DE2534795A1 - Verfahren zur herstellung von strukturen aus positiv-fotolackschichten auf einem traeger - Google Patents
Verfahren zur herstellung von strukturen aus positiv-fotolackschichten auf einem traegerInfo
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Description
Verfahren zur Herstellung von Strukturen aus Positiv-Fotolackschichten
auf einem Träger
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Strukturen aus Positiv-Fotolackschichten auf
einem, insbesondere mit Profilstufen versehenen Träger, bei dem auf der Trägeroberfläche eine Positiv-Fotolackschicht,
insbesondere in Schleudertechnik, erzeugt und danach belichtet und entwickelt wird, wobei nur die Stellen, an denen die
Fotolackschicht beim Entwickeln in ihrer Dicke reduziert oder entfernt werden soll, belichtet werden.
Verfahren der eingangs genannten Art werden in der Halbleiterfertigung
zur Herstellung, beispielsweise von Masken aus Fotolackschichten, angewandt. Dabei zeigt es sich, daß Dickenunterschiede
der aufgetragenen Fotolackschicht zu ungleichmäßigen Linienbreiten in der Fotola,ckstruktur führen. Der
Effekt wächst dabei mit zunehmendem Reflexionsvermögen der Trägeroberfläche. Ungleichförmige Schichtdicken treten auf
jeden Fall dann auf, wenn der Träger Profilstufen aufweist und die Fotolackschicht in Schleudertechnik aufgebracht wird.
Hierbei ergeben sich im Bereich der Stufen, deren Stufenhöhe in der Halbleiterfertigung bis zu einem /um und mehr betragen
kann, große Schichtdickenunterschiede.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren der
eingangs genannten Art anzugeben, bei dem die aus Schichtdickenunterschieden
resultierenden ungleichmäßigen Strukturbreiten vermieden werden.
Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die .Fotolackschicht vor
der Belichtung mit monochromatischem Licht geringer Intensität ganzflächig und gleichmäßig vorbelichtet und anschließend
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ORIGINAL INSPECTED
vorentwickelt wird, wobei die Vorbelichtungszeit so klein gewählt wird, daß an den Stellen, an der die Laclcdicke ein
ganzzahliges Vielfaches der halben Wellenlänge des monochromatischen Lichtes beträgt, die Abtragrate kleiner bleibt als
an den Stellen, an der die Lackdicke ein ungeradzahliges Vielfaches von einem Viertel der Wellenlänge beträgt und daß die
Vorentwioklungszeit so gewählt wird, daß an den Stellen, an der die Lackdicke ein ungeradzahliges Vielfaches der viertelten
Wellenlänge beträgt, diese Dicke um ein ungeradzahliges Vielfaches von einem Viertel der Wellenlänge reduziert wird.
Geringe Intensität des monochromatischen Lichtes bedeutet dabei, daß die Intensität bei der Vorbelichtung höchstens
einen Wert aufweist, der eine halbe Größenordnung kleiner als die mittlere Intensität bei der eigentlichen Belichtung
betragen soll.
Der Vorteil des Verfahrens liegt darin, daß nach der Vorentwicklung
die Fotolackscbicbt stufenförmig in Höhenschichten
unterteilt ist. Die Dicke einer jeden solchen Schicht ist konstant und entlang ihres Randes durch eine steile Stufe
von der nächsten Schicht abgegrenzt. Die Randlinie einer jeden
solchen Schicht stellt entsprechend den Höhenlinien einer Landkarte eine Linie gleicher Schichtdicke dar. Die Stufenhöhe
jeder Stufe ist gleich der im Fotolack gemessenen halben Wellenlänge des monochromatischen Lichtes. Bei der anschliossenden
eigentlichen Belichtung, die der Strukturdefinition dient, entstehen in der gesamten Fotolackschicht stehende
Wellen, wobei sich an der Lackoberfläche nur Intensitätsminima ausbilden. Da die Abtragrate beim Entwickeln über die
gesamte belichtete Oberfläche annähernd konstant ist, zeigen die entwickelten Strukturen gleichmäßige Strukturbreiten.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird anhand von Figuren näher erläutert.
Figur 1 zeigt im Querschnitt senkrecht zur Trägeroberfläche eine im Schleuderverfahren aufgebrachte Fotolackschicht
über einer Profilstufe des Trägers.
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Figur 2 zeigt in Draufsicht eine im herkömmlichen Verfahren entwickelte Struktur.
Figur 3 zeigt die in Figur 1 dargestellte Fotolackschicht
nach der Vorentwicklung.
In der Figur 1 "befindet sich über dem mit der Profilstufe 11
versehenen Träger 1 die Fotolackschicht 2 der Dicke d. Die Spur 21 der Lackoberfläche zeigt einen weichen Verlauf, wodurch
in der Nähe der Profilstufe des Trägers von der Dicke d abweichende Schichtdicken entstehen. Zum Zweck weiterer
Erläuterungen ist die Lackschicht in Bereiche 3 "bis 7 unterteilt.
In der Figur 2 sind in Draufsicht schematisch drei parallel
zueinander verlaufende Fotolackstreifen 8, 9, 10 quer zu Profilstufen dargestellt. Der in Figur 1 dargestellte Querschnitt
ist dabei längs der Linie A-B geführt. Die Profilstufen sind dabei vereinfacht durch die Linie 11, die mit
der Profilstufe in der Figur 1 identisch ist, und die Linie 20 dargestellt. Der Teil des Trägers zwischen den Linien 11
und 20 liegt tiefer als die Bereiche außerhalb. Die Bereiche zwischen den gestrichelten Linien 82 und 91 bzw. 92 und 101
geben die belichteten Bereiche an. Die entwickelten Fotolackstreifen weisen nach der Entwicklung jedoch durch Ausbuchtungen und Einbuchtungen ungleichmäßige Linienbreite auf. Das
Entstehen dieser ungleichförmigen Linienbreiten kann folgendermaßen erklärt werden: Beim Belichten entstehen durch Reflexionen
an der Trägeroberfläche und unter der Lackoberfläche stehende Wellen in der Fotolackschicht. Diese stehenden Wellen
weisen jeweils im Abstand eines ganzzahligen Vielfachen der halben Wellenlänge des verwendeten Lichtes im Fotolack von
der.Trägeroberfläche aus Schwingungsbäuche, d.h. starke Intensitäten,
auf, während sie im ungeradzahligen Vielfachen eines Viertels der Wellenlänge einen Schwingungsknoten, d.h.
geringe Intensität, aufweisen. Bei ungleichförmigen Lackdicken, insbesondere mit weichem Verlauf, sind unter der
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Lackoberfläcbe örtlich verschiedene Intensitäten des Lichtes vorhanden. Da die Abtragrate "beim Entwickeln proportional
der Intensitätsverteilung ist, führt dies notgedrungen zu. .örtlich unterschiedlichen Abtragraten und damit zu ungleichförmigen
Strukturbreiten. Am Beispiel der Figur 1 und Figur sei dies näher erläutert: Die Lackdicke d ist als Beispiel
3/2 λ gewählt, wobei Λ die Wellenlänge des monochromatischen
Lichtes bedeutet. Diese Lackdicke liegt in den Bereichen 3 und 7 vor. Im Bereich 5 sei die Lackdicke Λ . In den
Bereichen 4 bzw. 6 sei die Lackdicke 5/4 Λ bzw. 7/4 Λ In den Bereichen 3, 5 und 7 liegen unter der Lackoberflache
Schwingungsknoten, so daß beim Vorentwickeln die Abtragrate
in diesen Bereichen klein ist. In den Bereichen 4 und 6 liegen unter der Lackoberfläche Schwingungsbäuche, so daß die
Abtragrate dort groß ist. Es entstehen also, wie in Figur dargestellt, in den Bereichen 4 und 6 starke. Einbuchtungen
und damit starke Verkleinerungen der Streifenbreite.
In der Figur 3 ist die in Figur 1 dargestellte Fotolackschicht 2 nach dem Vorbelichten und nach dem Vorentwickeln dargestellt.
Es ist dabei die Fotolackschicht 30 entstanden, die deutliche Stufen aufweist. Innerhalb jeder Stufe ist die Lackdicke konstant
und beträgt ein Vielfaches von Λ/2. Die Stufenform entsteht dadurch, daß die Abtragrate an den Stellen, an denen
die ursprüngliche Sohicht eine Dicke von einem ganzzahligen Vielfachen von Λ /2 aufweist, sehr gering ist, während sie
in den Zwischenstellen größer ist und an den Stellen, an denen die Lackdicke ein ungeradzahliges Vielfaches von ^/4
beträgt, ein Maximum aufweist. Die Belichtungszeit und die Entwicklungszeit können so eingestellt werden, daß die verbleibende
Lackdicke innerhalb der einzelnen Stufen ein ganzzahliges Vielfaches von ,λ/2 beträgti Die erforderlichen Zeiten können durch Versuche ermittelt werden. In der Figur 3
ist die Spur 21 der ursprünglichen Lackoberfläche vor der Vorbelichtung gestrichelt eingezeichnet. Die Stellen oder
Bereiche, an denen die ursprüngliche Lackdicke ein ganzzahliges Vielfaches von λ /2 betrug, sind mit 31 bis 34
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bezeichnet. Bei der anschließenden eigentlichen Belichtung, die der Strukturdefinition dient, entstehen an der Lackoberflache
nur Intensitätsminima. Die Abtragrate beim nachfolgenden
Entv/ickeln ist über die gesarate belichtete Oberfläche
annähernd konstant. Die entwickelten Strukturen zeigen daher nahezu gleichmäßige Breiten.
1 Patentanspruch
3 Figuren
3 Figuren
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Claims (1)
- PatentanspruchVerfahren zur Herstellung von Strukturen aus Positiv-Fotolackschichten auf einem, insbesondere mit Profilstufen versehenen Träger, bei dem auf der Trägeroberfläche eine Positiv-Fotolacksohicbt, insbesondere in Schleudertechnik,erzeugt und danach belichtet und entwickelt wird, wobei nur die Stellen, an denen die Fotolackschicht beim Entwickeln in ihrer Dicke reduziert oder entfernt werden soll, belichtet werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Fotolackschicht vor der Belichtung mit monochromatischen) Licht geringer Intensität ganzflächig und gleichmäßig vorbelichtet und anschließend vorentwickelt wird, wobei die Vorbelichtungszeit so klein gewählt wird, daß an den Stellen, an der die lackdicke ein ganzzahliges Vielfaches der halben Y/ellenlänge des monochromatischen Lichtes beträgt, die Abtragrate kleiner bleibt als an den Stellen, an der die Lackdicke ein ungeradzahliges Vielfaches von einem Viertel der Y/ellenlänge beträgt, und daß die Vorentwicklungszeit so gewählt wird, daß an den Stellen, an der die Lackdicke ein ungeradzahliges Vielfaches der viertelten V/ellenlänge beträgt, diese Dicke um ein ungeradzahligea Vielfaches von einem Viertel der Wellenlänge reduziert wird.VPA 75 B 7017609886/0627
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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GB27153/76A GB1548017A (en) | 1975-08-04 | 1976-06-30 | Productions of structures consisting of positive photolacquer layers on a carrier |
FR7622726A FR2320584A1 (fr) | 1975-08-04 | 1976-07-26 | Procede pour la realisation, sur un support, de structures a couches de vernis photosensibles positives |
IT25720/76A IT1067163B (it) | 1975-08-04 | 1976-07-27 | Procedimento per formare strutture costituite da strati positivi di vernice fotosensibile su un supporto |
BE169435A BE844743A (fr) | 1975-08-04 | 1976-07-30 | Procede pour la realisation, sur un support, de structures a couches de verres photosensibles positives |
JP51091228A JPS5219531A (en) | 1975-08-04 | 1976-07-30 | Method of producing positive photosensitive resin layer structure |
NL7608635A NL7608635A (nl) | 1975-08-04 | 1976-08-03 | Werkwijze voor de vervaardiging van strukturen van positieve lagen fotolak op een drager. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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DE2534795A1 true DE2534795A1 (de) | 1977-02-10 |
DE2534795B2 DE2534795B2 (de) | 1977-09-29 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3216268A1 (de) * | 1982-04-30 | 1983-11-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur verminderung von linienbreitenschwankungen bei der herstellung von aus fotolackschichten bestehenden strukturen auf fuer integrierte halbleiterschaltungen vorgesehenen substraten durch optische projektionsbelichtung |
DE4103565A1 (de) * | 1990-08-30 | 1992-03-05 | Samsung Electronics Co Ltd | Verfahren zur bildung eines feinen musters auf einem halbleiter mit einer stufe |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5329135B2 (de) * | 1973-12-12 | 1978-08-18 | ||
AU544060B2 (en) * | 1980-07-28 | 1985-05-16 | Polychrome Corp. | Accelerated diazo sensitised |
DE3310962A1 (de) * | 1983-03-25 | 1984-09-27 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur reduzierung von linienbreitenschwankungen bei der herstellung von fotolackstrukturen |
JPS6155649A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタン形成法 |
CA1285418C (en) * | 1985-07-18 | 1991-07-02 | Robert A. Owens | Pre-exposure method for increased sensitivity in high contrast resist development |
FR2618230A1 (fr) * | 1987-07-17 | 1989-01-20 | Thomson Semiconducteurs | Procede de photolithographie. |
KR950008384B1 (ko) * | 1992-12-10 | 1995-07-28 | 삼성전자주식회사 | 패턴의 형성방법 |
-
1975
- 1975-08-04 DE DE2534795A patent/DE2534795C3/de not_active Expired
-
1976
- 1976-06-30 GB GB27153/76A patent/GB1548017A/en not_active Expired
- 1976-07-26 FR FR7622726A patent/FR2320584A1/fr active Granted
- 1976-07-27 IT IT25720/76A patent/IT1067163B/it active
- 1976-07-30 BE BE169435A patent/BE844743A/xx unknown
- 1976-07-30 JP JP51091228A patent/JPS5219531A/ja active Pending
- 1976-08-03 NL NL7608635A patent/NL7608635A/xx not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3216268A1 (de) * | 1982-04-30 | 1983-11-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur verminderung von linienbreitenschwankungen bei der herstellung von aus fotolackschichten bestehenden strukturen auf fuer integrierte halbleiterschaltungen vorgesehenen substraten durch optische projektionsbelichtung |
DE4103565A1 (de) * | 1990-08-30 | 1992-03-05 | Samsung Electronics Co Ltd | Verfahren zur bildung eines feinen musters auf einem halbleiter mit einer stufe |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7608635A (nl) | 1977-02-08 |
BE844743A (fr) | 1976-11-16 |
JPS5219531A (en) | 1977-02-14 |
FR2320584A1 (fr) | 1977-03-04 |
GB1548017A (en) | 1979-07-04 |
DE2534795C3 (de) | 1978-05-24 |
IT1067163B (it) | 1985-03-12 |
FR2320584B1 (de) | 1979-09-28 |
DE2534795B2 (de) | 1977-09-29 |
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