DE2506035C3 - Filmschaltung - Google Patents
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Classifications
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-
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Filmschaltung entsprechend dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Eine Filmschaltung besteht aus einer Trägerplatte aus einem Isoliermaterial, ζ. B. Glas oder Keramik,
auf der mit Hilfe der dazu geeigneten Techniken Leiterbahnen angebracht sind, die die verschiedenen
Elemente einer Schaltung miteinander verbinden. Diese Elemente sind integrierte Schaltungen und Elemente,
die aus technischen oder wirtschaftlichen Gründen nicht in eine integrierte Schaltung aufgenommen
werden können. Von diesen Elementen, die nicht in die integrierten Schaltungen aufgenommen
sind, können eine Anzahl mit Hilfe der dazu geeigneten Techniken auf der Trägerplatte angebracht werden.
Widerstände, Induktivitäten und Kondensatoren
ι» sind mit Hilfe dieser Techniken innerhalb bestimmter
Grenzen vei-wirklichbar. Für Kondensatoren kann die
obere Grenze in der Praxis auf etwa 10 000 pF gesetzt werden.
Filmschal tungen können in zwei Gruppen unterteilt werden, und zwar die sogenannten Dünnfilmschaltungen
und die Dickfilmschaltungen. Der Unterschied zwischen den beiden genannten Typen von Schaltungen
liegt im wesentlichen in der Weise, auf die die verschiedenen Strukturen und Leiterbahnen auf der
jo Trägerplatte angebracht werden. Bei den Dünnfilmschaltungen
erfolgt dies u. a. durch Aufdampf- oder Sputtertechniken, während bei Dickfilmschaltungen
die Strukturen und Leiterbahnen u. a. mittels verschiedener Pasten angebracht werden, nachdem die
Trägerplatte auf geeignete Weise teilweise abgedeckt worden ist.
Wenn eine Schaltung, in der eine große Zeitkonstante erzielt werden muß, mit den bisher benutzten
Techniken hergestellt wird, besteht die Schaltung
)o größtenteils aus einer oder mehreren integrierten
Schaltungen, die zusammen mit gegebenenfalls in Filmtechnik ausgeführten integrierten Elementen und
einem Kondensator zur Erzielung dieser großen Zeitkonstante auf einem mit Leiterbahnen versehenen
υ Träger angeordnet werden. Von dem notwendigen Kondensator können die räumlichen Abmessungen
derartig sein, daß sie die Abmessungen der übrigen Einzelteile der Schaltung wenigstens in einer Richtung
erheblich überschreiten, wodurch ein wesentlicher
4(i Vorteil der vorhandenen integrierten Schaltung verlorengeht.
Wenn ein derartiger Kondensator z. B. auf der Trägerplatte einer Filmschaltung montiert wird,
werden die Dickenabmessungen der Platte und des Kondensators zusammen erheblich größer als die der
4-> Platte allein sein.
Die Anwendung der verzögernden Eigenschaften geheizter tecnperaturempfindlicher Widerstände ist an
sich bekannt. Die bekannten Schaltungen lassen sich im wesentlichen in zwei Kategorien unterteilen, und
ίο zwar: Einerseits Schaltungen, in denen ein Heizstrom
durch den temperaturempfindlichen Widerstand geführt wird, wobei im Gegensatz zu der erfindungsgemäßen
Anwendung die Wechselstromkomponente des Heizstromes eine Wechselspannung statt einer
Gleichspannung über dem temperaturempfindlichen Element herbeiführt, und andererseits Schaltungen
(siehe Proc. IEEE [1964] 12, 1496-1501 und IEEE Journal SSC [1971] 1,8-14), in denen ein direkt heizbarer
temperaturempfindlicher Widerstand verwen-
bo det wird, wobei die verzögernden Eigenschaften durch
die verzögernde Wirkung eines wärmeleitenden Mediums zwischen dem Heizelement und dem temperaturempfindlichen
Element erhalten werden, welches wärmeleitende Medium sich elektrisch wie eine lange
b5 Leitung verhält.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Filmschaltung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs
1 so auszugestalten, daß sich sowohl ein einfa-
eher Aufbau, als auch günstige elektrische Eigenschaften
ergeben.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen
Merkmale gelöst.
Die Erfindung gründet sich auf dei Erkenntnis, daß eine Wärmekapazität als äquivalent für eine elektrische
Kapazität auf einfache Weise in einer Filmschaltung für die Erzielung einer RC-Zeitkonstante verwendet
werden kann. i"
Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Die Erfindung wird nachstehend beispielsweise anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 ein Schaltbild einer Schaltung nach der Erfindung, wobei Fig. la ein Prinzipschaltbild der
Schaltung nach Fig. 1, in Filmtechnik ausgeführt, darstellt, und Fig. Ib einen Querschnitt durch die
Konfiguration nach Fig. la zeigt,
Fig. 2 die Spannungssprungkennlinie der Schal- -°
tung nach Fig. 1,
Fig. 3 ein Schaltbild einei Schaltung nach der Erfindung,
wobei die Auflade- und die Entladezeitkonstante einander gleich sind, und
Fig. 4, 5 und 6 einige Anwendungen der Schaltung nach der Erfindung.
Fig. 1 zeigt einen ersten Transistor T1 und einen
zweiten Transistor T2, beide vom npn-Typ, mit einem
gemeinsamen Emitterkreis, der über einen Widerstand 8 mit einer negativen Speiseklemme 13 verbun- w
den ist. Die Basis des Transistors T1 ist mit einer Eingangsklemme
1 und die Basis des Transistors T2 ist mit einer Ausgangsklemme 2 verbunden. Der Kollektor
des Transistors T1 ist mit einer positiven Speiseklemme
12 verbunden, während der Kollektor des Transistors T2 über eine Heizwiderstandsschichl 11
mit der positiven Speiseklemme 12 verbunden ist. Die Widerstandsschkht 11 ist derart in thermischem Kontakt
mit einem Widerstand 10 mit einem negativen Temperaturkoeffizienten (nachstehend als NTC be- 4«
zeichnet), daß dieser NTC 10 die gleiche Temperatur wie die Widerstandsschicht 11 aufweist. Der NTC IO
verbindet die Basis von T2 mit der negativen Speiseklemme
13, während diese Basis über den Widerstand 9 mit der positiven Speise klemme verbunden ist, 4
> wodurch der Widerstand 9 und der NTC IO einen temperaturabhängigen Spannungsteiler zwischen den
Speiseklemmen 12 und 13 bilden.
Fig. la zeigt das Prinzip des Aufbaus der Schaltung
nach Fig. 1 auf einer Trägerplatte und stellt keines- 5« wegs eine praktische maßstäbliche Ausführungsform
dar. Mit dem Block 16 sind schematisch alle Elemente der Schaltung nach Fig. 1, ausgenommen der NTC
10 und die Widerstandsschicht 11, dargestellt. Dieser Block kann eine integrierte Schaltung enthalten, von
der die Schaltung nach Fig. 1 einen Teil bildet, und er kann aus einzelnen Elementen bestehen, die auf
der Trägerplatte 17 angebracht und nicht im Detail dargestellt sind. Die auf der Trägerplatte 17 angebrachte
Widerstandsschicht 11 ist über die Leiterbah- t>o
nen 18 und 19 mit der positiven Speiseklemme 12 bzw. mit dem Kollektor des in den Block 16 aufgenommenen
Transistors T2 (nicht näher dargestellt) verbunden. Auf der Widerstandsschicht 11 ist, von
dieser Schicht durch eine elektrisch isolierende Schicht 20 getrennt, der NTC 1.0 angebracht, der über
die Leiterbahnen 21 und 22 mit der negativen Speiseklemme 13 bzw. der Basis des nicht näher dargestellten
Transistors T2 verbunden ist.
Fig. Ib zeigt einen Querschnitt längs der Linie A-A' der Fig. la. Die Isolierschicht 20 ist derart
dünn, daß sie einen vernachlässigbaren Wärmewiderstand bildet, so daß angenommen werden kann, daß
die Widerstandsschicht 11 und der NTC IO stets nahezu die gleiche Temperatur aufweisen.
An Hand der Fig. 2 wird das Verhalten der Schaltung nach Fig. 1 erörtert. Wenn zu einem bestimmten
Zeitpunkt i, ein negativer Spannungssprung an dem Eingang auftritt, wird die Basis-Emitter-Spannung
von T1 abnehmen, wodurch der Emitterstrom von T1
und also der Spannungsabfall über dem Widerstand 8 abnimmt. Dadurch weist die Basis-Emitter-Spannung
von T2 zu dem Zeitpunkt t, einen positiven Sprung
auf, so daß auch der Kollektorstrom von T2 plötzlich
zunimmt. Die Widerstandsschicht 11 in der Kollektorleitung von T2 nimmt infolge der Wärmekapazität
allmählich eine höhere Temperatur an, gleich wie der NTC 10. Soll dieser NTC 10 der Temperatur der
Heizwiderstandsschicht direkt folgen, so muß die Wärmekapazität dieses NTC-Widerstandes 10 klein
in bezug auf die der Heizwiderstandsschicht 11 sein und muß, wie erwähnt, die elektrische Isolierung zwisehen
der Widerstandsschicht 11 und dein NTC IO einen geringen Wärmewiderstand aufweisen.
Der Widerstandswert des NTC-Widerstandes nimmt mit zunehmender Temperatur ab, so daß infolge
des aus dem NTC 10 und dem Widerstand 9 bestehenden Spannungsteilers das Basispotential des
Transistors T2 abnimmt, was zur Folge hat, daß die
Basis-Emitter-Spannung von T2 und demzufolge der
Kollektorstrom von T2 abnimmt. Durch die Abnahme
des Kollektorstroms von T2 wird die Widerstandsschicht
11 weniger schnell angeheizt. Dieser Vorgang setzt sich fort, bis die Spannung V11 einen derartigen
Wert erreicht hat, daß der Kollektorstrom von T2 der
Widerstandsschicht 11 gerade genügend Leistung liefert, um den Wärmeverlust dieses Widerstands infolge
von Abkühlung auszugleichen. Die Schaltung soll derart entworfen sein, daß dieses Gleichgewicht erreicht
ist, wenn V11 nahezu gleich V1 ist, was durch
die Werte der Widerstände und der Speisespannung mitbestimmt wird. Die Zeit T1, die zwischen dem Zeitpunkt
I1 und dem Zeitpunkt vergeht, zu dem die Ausgangsspannung
einen Teil (1-1/e) der gesamten Änderung
erfahren hat, ist die RC-Zeitkonstante der Schaltung.
Die genannte RC-Zeitkonstante bestimmt die Frequenz desjenigen Eingangssignals, dessen Amplitude
das Ausgangssignal noch eben folgen kann. Wäre zwischen der Heizwiderstandsschicht 11 und dem NTC
10 ein nicht vernachlässigbarer Wärmewiderstand vorhanden, so würden die Temperaturänderungen des
NTC-Widerstandes 10 gegenüber den Temperaturänderungen der Heizwiderstandsschicht 11 nacheilen.
Bei einem Eingangssignal mit einer die obengenannte Frequenz erheblich unterschreitenden Frequenz folgt
die Temperatur der Heizwiderstandsschicht 11 diesem Eingangssignal, während der Signal an der Ausgangsklemme
und also an der Basis des Transistors T2 der Temperatur des NTC-Widerstandes 10 folgt, wodurch
ein i'ierwünschter Pliasenunterschied zwischen dem
Eingangssignal und dem Ausgangssignal auftritt. Dieser Phasenunterschied kann für bestimmte Frequenzen
derart groß werden, daß er Unstabilitäten herbeiführen kann. Ein Wärmewideistand verhält sich ja
elektrisch wie eine lange Leitung, die, im Gegensatz
zu einem RC-Netzwerk, bei zunehmender Frequenz eine stets zunehmende Phasenverschiebung zwischen
dem Eingangssignal und dem Ausgangssignal herbeiführt.
Zu '.iem Zeitpunkt t, tritt ein positiver Spannungs-
*pi uiig am Eingang auf, wodurch dieser Vorgang in
umgekehrter Reihenfolge stattfindet, mit der Maßgabe, daß die Abnahme der Temperatur der Widerstandsschicht
11 durch Wärmeableitung an die Umgebung herbeigeführt wird. Dadurch ist die Zeitkonstante
T2 der positiven Spannungssprungkennlinie
nicht dieselbe wie die Zeitkonstante τ der negativen Spannungssprungkennlinie. Die thermische Isolierung
der Widerstandsschicht kann, erwünschtenfalls. derart gewählt werden, daß T2 = T1 ist. Wenn die beiden
Konstanten einander sehr genau gleich sein sollen, bewährt sich die Schaltung nach Fig. 1 nicht, weil sich
die Abkühlung der Widerstandsschicht schwer vorhersagen und regeln läßt. Die Schaltung nach Fig. 3
weist diese Nachteile nicht auf.
In der Schaltung nach Fig. 3 ist der Widerstand 9 der Schaltung nach F i g. 1 durch einen NTC 14 ersetzt,
der von einer Widerstandsschicht 15 angeheizt wird, die die Kollektorleitung des Transistors T1 mit der
positiven Speiseklemme 12 verbindet.
Wenn an der Klemme 1 ein positiver Spannungssprung auftritt, nimmt die Basis-Emitter-Spannung
von T1 zu und nimmt die Basis-Emitter-Spannung von T2 ab. Dementsprechend nimmt der Kollektorstrom
von T1 zu und nimmt der Kollektorstrom von T2 ab,
wodurch die Temperatur der Widerstandsschicht 15 zunimmt, und die Temperatur der Widerstandsschicht
11 abnimmt. Der Widerstandswert des NTC-Widerstandes 10 nimmt dadurch zu und der Widerstandswert
des NTC-Widerstandes 14 nimmt ab, was zur Folge hat, daß Vu zunimmt. Umgekehrt wird bei einem
negativen Spannungssprung am Eingang die Ausgangsspannung Vu abnehmen. Bei passender
Wahl der verschiedenen Widerstände sind die auftretenden Zeitkonstanten einander gleich.
Die Schaltung nach Fig. 3 weist außerdem den Vorteil auf, daß eine Wechselspannung mit einer Frequenz,
die viel höher als V1 ist, an den Eingangsklemmen eine Temperaturerhöhung des NTC-Widerstandes
10 sowie des NTC-Widerstandes 14 herbeiführen wird, was bei einer richtigen Gleichgewichtseinstellung der Schaltung keinen Einfluß auf die
Ausgangsspannung Vu ausübt; dies im Gegensatz zu
der Schaltung nach Fig. 1, in der die Ansgangsgleichspannung etwas abnimmt, wenn eine Wechselspannung
an den Eingang angelegt wird.
Die Schaltung nach der Erfindung kann in allen Schaltungsanordnungen Anwendung finden, in denen
große RC-Zeitkonstanten benutzt werden und bei denen Kondensatoren großer räumlicher Abmessungen
nicht erwünscht sind.
Fig. 4 zeigt schematisch einen Kreis, bei dem eine Regelspannung V1 ferneingestellt werden kann, welche
Spannung über einen Leiter einem Regelkreis 27 zugeführt wird. Durch kapazitive und induktive Einflüsse
treten an der Leitung Störsignale auf, die einen unerwünschten Einfluß auf den Regelmechanismus
ausüben. Indem zwischen der langen Leitung und dem Regelkreis 27 eine Schaltung nach der Erfindung angeordnet
wird, tritt am Eingang des Regelkreises eine Regelgleichspannung Vu gleich dem Gleichspannungspegel
von V1 auf.
Fig. 5 zeigt einen Verstärker, der aus drei Stufen mit Transistoren T3, T4 und T5 besteht. IndenKoHck
torkreisen dieser Transistoren sind die Widerstände 16, 17 bzw. 18 angeordnet, während der Kollektoi
des Transistors T3 über ein Kopplungselement, das
■ den Gleichspannungspegel der Basis des Transistors T4 mit dem Gleichspannungspegel des Transistors 7'.
koppelt, mit der Basis des Transistors T4 verbunden ist. Ein solches Kopplungselement kann z. B. aus einei
Zenerdiode oder, wie in der Figur dargestellt ist, aus
in der Reihenschaltung einiger in der Durchlaßrichtung
geschalteten Dioden (D1 und D2) bestehen. Ebensc
ist der Kollektor des Transistors T4 über ein solches
Kopplungselement, das aus der Reihenschaltung vor Dioden D1 und D4 besteht, mit der Basis des Transij
stors T5 verbunden. Der Kollektor des Transistors T, ist mit einer Ausgangsklemme 25 verbunden und
außerdem über die Schaltung nach Fig. 3 auf die Eingangsklemme 24 rückgekoppelt. Die rückgekoppelte
Spannung in Reihe mit einem Eingangssignal ist an der Basis des Transistors T3 vorhanden.
Jeder Verstärkerstufe der Schaltung führt für Niederfrequenzsignale
eine Phasenverschiebung von 180° herbei. Wenn die Basisspannung des Transistors
der betreffenden Verstärkerstufe zunimmt, nimmt der
r> Kollektorstrom dieses Transistors zu und demzufolge die Kollektorspannung ab. Da die Spannung an der
Klemme 2 der Schaltung nach Fig. 3 der Niederfrequenzspannung an der Klemme 1 dieser Schaltung
folgt, wird diese Niederfrequenzspannung völlig ge-
i(i gengekoppelt. Diese Niederfrequenzgegenkopplung stabilisiert die Vorstromeinstellung der verschiedenen
Transistoren. Die in den Gegenkopplungskreis aufgenommene Schaltung nach Fig. 3 verhindert, daß
Hochfrequenzsignale rückgekoppelt werden, wo-
j5 durch das Oszillieren der Schaltung vermieden wird.
Bei einer Anwendung der Schaltung nach Fig. 3
der in diesem Beispiel angegebenen Art leuchtet es ein, daß ein Wärmewiderstand zwischen der Heizwiderstandsschicht
und der temperaturempfindlichen
4» Widerstandsschicht unerwünscht ist. Der Wärmewiderstand
führt zu einer zusätzlichen Phasenverschiebung in der Gegenkopplungsschleife, was bei einer
hohen Schleifenverstärkung zu einer unstabilen Schaltung Anlaß geben kann.
Fig. 6 zeigt ein drittes Anwendungsbeispiel einer Schaltung nach der Erfindung. Der Widerstand 8 in
Fig. 3 ist dabei durch eine Stromquelle ersetzt, die
einen Gleichstrom 21 dem gemeinsamen Emitterkreis der Transistoren T1 und T2 entzieht. Da das Basispotential
des Transistors T2 gleich der Gleichspannungskomponente des Signals ist, das der Eingangsklemme 1 der Schaltung zugeführt wird, sind die
Gleichstromkomponenten der Kollektorströme der Transistoren T1 und T2 einander gleich und unter
Vernachlässigung der Basisströme gleich I. Die Wechselstromkomponenten der Kollektorströme sind
der Wechselspannungskomponente des Eingangssignals proportional und zueinander gegenphasig.
Wenn die Spannung, die durch den Kollektorstrom
bo des Transistors T1 über dem Widerstand 14 herbeigeführt
wird, einer Klemme 25 zugeführt wird, besteht die Klemmenspannung der Klemme 25 aus einer
Gleichspannungskomponente, die von dem Eingangssignal unabhängig ist, und aus einer Wechselte
Spannungskomponente, die zu der Wechselspannungskomponente des Eingangssignals proportional
und gleichphasig ist. Die Schaltung nach Fig. 3 kann in der Abwandlung nach Fig. 6 als Spitzendetektor
dienen.
Es versteht sich, daß iür den Differenzverstärker,
der durch die Transistoren Γ, und T2 gebildet wird,
jeder andere Differenzverstärkertyp verwendet werden kann. Auch beschränkt sich die Erfindung nicht
auf einen bestimmten Transistortyp. Statt Widerstandsschichten mit einem negativen Temper^turkoeffizienten
können Widerstandsschichten mit einem positiven Temperaturkoeffizienten (nachstehend als
PTC bezeichnet) Anwendung finden, mit der Maßgabe, daß entweder die temperaturempfindliche Widerstandsschicht
in dem Spannungsteiler und das andere Element des Spannungsteilers ihre Stellen wechseln, oder daß die zugehörigen Heizwiderstandsschichten
in den anderen Ausgangskreis des Differenzverstärkers aufgenommen werden. In bezug auf
die Schaltung nach Fig. 1 führt dies u. a. zu den folgenden Möglichkeiten:
- Die Heizwiderstandsschicht 11 in dem Kollektorkreis des Transistors T2, während die Widerstandsschicht
11 einen PTC anheizt, der zwischen die Basis des Transistors T2 und die positive
Speiseklemme 12 aufgenommen ist, wobei der Widerstand 9 zwischen die Basis des Transistors
T2 und die negative Speiseklemme 13 aufgenommen ist.
— Die Heizwiderstandsschicht 11 in dem Kollektorkreis des Transistors T1, während die Widerstandsschicht
11 einen PTC anheizt, der zwischen die Basis des Transistors T2 und die negative
Speiseklemme 1.3 aufgenommen ist, wobei der r> Widerstand 9 auf die in Fig. 1 dargestellte Weise
in die Schaltung aufgenommen ist.
- Die Heizwiderstandsschicht 11 in dem Kollektorkreis des Transistors T1, während die Widerstandsschicht
11 einen NTC anheizt, der zwi-
1(1 sehen die Basis des Transistors T2 und die
positive Speiseklemme 12 aufgenommen ist, wobei der Widerstand 9 zwischen die Basis des
Transistors T2 und die negative Speiseklemme 13 aufgenommen ist.
- Die Heizwiderstandsschicht 11 in dem Kollektorkreis des Transistors T2, während die Widerstandsschicht
11 den NTC 10 und einen den Widerstand 9 ersetzenden PTC anheizt, und
- die Heizwiderstandsschicht 11 in dem Kollektor-M kreis des Transistors T1, während die Widerstandsschicht
11 einen den Widerstand 9 ersetzenden NTC und einen den NTC IO ersetzenden
PTC anheizt.
In bezug auf die Schaltung nach Fig. 3 können die NTC-Widerstände 14 und 10 durch PTC-Widerstände
ersetzt werden, wobei die Heizwiderstandsschichten 11 und 15 ihre Stellen wechseln.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Filmschaltung mit einer großen, durch thermische Effekte realisierten RC-Zeitkonstante, mit
mindestens einem Heizelement und einem temperaturempfindlichen Element, dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen einer Eingangsklemme und einer Ausgangsklemme der Schaltung die große RC-Zeitkonstante unter Vermeidung der
Anwendung von Kondensatoren verhältnismäßig großer Abmessungen dadurch erzielt wird, daß die
Schaltung statt der elektrischen Kapazität die Wärmekapazität wenigstens einer Widerstandsschicht
benutzt, durch die ein Heizstrom fließt, der durch den Unterschied zwischen der Ein- und der
Ausgangsspannung der Schaltung bestimmt wird, wobei mindestens eine temperaturempfindliche
Widerstandsschicht, die mit der Heizwiderstandsschicht
in direktem Wärmekontakt steht, die Ausgangsspannung der Schaltung mit der Maßgabe
bestimmt, daß der Heizstrom für den Fall, daß die Ausgangsspannung gleich der Eingangsspannung
ist, eben genügend ist, um den Wärmeverlust der Heizwiderstandsschicht auszugleichen, wodurch
entsprechend einer RC-Schaltung bei einer konstanten Eingangsspannung nahezu eine gleiche
Ausgangsspannung erhalten wird, während die Ausgangsspannung schnellen Änderungen des
Eingangssignals nicht folgt.
2. Filmschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizstromschaltung zwei als
Differenzverstärker geschaltete Transistoren (Tx, T2) enthält, deren Basiselektroden mit dem ersten
(1) bzw. dem zweiten Eingang (2) verbunden sind, daß die Hauptstrombahn eines dieser Transistoren
(T2) den Ausgangsstromkreis bildet und daß die
temperaturempfindliche Widerstandsschicht (10) einen Teil eines zwischen Versorgungsklemmen
liegenden Spannungsteilers (10,9) bildet, mit dem die an der Schaltungsanordnung auftretende, von
der Temperatur der temperaturempfindlichen Widerstandsschicht (10) abhängige Spannung erhalten
wird, wobei die mit Hilfe des Spannungsteilers erhaltene Spannung der Gleichspannungskomponente der Eingangsspannung folgt.
3. Filmschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Heizstromversorgungsschaltung
(Tx, T2, 8) einen Teil einer integrierten
Schaltung (16) bildet, die auf einem isolierenden Träger (17) angebracht ist, auf dem
außerdem die Zusammenschaltung von Heizwiderstandsschicht (11) und temperaturempfindlicher
Widerstandsschicht (10) in Dick- oder Dünnschicht-Technik als Doppelschicht mit einer
dünnen dazwischenliegenden Isolierschicht (20) angebracht ist.
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