DE2507957A1 - Elektrische vorrichtung mit mindestens zwei elektroden und einem dielektrischen material - Google Patents
Elektrische vorrichtung mit mindestens zwei elektroden und einem dielektrischen materialInfo
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Description
Diese Erfindung betrifft eine elektrische Vorrichtung mit
mindestens zwei Elektroden und einem dielektrischen Material zwischen diesen Elektroden.
Bei der dauernd zunehmenden Weiterentwicklung der elektrischen und elektronischen Ausrüstungen werden verschiedene
Schaltkreise bei immer höheren Spannungen betrieben. Dies bedeutet, daß die in solchen Vorrichtungen verwendeten dielektrischen
Fluide immer größeren Anforderungen unterworfen werden.
Es ist deshalb sehr wichtig, daß die dielektrischen Materialien die als selbstheilend bezeichnende Qualität besitzen,
so daß beim Durchschlag aufgrund einer Überspannung der Iso-
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lierwert des Dielektrikums nicht unter die Betriebsspannung des Schaltkreises absinkt· Wenn ein Dielektrikum einer zunehmenden
Beanspruchung unterworfen wird, wird ein Punkt erreicht, bei dem ein Durchschlag erfolgt. Diese Spannung ist
als Korona-Initialspannung (KIV) bekannt. Die Korona-Entladung
setzt sich fort, bis die Spannung auf einen Punkt abgefallen ist, bei dem die Bildung der Korona abbricht. Diese
Spannung ist als Korona-Extinkt ions spannung (.KEV) bekannt. Es ist sehr wünschenswert, daß KIV und KEV möglichst nahe
zusammenliegen.
Der Grund dafür liegt darin, daß elektrische Geräte zeitweilig großen Überspannungen ausgesetzt sind. Diese Überspannungen
können leicht einen Durchschlag der Isolierung bewirken. Es ist deshalb wesentlich, daß die Geräte ihre Funktion
fortsetzen können, sobald die Überspannung vorbei ist und die Spannung auf das normale Betriebsniveau abgesunken
ist. Dies tritt aber dann nicht ein, wenn der KEV-Wert unterhalb des normalen Spannungsniveaus liegt, da in einem derartigen
Fall das Gerät ausfällt und nicht mehr betriebsbereit ist.
Es ist schon seit langem bekannt, daß fluide Methylpolysiloxane ausgezeichnete dielektrische Materialien sind, da
sie eine Reihe von guten Eigenschaften besitzen, wie gute dielektrische Festigkeit, Beständigkeit bei hohen und niedrigen
Temperaturen und andere vorteilhafte Eigenschaften. Diese Materialien besitzen aber den großen Nachteil, daß ihr
KEV-Wert recht niedrig ist» So findet man z.B. bei einem Di-
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tnethylpolysiloxan von niedriger Viskosität und einem KIV-Wert
von 2 800 Volt einen KEV-Wert von nur 400 Volt. Dieser Abfall der Isolierfähigkeit schließt die Dimethy!polysiloxane
von der Verwendung in zahlreichen elektrischen Vorrichtungen, wie Kondensatoren oder Transformatoren, die bei hoher Spannung
arbeiten, aus.
Es ist auch bekannt, daß fluide Methylpheny!polysiloxane
eine größere selbstheilende Fähigkeit besitzen, als die vergleichbaren Methylpolysiloxane. Dies geht z.ß. aus der DT-OS
1 935 788 hervor, in der die Verwendung von fluiden Phenylmethy!polysiloxanen
von niedriger Viskosität als dielektrische Materialien in Kondensatoren offenbart ist. Die fluiden Phenylmethylpolysiloxane
sind aber viel teurer als die entsprechenden fluiden Dimethylpolysiloxane. Wegen dieser höheren Kosten kommt
die Verwendung der fluiden Phenylmethylpolysiloxane auf vielen
Gebieten nicht in Betracht, wo sie von der technischen Seite her geeignet wären und die fluiden Dimethylpolysiloxane aber
nicht brauchbar sind.
Aufgabe dieser Erfindung ist es elektrische Vorrichtungen
mit neuen fluiden dielektrischen Materialien zur Verfügung zu stellen, die Kosten in der gleichen Größenordnung haben wie
die Dimethylpolysiloxane, aber KEV-Werte besitzen, die gleich oder besser sind als diejenigen der bisher verwendeten fluiden
Phenylmethylpolysiloxane. Eine andere Aufgabe ist es fluide dielektrische Materialien zur Verfügung zu stellen, die eine
gute thermische Stabilität und eine geringe Gasentwicklung, die normalerweise bei fluiden Pheny!polysiloxanen auftritt,
besitzen·
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Gemäss der Erfindung werden diese Aufgaben durch eine
elektrische Vorrichtung mit mindestens zwei Elektroden und einem dielektrischen Material zwischen diesen Elektroden
gelöst, wobei diese Vorrichtung dadurch gekennzeichnet ist, daß das dielektrische Material eine Organosiliciumverbindung
der Formel RO[(CH^)R*Sio] R ist, in der R ein Phenyl-
oder ein tert.-Butylphenylrest ist, R1 ein Methyl- oder
Phenylrest ist und χ eine ganze Zahl von 1 bis 30 ist.
Aus dieser Formel ergibt sich, daß die fluiden dielektrischen Materialien gemäss der Erfindung Silane sein können,
wie Phenylmethyldiphenoxysilan, Phenylmethyl-bis-tbutylphenoxys
ilan, Phenylmethylphenoxy- t-butylphenoxys ilan, Dimethyldiphenoxysilan, Dimethyl-bis-t-butylphenoxysilan
und Dirnethylphenoxy-t-butylphenoxysilan; ferner Siloxane
der Formeln PhO(ME9SiO) Ph, t-BuC^H 0(Me0SiO) CJtf -t-Bu,
Sm Λ O^f dm ΧΌΜ·
PhO(PhMeSiO)xPh und t-BuC ^4(PhMeS iO^C^-t-Bu, wobei χ
eine ganze Zahl, wie 2, 5, 10, 15, 20 oder 30 sein kann. Die Siloxane können reine Einzelverbindungen oder Mischungen
von zwei oder mehreren Einzelverbindungen sein, wobei im letzteren Fall χ den Mittelwert angibt. In diesen Formeln
und auch später stehen Ph für einen Phenylrest, Me für einen Methylrest und t-ßu für einen tert.-Butylrest.
Die bei dieser Erfindung verwendeten Silane stellt man am besten dadurch her, daß man die entsprechenden Chlorsilane
mit Phenol oder t-Butylphenol in Gegenwart eines Akzeptors
für Halogenwasserstoff, wie Ammoniak oder ein tertiäres Amin, umsetzt« Die Reaktion wird bevorzugt in einem inerten Lo-
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sungsmittel, wie Toluol, durchgeführt.
Die bei der Erfindung in Betracht kommenden Siloxane werden am besten durch eine Reihe von Umsetzungen erhalten, wobei
man von dem entsprechenden Siloxan mit endständiger Hydroxylgruppe ausgeht. Man setzt z.B. HO(Me2SiO)3H mit Essigsäureanhydrid
zu dem entsprechenden Siloxan mit endständiger Acetoxygruppe um. Dieses Material reagiert man dann bevorzugt
in einem inerten Lösungsmittel, wie Toluol, mit Phenol oder t-ßutylphenol in Gegenwart eines Säureakzeptors, wie Ammoniak
oder tertiäres Amin. Die Umsetzung tritt dann ein und es bildet sich das Siloxan mit der endständigen Phenoxygruppe und
Ammoniumacetat oder das Acetat des entsprechenden Amins.
Diese Umsetzungen sind im allgemeinen exotherm, doch kann dabei erwärmt werden, insbesondere;bei Benutzung von weniger
reaktionsfähigen Ausgangsstoffen, wie t-Bütylphenol, Um sicherzustellen,
daß das fluide Material die richtigen dielektrischen Eigenschaften hat, ist es wesentlich, daß alle ionischen Bestandteile,
wie Ammoniumchlorid oder nicht-umgesetztes Phenol,
entfernt werden. Die bei der Erfindung als Dielektrika verwendeten
Fluide gemäss der Erfindung liegen in der Regel im Viskositätsbereich von 5 bis 50 Centistoke bei 25°C, wodurch
sie ideal für die Imprägnierung von Kondensatoren und anderen elektrischen Geräten geeignet sind. Sie können aber auch in
Transformatoren oder in koachsialen Kabeln als flüssige Dielektrika verwendet werden. Diese Fluide sind überraschend beständig
gegenüber Hydrolyse, insbesondere in einem pH-Bereich von 2,3 bis 6,3. Ausserdem ist es vorteilhaft, daß sie nur eine
geringe Gasentwicklung während elektrischer Entladungen zeigen.
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Die fluiden Organosiliciumverbindungen gemäss der Erfindung
können im übrigen auf allen Gebieten verwendet werden, bei denen fluide Dielektrika benutzt werden. Sie können allein
oder auch in Gemeinschaft mit anderen Dielektrika, wie Papier, Kunststofffilme, Asbest, Glimmer und dergleichen verwendet
werden. Sie können auch dazu dienen, um die Wirksamkeit von anderen fluiden Methyl-, Phenyl- oder anderen -siloxanen,
Kautschuken oder Harzen zu verbessern, wobei man sie in diesen Materialien in Lösung oder durch Imprägnieren einarbeiten
kann. Wenn deshalb von der Verwendung der Organosiliciumverbindungen gemäss der Erfindung als dielektrische Materialien
die Rede ist, sind derartige Kombinationen stets mitumfasst.
Die später angegebenen KIV- und KEV-Werte wurden bei Kondensatoren
gemessen, die genau in der gleichen Weise hergestellt worden waren. Dieses ist notwendig, da die erhaltenen
Zahlenwerte in Abhängigkeit von der Dicke der Polyolefinfilme
schwanken und ausserdem Polyolefinfilme verschiedener Hersteller und gleicher Dicke ebenfalls unterschiedliche Werte
geben. Alle hier verwendeten Kondensatoren bestanden aus Aluminiumfolie und besaßen dazwischen zwei Schichten eines 0,0127 mm
Polypropylenfilms und zwischen jeder Schicht des Polypropylenfilms eine Schicht eines 0,0102 mm Kraftpapiers für elektrische
Anwendungen. Dieses gab einen Gesamtabstand zwischen jeder Wendung der Aluminiumfolie von 0,0356 mm.
Jeder Kondensator wurde wie folgt imprägniert: Das Vakuum während der Vorerwärmung und der Imprägnierung wurde
bei etwa 5 Mikron Hg gehalten. Der Kondensator wurde für 4 Tage
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in eine Vakuumkammer bei 85°C gegeben. Die Temperatur wurde
dann auf Raumtemperatur gesenkt und das fluide Dielektrikum wurde in den Behälter eingeführt. Man ließ dann den Kondensator
zwei Stunden oder mehr stehen, bevor das Vakuum aufgehoben wurde. Dann wurde für 24 bis 48 Stunden auf 85°C erwärmt.
Es wird angenommen, daß durch die Erwärmung nach der Imprägnierstufe sichergestellt wird, daß alle Hohlräume im
Polypropylenfilm imprägniert werden.
Die Erfindung wird durch die folgenden Beispiele noch
näher erläutert.
1 500 ml Toluol und 575 g Phenol wurden einer azeotropen Behandlung unterworfen, bis sie trocken waren«, Dann wurden
unter der Oberfläche der Lösung 387 g Dimethyldichlorsilan zugegeben, wobei Ammoniak durch die Mischung geperlt wurde.
Die Umsetzung war exotherm und nach dem Abfallen der Temperatur wurde die Lösung mit Wasser gewaschen, um das gebildete
Ammoniumchlorid zu entfernen«, Das Toluol wurde abgetrieben. Das Reaktionsprodukt Dimethyldiphenoxysilan wurde durch Destillation
aufgearbeitet. Es siedete bei 275 bis 277°C bei 749 mm und hatte bei 25°C einen Brechungsindex von 1,5307,
eine Dichte von 1,0607 und eine Viskosität von 5,12 es.
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Wach der Arbeitsweise von Beispiel 1 wurde Phenylmethyldiphenoxysilan
hergestellt· Das destillierte Produkt hatte bei 250C folgende Eigenschaften: Viskosität 19,6 es, Dichte
1,1126 und Brechungsindex 1,5725#
160 g para-t-Butylphenol und 200 ml Toluol wurden einer
azeotropen Behandlung unterworfen, bis sie trocken waren. Die Lösung wurde bei 50 C gehalten. Dann wurden 65 g Dimethyldichlorsilan
unter der Oberfläche der Lösung zugegeben,- wobei Ammoniak durch die Lösung geperlt wurde. Nachdem die Zugabe
beendigt war, wurde die Lösung eine Stunde unter Rückflusskühlung zum Sieden erwärmt und das erhaltene Produkt wurde
zur Entfernung von Ammoniumchlorid gewaschen und destilliert. Das erhaltene Diraethyl-bis-p-t-butylphenoxysilan hatte einen
Siedepunkt von 253°C bei 40 mm.
972 g CH3COOCMe2SiO)3OCCH3 wurden zu 500 ml Toluol, das
629 g Phenol enthielt, zugegeben, wobei Ammoniak durch die Lösung geleitet wurde. Nachdem die Zugabe des Siloxans be-
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endigt war, wurde das Ammoniumacetat aus der Lösung ausgewaschen
und Toluol und überschüssiges Phenol wurden bei einer Temperatur von 130 C und bei einem Druck von 0,5 mm
abgetrieben· Der Rückstand wurde fraktioniert destilliert und der bei 0,1 mm und 115 C siedende Schnitt wurde verwendet.
Dieses Material hatte die Formel PhO(Me2SiO)3Ph.
Die Arbeitsweise von Beispiel 4 wurde wiederholt, mit der Ausnahme, daß das verwendete Siloxan die Formel
CH3COO(Me2SiO)15OCCH3. Das Produkt wurde von den flüchtigen
Bestandteilen in einem Rotationsverdampfer bei 1400C und
einem Druck von einem mm Hg befreit. Der Rückstand wurde dann in Gegenwart von 2 % Kalciumoxid auf 150 C für 2 Stunden erwärmt,
um etwa vorhandene SiOH - Gruppen zu entfernen. Das erhaltene Produkt hatte nach dem Filtrieren bei 25°C folgende
Eigenschaften: Viskosität 17,4 es, Brechungsindex 1,4258 und Dichte 0,986. Dieses Material hatte die folgende Durchschnittsformel PhO(Me2SiO)15Ph.
150 g para-t-Butylphenol wurden mit 100 ml des Dimethyläthers
von Athylenglycol, 100 ml Pyridin und 4,5 g Wasser ge-
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mischt. Zu dieser Mischung wurden 112 g Dimethyldichlorsilan gegeben. Während der Zugabe des Dimethyldichlorsilans wurde
die Mischung gekühlt. Das gebildete Pyridinhydrochlorid wurde aus der Reaktionsmischung ausgewaschen und das Lösungsmittel
und die flüchtigen Bestandteile wurden durch Erwärmen auf eine Temperatur von bis zu 172 C bei 1,8 mm entfernt. Der Rückstand
hatte nach dem Filtrieren bei 250C eine Viskosität von 38,86 es
und einen Brechungsindex von 1,4985.
Die Analyse des Produkts durch gas-flüssig-Chromatographie
zeigte, daß folgende Materialien vorhanden waren: 66,4 % Bispara-t-Butylphenoxydimethylsilan
und 33,6 % Siloxane der
Formel
Me0
t-BuC,H7O(SiO) C,H,Bu-t
6 4 χ 6 4
in der χ einen Wert von 2 bis 10 hat.
Dieses Beispiel zeigt den Koronawiderstand der Verbindungen nach der Erfindung im Vergleich zu Methylsiloxanen und Phenylene
thylsiloxanen. In jedem Fall wurden die Kondensatoren, wie in Tabelle I angegeben, konstruiert und imprägniert. Die erhaltenen
Werte zeigen die Verbesserung, die durch Verwendung der dielektrischen Materialien nach der Erfindung erzielt wurde,
Es ist beachtenswert, daß sogar dann, wenn die Phenoxygruppe durch bis zu 15 Dimethylsiloxaneinheiten verdünnt ist, die Wirkung
noch weit besser ist als diejenige von Polydimethylsiloxan,
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Ausserdera ist beachtenswert, daß die KEV/KIV-Verhältnisse
erkennen lassen, daß die Verbindungen nach der Erfindung
den Phenylmethylsiloxanen gleich oder überlegen sind.
Die dielektrische Festigkeit der Verbindungen wurde unter Verwendung eines Mittelwertes von 10 bis 15 Durchschlägen in
einem offenen Becher gemäss ASTM-D-877 ermittelt. Nach diesem Test hatte die Verbindung
Me2 PhO(SiO)15Ph
eine dielektrische Festigkeit von 360 Volt/0,0254 mm als Mittel von 10 Prüfungen. Nach einem Durchschlag fiel die
Spannung ab auf 230 Volt/0,0254 mm als Mittel von 15 Prüfungen Dies zeigt eine selbstheilende Eigenschaft von 64 %
(.230/360 χ 100) im Vergleich zur selbstheilenden Eigenschaft
von 30 bis 40 % eines trimethylendblockierten Dimethylpolysiloxans
einer vergleichbaren Viskosität0
Bei diesem Test hatte Diraethyldiphenoxysilan eine selbstheilende Eigenschaft von 100 %: (Mittel von 15 Durchschlägen).
Das heißt, daß nach dem ersten Durchschlag kein Absenken der dielektrischen Festigkeit feststellbar waro
5 0 9 8 3 7/0617
Andere elektrische Eigenschaften der bei der Erfindung verwendeten
Verbindungen sind aus Tabelle II zu ersehen.
Dieses Beispiel erläutert die Verwendbarkeit der bei der Erfindung benutzten Verbindungen in Transformatoren im Vergleich
zu anderen Organosiliciumverbindungen.
Es wurde eine Zelle verwendet, die eine Messinggrundplatte hatte, die mit einer 0,254 ram Schicht aus Kraftpapier von
Transformatorqualität bedeckt war. Es wurde ein 2,45 cm dicker Deckel aus Polytetrafluoräthylen mit 12 1,27 cm Testöffnungen auf
das Papier gelegt und die Anordnung wurde in einen Behälter gegeben und unter Vakuum 20 Stunden bei 105°C getrocknet. Das
fluide Dielektrikum wurde dann unter einem Vakuum von 1 bis 10 Mikron Hg eingeführt. Die Probe wurde unter Verwendung
einer 1,27 cm Kugelelektrode, die auf dem Papier auflag, geprüft· Die mittlere Durchschlagsspannung von einigen Prüfungen
ist in Tabelle III aufgeführt.
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Verbindung KIV KEV KEV/KIV
Me2
Me-Si(OSi) OSiMe, * 2 400 400 0,17
Me-Si(OSi) OSiMe, * 2 400 400 0,17
50 es Viskosität σ Me2
S Ph0MeSiOSiOSiMePh0 *
co * ^
^ PhSi(OSiMe-)ο *
^ PhMeSi(OPh)2 3 100 2 800 0,90 '
^5 Me2Si(OPh)2
Me2
PhO(SiO)3Ph 2 600 1 900 0,73
Me2
PhO(SiO)15Ph 2 400 1 000 0,42 K)
cn (ρ-t-ßuC,H.O)0SiMe0 2 300 1 600 0,70 °
CO
* Nur für Vergleichszwecke -<J
2 | 400 | 1 | 700 | 0,71 |
2 | 800 | 2 | 000 | 0,71 |
3 | 100 | 2 | 800 | 0,90 |
3 | 100 | 2 | 800 | 0,90 |
Frequenz in Hertz
Verbindung
Vol.-Wid. Ohm/cm
100 | DF | 1 | 000 | DF | |
DK | 0,00015 | dk"~ | 0,00003 | ||
2,9457 | 0,00286 | 2,9457 | 0,00042 | ||
3,4714 | 0,00049 | 3,4735 | 0,00003 | ||
3,3385 | 0,000052 | 3,3385 | 0,000035 | ||
2,867 | 0,00173 | 2,869 | 0,00019 | ||
2,9484 | 2,9484 |
en ο co
Me2
PhO(SiO)15Ph Me2Si(OPh)2 PhMeSi(OPh)0
PhO(SiO)15Ph Me2Si(OPh)2 PhMeSi(OPh)0
Mischung von .Beispiel 6
6,0 χ 10
3.4 χ 10 6,03 χ 10
2.5 χ 10
5,34 χ 10
12 12
13
12
Verbindung
Anzahl der Tests
Volt/0,0254 ram
Me-SiO(SiO) SiMe. * 10 es Viskosität
Me9
Me.Si(OSi) OSiMe.
Me.Si(OSi) OSiMe.
350 es Viskosität Ph Me9
Me,5iO(SiO). o
Me
500 es Viskosität
!.6SiMe3
12
12
11
1 579
1 662
1 719
Ph
Me^SiO(SiO)1_ ,SiMe.
Me
11
1 864
PhMeSi(OPh)0
Nur für Vergleichszwecke
23
2 618
Claims (5)
1.)Elektrische Vorrichtung mit mindestens zwei Elektroden
und einem dielektrischen Material zwischen diesen Elektroden, dadurch gekennzeichnet,
daß das dielektrische Material eine Organosiliciumverbindung
der Formel
CHo
I °
RO(SiO) R
ι 3C
R1
ist, in der
R ein Phenyl- oder tert,-ßutylphenylrest ist, R1 ein Methyl- oder Phenylrest ist und
χ eine ganze Zahl von 1 bis 30 ist«
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Organosiliciuraverbindung Phenylraethyldiphenoxysilan oder Dimethyldiphenoxysilan
ist·
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Organosiliciumverbindung die Formel RO(SiO) OR hat, in der χ 2 bis 30 ist.
1^
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