DE2514482A1 - Verstaerkerstufe fuer den anschluss an einen generator mit extrem hohem wechselstrom-innenwiderstand - Google Patents
Verstaerkerstufe fuer den anschluss an einen generator mit extrem hohem wechselstrom-innenwiderstandInfo
- Publication number
- DE2514482A1 DE2514482A1 DE19752514482 DE2514482A DE2514482A1 DE 2514482 A1 DE2514482 A1 DE 2514482A1 DE 19752514482 DE19752514482 DE 19752514482 DE 2514482 A DE2514482 A DE 2514482A DE 2514482 A1 DE2514482 A1 DE 2514482A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- amplifier
- output
- input
- transistor
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/50—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower
- H03F3/505—Amplifiers in which input is applied to, or output is derived from, an impedance common to input and output circuits of the amplifying element, e.g. cathode follower with field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
- H03F1/083—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers
- H03F1/086—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements in transistor amplifiers with FET's
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
- Verstärker stufe für den Anschluß an einen Generator mit extrem hohem Wechselstrom-Innenwiderstand Die Erfindung betrifft eine Verstärkerstufe mit zwei oder mehr Transistoren für den Anschluß an einen Generator mit extrem hohem Wechselstrom-Innenwiderstand mit einer Kollektorstufe am Eingang, deren Basis über einen Widerstand an den Abgreifpunkt eines Spannungsteilers geführt ist und bei der der Ausgang der Verstärker stufe wechselstrommäßig mit dem Abgreifpunkt verbunden ist.
- Es ist aus der DT-PS 1 143 234 ein Transistorverstärker in Emitterfolgerschaltung mit hohem Eingangswiderstand bekannt, bei dem der über einen Widerstand mit der Basis des Transistors verbundene Basisspannungsteiler über einen gepolten Elektrolytkondensator mit dem dem Emitter dieses Transistors zugekehrten Ende des Emitterwiderstandes verbunden ist und der Emitter des Transistors über eine in Durchlaßrichtung geschaltete Diode mit dem Emitterwiderstand verbunden ist.
- (Patentanspruch 1). Weiter wird dort gesagt, daß der Transistor durch eine Kaskadenschaltung von zwei oder mehr Transistoren ersetzt werden kann. (Patentanspruch 4). Es werden damit Eingangswiderstände von mehreren hundert Kilo Ohm erreicht. Das gilt allerdings für die beschriebene Schaltung nur für einen relativ eng begrenzten Frequenzbereich, denn die Schaltkapazitäten, bestehend aus den Kapazitäten zwischen den Elektroden des Transistors und dem Transistorgehäuse und den Schaltkapazitäten der Bauelemente gehen voll in den Eingangswiderstand der Schaltung ein.
- Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Verstärkerstufe anzugeben, die für den Anschluß an einen Generator mit extrem hohem Wechselstrominnenwiderstand geeignet ist, das heißt, selber ebenfalls einen extrem hohen Eingangswiderstand aufweist.
- Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorstufe mit ihren Bauteilen in ein metallisches Gehäuse eingebaut und dieses Gehäuse, der Kollektor der Eingangsstufe und das Transistorgehäuse ebenfalls wechselstrommäßig an den Ausgang der Verstärkerstufe angeschlossen sind.
- Eine Weiterbildung der Erfindung für eine Schaltung, an deren Eingang ein geschirmtes Kabel angeschlossen ist, ist dadurch gekennzeichnet, daß der Schirm des Kabels wechJelstrommäßig an den Ausgang der Verstärker stufe angeschlossen ist.
- Für den Anschluß eines Generators, dessen Ausgang an eine Gleichspannungsquelle angeschlossen ist, besteht eine Weiterbildung der Erfindung darin, daß das dem Ausgang des Generators abgewendete Ende eines Vorwiderstandes an den Ausgang der Verstärkerstufe angeschlossen ist.
- Die Erfindung soll jetzt anhand eines Ausführungsbeispiels beschrieben werden.
- In der Figur ist eine Verstärkerstufe dargestellt, an deren Eingang E über ein geschirmtes Kabel ein Kondensatormikrophon angeschlossen wird.
- Der Verstärker besteht aus drei Transistoren TS1, TS2 und TS3. Der Transistor TS1 ist bei diesem Beispiel ein Feldeffekttransistor in Drain-Basis-Schaltung, dessen Gate über einen Widerstand R4 an den Abgreifpunkt eines Spannungsteilers R6, R7 geführt ist.
- Über die Widerstände Rl und R2 wird dem Kondensatormikrophon eine Polarisationsgleichspannung P zugeführt. C1 hält diese Spannung P vom Gate fern. Die Dioden GR3 und GR4, die zwischen Gate und Drain, beziehungsweise über den Gatevorwiderstand R4 geschaltet sind, sind Schutzdioden, die den Feldeffekttransistor TS1 bei eventuellen Kurzschlüssen am Eingang vor Überspannung schützen. C1 ist auf die Polarisationsgleichspannung aufgeladen. R3 begrenzt den Entladestrom, so daß die Dioden nicht belastet werden.
- Die Ausgangsspannung des Transistors TSl ist gleichphasig mit der Eingangsspannung, jedoch im Wert etwas kleiner als diese. Die nachfolgende gleichstromgekoppelte Verstärkerstufe TS2 und TS3 ist stark gegengekoppelt. Sie besitzt einen geringen Ausgangswiderstand. Über RiO wird die Verstärkung so eingestellt, daß der Spannungsverlustin der ersten Stufe annähernd aufgehoben wird. Die gesamte Spannungsverstärkung muß kleiner 1 bleiben, da sonst die Anordnung schwingt. Ein- und Ausgangsspannung sind gleichphasig. Alle den Transistorelektroden abgewendeten Enden der Widerstände und Kapazitäten, die den Eingang belasten, sind wechselstrommäßig mit dem Ausgang verbunden, so daß sie stromlos werden und nicht zur Bildung der Eingangsimpedanz beitragen. R1, R4 und GR1 sind über C2 beziehungsweise C3 mit dem Ausgang verkoppelt. GR3, die Kapazität vom Drain und vom Transistorgehäuse zum Gate, sind durch C4 kompensiert. Die Schaltkapazitäten und die Eingangslei tungskapazität sind dadurch eliminiert, daß der Schirmbecher, in dem sich die Eingangsstufe befindet, und der Schirm des Kabels galvanisch mit dem Ausgang verbunden sind und dadurch wechselstrommäßig das gleiche Potential haben wie die Eingangsleitung. R1, R4, GR1, GR3, die Kapazitäten zwischen Drain und Fetgehäuse gegen Gate, die Eingangsleitungskapazität und die Kapazitäten Cl und R3 gegen den Schirmbecher gehen als Eingangsimpedanz nur mit dem Faktor 11V ein, wobei V die Gesamtverstärkung 1-V darstellt. Die Kapazität zwischen Gate und Source geht 1 als Eingangsimpedanz nur im Faktor -- ein. S ist 1+S#R8 die Vorwärtssteilheit des Fets.
- Mit einer ausgeführten Schaltung wurde ein Eingangswiderstand von 1 Teraohm erreicht mit einer Eingangskapazität von 0,1 pF. Darin ist eine Kabelkapazität von 40 pF eingeschlossen.
- Schaltteilliste zur Figur R1 20 M# R2 10 M# R3 1,1 k# R4 20 M# R5 1,3 k# R6 1 M# R7 470 kQ R8 10 kQ R9 2 kQ R10 220# R11 12 k# C1 10 pF C2 8 nF C3 1 nF C4 10 F
Claims (3)
- Patentansprüche 5; Verstärkerstufe mit zwei oder mehr Transistoren für den Anschluß an einen Generator mit extrem hohem Wechselstrom-Innenwiderstand mit einer Kollektorstufe am Eingang, deren Basis über einen Widerstand an den Abgreifpunkt eines Spannungsteilers geführt ist und bei der der Ausgang der Verstärkerstufe wechselstrommäßig mit dem Abgreifpunkt verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorstufe mit ihren Bauteilen in ein metallisches Gehäuse eingebaut und dieses Gehäuse, der Kollektor der Eingangsstufe und das Transistorgehäuse ebenfalls wechselstrommäßig an den Ausgang der Verstärker stufe angeschlossen sind.
- 2. Verstärker stufe nach Anspruch 1 mit an dem Eingang angeschlossenen geschirmten Kabel, dadurch gekennzeichnet, daß der Schirm des Kabels wechselstrommäßig an den Ausgang des Verstärkers angeschlossen ist.
- 3. Verstärkerstufe nach Anspruch 1 oder 2, bei der der Ausgang des Generators an eine Gleichspannungsquelle angeschlossen ist, dadurch gekennzeichnet, daß das dem Ausgang des Generators abgewendete Ende eines Vorwiderstandes an den Ausgang der Verstärker stufe angeschlossen ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752514482 DE2514482C3 (de) | 1975-04-03 | 1975-04-03 | Verstärkerstufe für den Anschluß an einen Generator mit extrem hohem Wechselstrom-Innenwiderstand |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19752514482 DE2514482C3 (de) | 1975-04-03 | 1975-04-03 | Verstärkerstufe für den Anschluß an einen Generator mit extrem hohem Wechselstrom-Innenwiderstand |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2514482A1 true DE2514482A1 (de) | 1976-10-14 |
DE2514482B2 DE2514482B2 (de) | 1980-11-27 |
DE2514482C3 DE2514482C3 (de) | 1981-08-27 |
Family
ID=5942973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752514482 Expired DE2514482C3 (de) | 1975-04-03 | 1975-04-03 | Verstärkerstufe für den Anschluß an einen Generator mit extrem hohem Wechselstrom-Innenwiderstand |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2514482C3 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4174503A (en) * | 1977-11-25 | 1979-11-13 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada | Modular low noise preamplifier |
US4498058A (en) * | 1982-05-17 | 1985-02-05 | Sperry Corporation | Low input capacitance amplifier |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1098042B (de) * | 1958-07-31 | 1961-01-26 | Telefunken Gmbh | Transistorverstaerkerstufe mit Massnahmen zur Vergroesserung des Eingangswiderstandes |
-
1975
- 1975-04-03 DE DE19752514482 patent/DE2514482C3/de not_active Expired
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1098042B (de) * | 1958-07-31 | 1961-01-26 | Telefunken Gmbh | Transistorverstaerkerstufe mit Massnahmen zur Vergroesserung des Eingangswiderstandes |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Electronic Engineering, Juni 1966, S. 391 * |
Funkschau, 1965, H. 14, S. 383 u. 384 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4174503A (en) * | 1977-11-25 | 1979-11-13 | Her Majesty The Queen In Right Of Canada | Modular low noise preamplifier |
US4498058A (en) * | 1982-05-17 | 1985-02-05 | Sperry Corporation | Low input capacitance amplifier |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2514482C3 (de) | 1981-08-27 |
DE2514482B2 (de) | 1980-11-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2247471A1 (de) | Differentialverstaerker-schaltung | |
DE3301792A1 (de) | Geschaltete kondensatorkette mit verminderter kapazitaet | |
DE2531998C2 (de) | Vorspannungskreis für einen Differentialverstärker | |
DE2403756C3 (de) | Schaltung für einen elektronisch steuerbaren Widerstand | |
DE2514482A1 (de) | Verstaerkerstufe fuer den anschluss an einen generator mit extrem hohem wechselstrom-innenwiderstand | |
DE2451044C3 (de) | Impuls-Ansteueranordnung | |
DE19501236A1 (de) | Verstärker | |
DE2712680C2 (de) | Mehrstufiger Transistorverstärker für Wechselspannungen | |
DE3437923C1 (de) | Spannungsgesteuerter Oszillator | |
DE3427862A1 (de) | Gyrator | |
DE868922C (de) | Verstaerker fuer ein breites Frequenzband | |
DE1524297C3 (de) | Driftkompensationsschaltung | |
DE2938569C3 (de) | Horizontalablenkschaltung | |
DE1179274B (de) | Parametrischer Verstaerker | |
DE2020137B2 (de) | Hybride verstaerkerschaltung, insbesondere quellenfolgerschaltung | |
DE1762768A1 (de) | Transistorisierter Leitungsverstaerker mit zwei in Reihe geschalteten Transistoren,die von einem emittergekoppelten Transistorpaar gesteuert werden | |
DE1916736C3 (de) | Gegentaktverstärker mit zwei Transistoren entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps | |
DE19522954C2 (de) | Transformationsschaltungsanordnung | |
DE3427542A1 (de) | Schaltungsanordnung zur einstellung des emitterstromes einer transistorverstaerkerstufe | |
DE2530647A1 (de) | Schaltungsanordnung fuer mos-ausgangsstufe | |
DE1219997B (de) | Schaltungsanordnung zur probenweisen Gewinnung kurzer impulsaehnlicher Schwingungsformen | |
DE2711520B2 (de) | Belastungsschaltung für eine Signalquelle | |
DE1927587B2 (de) | Breitbandverstaerker, vorzugsweise leitungsverstaerker der traegerfrequenztechnik, bestehend aus einem verstaerker und einem vorgeschalteten stellglied | |
DE1939652A1 (de) | Siebschaltung zum Aussieben einer einem Gleichstrom ueberlagerten Stoerwechselspannung | |
DE1541391A1 (de) | Selbststabilisierender Oszillator |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: AEG-TELEFUNKEN NACHRICHTENTECHNIK GMBH, 7150 BACKN |
|
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: ANT NACHRICHTENTECHNIK GMBH, 7150 BACKNANG, DE |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |