DE2457374A1 - Variabler oszillator - Google Patents
Variabler oszillatorInfo
- Publication number
- DE2457374A1 DE2457374A1 DE19742457374 DE2457374A DE2457374A1 DE 2457374 A1 DE2457374 A1 DE 2457374A1 DE 19742457374 DE19742457374 DE 19742457374 DE 2457374 A DE2457374 A DE 2457374A DE 2457374 A1 DE2457374 A1 DE 2457374A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- frequency
- oscillator
- capacitor
- variable
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 42
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/366—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current
- H03B5/368—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device and comprising means for varying the frequency by a variable voltage or current the means being voltage variable capacitance diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C3/00—Angle modulation
- H03C3/10—Angle modulation by means of variable impedance
- H03C3/12—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element
- H03C3/22—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element the element being a semiconductor diode, e.g. varicap diode
- H03C3/222—Angle modulation by means of variable impedance by means of a variable reactive element the element being a semiconductor diode, e.g. varicap diode using bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
- H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/362—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C2200/00—Indexing scheme relating to details of modulators or modulation methods covered by H03C
- H03C2200/0037—Functional aspects of modulators
- H03C2200/0087—Measures to address temperature induced variations of modulation
- H03C2200/0091—Measures to address temperature induced variations of modulation by stabilising the temperature
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
Sony Corporation, Tokyo / Japan
Variabler Oszillator
Die Erfindung betrifft einen variablen Oszillator, insbesondere einen variablen Oszillator, der Lithiumtantalat
als Vibrator enthält.
Als Oszillatorelemente verwendete Kristallvibratoren werden in einem Frequenzbereich betrieben, in dem der
Kristallvibrator eine induktive Reaktanz besitzt. Die Änderung dieser Induktivität ist jedoch bekanntlich in
diesem Frequenzbereich stark ausgeprägt (Charakteristik mit scharfer Änderung). Ein Oszillator mit einem solchen
Kristallvibrator kann somit eine Oszillator-Frequenz erzeugen, die bei Temperaturänderungen sehr stabil ist,
er kann jedoch nicht als Oszillator mit variabler Frequenz und breitem Frequenzband benutzt werden, beispielsweise
als Frequenzmodulationskreis, da die durch eine Induktivitätsänderung
verursachte Änderung der Oszillator-Frequenz klein ist.
Nun besitzt jedoch ein einzelner Kristallvibrator aus
Lithiumtantalat (LiTaO.,), der einem piezoelektrischem
Element entspricht, eine Induktivitätskomponente, die um ein Vielfaches größer ist, als die eines üblichen
Kristallvibrators; da ferner ein solcher Kristallvibrator
aus Lithiumtantalat eine allmähliche Induktivitätsänderung aufweist, ergibt sich eine Verbreiterung des
variablen Frequenzbereiches. Wird infolgedessen Lithium-
509824/0834
tantalat als Oszillatorelement benutzt, so kann hiermit der oben erwähnte Frequenzmodulationskreis aufgebaut werden.
Fig. 1 zeigt ein typisches Ausführungsbeispiel eines
solchen bekannten variablen Oszillators 10. Er enthält einen Vibrator 1 aus Lithiumtantalat (LiTaO-,) als Oszillatorelement,
einen Transistor Q, Kondensatoren 2 und 3 sowie einen Eingangsanschluß 11, dem ein Modulationssignal,
beispielsweise ein Tonsignal, zugeführt wird. Die Kapazität einer veränderlichen Kapazitätsdiode 12, die an den
Vibrator 1 angesehlossenist, ändert sich mit dem ModulationssLgnal,
wodurch die Oszillatorfrequenz f geändert wird. In Fig. 1 ist die variable Kapazitätsdiode 12 als Kondensator
veranschaulicht. Mit 13 ist ein Ausgangsanschluß bezeichnet.
Wird der variable Oszillator 10 bei einem Frequenzmodulationskreis
eingesetzt, wie er bei einem drahtlosen Mikrophon sowie allgemein benutzt wird, so ist es erwünscht,
daß die folgenden drei Bedingungen I bis III erfüllt werden:
I. Die Oszillatorfrequenz (Trägerfrequenz) f kann in einem
breiten Bereich gewählt werden.
II. Die Frequenzabweichung bei der gewünschten (verwendeten) Oszillatorfrequenz f kann groß gehalten werden.
III. Die Temperaturcharakteristik ist gut.
Die Bedingung I ist vor allem dann notwendig, wenn der
variable Oszillator in einem drahtlosen Mikrophon verwendet wird. Wird der variable Oszillator 10 als Frequenzmodulationkreis
benutzt, wie oben erwähnt, so wird seine Oszillationsfrequenz f im allgemeinen innerhalb eines Frequenzbereiches
509824/0834
zwischen 76MHz und 90 MHz im FM-Rundfunkbereich gewählt.
Wird die Oszillatorfrequenz f beispielsweise zu 78 MHz gewählt, so kann man diese Frequenz f vom Oszillator 10
direkt erhalten oder durch Vervielfachung einer Oszillatorfrequenz des Oszillators 1O3 die niedriger als die gewünschte
Frequenz gewählt wird. Wird beispielsweise eine Oszillatorfrequenz von 78 MHz gewünscht und wird die
Oszillatorfrequenz f· des Oszillators 10 mit 26 MHz festgelegt, so ergibt sich durch eine Frequenz-Vervielfachung
mit dem Faktor 3 die notwendige Frequenz f von 78 MHz.'
Wird ein solches drahtloses Mikrophon in einem Bereich benutzt, in dem die elektrische Feldstärke der FM-Rundfunkwelle
verhältnismäßig stark ist und wird das Ausgangssignal
des Oszillators 10, dessen Oszillatorfrequenz f zu 78 MHz gewählt ist, von einem FM-Rundfunkempfänger
mit einer automatischen Frequenzregelung empfangen, so wird nur die FM-Rundfunkwelle empfangen, da sie eine
größere elektrische Feldstärke besitzt; es besteht infolgedessen die Gefahr, daß das Ausgangssignal des Oszillators
10 vom FM-Rundfunkempfanger nicht empfangen wird.
Nähert sich ferner die Oszillatorfrequenz f der Frequenz der FM-Rundfunkwelle, so besteht die Gefahr des Auftretens
von Interferenz.
Es ist daher erwünscht, daß die Oszillatorfrequenz f
oder f in einem gewissen Maß geändert werden1 kann. Ein
veränderlicher Frequenzbereich Δf von etwa 2 bis 3 MHz
ist für praktische Zwecke ausreichend.
Der Frequenzbereich, innerhalb dessen der Lithiumtantalat-Vibrator
1 induktiv wird, ist im allgemeinen auf etwa 1,6 MHz bei einer Oszillatorfrequenz f von 26 MHz begrenzt,
so daß der obige variable Frequenzbereich ^ f niemals allein
durch die obige Schaltung erreicht werden kann. Wird ferner
B0 9824/0834
die verwendete Oszillatprfrequenz fVals Trägerfrequenz
verwendet und mit dem Tonsignal (modulierendes Signal) moduliert, das vom drahtlosen Mikrophon abgenommen wird, so
kann der gewünschte Frequenzbereich bzw. die große Frequenzabweichung selbst dann nicht erzielt werden, wenn die
in Fig. 1 als Elemente zur Bestimmung der Oszillationskonstanten dargestellten Kondensatoren geändert werden,
um die Frequenzabweichung groß zu machen. Mit anderen Worten: Wird die Kapazität der Kondensatoren geändert,
so gelangt ihr veränderlicher Kapazitätsbereich unweigerlich in die Größenordnung von einigen pF bis zu einigen
Hundert pF, was sich nicht realisieren läßt.
Wird dagegen, wie in Fig. 1 veranschaulicht, ein induktives Element, wie eine Spule 4 beim dargestellten
Ausführungsbeispiel in Reihe mit dem Vibrator 1 aus LiTaO, geschaltet und seine Induktivität geändert, so
lassen sich die Reaktanz-Charakteristika variieren. Auf diese Weise können die obigen Bedingungen I und II erfüllt
werden.
Das Diagramm gemäß Fig. 2^eigt die Admittanz-Charakteristik
des Lithiumtantalat-Vibrators 1, wobei in der Abszisse die Oszillatorfrequenz f und in der Ordinate die Admittanz Y
aufgetragen ist. Im Diagramm gemäß Fig. 2 kennzeichnet f
CL
eine Parallel-Resonsnzfrequenz, wie bekannt, und F eine
Serien-Resonanzfrequenz. Demgemäß wird im allgemeinen eine Oszillatorfrequenz innerhalb eines Frequenzbereiches verwendet,
der durch die Kurve I1 bestimmt wird, wobei die
Reaktanz induktiv wird; es ist dies ein Frequenzbereich von etwa 1,6 MHz, wie oben beschrieben. Wird die Induktivität
der Spule 4 geändert, so ändert sich in Fig. 2 die Charakteristik von einer Kurve Ip zu einer Kurve Ij,; die
Serien-Resonanzfrequenz f wird also bei Vergrößerung des Induktivitätswertes abgesenkt; demgemäß wird der Frequenzbereich
vergrößert, innerhalb dessen die Reaktanz induktiv wird.
509824/0834
Aus diesem Grunde kann durch Einstellung des Induktivitätswertes eine beliebibe Grequenz im Frequenzbereich &f verwendet
werden, ebenso wie die Neigung oder der Gradient der Variationskurve sich allmählich ändert. Infolgedessen
kann eine große Frequenzabweichung bei der gewünschten Frequenz erzielt werden. Wird beispielsweise die äquivalenrte
Oszillatorkapazität C um +_&C geändert, so ergibt
sich eine Oszillatorfrequenz von f + ^f . Bei diesem
Beispiel ist + &f„ die Frequenzabweichung; sie ist demgemäß
größer als im Falle der Kurve I1. Die äquivalente
Oszillatorkapazität GQ läßt sich mit den Kapazitätswerten der Kondensatoren 2 und 3 sowie der Kapazitätsdiode
12 (jeweils bezeichnet mit C^., C„ bzw. Cß wie'
folgt ausdrücken:
1 - ■ J^. + JL + Jl-Co
Cl C2 CD
Wird die Induktivität variabel gemacht, so kann eine große Frequenzabweichung erreicht werden; ebenso kann
man ohne weiteres durch geeignete Wahl des Induktivitätswertes den Frequenzbereich von 2 bis 3 MHz erzielen. Die
obigen Bedingungen I und II können daher leicht durch Verwendung lediglich der Spule 4 erfüllt werden.
Wird der veränderliche Oszillator 10 unter Benutzung
der Spule 4 aufgebaut, so ergibt sich eine beträchtliche Änderung der Oszillatorfrequenz bei einer Temperaturänderung.
Der Grund hierfür liegt darin, daß der Vibrator 1 aus Lithiumtantalat selbst eine Temperaturcharakteristik
besitzt, die eine quadratische, nach unten konvex gekrümmte Form besitzt, und daß auch die Spule. 4
selbst eine solche Temperaturcharakter'istik aufweist. Infolgedessen kann unter Verwendung dieser Spule 4 ein variabler
Oszillator mit hoher Stabilität nicht erzielt werden,
50982A/0834
Die obige Bedingung III läßt sich also nicht erfüllen.
Die Spule 1J besitzt in einem solchen Falle eine Temperaturcharakteristik,
bei der sich der Induktivitätswert linear sehr in Abhängigkeit von einer Temperaturänderung ändert,
und zwar deswegen weil die magnetische Permeabilität des (Ferrit-) Kernes der Spule 4 sich stark mit der Temperatur
ändert. Wird die Oszillatorfrequenz f zu 26 MHz gewählt und die Oszillatorfrequenz f zwischen +400 KHz
(= f +Af = f· ) und - 600 KHz (= f -Af' = f" ) ver-
SS SSS
schoben, so zeigt das Diagramm gemäß-Fig. 3 die Temperaturcharakteristik
der Oszillatorfrequenz. Die Kurve 15a veranschaulicht die. Temperaturkennlinie bei der Frequenz f ,
die Kurve 15b die Temperäturkennlinie bei der Frequenz f
und die Kurve 15c die Temperaturcharakteristik bei der
Frequenz f" . Wird die Temperatur von 20 auf 40°C erhöht,
so ergibt sich (bei f· ) eine Änderung von 300 PPM (was
+^ 7,8 KHz als Frequenzänderung entspricht). Wird also ein
Oszillator in diesem Zustand verwendet, so können Frequenzstabilität sprobleme auftreten.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen neuen variablen Oszillator zu entwickeln, dessen Oszillatorfrequenz
sich über einen weiten Bereich ändern läßt. Der variable Oszillator soll weiterhin bei einer vorgegebenen
Oszillatorfrequenz eine große Frequenzabweichung besitzen. Es wird weiterhin eine hohe Oszillatorfrequenz-Stabilität
bei Temperaturänderungen angestrebt. Aufbau und Herstellung des erfindungsgemäßen Oszillators sollen einfach sein.
Schließlich soll der variable Oszillator vorteilhaft bei drahtlosen FM-Mikrophonen einsetzbar sein.
509824/0834
Diese Aufgabe wird durch die im Hauptanspruch genannten Merkmale gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung
sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
In der Zeichnung zeigen
Fig. 1 das bereits erläuterte Schaltbild eines bekannten
variablen Oszillators;
Fig. 2 das Diagramm der Admittanz-Kennlinie des
Lithiumtantalat-Vibrators bei Änderung der Induktivität;
Fig. 3 das Diagramm der Temperatur-Kennlinie der Oszillator-Frequenz des Oszillators gemäß
Fig. 1; "
Fig. 4 das Schaltbild eines Ausführungsbeispieles
des erfindungsgemäßen variablen Oszillators;
Fig. 5 und 6 Diagramme der Temperaturkennlinien
verschiedener Kondensatoren des Oszillators gemäß Fig. 4;
Fig. 7 das Diagramm der Temperaturkennlinien des
Oszillators zur Erläuterung des Temperatur-Kompensations-Zustandes
eines Kondensators;
Fig. 8 das Diagramm der Temperaturkennlinien der
Oszillator-Frequenz zur Erläuterung der Temperatur-Kompensations-Zustände von zwei
Kondensatoren.
5 0 982A /0834
Anhand von Pig. 4 sei nun ein Ausführungsbeispiel des
erfindungsgemäßen variablen Oszillators erläutert. Soweit
er dieselben Bauteile wie der Oszillator gemäß Pig. I enthält, sind dieselben Bezugszeichen benutzt.
Der variable Oszillator 20 gemäß Pig. 2J enthält einen
Kondensator 22, dessen Kapazität sich linear mit der Temperatur ändert. Dieser Kondensator 22 ist in Reihe mit
einem Vibrator 21 aus Lithiumtantalat (LiTaO7,) geschaltet.
Die Reihenschaltung von Kondensatoren 32, 33 ist an die Basis des Transistors Q. angeschlossen. In diesem Falle
besitzt wenigstens einer der beiden Kondensatoren 32, eine Temperaturcharakteristik (Abhängigkeit der Kapazität
von der Temperatur), die eine konvex nach unten gekrümmte Form, nach Art einer quadratischen Kennlinie, besitzt;
hierdurch wird die Stabilität der Oszillatorfrequenz gegenüber Temperaturänderungen verbessert.
Im folgenden sei nun einer der Kondensatoren, beispielsweise der Kondensator 22, näher erläutert. Wie das Diagramm
gemäß Fig. 5 zeigt, wird ein Kondensator 22 verwendet, dessen Kapazität sich linear mit der Temperatur
ändert. Der Kondensator wird so ausgewählt, daß sich seine Kapazität verringert, wenn die Temperatur über den normalen
Wert (beispielsweise 25°C) steigt, was die Kurve If- in
Fig. 5 andeutet. Ändert sich die Kapazität gemäß Kurve Ip-,
so ändert sich gleichfalls die äquivalente Oszillator-'
kapazität C und demgemäß auch die Oszillatorfrequenz. Die mit einer solchen Kapazitätsänderung Hand in Hand
gehende Frequenzänderung ist in Fig. 5 durch die gestrichelte Linie IV veranschaulicht.
509824/0834
In der Praxis kann als Kondensator 22 (mit einer Kapazitätsänderung
gemäß der Geraden I^ in Fig. 5) eine veränderliche
Kapazitätsdiode benutzt werden, deren Kapazität sich mit dem modulierenden Signal (erläutert anhand von
Pig. I) ändert.
Bei dem Ausführungsbeispiel der Fig. 4 ist ein Verbindungspunkt
27 zwischen einem variablen Widerstandselement 26a und einem Widerstand 26b an den Verbindungspunkt 28 zwischen Diode 22 und Vibrator 21 angeschlossen.
Als variabler Widerstand 26a kann ein Halbleiterelement verwendet werden, dessen Widerstandswert sich mit der
Temperatur ändert. Da die am Verbindungspunkt 27 und demgemäß auch am Verbindungspunkt 28 anliegende, durch
Spannungsteilung gewonnene Vorspannung in Abhängigkeit .
von der Temperatur geändert wird, ergibt sicbjeine Kapazitätsänderung
der Diode 22 gemäß der Geraden I^ (Fig. 5).
Wird die Diode 22 (deren Kapazität sich gemäß der Geraden I5 in Fig. 5 ändert) in Reihe mit dem LiTaO,-Vibrator
21 geschaltet, an den eine Spule 24 angeschlossen ist, so zeigt Fig. 7 die Änderung der Oszillatorfrequenz
f bei Temperaturänderungen aller Elemente. Diese Kurven, die eine nach unten konvex gekrümmte Form, ähnlich
einer quadratischen Kennlinie, besitzen, basieren auf den Kennlinien gemäß den Fig. 3 und 5·
Im Diagramm der Fig. 7 zeigt die Kurve 16a die Änderung der Oszillatorfrequenz bei der Frequenz f_.
Entsprechend veranschaulicht die Kurve 16b die Änderung der Oszillatorfrequenz bei der Frequenz f' und die Kurve
l6c die Änderung bei der Frequenz fn ai Betrachtet man
in Fig. 7 beispielsweise den Fall der Frequenz f_, so
tritt bei einer Temperatur von ca. 50 C eine Frequenz-
5 098 2A/083A
änderung von etwa 500 PPM auf. Die Frequenzänderung 1st
daher groß, selbst wenn nur die Diode 22 vorgesehen wird. Es wird also kein bemerkenswerter Kompensationseffekt
erreicht; ein solcher variabler Oszillator besitzt daher praktisch nicht die gewünschten Wirkungen.
Erfindungsgemäß erhalten daher der ersten Kondensator
32 und/oder der zweite Kondensator 33 geeignete Temperatur-Kennlinien, um die Frequenzänderung in Abhängigkeit
vonder Temperatur zu verkleinern.
Es sei zunächst der Fall erläut.ert, daß nur der erste Kondensator 32 eine geeignete Temperaturkennlinie
erhält. Es wird zu diesem Zweck ein erster Kondensator 32 benutzt, der eine, quadratische Kennlinie (Abhängigkeit
der Kapazität von der Temperatur) zeigt, die konvex nach unten gekrümmt ist, wie dies in Fig. 6 die
Kurve Ig veranschaulicht. Ein solcher .Kondensator kann
beispielsweise durch einen keramischen Kondensator gebildet werden. Bekanntlich besitzt ein solcher keramischer
Kondensator eine quadratische Kennlinie, deren unterer Scheitelpunkt etwa bei Normaltemperatur liegt.
Die von einer Kapazitätsänderung des ersten Kondensators 32 verursachte Änderung der Oszillatorfrequenz
läßt sich in Fig. 6 durch die gestrichelte Linie l'g
wiedergeben.
Nimmt man die Summe der Frequenzabweichungen gemäß den Fig. 6 und 7» so ergibt eine Temperaturänderung
gegenüber der Normaltemperatur in Fig. 6 eine negative Frequenzabweichung, d.h. eine Absenkung der Frequenz;
durch die Kompensation der Diode 22 allein (Fig. 7) ergibt sich dagegen bei einer Temperaturänderung eine
positive Frequenzabweichung (d.h. eine Erhöhung der
509824/0834
Frequenz). Die Änderung der Oszillatorfrequenz f2 der
ganzen Oszillatorschaltung, einschließlich des Kondensators 32 und der Diode 22, läßt sich daher in Fig. 8
durch die Kurven 17a, 17b und 17c wiedergeben.
Bei den Versuchen wurde festgestellt, daß die Frequenzänderung bei Temperaturänderungen von -10 bis +40 C
kleiner als +_ 100 PPM ist und daß bei Temperaturen über
60°C die Frequenzänderung auf weniger als +_ 200 PPM gedrückt werden .kann, was eine völlig ausreichende Kompensationswirkung
darstellt.
Der erfindungsgemäße variable Oszillator 20 enthält
somit einen Kondensator 32, dessen Kapazität sich linear mit der Temperatur ändert, ferner einen Kondensator 32,
dessen Temperatur-Kennlinie ..eine quadratische Kennlinie
i st, die konvex nach unten gekrümmt ist. Auf diese Weise kann eine durch Änderungen der Temperatur bedingte Änderung
der Oszillator-Frequenz f« oder f wirksam unterdrückt
werden. Der erfindungsgemäße Oszillator besitzt damit
eine wesentlich verbesserte Temperaturcharakteristik und einen weiten veränderlichen Bereich der Oszillatorfrequenz
sowie eine große Frequenzabweichung bei" der Frequenzmodulation. Er erfüllt ferner auch die Bedingung
einer hohen Frequenzstabilität.
■ Die erfindungsgemäße Schaltung zeichnet sich darüberhinaus
durch einen sehr einfachen Aufbau aus, so daß der Oszillator mit kleinen' Abmessungen und kostensparend
'hergestellt werden kann. Der erfindungsgemäße variable
Oszillator läßt sich daher besonders vorteilhaft als Frequenzmodulationskreis für ein drahtloses Mikrophon
einsetzen. Selbst wennn ein veränderlicher Frequenzbereich
509824/0834
zwischen zwei und drei MHz gewählt wird, so ist die in diesem variablen Frequenzbereich auftretende Frequenzänderung
wesentlich kleiner als bei den bisher bekannten Ausführungen. Gemäß den der Erfindung zugrundeliegenden
Versuchen kann die Frequenzänderung innerhalb des Bereiches von Af kleiner als +_ 300 PPM gehalten
werden.
Bei dem oben erläuterten Ausführungsbeispiel der Erfindung wird als Kondensator mit linearer Temperaturkennlinie
eine variable Kapazitätsdiode benutzt; es ist jedoch auch möglich, mit dem Lithiumtantalat-Vibrator
21 zu dem gleichen Zweck und mit derselben Wirkung einen Kondensator zu verbinden, der die oben erwähnte Temperaturcharakteristik
besitzt. In diesem Falle werden das veränderliche Widerstandselement 26a und der Widerstand 26b
entbehrlich.
Statt des ersten Kondensators 32 kann auch der zweite Kondensator 33 die erläuterte quadratische Kennlinie besitzen;
es ist weiterhin auch möglich,·beiden Kondensatoren 32 und 33 die erwähnte quadratische Kennlinie zu geben.
509824/0834
Claims (4)
- - 13 Patentansprüche!.Veränderlicher Oszillator, fait einem aktiven Element, einem aus Lithiumtantalat bestehenden und mit dem aktiven Element verbundenen Vibrator, einem in Reihe mit dem Vibrator geschalteten induktiven Element mit veränderlicher Induktivität sowie mit einem ersten und einem zweiten Kondensator, die in Reihe zum Vibrator geschaltet sind, dadurch ge'kennz e i c h η e t , daß sich die Kapazität des ersten Kondensators linear mit der Temperatur ändert, während die Kapazitäts-Temperaturkennlinie des zweiten Kondensators eine quadratische Kennlinie mit konvex nach unten gekrümmter Form ist.
- 2. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Kondensator durch eine veränderliche Kapazitätsdiode gebildet wird.
- 3. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das induktive Element und der Vibrator an eine Steuerelektrode des aktiven Elementes angeschlossen sind, daß der erste Kondensator zwischen Vibrator und Masse geschaltet ist und daß der zweite Kondensator zwischen die Steuerelektrode des aktiven Elementes und Masse geschaltet ist.
- 4. Oszillator nach Anspruch 33 dadurch gekennzeichnet, daß der erste Kondensator durch eine veränderliche Kapazitätsdiode gebildet ist und daß ein mit einem modulierenden Signal gespeister Eingangs-anschluß zwischen der veränderlichen Kapazitätsdiode und dem Vibrator vorgesehen ist.509824/0834Oszillator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein dritter Kondensator in Reihe zwischen dem zweiten Kondensator und Masse angeordnet ist und daß sich die Kapazität dieses dritten Kondensators mit der Temperatur gemäß einer quadratischen Kennlinie mit konvexer Krümmung nach unten ändert.509824/08344sLeerseite
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP48138442A JPS5087559A (de) | 1973-12-05 | 1973-12-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2457374A1 true DE2457374A1 (de) | 1975-06-12 |
DE2457374C2 DE2457374C2 (de) | 1986-02-13 |
Family
ID=15222076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2457374A Expired DE2457374C2 (de) | 1973-12-05 | 1974-12-04 | Temperaturkompensierter Oszillator veränderbarer Frequenz |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3995233A (de) |
JP (1) | JPS5087559A (de) |
CA (1) | CA1014627A (de) |
DE (1) | DE2457374C2 (de) |
FR (1) | FR2254148B1 (de) |
GB (1) | GB1481630A (de) |
IT (1) | IT1026821B (de) |
NL (1) | NL187776C (de) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5565188A (en) | 1978-11-10 | 1980-05-16 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Electronic watch |
DE2945546C2 (de) * | 1979-11-10 | 1983-09-29 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Schaltungsanordnung für abstimmbare HF-Kreise |
FR2501434B1 (fr) * | 1981-03-03 | 1985-10-11 | Cepe | Oscillateur a frequence commandee comportant un element piezoelectrique et presentant une plage de variation de frequence etendue |
US4511863A (en) * | 1983-03-22 | 1985-04-16 | General Electric Company | Combined modulation and temperature compensation circuit |
US4620226A (en) * | 1984-05-17 | 1986-10-28 | Cheung William S H | Apparatus for producing audio and visual signals for modulating a television system carrier signal |
US4607239A (en) * | 1985-02-28 | 1986-08-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Adjustment of the frequency-temperature characteristics of crystal oscillators |
US4630008A (en) * | 1985-03-29 | 1986-12-16 | Weeks Richard W | Direct FM crystal-controlled oscillator |
US4924195A (en) * | 1989-06-19 | 1990-05-08 | At&T Bell Laboratories | Crystal oscillator with broad tuning capability |
US4951007A (en) * | 1989-10-04 | 1990-08-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Temperature compensated crystal oscillator (TCXO) with improved temperature compensation |
US5030926A (en) * | 1990-07-10 | 1991-07-09 | At&T Bell Laboratories | Voltage controlled balanced crystal oscillator circuit |
EP0744836A3 (de) * | 1995-05-25 | 1998-03-25 | Kabushiki Kaisha Meidensha | Temperaturkompensierter Kristalloszillator |
WO2002095930A1 (en) * | 2001-05-21 | 2002-11-28 | Thomson Licensing S.A. | Wide band voltage controlled crystal oscillator |
JP2003332842A (ja) * | 2002-05-13 | 2003-11-21 | Fujitsu Media Device Kk | 発振器 |
US7679461B2 (en) * | 2004-10-11 | 2010-03-16 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Varactor device with reduced temperature dependence |
US7511476B2 (en) * | 2005-01-04 | 2009-03-31 | Digisensors, Inc. | Electromagnetic sensor systems and methods of use thereof |
JP6397066B2 (ja) * | 2017-02-20 | 2018-09-26 | 日本電波工業株式会社 | 水晶発振器 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3373379A (en) * | 1966-06-17 | 1968-03-12 | Motorola Inc | Crystal oscillator with temperature compensation |
US3569865A (en) * | 1969-06-12 | 1971-03-09 | Us Navy | High stability voltage-controlled crystal oscillator |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4314672Y1 (de) * | 1965-06-02 | 1968-06-20 |
-
1973
- 1973-12-05 JP JP48138442A patent/JPS5087559A/ja active Pending
-
1974
- 1974-11-27 US US05/527,693 patent/US3995233A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-12-03 NL NLAANVRAGE7415768,A patent/NL187776C/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-12-04 CA CA215,243A patent/CA1014627A/en not_active Expired
- 1974-12-04 GB GB52463/74A patent/GB1481630A/en not_active Expired
- 1974-12-04 DE DE2457374A patent/DE2457374C2/de not_active Expired
- 1974-12-05 FR FR7439892A patent/FR2254148B1/fr not_active Expired
- 1974-12-05 IT IT30222/74A patent/IT1026821B/it active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3373379A (en) * | 1966-06-17 | 1968-03-12 | Motorola Inc | Crystal oscillator with temperature compensation |
US3569865A (en) * | 1969-06-12 | 1971-03-09 | Us Navy | High stability voltage-controlled crystal oscillator |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Electronics, Bd.44, 12.April 1971, H.8, S.100 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1481630A (en) | 1977-08-03 |
US3995233A (en) | 1976-11-30 |
NL187776B (nl) | 1991-08-01 |
USB527693I5 (de) | 1976-02-03 |
IT1026821B (it) | 1978-10-20 |
FR2254148B1 (de) | 1978-06-23 |
NL7415768A (nl) | 1975-06-09 |
NL187776C (nl) | 1992-01-02 |
JPS5087559A (de) | 1975-07-14 |
DE2457374C2 (de) | 1986-02-13 |
FR2254148A1 (de) | 1975-07-04 |
CA1014627A (en) | 1977-07-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2457374A1 (de) | Variabler oszillator | |
DE2104779C3 (de) | Bandfilter-Schaltung | |
DE2828838C2 (de) | HF-Eingangsschaltung für Fernsehempfänger | |
DE2725719C3 (de) | Mikrowellensignalverstärker | |
DE19647383C2 (de) | Spannungsgesteuerte, veränderliche Abstimmschaltung | |
DE2412689C3 (de) | Schaltungsanordnung zur Abstimmung und Bereichs- bzw. Bandumschaltung eines HF-Schwingungskreises | |
DE4343719A1 (de) | Hochfrequenzschalter | |
DE2905821A1 (de) | Einrichtung zur antennenisolierung | |
DE3104242A1 (de) | Antennen-abstimmschaltung fuer am-rundfunkempfaenger | |
DE3210454A1 (de) | Empfaenger-eingangsschaltung | |
DE2811080C2 (de) | Durch Spannungsänderung abstimmbarer Hochfrequenz-Oszillator | |
DE2816786A1 (de) | Abstimmschaltung fuer eine antenne | |
EP0089078B1 (de) | Schaltungsanordnung für einen FM-Empfänger | |
DE3202329A1 (de) | Frequenzvervielfacher | |
DE3227087A1 (de) | Impedanztransformationsschaltung fuer ein akustisches oberflaechenwellenfilter | |
DE2950429A1 (de) | Schaltungsanordnung mit einem schaltungselement fuer akustische oberflaechenwellen | |
DE2650777A1 (de) | Breitbandoszillator mit elektrischer frequenzsteuerung | |
DE2507607B2 (de) | Tuner für Fernsehempfänger | |
DE2733191A1 (de) | Hochfrequenz-breitbandresonanzkreis | |
DE3902148A1 (de) | Hochfrequenzverstaerker mit verbesserter stoerunterdrueckung | |
DE2952793C2 (de) | Abstimmbare Empfängereingangsschaltung | |
DE1591420C3 (de) | Dämpfungsregler für elektrische Schwingungen | |
DE3327107C2 (de) | Hochfrequenzverstärkerschaltung | |
DE2932651A1 (de) | Schaltungsanordnung zum empfangen und verstaerken von hochfrequenzsignalen | |
DE19630123C2 (de) | Hochfrequenzkanal-Auswahlschaltung für einen Radioempfänger und Verfahren zum Herstellen von Abstimmschaltungen dafür |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |