Wirkungsweise der Einrichtung ist wie folgt. Die in einem Vakuumofen angeordnete Form 1 wird mit
Hilfe des Heizelements 2 auf eine Temperatur erwärmt, die die Kristallisationstemperatur der Schmelze überschreitet.
Danach wird das in einem Ofen geschmolzene Metall in die Form 1 eingegossen. Die Temperatur der Schmelze wird mit einem Tauchthermoelement unmittelbar davor überwacht. Während der Erwärmung der Form 1 befindet sich das Kühlgehäuse 3 in einem solchen Abstand von deren Boden, daß eine Kühlwirkung praktisch ausgeschlossen ist.
Danach wird das in einem Ofen geschmolzene Metall in die Form 1 eingegossen. Die Temperatur der Schmelze wird mit einem Tauchthermoelement unmittelbar davor überwacht. Während der Erwärmung der Form 1 befindet sich das Kühlgehäuse 3 in einem solchen Abstand von deren Boden, daß eine Kühlwirkung praktisch ausgeschlossen ist.
Nach dem Eingießen des Metalls in die Form 1 läßt man bis zur Temperaturgleicheit von Schmelze und
Form 1 stehen.
Um die Keimbildung des Kristalls zu bewirken, wird das Kühlgehäuse 3 mit einer Geschwindigkeit, die seine Berührung mit der Form 1 in dem Augenblick gewährleistet, in dem die Temperatur der Schmelze am Boden etwas tiefer als die Kristallisationstemperatur ist, dem Boden der Form 1 zugeführt.
Um die Keimbildung des Kristalls zu bewirken, wird das Kühlgehäuse 3 mit einer Geschwindigkeit, die seine Berührung mit der Form 1 in dem Augenblick gewährleistet, in dem die Temperatur der Schmelze am Boden etwas tiefer als die Kristallisationstemperatur ist, dem Boden der Form 1 zugeführt.
Während der Annäherung des Kühlgehäuses 3 an den Boden der Form 1 wird die Schmelze unterkühlt und ein
einziger Kristallkeim gebildet, der sich sodann über den Boden der Form 1 und nach oben fortpflanzt. Sofort
nach dem Hub des Kühlgehäuses 3 wandert die Kristallisationsfront des Impfkristalls 9 innerhalb der
Impfkristalltasche 10 nach oben. Auf dem Boden der Form 1 setzt die Kristallisation der Schmelze ein.
Beim Absenken der Form 1 auf dem Kühler 3 bewegt sich der Kühlblock gemeinsam mit ihm abwärts.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Vorrichtung zum Herstellen von Metalleinkristallen durch senkrecht gerichtete Kristallisation
einer Metallschmelze an einem Impfkristall mit einer keramischen Form, die am Boden eine Tasche für
den Impfkristall aufweist, und einem senkrecht verschiebbaren, wassergekühlten Kühlgehäuse, das
eine ebene Stirnfläche aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß ein Rohr (14) die Tasche
(10) für den Impfkristall umfaßt und sowohl bezüglich der Tasche (10) als auch in der Öffnung des
Kühlgehäuses (3) unabhängig senkrecht verschiebbar ist und eine waagerechte Trennwand (15)
aufweist, durch die sein Innenraum (16) in einen oberen und einen unteren Abschnitt unterteilt ist,
und wobei das Rohr (14) aus einem Metall mit einer Wärmeleitfähigkeit besteht, die über die Länge des
Impfkristalls (9) den zur Keimbildung des Einkristalls maximalen Temperaturgradienten ausbildet
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß im unteren Abschnitt des Innenraums
(16) des Rohrs (14) gleichachsig mit diesem, ein Kühlmittelzuführrohr (17) angeordnet ist
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Rohr (14) aus Wolfram oder
Molybdän besteht
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß beim Herstellen von Einkristallen aus
Metallen mit einem Schmelzpunkt < HOO0C das
Rohr (14) aus Kupfer besteht
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet daß das Rohr (14) aus zwei miteinander
verbundenen Teilen besteht, von denen das obere die Impfkristalltasche (10) umfaßt und aus Molybdän
oder Wolfram und das untere aus einem nichtrostenden Stahl besteht, wobei die Verbindungsstelle (18)
der Teile des Rohres (14) sich in der axialen Öffnung (13) des Kühlgehäuses (3) befindet.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2538832A DE2538832C3 (de) | 1975-09-01 | 1975-09-01 | Vorrichtung zum Herstellen von Metalleinkristallen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2538832A DE2538832C3 (de) | 1975-09-01 | 1975-09-01 | Vorrichtung zum Herstellen von Metalleinkristallen |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2538832A1 DE2538832A1 (de) | 1977-05-18 |
DE2538832B2 DE2538832B2 (de) | 1979-07-05 |
DE2538832C3 true DE2538832C3 (de) | 1980-03-13 |
Family
ID=5955328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2538832A Expired DE2538832C3 (de) | 1975-09-01 | 1975-09-01 | Vorrichtung zum Herstellen von Metalleinkristallen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2538832C3 (de) |
-
1975
- 1975-09-01 DE DE2538832A patent/DE2538832C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2538832A1 (de) | 1977-05-18 |
DE2538832B2 (de) | 1979-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2242111C3 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Gußstücken mit gerichtet erstarrtem Gefüge | |
EP0725169B1 (de) | Vorrichtung zur Herstelllung eines Einkristalls | |
DE2735928C3 (de) | Verfahren zum Gießen eines Formteils aus einem temperaturbeständigen metallischen Verbundwerkstoff und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE2949446C2 (de) | ||
DE102014113806B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von DS/SC Gusskörpern | |
DE3046908A1 (de) | Gerichtetes erstarrungsverfahren und vorrichtung zu dessen durchfuehrung | |
DE602004004095T3 (de) | Tiegel für eine vorrichtung zur herstellung eines kristallinen blockes, und verfahren zu seiner herstellung | |
DE102004058547B4 (de) | Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen mit großem Durchmesser | |
DE2609949C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Gußstücks aus in einer Richtung erstarrter Metallegierung | |
DE2933761C2 (de) | Verfahren zur Herstellung gerichtet erstarrter Gußstücke | |
DE1458155A1 (de) | Vorrichtung zum kontinuierlichen Strangziehen von vielkristallinem Material | |
DE2031844C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines gerichtet erstarrten Gußstückes | |
EP1162290A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Einschmelzen und Erstarren von Metallen und Halbmetallen in einer Kokille | |
DE3532131A1 (de) | Verfahren zur gerichteten erstarrung von metallschmelzen | |
DE2538832C3 (de) | Vorrichtung zum Herstellen von Metalleinkristallen | |
DE3207777C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Rohrstranggießen von Metallen, inbes. Nickel- und Kobaltlegierungen | |
DE1941968C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen | |
DE10256513A1 (de) | Verfahren zum Schmelzen eines Metalles und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE19919869B4 (de) | Gussofen zur Herstellung von gerichtet ein- und polykristallin erstarrten Giesskörpern | |
DE3627764A1 (de) | Verfahren zur herstellung von erstarrten legierungskoerpern | |
EP0477136A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Gussstücken durch gerichtete oder einkristalline Erstarrung | |
DE2307463B2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von einkristallinen Metallgußstücken | |
CH613877A5 (en) | Device for preparing monocrystalline products | |
DE3031747C2 (de) | Vorrichtung zur Gruppenzüchtung von Einkristallen | |
DE2137330C3 (de) | Gießvorrichtung zur Herstellung von Gußstücken mit definierter Erstarru ngsrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |