DE2506441A1 - Laserresonator - Google Patents
LaserresonatorInfo
- Publication number
- DE2506441A1 DE2506441A1 DE19752506441 DE2506441A DE2506441A1 DE 2506441 A1 DE2506441 A1 DE 2506441A1 DE 19752506441 DE19752506441 DE 19752506441 DE 2506441 A DE2506441 A DE 2506441A DE 2506441 A1 DE2506441 A1 DE 2506441A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- laser
- resonator
- grating
- resonator according
- laser resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/139—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
Description
25Q6441
BubÄingea, den 7. Februar 1975
pr-fr
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N.Y. 10504
!Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung
Aktenzeichen der Anmelderin: WA 973 010
jLes eites onat or
Die Erfindung betrifft einen Laseifesonator mit automatischer Steuerung
der Ausrichtung, der in besonders vorteilhafter Weise im Zusammenhang mit Halbleiterinjektionslasern und optischen Nachrichjtenübertragungssystemen
verwendet werden kann. f
Stand der Technik:
.In der Literaturstelle "IEEE, Journal of Quantum Electronics, Vol.
:QE-8, Juli 1972, Seiten 632-641 werden in einer Veröffentlichung
von Elisabeth M. Phillipp-Rutz Halbleiterinjektionslaser beschrieben,
die im Zusammenhang mit optischen Raumnavigationssystemen und
'optischen Nacbrichtungübertragungssystemen (beispielsweise über
!dielektrische Lichtleiter) verwendet werden können und bei denen
die Strahlung auf Transversalmoden niedriger Ordnung beschränkt
jist. Zur Modensteuerung ist einer der beiden die Diode einschlie- |
ßenden Spiegel als mit einem Antireflektionsschutz versehene Spalti
Spiegelfläche ausgebildet, wobei die Diode mit einem externen op- ·
tischen Resonator zusammenarbeitet, in dem ein die Apertur begrenzender Schlitz zur Herabsetzung der Lebenszeiten aller Transversalmoden
mit Ausnahme der Hoden der niedrigsten Ordnung angeordnet ist. Um einen guten 7/irkungsgrad sicherzustellen muß der externe
optische Resonator eng mit dem Injektionslaser gekoppelt sein, wobei gewährleistet sein muß, daß der Querschnitt des sich selbst
reproduzierenden Feldmusters innerhalb des Resonators mit der Form des aktiven Bereiches des pn-übergangs des Injektionslasers übereinstimmt.
50 9 841/0572
Sin in der obengenannten Literaturstelle beschriebener Injektionslaser
mit einem halbkugelförmigen Resonator zur Erzeugung eines einzelnen Transversalmodes wird in Fig. 1 a dargestellt.
Der Resonator besteht aus einem totalreflektierenden Planspiegel jl4, einer sphärischen Linse 8 und aus einer Injektionslaserdiode
12, die mit einer einen Spaltspiegel 4 aufweisenden Fläche versehen
ist. Die Spaltfläche 6 der Diode ist mit einem Antireflexüberzug versehen. Der ebene Spiegel 14 und die teilreflektierende Spiegelfläche
4 der Injektionslaserdiode 2 liegen in den beiden Brennebenen der im inneren des Resonators angeordneten Linse 8. Die in
Fig. 1 dargestellte Vorrichtung ist besonders gut zur Verwendung im Zusammenhang mit optischen Nachrichtenübertragungssystemen
über dielektrische Faserlichtleiter geeignet, da die optischen [Fasern unmittelbar an die nicht mit einem überzug versehene Fläche
J4 der Laserdiode 2 angekoppelt werden kann.
iDie Transformation des Strahls in dem in Fig. 1 dargestellten
Resonator wurde in der oben genannten Veröffentlichung zusammen mit den Anforderungen an eine genaue Ausrichtung beschrieben. Aus
■der Theorie über die Transformation eines kohärenten Lichtstrahles durch eine Linse ist zu schließen, daß eine ebene Wellenfront
im Bereich der einen Brennebene der Linse in eine ebene Wellen-
front im Bereich der anderen Brennebene der Linse transformiert wird. Bei der in.Fig. 1 dargestellten Vorrichtung wird eine vom
Injektionslaser ausgehende ebene Welle in eine im Bereich des Planspielgels liegende ebene Welle transformiert. Um ein sich selbsjt
reproduzierendes Feldmuster zu erzeugen, bei dem der Querschnitt der Mode mit der Breite und der Höhe des aktiven Bereichs des pniibergangs
5 des Injekt ions lasers 2 übereinstimmt, muß die Mitte
des pn-übergangs 5 der Laserdiode mit der optischen Achse der im Innern des Resonators angeordneten Linse 8 übereinstimmen, Darüberhinaus
muß die Spaltspiegelfläche 4 der Laserdiode 2 und der äußere Planspiegel 14 senkrecht zur optischen Achse der Linse liegen.
Dann wird eine vom p-n übergang ausgehende ebene Welle durch
die Linse transformiert und so vom Planspiegel reflektiert, daß
WA 973 010
509841/0572
die Abbildung des Überganges mit dem Übergang selbst zusammenfällt,
In der Literaturstelle IEEE, Journal of Quantum Electronics, Vol.
;QE-9, Februar 1973, Seiten 282-290 werden in einer.Veröffentlichuni
von Elisabeth M. Philipp-Rutz die Anforderungen diskutiert, die ian die Ausrichtung der einzelnen Elemente eines Homostruktur-Gallium
Arsenide Lasers bei Raumtemperatur gestellt werden. Dabei fwird festgestellt, daß bei einem in der y-z Ebene liegenden pn-überjjgang
5 eine in der dazu senkrechten x-Richtung erfolgende Varschiejbung
der durch die Linse 8 transformierten und am Spiegel 14 des
!Resonators reflektierten Welle nicht größer als 1 um sein darf5
I ■ I
»wenn die Funktion des Lasers nicht unterdrückt werden soll. Eine |
I j
!Verschiebung in dieser Größenordnung kann auftreten, wenn der Plan-j
(spiegel Ik aus seiner in bezug auf die optische Achse 10 der Linse
- _h
J8 (Brennweite 1 cm) senkrechten Lage um 0,5 χ 10 Radian gedreht
(wird oder wenn der Mittelpunkt des pn-überganges 5 der Laserdiode
|2 in bezug auf die optische Achse 10 der Linse 8 um 0,5 um verschoben
wird.
!
!
pa die Länge des aktiven Bereichs des Injektionslasers 2 immer
(größer als seine Breite ist, sind in dieser Richtung wesentlich größere Drehungen des Spiegels oder Verschiebungen der Diode zulässig.
;In der US-Patentanmeldung Ser. No. 266 904 wird eine Vorrichtung
!zur Ausrichtung der Elemente eines derartigen Resonators beschrieben,
bei der ein einen piezoelektrische Wandler enthaltender Elektrooptischer Rückkopplungskreis vorgesehen wird. Der zur Ausrichtung
in einer zum pn-übergang der Laserdiode senkrechten Ebene jerforderliche technische Aufwand ist bei dieser Vorrichtung sehr
hoch und der Bereich in dem die erforderlichen Korrekturen der !Ausrichtung durchgeführt werden können, relativ klein. Sie betragen,
wenn keine mechanischen Vergrößerungen angewendet werden, weniger als + 10 um.
WA 973 010
5098 41/0572
-H-
Aufgabe
Die Erfindung geht von der Aufgabe aus, eine einfache und wenig störanfällige Vorrichtung zur automatischen Ausrichtung einer Laserdiode
in einem externen Resonator anzugeben. Insbesondere soll es auch möglich sein, die Vorrichtung so auszubilden, daß sie
selbst möglichst keinen zusätzlichen Platz erfordert und auch durcl:
ihre Anwendung keine Vergrößerung des gesamten Resonators zur Folge hat. Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 beschriebene
Erfindung gelöst.
Vorteile
Das gemäß der Erfindung als reflektierende Fläche vorgeschlagene Beugungsgitter hat die Eigenschaft, einen Strahl, insbesondere
aber bestimmte BeugungsOrdnungen eines Strahls, in einer Richtung abzulenkenj wie eine Funktion der Wellenlänge des Strahls ist.
Tritt somit eine Verschiebung des pn-übergangs der im Resonator untergebrachten Injektionslaserdiode oder eine Änderung der Winkellage
des ihn gegenüberliegenden, als reflektierende Fläche dienenden Reflektionsgitters statt, so wird zwar die bisher in
Richtung der optischen Achse zurückreflektierte, eine bestimmte Wellenlänge aufweisende Komponente der vom pn-übergang ausgehenden
Strahlung in einer von der optischen Achse abweichenden Richtung reflektiert. Die vom pn-übergang ausgehende Strahlung enthält
aber in der Regel auch noch eine Komponente, deren Wellenlänge so bemessen ist, daß am Gitter eine Reflektion in Richtung der optischen
Achse erfolgt. Es hat sich gezeigt, daß selbst bei den schmalen Emissionslinien eines Galliumarsenidinjektionslasers
genügend Wellenlängen enthalten sind, um bei den geringfügigen in der Praxis vorkommenden EntJustierungen das Senden aufrechtzuerhalten.
Aufgrund dieser Eigenschaften des als reflektierende Fläche für einen Resonator vorgeschlagenen Gitters wirkt dieses
wie eine rückstrahlende Fläche, die sich bei Änderung der Wellenlänge des auffallenden Strahles dreht. Enthält der zu reflektierende
Strahl nicht nur eine einzige Wellenlänge, sondern, was in der Praxis stets vorkommen wird, einen wenn auch schmalen
WA 973 010
509841/0572
|Wellenlängenbereich, so wird eine eine gewisse Grenze nicht überschreitende
Winkeldrehung des reflektierenden Gitters eine virtulelle
Drehung der durch das Gitter gebildeten reflektierenden Flä-
:che in entgegengesetzter Richtung zur Folge haben, so daß das Senden
des Lasers, zwar mit einer etwas verschiedenen Wellenlänge, aber doch ungestört weiter stattfindet. Die automatische Ausrichtung
der Elemente des erfindungsgemäßen Resonators erfolgt demnach
im Gegensatz zu den bisher bekannten Vorrichtungen dieser Art ohne jede noch so kleine Zeitkonstante und ohne jeden zusätzlichen
technischen Aufwand. Anstelle der bisher erforderlichen, aus Mitteln zur Ableitung von eine auftretende Entjustierung anzeigenden
Signalen, aus Mitteln zur Verstärkung dieser Signale und aus Mitteln zur Umwandlung dieser Signale in mechanische Bewegungen zum
Rückgängigmachen der ermittelten EntJustierungen bestehenden Vorrichtungen,
tritt ein einfaches Reflektionsgitter, das zum Rückigängigmachen
von EntJustierungen keinerlei mechanische Verschiebungen und keinerlei diese Verschiebungen bewirkenden Kräfte benötigt.
Diese Eigenschaft des gemäß der vorliegenden Erfindung vor- !geschlagenen, als reflektionsgitter ausgebildeten Resonatorspiegels
ermöglicht nicht nur einen besonders einfachen kaum störanfäl- !ligen und keinen zusätzlichen Raum beanspruchenden Aufbau eines
'Laserresonators, sondern ermöglicht auch eine automatische Korrektur
von auftretenden Störungen der Ausrichtung einzelner Resona- !torelemente, die nicht nur praktisch sondern auch theoretisch
trägheitslos und ohne jede noch so kleine Zeitkonstante erfolgt.
!Erläuterung der Erfindung
Die Erfindung wird anschließend anhand der Pign. 1-4 erläutert.
Ks zeigt:
WA 973 010
509841/OB72
ι ' C "
Pig. 1 a die schematische Darstellung eines zum Stande der
Technik gehörenden räumlich kohärenten Injektionslasers mit einem halbkugelförmigen optischen Resonator
und einer transversalen Modensteuerung
Fig. 1 b die Ausrichtung des pn-übergang der in der Vorrichtung
nach Fig. 1 a verwendeten Laserdiode
Fig. 2 a eine Schnittansicht in Richtung der xz-Ebene
eines Ausführungsbeispiels der Erfindung
Fig. 2 b eine Schnittansicht der in Fig. 2 a dargestellten
Anordnung in der yz-Ebene.
Fig. 2 c eine schematische Darstellung zur Veranschaulichung der Lage des pn-Übergangs der in den Fign.
2 a und 2 b dargestellten Vorrichtung enthaltenen Laserdiode.
Fign. 3 a, 3 b und 4 das in den Fign. 2 a, 2 b dargestellte Ausführungsbeispiel der Erfindung
in verschiedenen Ausrichtzuständen.
Bei den in den Fign. 2 a, 2 b beschriebenen Ausführungsbeispiel
j der Erfindung wird eines der beiden den Resonator einschließenden Elemente, die bei dem zum Stande der Technik gehörenden Resonator
aus spiegelnden Flächen bestehen, als Echelettegitter ausgebildet, das nach Art eines Littrowprismas wirkt. Die Steuerung der Ausrichtung
des optischen Resonators erfolgt unter Ausnutzung der Änderung der räumlichen Lage der von Null verschiedenen Beugungsordnungen
der am Gitter reflektierten Strahlung als Funktion der Wellenlänge. ι
Es ist zwar bekannt ein reflektierendes Element eines optischen
!Laserresonators durch ein Gitter zu ersetzen. Diese Maßnahme er-,
folgte aber bisher ausschließlich um die optische Bandbreite
WA 973 010
$09841/0572
herabzusetzen und eine Abstimmung der Laserstrahlung zu ermöglichen.
Bei dem in den Fign. 2 a und 2 b dargestellten Ausfüllungsbeispiel
der Erfindung dient das ein reflektierendes Element ersetzende Beugugungsgitter dagegen zur automatischen Ausrichtung in
einer zum pn-übergang des Lasers senkrechten Ebene.
Das in der Brennebene der Linse 8 angeordnete Gitter 16 besteht aus parallel und äquidistant angeordneten Furchen, die parallel
zum pn-übergang 5 der Laserdiode 2, d. h. in y-Richtung verlaufen.
In der zur pn-übergang senkrecht liegenden xz-Ebene ist das Gitter 16 um den Winkel maximaler Intensität θ gekippt. Die
Wirkungscharkteristik des Θ-Gitters kann am besten durch seine
Intensitätsfunktion definiert werden. Diese Intensitätsfunktion ist
gleich der Interferenzfunktion einer Abordnung von N gleichen, äquidistanten und parallelen Furchen, die durch die Wirkung einer
einzelnen Furche dargestellten Intensitätsfunktion moduliert ist.
Diese Eigenschaften werden in der Literaturstelle "Principles of Optics", von M. Born und E. Wolf, Pergamon Press, I965, Seite
näher beschrieben. Die Maxima der Interferenzfunktion' sind mit Ausnahme des Maximums nullter Ordnung Wellenlängenabhängig. Bei
dem verwendeten Gitter 16 fällt das Maximum der Intensitätsfunktion
einer einzelnen Furche mit einer der von Null verschiedenen Maxima der Interferenzfunktion der gesamten Anordnung zusammen. Der
Winkel mawird r Intensität θ wird von der Richtung dieses Maximums
der von null verschiedenenOrdnung mit einer zur Gitterfläche senkrechten Linie gebildet.
Fällt eine ebene Welle auf das Gitter 16 aus einer Richtung ein,
die mit der Gitternormalen 18 einen Winkel θ einschließt, so tfird sie in einer Richtung abgestrahlt, die mit der Gitternortnalen
18 einen Winkel α einschließt. Diese Winkel sind mit den jitterparametern durch die Bezeichnung
λ
sin θ + sin α = m ~
WA 973 010
509841/0572
verknüpft, wobei d der Abstand zwischen den Furchen,λ die WeI-lenlänge
im Vakuum und m = - 1, - 2, ... ist. Bei einer bestimmten !Wellenlänge λ wird eine auf das Gitter unter einem Winkele
,auftreffende Strahlung in der gleichen Richtung zurückgestrahlt jso daß Gleichung (1) übergeht
j θ = m _°£ (2)
ß?ällt die ebene Welle, beispielsweise wegen einer falschen Ausjrichtung
der Diode 6 in x-Richtung, unter einem anderen WinkelG-lein,
so bleibt Gleichung 2 dennoch gültig, jedoch für eine andere Wellenlänge λ fi. Somit wirkt das Beugungsgitter für m t 0
(als ein rückstrahlender ebener Reflektor der sich bei Änderung der Wellenlänge der auffallenden Strahlung um die y-Achse dreht. Ein
derartiger Fall tritt ein, wenn die die Strahlung aussendende Diode in y-Riehtung entjustiert ist. Wird in einem Laser einer der
ebenen Reflektoren durch ein Beugungsgitter ersetzt, so entsteht pin sich selbst reproduzierendes Feldmuster wenn die auf das Beugugngsgitter
unter dem Winkel 6 auffallende Welle unter dem gleibhen
Winkel Θ reflektiert wird, Diese Verhältnisse liegen jedoch fiur dann vor, wenn die Wellenlänge λ mit dem Winkel0 durch die
Gleichung (2) verknüpft ist und innerhalb der Floreszenzbandbrexte
des Lasermaterials liegt. Bei einer Störung der optischen Komponenten
des Lasers wird die vom pn-übergang ausgehende und durch die Linse transformierte ebene Wellenfront auf das Gitter unter
einem anderen Winkel « auftreffen. In diesem Fall wird ein sich
Δ
selbst reproduzierendes Feldmuster durch die reflektierte Welle
selbst reproduzierendes Feldmuster durch die reflektierte Welle
unter dem gleichen Winkel θΔ entstehen, wobei der Laser im Bereich
einer anderen, durch die Gleichung (2) definierten Wellenlänge senden wird. Der Umfang der scheinbaren Drehung der durch das Gitter
simulierten Fläche und somit der Umfang der automatischen Ausrichtung
wird durch die Breite der Fluoreszenzlinie der Gallium-Arsenit-Laserdiode
begrenzt.
973 010
509841/0572
- s ■
Wird im Resonator ein Gitter mit einer Reflektxonsrichtung maximaler
Intensität verwendet, bei dem das Maximum der Intensitätsfunktion einer einzelnen Furche mit dem Maximum der m-ten Ordnung
der Gitterfunktion zusammenfällt, so ist das Gitter um einen V/in-
®c in den x-z Ebene senkrecht zum pn-übergang 5 zu kippen,
0Q definiert wird durch
der Gitterfunktion zusammenfällt, so ist das Gitter um einen V/in-
®c in den x-z Ebene senkrecht zum pn-übergang 5 zu kippen,
0Q definiert wird durch
j sin θ _ _oc (2a)
c " m 2d
wobei λ die Wellenlänge in der Mitte der Fluoreszenzlinie des
!Injektionslaser 2 ist. Für diesen Kippwinkel θ des Gitters wird
jbei einer Wellenlänge λ ein sich selbst reproduzierendes FeId-Wster im halbkugelförmigen Resonator des Lasers erzeugt.
!Injektionslaser 2 ist. Für diesen Kippwinkel θ des Gitters wird
jbei einer Wellenlänge λ ein sich selbst reproduzierendes FeId-Wster im halbkugelförmigen Resonator des Lasers erzeugt.
durch äußere Einwirkungen, beispielsweise durch Stoß oder j Erschütterung, der Mittelpunkt des pn-überganges 5 der Laser- I
diode 2 aus dem Bereich der optischen Achse 10 der Linse 8, wie in ;
Fig. 3b dargestellt, um den Betrag Δ verschoben, so wird der v/in- j
kel θ unter dem die Welle auf das Beugungsgitter 16 auffällt, \
zu θ = θ ± Δ χ f, wobei f die Brennweite der Linse 8-ist. :
C * j
Aus den Gleichungen (1) und (2) ergibt sich, daß das sich selbst rejproduzierende
Feldmuster, bei dem die Welle in Richtung der ein- ; fallenden Welle zurückgestrahlt wird, wieder entstehen kann, je- :
doch mit einer anderen 'Wellenlänge λ ., die mit der Verschiebung
Δ durch die Beziehung
λ .
sin (Θ ± Δ χ f) = m -^ (3)
c 2d
verknüpft ist.
Gleichung (3) kann wie folgt vereinfacht werden
οΔ ~ sin Θ
_ 2d c (4)
_ 2d c (4)
- Δ f cos 0c
WA 973 Ü10
509841/0572
_250644
- IC -
wenn L
Es kann demnach geschlossen werden, daß durch die Drehung der durchj
idas Gitter simulierten reflektierenden Fläche bei der Wellenlänge
:λ0Δ eine automatische Kompensierung einer zufälligen Entjustierung
Λ der Laservorreichung bewirkt wird. Der Umfang der i
Kompensation der Ausrichtung einer ein Beugungsgitter enthaltenden
Laservorrichtung wird jedoch durch die Bandbreite der Flore-
szenzlmie des Injektionslasers begrenzt. Um den Umfang der Entjustierungen
zu bestimmen, die mit Hilfe eines im Laserresonator angeordneten Beugungsgitters kompensiert werden kann, wurden die
Verhältnisse für einen bei Zimmertemperatur betriebenen Homostruktur-Gallumarsinidlaser
untersucht. Das spontane Emissionsspektrum eines Gallium-Arsinidxnjektionslasers bei Raumtemperatur hat
!eine Breite von etwa 125 A (siehe beispielsweise C. H. Gooch,
Gallium Arsinid Lasers, Wiley - Inter Sciences, 1969, S. 102,) da
jdie die Strahlung bewirkende^Rekonibinationen zwischen Energiebändern
und weniger zwischen diskreten Niveaus stattfinden. Im pochdotierten Halbleiter auftretende Elektronen-Elektronen und
JLöcher-Löcher Zusammenstöße führen dazu, daß die Elektronen und jLöcher einander sehr schnell thermalisieren. Die temperaturverbreiteten
Linien können als homogen verbreitet betrachted werden, j
iso daß ein Löcherbrennen vernachlässigt werden kann.
iso daß ein Löcherbrennen vernachlässigt werden kann.
Bei einem Ausführungsbeispiel wurde ein Beugungsgitter l6 mit 6OO
iFurchen pro Millimeter verwendet, das für ein Intensitätsmaximum der 2. Ordnung im Bereich von 9OOO Angström ausgelegt war. Dieses
Gitter wurde in der 2. Brennebene der im Innern des Resonators befindlichen Linse 8 (siehe Fig. 2a) angeordnet und um einen Winkel
von 32 42' gekippt, wobei ein sich selbst reproduzierendes Feldmuster erzeugt wurde, das bei \ =9000A zentriert war. Die
Bandbreite der stimulierten Laserstrahlung war
Δλ _ ^- ο (5)
m Ng
WA 973 010
509841/0572
wobei N die Anzahl der durch den Strahl im optischen Resonator
beleuchteten Furchen des Beugungsgitters 16 ist. Der Strahldurchmesser 2W- in der xz-Ebene senkrecht zum pn-übergang in der1 2.
Brennebene der Linse 8 ist mit der Höhe des dielektrischen Wellenleitermode 2W in der Laserdiode verknüpft durch die Beziehung
jFür f = 1 cm und unter der Annahme daß 2VJ = 3 μηι, ist gemäß
llESE Journal of Quantum Electronics, Vol. QE-9, Feb. 1973, Saiten
282-290, 2VZ1 = 0.38 cm, die Anzahl der beleuchteten Furchen N
I= 2280; wobei eine Strahlungsbandbreite von Δλ = 22 erzielt wird.
Die räumliche Veränderung des keulenförmigen Maxiraums 2. Ordnung des Gitters über eine Bandbreite von 125 8 (mit der Mittellinie
bei 9000A) ist * 0,0038 Radian, wobei ein Korrekturumfang für ei- Xie zufällige Ent Justierung des pn-übergangs 5 der Laserdiode 2
in Bezug auf die optische Achse 10 der Linse 8 (gemäß Gleichung 4) von - 38 μιη möglich ist. (Die räumliche Veränderung des keulenförmigen
Maximums der 1. Ordnung würde den halben Korrekturbereich liefern.
Die Messung der Strahlung im räumlich-kohärenten Gallium-Arsenid-Laser
mit dem Beugungsgitter in der 2. Brennebene der verwendeten Linse ergab bei einer Bandbreite in der Nähe von 2 8 und bei
linearer Polarisation, daß die durch das Gitter simulierte Ebene um einen Winkel q = + O,öO38 Radian, entsprechend einer Floreszenzlinienbandbreite
von 125 Angström gekippt werden konnte, ohne daß eine Veränderung der Ausgangsleistung des Lasers in diesem
Bereich festzustellen war. Daraus ergibt sich, daß mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung Abweichungen der Ausrichtung im Bereich
von + 38 pm automatisch korrigiert werden können.
■Wegen der Asymmetrie der Halbleiter pn-übergangs laser, deren aktiver
Bereich in Richtung des Übergangs relativ lang und senk-
dk 973 Olü
: 0 9 3 U Λ- ! V- i; 7 2
recht dazu relativ eng ist, eignet sich die vorliegende Erfindung besonders gut zur Verwendung im Zusammenhang mit derartigen Lasern.
Wegen dieser Asymmetrie muß die Ausrichtung senkrecht zum !pn-übergang mit wesentlich größerer Genauigkeit als parallel zu
diesem Übergang eingehalten werden. Da ein Beugungsgitter seiner Natur nach eine Korrektur der Ausrichtung nur in einer Ebene liefern
kann, sind derartige Vorrichtungen besonders vorteilhaft für die automatische Korrektur der Ausrichtung in Einzel-Transversalmodenhalbleiter-pn-übergangslasern
zu verwenden, bei denen die Korrektur in einer zum pn-übergang senkrechten Ebene zu erfolgen
hat. Durch die relativ breite Floreszenzlinie des Halbleiterlasers
können Korrekturen in relativ weiten Bereichen durchgeführt werden.
Die vorliegende Erfindung ist insbesondere bei Einzel-Transversalmodenhalbleiterlasern
vorteilhaft, die Einzel- oder Doppelheterostrukturlaserdioden verwenden und bei denen die Höhe des dielektrischen
Wellenleiters kleiner als die des Homostrukturlasers ist. Wegen der kleineren Modenhöhe des nur sehr wenig Raum beanspruchenden
Lasers wird eine automatische Ausrichtkorrektur noch wichtiger sein als in den Fällen, in denen Homostrukturlaserdioden im optischen
Resonator der Laservorrichtung verwendet werden.
Bei der in Fig. 4 dargestellten Vorrichtung ist an der Fläche 4 der Diode 2 des externen Resonatorinjektionslasers mit automatischer
Ausrichtsteuerung ein optisches Faserbündel 22 mit Hilfe eines die Brechzahl anpassenden optischen Kittes 24 befestigt,
der eine Dicke einer viertel Wellenlänge aufweist. Diese aus einem Laser und einem optischen Faserlichtleiter bestehende Vorrichtung
kann besonders vorteilhaft im Zusammenhang mit optischen Nachrichtenübertragungssystem verwendet werden.
WA 973 010
509841 /0572
Claims (1)
- J-J-PATENTA N SPRÜCHELaserresonator mit automatischer Steuerung der Ausrichtung, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der den Resonator einschließenden reflektierenden Elemente als Gitter (16) ausgebildet ist, bei dem die Richtung des Maximums bestimmter BeugungsOrdnungen eine Funktion der Wellenlänge ist.Laserresonator nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine im Innern des Resonators angeordnete Linse (8), in deren Brennpunkten die den Resonator einschließenden reflektierenden Elemente (16, 4) liegen.Laserresonator nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die reflektierenden Elemente spaltförmig ausgebildet sind.Laserresonator nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einem der reflektierenden Elemente eine spaltförmige Blende (12) vorgeschaltet ist.Laserresonator nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß eines der den Resonator einschließenden reflektierenden Elemente mit einem Lichtleiter zur Auskopplung der im Resonator entstehenden Strahlung versehen ist.Laserresonator nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß im Resonator ein Halbleiterlaser angeordnet ist.Laserresonator nach den Ansprüchen 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet, daß im Resonator eine Gallium-Arsenid-Laserdiode (2) angeordnet ist.V/A 973 010509841 /0572_ -ι Ij _8. Laserresonator nach den Ansprüchen 1 bis 7» dadurch gekennzeichnet, daß das als reflektierende Fläche wirkende Gitter(16) als Echelette-Gitter mit einem Bereich maximaler In- ! tensität und zum pn-übergang der Laserdiode parallel liegenden Gitterlinien ausgebildet ist.9. Laserresonator nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Echelette-Gitter aus einer Anzahl (N) äquidistanter Gitterfurchen besteht, deren Intensitätsfunktion der Wirkung einer einzelnen Furche derart entspricht, daß das Maximum der Intensitätsfunktion einer einzigen Gitterfurche mit dem Maximum der Interferenzfunktion einer von 0 verschiedenen Ordnung des ganzen Gitters gleich ist.10. Laserresonator nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Gitternormale mit der optischen Achse einen Winkel θ = m t£2- einschließt, wobei χ die Wellenlänge in derc da OcMitte der Floreszenzlinie der Laserdiode, d die Gitterkonstante und m = + 1, +2, ... ist.λΑ 973 010509841/0572
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US44941774A | 1974-03-08 | 1974-03-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2506441A1 true DE2506441A1 (de) | 1975-10-09 |
Family
ID=23784086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752506441 Pending DE2506441A1 (de) | 1974-03-08 | 1975-02-15 | Laserresonator |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS50120991A (de) |
DE (1) | DE2506441A1 (de) |
FR (1) | FR2263623A1 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52131969U (de) * | 1976-04-01 | 1977-10-06 | ||
US4156206A (en) * | 1976-12-30 | 1979-05-22 | International Business Machines Corporation | Grating coupled waveguide laser apparatus |
EP0001714B1 (de) * | 1977-10-26 | 1984-03-21 | The Post Office | Steuerapparat für eine Halbleiter-Laservorrichtung |
JPS5511342A (en) * | 1978-07-10 | 1980-01-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Laser diode single mode oscillation device |
JPS57143887A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-06 | Fujitsu Ltd | Semiconductor laser |
JPS6330178Y2 (de) * | 1981-03-03 | 1988-08-12 | ||
FR2595013B1 (fr) * | 1986-02-24 | 1989-06-02 | Favre Francois | Source lumineuse continument accordable |
-
1975
- 1975-01-20 FR FR7502831A patent/FR2263623A1/fr active Granted
- 1975-02-12 JP JP1700175A patent/JPS50120991A/ja active Pending
- 1975-02-15 DE DE19752506441 patent/DE2506441A1/de active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2263623B1 (de) | 1977-04-15 |
JPS50120991A (de) | 1975-09-22 |
FR2263623A1 (en) | 1975-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69133431T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines brechungsindexgitters in einem optischen wellenleiter | |
DE3144396C2 (de) | ||
DE4445244B4 (de) | Gegenüber Umwelteinflüssen stabile passiv moden-verkoppelte Faserlaser-Impulsquelle | |
EP0829120B1 (de) | Durchstimmbare, justierstabile laserlichtquelle mit spektral gefiltertem ausgang | |
EP2147488B1 (de) | Abstimmbarer laser | |
DE2459762A1 (de) | Geriffelter optischer wellenleiter | |
DE102012002470A1 (de) | CO2-Laser mit schneller Leistungssteuerung | |
DE69921710T2 (de) | Laserquelle mit kontinuierlich abstimmbarer Wellenlänge | |
DE102004053137A1 (de) | Multispektraler Laser mit mehreren Gainelementen | |
DE19927501A1 (de) | Sendeeinrichtung für einen Laserscanner | |
EP0290723B1 (de) | Messvorrichtung mit einem Laser und einem Ringresonator | |
DE2506441A1 (de) | Laserresonator | |
DE102014218353A1 (de) | Laseranordnung und Verfahren zur Erhöhung der Lebensdaueroptischer Elemente in einer Laseranordnung | |
DE112017005790B4 (de) | Laserbearbeitungsvorrichtung | |
DE2843274A1 (de) | Laser mit mehreren wellenlaengen | |
DE1234340C2 (de) | Anordnung zur verbesserung der monochromasie eines optischen senders oder verstaerkers fuer kohaerente elektromagnetische strahlung | |
EP0883919B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum betrieb einer laserdiode | |
DE10052461B4 (de) | Vorrichtung zum Erzeugen von Laserlicht | |
DE69828560T2 (de) | Laserlichtquelle mit externem Resonator | |
DE3642445C2 (de) | Halbleiterlaser mit externem Resonator und einem Fotodetektor | |
DE19808445C2 (de) | Halbleiterlasermodul mit einer optischen Faser | |
DE4123858C1 (en) | Semiconductor laser array stabilising arrangement - provides fibre-shaped reflectors so that radiation characteristic extends as ray along X=axis | |
DE2817129C2 (de) | Optische Anordnung zur Bildung einer Weilenfront mit gleichmäßiger Intensitätsverteilung aus einem aufgeweiteten Laserstrahl | |
EP0867057A2 (de) | Durchstimmbare, justierstabile halbleiterlaserlichtquelle sowie ein verfahren zur optisch stabilen, weitgehend kontinuierlichen durchstimmung von halbleiterlasern | |
DE3633469C2 (de) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OHJ | Non-payment of the annual fee |