DE2460760A1 - Symmetrischer, elektronischer halbleiter-koppelpunkt - Google Patents

Symmetrischer, elektronischer halbleiter-koppelpunkt

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DE2460760A1
DE2460760A1 DE19742460760 DE2460760A DE2460760A1 DE 2460760 A1 DE2460760 A1 DE 2460760A1 DE 19742460760 DE19742460760 DE 19742460760 DE 2460760 A DE2460760 A DE 2460760A DE 2460760 A1 DE2460760 A1 DE 2460760A1
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Germany
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thyristor
coupling point
parallel
thyristors
diode
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DE19742460760
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Erich Dipl Phys Baechle
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04QSELECTING
    • H04Q3/00Selecting arrangements
    • H04Q3/42Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker
    • H04Q3/52Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements
    • H04Q3/521Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements using semiconductors in the switching stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/72Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
    • H03K17/725Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region for ac voltages or currents

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Electronic Switches (AREA)

Description

  • "Symmetrischer, elektronischer Halbleiter-Koppelpunkt" Die Erfindung betrifft einen symmetrischen, elektronischen Halbleiter-Eoppelpunkt zur Durchschaltung von Leitungen in Fernineldeanlagen, insbesondere in öffentlichen Fernsprechvermittlungsanlagen, der aus zwei Längszweigen und einem Querzweig besteht und zweig bei dem in seinem Durchlaßzustand niedrigen Längswiderständen ein hoher Querzweigwiderstand und in seinem Sperrzustand hohen Längszweigwiderständen ein niedriger Querzweigwiderstand zugeordnet ist, und bei dem als längszweigwiderstände je zwei antiparallel geschaltete Thyristoren vorgesehen sind, wobei in Serie mit jeweils zwei antiparallel geschalteten Thyristoren ein antiparallel geschaltetes Diodenpaar geschaltet ist.
  • Durch die DT-OS 20 64 489 ist ein symmetrischer, elektronischer Halbleiterkoppelpunkt bekannt geworden, der als Längs-und Querzweigwiderstände bidirektionale Schaltelemente besitzt, die durch eine angeschaltete Steuerwechselspannung er einer individuellen galvanisch trennenden Wandler und eine Gleichrichteranordnung aus ihrem Sperrzustand in den Zustand großer Leitfähigkeit überführbar sind. Dieser Koppelpunkt erfordert für jedes bidirektionale Schaltelement einen tertrager und ist daher außerordentlich aufwendig.
  • mit wesentlich wenigern Ubertragern kommt der Vorschlag der Patentanmeldung P 24 30 8o8 aus, bei dem als Längswiderstände te zwei Triacs oder Je vier antiparallel geschaltete Thyri£toren pro Längszweig vorgesehen sind, die vn eine ei~zigen Ubertrager angesteuert werden. Bei diesem Koppelpunkt wird der Querzweig durch mindestens einen Kondensator gesildet, dessen Kapazität so bemessen ist, daß eine geforderte Sperrdämpfungsbedingung eingehalten wird. Insbesondere kann er als Relais-Ersatz in öffentlichen Fernsprechvermittlungsanlegen dienen. Insbesondere hat er folgende Eigenschaften: a) Er @ält Sperrspannungen von mindestens 200 v im Sperrzustand und Gleichströme bis zu 80 mi im Durchlaßbetrieb auf Dauer aus.
  • b) Gleichstrom, auch kleine Gleichatröme bis zu 10 leitungsprüfzwecke, werden in beiden Richtungen durchgela£sen.
  • c) Er erzeugt wenig Geräusch- und Funkstörspannungen.
  • d) Pür die obere Sprachfrequenz von 3400 Ez weist er bei -schluß mit 600@eine Sperrdämpfung>11 N auf und in Sprachband er hat eine nur geringe Lurchlaßdämpfung.
  • e) Zwischen Steuerkreis und Leitungskreis besitzt er eine echt. galvanische Trennung.
  • Kachteilig ist Jedoch, daß auch dieser Koppelpunkt noch recht aufwendig ist und in Siebdruckhybridtechnik viel Raum einnimmt, insbesondere wegen der großen Triac-Chips bzw. wegen der gros-Een Anzahl von Thyristoren und wegen der tbertrager, die auf den keramiksubstrat angebracht werden müssen. Bei Realisierung dieses Koppelbausteins in Siebdrucktechnik sind außerden die Übertrager-Anschlüsse sehr hinderlich. Da Triacs|vorwiegend für niederfrequente Anwendungen und hohe Leistungen eingesetzt werden, weisen sie lange Ein- und Abschaltzeiten sowie hohe Zündströme(in der Größenordnung von 10 mA)auf. auch die Halteströme kostengünstiger Triacs liegen mit nindestens 5 mi relativ hoch.
  • Thyristoren zeigen in dieser Hinsicht wesentlich bessere Eigenschaften. Bei einem maximalen Schaltstrom von 600 mA sind Zündströme unter 50 µA und Halteströme unter 1 mA leicht zu verwirklichen. Auch ist der Raumbedarf eines Koppelpunktes auf einem Thyristor-Chip mindestens 9mal geringer als auf einem Triac-Chip.
  • Da jedoch bei dem vorgeschlagenen Koppelpunkt 8 Thyristoren und wegen der erhöhten Anzahl der Übertragerwicklungen a'h grössere tbertrager eingesetzt werden müssen, ergibt sich praktisch keine Raumersparnis gegenüber einem Triac-Koppelpunkt. Auch 51- die Herstellungskosten nahezu gleich. Auf einem Siebdruckbaustein der Fläche 25 x 25 ==2 können in beiden Fällen leciglich zwei symmetrische Halbleiterkoppelpunkte untergebracht werden.
  • er Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde einen Koppelpunkt der eingangs genannten Art anzugeben, der möglichst die Vorteile der bekannten Koppelpunkte aufweist, jedoch gegenüber den bekannten weniger Raum einnimmt und billiger herstellbar ist.
  • Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 genannte Erfindung gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Werden für die Thyristoren, Dioden, Widerstände und Kondensatoren Bauelemente mit jeweils gleichen Daten verwendet, so können Toleranzen bis zu +-30% bei allen Bauelementen zugelassen werden.
  • Daraus folgt, daß die HErstellung von Koppelbausteinen mit Koppelpunkten der erfindungsgemäßen Schaltung insbesondere in der Siebdrucktechnik besonders einfach und kostengünstig möglich ist.
  • Der erfindungsgemäße Koppelpunkt läßt sich in außerordentlich einfacher Weise von einem in Emitterschaltung betriebenen Steuertransistor einschalten Dadurch werdenaufwenEgetbertrager mit den bereits oben genannten Nachteilen vermieden.
  • Die Erfindung wird nun an Hand einer Zeichnung näher erläutert.
  • Die Zeichnung zeigt das Schaltbild eines erfindungsgemäßen Koppelpunktes. Er besteht aus zwei Längs zweigen wobei als Längs zweig -widerstände je zwei antiparallel geschaltete Tharistoren T1 ,T2 bzw. T3, T4 vorgesehen sind, wobei in Serie mit jeweils zwei antiparallel geschalteten Thyristoren ein antiparallel geschaltetes Diodenpaar D3, D4 bzw. D5, D6 geschaltet ist. Der eine Längszweigwiderstand zwischen den Anschlüssen 1 und 2 des Koppelpunktes umfaßt die Thyristoren Tl und T2 und die antiparallel geschalteten Dioden D) 3 und D4 und der andere Längszweigwiderstand zwischen den Anschlüssen 3 und 4 des Koppelpunktes umfaßt die Thyristoren T3 und T4 sowie die antiparallel geschalteten Dioden D5 und D6.
  • Der Querzweigwiderstand des Koppelpunktes wird gebildet aus der Reihenschaltung der Bauelemente: Widerstand R4, Ansteuerkondensatoren C1 und C2 und Widerstand R5.
  • Der Steuertransistor Tsl dient zum Einschalten des Koppelpunktes.
  • Mit ihm wird auch der Verbindungspunkt der beiden Ansteuerkondensatoren entweder über seine Kollektor-Emitter-Strecke oder über seinen Kollektorwiderstand R3 für Wechselspannungen auf Masse gelegt.
  • Je Längs zweig des Koppelpunktes ist der Zündstrecke des einen Thyristors T1 bzw. T4 ein Widerstand R1 bzw. R2 und eine Diode Dl bzw. D2 parallel geschaltet, wobei die Dioden derart gepolt sind, daß die Zündspannung des Thyristors Tl bzw. T4 die Diode Dl bzw. D2 sperrt. Die Kathode des einen Thyristors T1 bzw. T4 ist mit einem ersten Anschluß 1 bzw. 3 des Koppelpunktes verbunden, die Anoden des anderen Thyristors T2 bzw. T3 mit dem Gate G1 bzw. G4 des einen Thyristors Tl bzw. T4. In an sich bekannter Weise ist die Anode des einen Thyristors T1 bzw. T4 mit der Kathode des anderen Thyristors T2 bzw. T3 und dem einen Ende des antiparallel geschalteten Diodenpaares D3, D4 bzw. D5, D6 verbunden, wobei das andere Ende des Diodenpaares der zweite, mit dem ersten Anschluß 1 bzw. 3 durchzuschaltende Anschluß 2 bzw. 4 des Koppelpunktes ist.
  • Parallel zur Zündstrecke des anderen Thyristors T2 bzw, T3 ist ein Widerstand R4 bzw. R2 Beschaltet und das Gate G2 bzw. G3 dieses Thyristors ist mit einem Ansteuerkondensator C1 bzw. C2 verbunden, an dessen anderem Anschluß die Steuerschaltung des Koppelpunkes im Ausführungsbeispiel bestehend aus der Emitterschaltung eines Steuertransistors Ts1 geschaltet ist, so daß -der Querzweig des Koppelpunktes aus der Serienschaltung von Widerständen R4 und R5, die parallel zur Zündstrecke der anderen Thyristoren T2 und T3 liegen, und den beiden Ansteuerkondensatoren C1 und C2 besteht.
  • Die Anschlüsse 1 und 3-sind mit Leitungen verbunden, die zum Teilnehmer führen und über die Anschlüsse 2 und 4 gelangt, im allgemeinen über weitere Koppelpunkte, die Versorgungsspannung einer Spannungsquelle 10 über eine Drossel 101 an den Koppelpunkt.
  • ils Steuertransistor wurde z.B. ein EPN-Transistor gewählt, dessen Emitter direkt mit dem Bezugspotential und dessen Kollektor über einen Arbeitswiderstand R3 mit dem positiven Pol einer Betriebsspannung verbunden ist. An der Basis des Transistors wird als Steuerspannung Ust zum Steuern des Xoppelpunktes in den eingeschalteten Zustand und zum Halten des Koppelpunktes in diesem Zustand eine Impuls spannung mit einer Impulsfolgefrequenz von einem etwa 250 kllz und mitiTaktverhältnis 1:1 angelegt.
  • Die Sperrung des Koppelpunktes erfolgt, wenn der Teilnehmer durch Auflegen seines Handapparates den Teilnehmer-Schleifenstrom unterbricht. Die zentrale Steuerung schaltet dadurch sofort die Impulsspannung an der Basis des Steuertransistors Tsl ab und durch das Absinken der Thyristerströme unter eine vorgegebene Schwelle schalten diese sich in den gesperrten Zustand.
  • Die Funktion des erfindungsgemäßen Koppelpunktes ist im einzelnen folgende: Die antiparallelen Thyristoren in den beiden Längs zweigen werden entuprechendrder Polung der Spannung U0 der Versorgungsspsnnungsquelle 10 an den Klemmen 2 und 4 von den durch den Steuertransistor Ts1 abgegebenen Impulsen getätigt. Die Steuerimpulse gelangen auf die Gate-Anschlüsse G2 und G3 der Thyristoren T2 bzw. 3 und bewirken, daß zu dem am Ralbleiterkoppelpunkt angeschlossenen Teilnehmer Tln durchgeschaltet wird.
  • Babei werden die Thyristoren T2 und T3 bidirektional betrieben.
  • Diese Betriebsart bedeutet für einen Thyristor folgendes: Im Normalbetrieb, dem sogenannten "Vorwärtsbetrieb",des Thyristors ist seine Anode (Anschluß an der P-Zone) positiv gegenüber seiner Kathode (Anschluß an der N-Zone)* Bei Anlegen einer Gatespannung in Flußrichtung kippt der Thyristor bei Erreichen eines definierten Gate-Stromes, dem sogenannten Zündstrom, vom Zustand geringen Fluß stromes in einen Zustand hohen Flußstromes. Der Thyristor arbeitet als echter Schalter, also bistabil.
  • Im "Rückwärtsbetrieb" des Thyristors (Anode negativ gegenüber Kathode) ist ein bistabiler Schalterbetrieb nicht möglich. Der Thyristor arbeitet in diesem Fall bei Anlegen einer Gate-Spannung in Flußrichtung als PNP-Transistor in Emitterschaltung mit einem sehr niedrigen Stromverstärkungsfaktor (ß # 1. . .3).
  • Liegt beispielsweise am Anschluß 2 der negative Pol der Versorgungsspannungs quelle 10 und gelangen durch den Steuertransistor Tsl über die Ansteuerkondensätoren Cl und C2 positive Impulse auf die Gate-Anschlüsse G2 und G3 der Thyristoren T2 und T3, die in Verbindung mit den Widerständen R4 und R5 die Gate-Kathoden-Strecke dieser Thyristoren in Flußrichtung betreiben, so wird der Thyristor T2 bistabil durchgeschaltet, falls über den im "Rückwärtsbetrieb" laufenden Thyristor T3, der als PNP-Transistor betrieben ist, ein so großer Strom fließt, daß über dem Widerstand B2 des Thyristors T4 eine so große Spannung abfällt, daß dieser Thyristor bistabil einschalten kann.
  • Die Diode Dl liegt für diesen Fall in Flußrichtung und behindert das Einschalten des Thyristors T2 nicht. Anders die Diode D2. Sie liegt in Sperrichtung, läßt den von dem in "Rückwärtsbetrieb" als PNP-Transistor betriebenen Thyristor T3 abgegebenen Strom nur über den Widerstand R2 fließen und sorgt so für das bistabile Einschalten des Längszweigthyristors T4.
  • Liegt an dem Anschluß 2 der positive Pol der Versorgungsspannungsquelle 10, dann wird der Thyristor Tl unter dem Einfluß der Thyristoren T2 und T3, wobei der Thyristor T3 direkt von der Steuerspannung Ust über C2 und R5 betätigt wird, eingeschaltet und zwar in der gleichen Weise, wie es oben für den Thyristor T4 beschrieben ist.
  • Beim erfindungsgemäßen Koppelpunkt ergibt sich nicht nur die Möglichkeit, die aktiven Bauelemente, also die Thyristoren und Dioden, vom jeweils gleichen Typ zu wählen. Auch Widerstände und Kondensatoren sind jeweils mit gleichen Werten einsetzbar.
  • Toleranzen bis zu + 30% sind bei allen Elementen zugelassen.
  • Für einen erfindungsgemäßen Koppelpunkt kann beispielsweise folgende Dimensionierung gewählt werden: Widerstände R1 bis R5 je 5 kil Kondensatoren Cl, C2 je 500 pF Thyristoren T1 bis T4: Usperr = 400 V, Imax = 600 mA Transistor Ts1: BC 107 Dioden D1 bis D6: IN 4151

Claims (3)

  1. P a t e n t a n s p r ü c h e 1. Symmetrischer, elektronischer Halbleiter-Koppelpunkt zur Durchschaltung von Leitungen in Bernmeldeanlagen, insbesondere in öffentlichen Fernsprechvermittlungsanlagen, der aus zwei Längs zweigen und einem Querzweig besteht und bei dem in seinem zweig Durchlaß zustand niedrigen LängsWiderständen ein hoher Querzweigwiderstand und in seinem Sperrzustand hohen Längszweigwiderständen ein niedriger Querzweigwiderstand zugeordnet ist, und bei dem als Längszweigwiderstände je zwei antiparallel geschaltete Thyristoren vorgesehen sind, wobei in Serie mit jeweils zwei antiparalllel geschalteten Thyristoren ein antiparallel geschaltetes Diodenpaar geschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, daß je Längszweig der Zündstrecke des einen Thyristors (T1 bzw. T4) ein Widerstand CR1 bzw. R2) und eine Diode CDI bzw. D2) parallel geschaltet sind, wobei die Diode derart gepolt ist, daß die Zündspannung die Diode sperrt, daß die Kathode des einen Thyristors mit einem ersten Anschluß (1 bzw. 3) des Koppelpunktes verbunden ist, daß die Anode des anderen Thyristors (T2 bzw. T4) mit dem Gate (G1 bzw. G4) des einen Thyristors verbunden ist, daß in an sich bekannter Weise die Anode des einen Thyristors mit der Kathode des anderen Thyristors und dem einem Ende des antiparallel geschalteten Diodenpaares (D3, D4 bzw. D5, D6) verbunden ist, wobei das andere Ende des Diodenpaares der zweite, mit dem ersten Anschluß (1 bzw. 3) durchzuschaltende Anschluß (2 bzw. 4) des Koppelpunktes ist und daß parallel zur Zündstrecke des anderen Thyristors (T2 bzw. T4) ein Widerstand CR4 bzw, R2) geschaltet ist und das Gate (G2 bzw.
    G3):dieses Thyristors mit einem Ansteuerkondensator CCI bzw. C2) verbunden ist,an dessen anderem Anschluß die Steuerschaltung des Koppelpunktes geschaltet ist, so daß der Querzweig des Eoppelpunktes aus der Serienschaltung von Widerständen (R4, 25) parallel zur Zündelektrode der anderen Thyristoren (22 bzw. T4) und der Ansteuerkondensatoren (C1, C2) besteht.
  2. 2. Koppelpunkt nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Thyristoren, Dioden, Widerstände und Kondensatoren Bauelemente mit Jeweils gleichen Daten sind.
  3. 3. Koppelpunkt nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß am gemeinsamen Verbindungspunkt der Ansteuerkondensatoren der Kollektor einesSteaertransistors (Ts1) angeschlossen ist,
DE19742460760 1974-12-21 1974-12-21 Symmetrischer, elektronischer halbleiter-koppelpunkt Withdrawn DE2460760A1 (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2953413A1 (de) * 1978-12-20 1980-12-04 Western Electric Co Control circuitry for gated diode switches

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2953413A1 (de) * 1978-12-20 1980-12-04 Western Electric Co Control circuitry for gated diode switches

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