DE2440576B1 - kryotron - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 230000007704 transition Effects 0.000 title claims abstract description 8
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims 7
- 230000006378 damage Effects 0.000 title abstract 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 claims 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/30—Devices switchable between superconducting and normal states
- H10N60/35—Cryotrons
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/30—Devices switchable between superconducting and normal states
- H10N60/35—Cryotrons
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Description
- Gemäß F i g. 1 kann ein erfindungsgemäßes Kryotron beispielsweise zwei erste Leitungszüge 10, 11 besitzen. Zwischen diesen ersten Leitungszügen liegt der zweite Leitungszug 20, der die ersten Leitungszüge an deren Rändern etwas überdeckt. Die ersten Leitungszüge besitzen an ihren Enden Kontaktbleche 30 bis 33, die aus dem gleichen Material bestehen können, wie die ersten Leitungszüge. Vorzugsweise ist das Kryotron auf einem Substrat aufgebracht, das aus Gründen der zeichnerischen Einfachheit in dieser Figur nicht dargestellt ist. Zur Aufrechterhaltung einer hinreichend niederen Arbeitstemperatur, bei der das Material der ersten Leitungszüge sich im supraleitenden Zustand befindet, ist das Kryotron in einer Kühlanlage (nicht dargestellt) angeordnet.
- In Fig.2 sind die Leitungszüge des Kryotrons vergrößert dargestellt. Man erkennt, daß die ersten Leitungszüge 10, 11 teilweise von dem zweiten Leitungszug 20 abgedeckt sind. Die in der Zeichnung angegebenen Maße haben sich als vorteilhaft herausgestellt. Die ersten Leitungszüge haben jeweils eine Breite von a, der Zwischenraum zwischen diesen Leitungszügen besitzt ebenfalls eine Breite von a, der zweite Leitungszug besitzt eine Breite von 2a.
- Die Fig:3 bis 7 zeigen Schnittbilder von Ausführungsbeispielen für das erfindungsgemäße Kryotron.
- Auf einem Substrat 1, das beispielsweise aus Kunststoff besteht und folienförmig sein kann, sind die supraleitenden ersten Leitungszüge 100 bis 112 und die zweiten Leitungszüge 200 bis 213 aus magnetischem Material angeordnet. Dabei können die zweiten Leitungszüge beispielsweise durch Aufdampfen hergestellt sein, die ersten Leitungszüge beispielsweise durch Aufdampfen, Sputtern, galvanische Abscheidung oder durch Ätztechnik.
- In Fig. 3 liegen auf dem Substrat die ersten Leitungszüge 100 und 101. Diese werden teilweise von dem zweiten Leitungszug 200 abgedeckt. Zur Erhöhung der Wirksamkeit des zweiten Leitungszuges ist auf der anderen Seite des Substrates ein weiterer zweiter Leitungszug 201 aufgebracht.
- In Fig.4 ist ein zweiter Leitungszug 202 in das Substrat eingebettet. Über diesem zweiten Leitungszug liegen die ersten Leitungszüge 102, 103, die den zweiten Leitungszug teilweise abdecken. Darüber liegt ein weiterer zweiter Leitungszug 203. Diese Anordnung war neben der in F i g. 5 dargestellten und weiter unten beschriebenen Ausführungsform die vorteilhafteste. Es ist möglich, beidseitig auf dem Substrat eine der F i g. 4 entsprechende Anordnung vorzusehen. Auf diese Weise ist es möglich, auf einem Substrat mehrere Kryotrons anzuordnen.
- F i g. 5 zeigt eine ähnlich vorteilhafte Ausführungsform wie die F i g. 4. Hier sind beispielsweise beidseitig auf dem Substrat Kryotrons angeordnet. Zuerst wurden auf dem Substrat die zweiten Leitungszüge 205, 207 aufgedampft. Darüber wurden die ersten Leitungszüge 104 bis 107 aufgedampft. Dann wurden die weiteren zweiten Leitungszüge 204,206 aufgedampft.
- Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der F i g. 6 wurden erst die ersten Leitungszüge 108 bis 111 galvanisch abgeschieden. Über diesen Leitungszügen wurden die zweiten Leitungszüge 208,209 aufgedampft.
- Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der Fig.7 wurden die zweiten Leitungszüge 210, 211 in das Substrat eingebettet. Darüber wurde der erste Leitungszug 112 aufgedampft. Darauf wurden weitere zweite Leitungszüge 212, 213 aufgedampft, wobei diese weiteren zweiten Leitungszüge annähernd deckungsgleich zu den zweiten Leitungszügen 210, 211 angeordnet sind.
- Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel hatten die ersten Leitungszüge eine Breite von etwa 1 mm und eine Dicke von etwa 5 #m. Die Schichtdicke der zweiten Leitungszüge betrug etwa das 10fach der Dicke der ersten Leitungszüge. Bei den Ausführungsbeispielen gemäß den Fig. 3 und 6 soll die Dicke des Substrates vorzugsweise in der Größenordnung der Dicke der Leitungszüge liegen. Dadurch ist sicher gewährleistet, daß bei dem magnetischen Phasenübergang der zweiten Leitungszüge in den Zustand hoher Magnetisierung in den ersten Leitungszügen ein Magnetfeld mit einer größeren als der kritischen magnetischen Flußdichte induziert wird.
- Bei den übrigen in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispielen darf die Dicke des Substrates beliebig sein. Hier sind die zweiten Leitungszüge unmittelbar neben den ersten Leitungszügen, auf beiden Seiten der ersten Leitungszüge, angeordnet.
- In der Draufsicht betrachtet, sind die Leitungszüge des Kryotrons vorzugsweise mäanderförmig, wie bereits in der F i g. l dargestellt ist. Auf diese Weise lassen sich auf einem Substrat von etwa 0,5m2 Kryotrons mit einer Länge der Leitungszüge von etwa 250 m herstellen. Auf Grund der großen Länge der Leitungszüge hat das Kryotron einen hohen Gesamtwiderstand, sobald die Leitungszüge im normalleitenden Zustand sind. Damit nimmt die Stromstärke des Stromes, der das Kryotron durchfließt, so weit ab, daß eine konventionelle Auftrennung des Stromkreises möglich ist. Läßt man eine Erwärmung des Kryotrons beim Übergang in den normalleitenden Zustand auf etwa 1000K zu, so erhält man, wenn für die ersten Leitungszüge Blei verwendet wird, einen Widerstand von etwa 10 kl pro 1 m Leitungslänge. Jedoch wird bereits bei 4,2"K im normalleitenden Zustand ein Widerstand von etwa 0,5 # pro 1 m Leitungslänge erreicht. Bereits dieser Wert reicht für eine konventionelle Trennung des Stromkreises aus, wenn die Leitungszüge des Kryotrons hinreichend lang sind.
- Für die ersten Leitungszüge ist beispielsweise als Material Blei oder Niob vorgesehen.
- Für die zweiten Leitungszüge sind beispielsweise metamagnetische Materialien geeignet, die einen magnetischen Phasenübergang von einem antiferromagnetischen zu einem ferromagnetischen Zustand aufweisen. Beim Übergang in den ferromagnetischen Zustand tritt eine starke Erhöhung der magnetischen Induktion am ersten Leitungszug auf. Dadurch wird dieser erste Leitungszug normalleitend. Die Feldstärke des magnetischen Feldes, bei der das metamagnetische Material in seinen ferromagnetischen Zustand übergeht, muß geringer sein als die kritische Feldstärke, bei der das supraleitende Material der ersten Leitungszüge vom supraleitenden in den normalleitenden Zustand übergeht.
- Als Material für die zweiten Leitungszüge kann beispielsweise der metamagnetische Halbleiter EuSe verwandt werden, der bei einer Feldstärke Hci = 1,6. 104 A/m bei einer Temperatur von 4,2"K in einen Zustand hoher Magnetisierung übergeht; bei einer Feldstärke Hci = 105 A/m, bei gleicher Temperatur, geht dieses Material in einen Zustand noch höherer Magnetisierung über.
- Ein anderes mögliches Material ist HgCnSII, das bei der gleichen Temperatur bei einer magnetischen Feldstärke von 1,6. 105 A/m in einen Zustand hoher Magnetisierung übergeht.
- Das zuerst genannte Material eignet sich insbesondere für ein Kryotron, dessen erste Leitungszüge aus Blei bestehen. Das zweite Material eignet sich für ein Kryotron, dessen erste Leitungszüge aus Niob bestehen, da Niob eine höhere kritische Feldstärke besitzt. Der erstgenannte Halbleiter EuSe kann mit Gd oder mit anderen Elementen der seltenen Erden dotiert werden.
- Dadurch ändert sich der elektrische Widerstand dieses Materials unter dem Einfluß eines Magnetfeldes besonders stark. Dieser Effekt kann wie folgt ausgenutzt werden: Geht das Kryotron in den normalleitenden Zustand über, so tritt eine Erwärmung der Leitungsbahnen auf. Werden dabei nun die aus EuSe bestehenden zweiten Leitungszüge bis in die Nähe der Curie-Temperatur von EuSe erwärmt, so ist der Effekt der magnetischen Widerstandsänderung dieses Materials besonders groß. Dieser Effekt kann nun als Stellgröße für eine konventionelle Auftrennung des Stromkreises ausgenutzt werden. Sobald also der Widerstand der zweiten Leitungszüge einen Schwellwert überschreitet, wird der Stromkreis, in dem das Kryotron liegt, aufgetrennt. Damit ist mit Sicherheit gewährleistet, daß diese Auftrennung erst dann geschieht, wenn das Kryotron im normalleitenden Zustand ist Die Vektor-Größen magnetische Feldstärke H, magnetische Flußdichte B und Magnetisierung M hängen wie folgt zusammen: B = #io(H+M),
Claims (5)
- Patentansprüche: 1. Kryotron mit einem ersten Leitungszug aus supraleitendem Material, das bei Einwirkung einer kritischen magnetischen Flußdichte normalleitend wird, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß zu den ersten Leitungszügen (10, 11, 100 bis 112) zweite Leitungszüge (20, 200 bis 211) eng benachbart angeordnet sind und daß die zweiten Leitungszüge aus einem Material bestehen, welches bei einem in diesem Material wirksamen Magnetfeld einer vorgegebenen Feldstärke einen magnetischen Phasenübergang von einem Zustand mit geringer Magnetisierung in einen Zustand hoher Magnetisierung aufweist, und daß diese vorgegebene Feldstärke geringer ist als eine kritische magnetische Feldstärke, bei der die kritische magnetische Flußdichte erzeugt wird, und daß die zweiten Leitungszüge im Zustand der hohen Magnetisierung im supraleitenden Material der ersten Leitungszüge eine magnetische Flußdichte mit höherer als der kritischen Flußdichte induzieren.
- 2. Kryotron nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitungszüge des Kryotrons mäanderförmig sind.
- 3. Kryotron nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitungszüge in Dünnschicht-Technik hergestellt sind und auf einem Substrat (1) liegen.
- 4. Kryotron nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Leitungszüge durch Aufdampfen, Sputtern, galvanische Abscheidung oder durch Ätztechnik hergestellt sind, und daß die zweiten Leitungszüge durch Aufdampfen hergestellt sind.
- 5. Kryotron nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Leitungszüge aus Blei oder Niob und die zweiten Leitungszüge aus EuSe oder HgCr2S4 bestehen.Die Erfindung betrifft ein Kryotron, wie im Oberbegriff des Patentanspruches 1 angegeben ist.Kryotrons sind Schaltelemente mit Leitungszügen aus supraleitendem Material, wobei der Effekt ausgenutzt wird, daß Supraleiter normalleitend werden, wenn auf sie eine magnetische Flußdichte einwirkt, die größer als eine kritische Flußdichte ist. Man kennt bereits ein Kryotron, welches einen Leitungszug aus einem Supraleiter, der bei einer geringen magnetischen Flußdichte normalleitend wird, und einen weiteren Leitungszug besitzt, der aus einem Supraleiter besteht, der bei einer höheren magnetischen Flußdichte normalleitend wird. Diese Leitungszüge sind zumindest teilweise benachbart. In dem einen Leitungszug fließt ein Strom, dessen Magnetfeld eine kritische Feldstärke, bei der die kritische magnetische Flußdichte erzeugt wird, noch nicht erreicht. Wird jetzt durch den anderen Leitungszug ebenfalls ein Strom geleitet, so kann in Bereichen, wo die Leitungszüge benachbart sind, die kritische magnetische Feldstärke des einen Leitungszuges überschritten werden, d. h., dieser Leitungszug wird normalleitend (US-PS 30 48 707).Bei supraleitenden Anordnungen, insbesondere bei supraleitenden Kabeln, ist zu berücksichtigen, daß der Strom, der den Supraleiter durchfließt, ein von der Stromstärke abhängiges Magnetfeld erzeugt. So kann jeder Supraleiter nur von einem Strom begrenzter Stromstärke durchflossen werden, ohne die Supraleitfähigkeit zu verlieren. Wächst die Stromstärke so weit an, daß die kritische magnetische Feldstärke erzeugt wird, geht der Supraleiter bereichsweise in den normalleitenden Zustand über, d. h., stellenweise ist der Leiter noch supraleitend und stellenweise bereits normalleitend.Dabei können die normalleitenden Bereiche des Leiters unzulässig erhitzt und sogar zerstört werden.Aufgabe der Erfindung ist es, ein Kryotron anzugeben, mit dem die Stromstärke in einer supraleitenden Anordnung, insbesondere in supraleitenden Kabeln, unterhalb dieses kritischen Wertes gehalten werden kann, wobei dieses Kryotron zuverlässig arbeiten muß und nicht zerstört werden darf, wenn es den Laststrom, d. h. den Strom, der das Kabel durchfließt, unterbricht.Diese Aufgabe wird durch ein Kryotron der eingangs genannten Art gelöst, das erfindungsgemäß entsprechend dem Kennzeichen des Patentanspruches 1 ausgebildet ist.Das erfindungsgemäße Kryotron hat also die folgende Wirkungsweise: Die zweiten Leitungszüge bestehen aus einem Material, welches bei Einwirkung eines Magnetfeldes einer vorgegebenen Feldstärke einen magnetischen Phasenübergang von einem Zustand mit geringer Magnetisierung in einen Zustand hoher Magnetisierung aufweist. Sobald der Strom, der das Kryotron durchfließt, in seiner Stärke einen Schwellwert überschreitet, wirkt auf diese zweiten Leitungszüge ein Magnetfeld dieser vorgegebenen Feldstärke, welches in den zweiten Leitungszügen den Phasenübergang in den Zustand hoher Magnetisierung bewirkt. Auf Grund dieser hohen Magnetisierung wird in den ersten Leitungszügen, die aus einem supraleitenden Material bestehen, ein Magnetfeld mit einer größeren als der kritischen magnetischen Flußdichte erzeugt, so daß das supraleitende Material seine Supraleitfähigkeit verliert und in einen normalleitenden Zustand übergeht.Ein Vorteil der Erfindung ist es, daß die kritische Flußdichte allein durch den Laststrom aufgebracht wird.Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Kryotrons ist es, daß die ersten Leitungszüge längs der gesamten Strecke entlang den zweiten Leitungszügen gleichzeitig von supraleitenden in den normalleitenden Zustand überwechseln, sobald die zweiten Leitungszüge den Zustand hoher Magnetisierung annehmen. Dadurch ist ausgeschlossen, daß einzelne, sehr kurze Strecken der ersten Leitungszüge vorzeitig in den normalleitenden Zustand überwechseln.Die Leitungszüge des Kryotrons sollten eine solche Länge haben, daß der Widerstand des Kryotrons im normalleitenden Zustand der ersten Leitungszüge so groß ist, daß der Strom, der das Kryotron durchfließt, stark geschwächt wird, so daß eine konventionelle Trennung des Stromkreises möglich ist, vgl. CH-PS 4 43 509.Im folgenden werden die Erfindung und Ausführungsbeispiele der Erfindung an Hand der Figuren erläutert: F i g. 1 zeigt ein Kryotron in Draufsicht; F i g. 2 zeigt einen Ausschnitt aus der F i g. 1; Fig.3 bis 7 zeigen Schnittbilder unterschiedlicher Ausführungsformen der Erfindung.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742440576 DE2440576C2 (de) | 1974-08-23 | 1974-08-23 | kryotron |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19742440576 DE2440576C2 (de) | 1974-08-23 | 1974-08-23 | kryotron |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2440576B1 true DE2440576B1 (de) | 1976-01-02 |
DE2440576C2 DE2440576C2 (de) | 1976-08-19 |
Family
ID=5923967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742440576 Expired DE2440576C2 (de) | 1974-08-23 | 1974-08-23 | kryotron |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2440576C2 (de) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019023577A1 (en) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | PsiQuantum Corp. | SUPERCONDUCTING TRANSISTOR |
US10361703B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-07-23 | PsiQuantum Corp. | Superconducting logic circuits |
US10386229B2 (en) | 2017-05-16 | 2019-08-20 | PsiQuantum Corp. | Gated superconducting photon detector |
US10396733B2 (en) | 2017-05-16 | 2019-08-27 | PsiQuantum Corp. | Superconducting signal amplifier |
US10461445B2 (en) | 2017-11-13 | 2019-10-29 | PsiQuantum Corp. | Methods and devices for impedance multiplication |
US10573800B1 (en) | 2018-08-21 | 2020-02-25 | PsiQuantum Corp. | Superconductor-to-insulator devices |
US10879905B2 (en) | 2018-02-14 | 2020-12-29 | PsiQuantum Corp. | Superconducting field-programmable gate array |
US10944403B2 (en) | 2018-10-27 | 2021-03-09 | PsiQuantum Corp. | Superconducting field-programmable gate array |
US10984857B2 (en) | 2018-08-16 | 2021-04-20 | PsiQuantum Corp. | Superconductive memory cells and devices |
US11009387B2 (en) | 2019-04-16 | 2021-05-18 | PsiQuantum Corp. | Superconducting nanowire single photon detector and method of fabrication thereof |
US11101215B2 (en) | 2018-09-19 | 2021-08-24 | PsiQuantum Corp. | Tapered connectors for superconductor circuits |
US11289590B1 (en) | 2019-01-30 | 2022-03-29 | PsiQuantum Corp. | Thermal diode switch |
US11313719B2 (en) | 2018-05-01 | 2022-04-26 | PsiQuantum Corp. | Photon number resolving superconducting detector |
US11380731B1 (en) | 2019-09-26 | 2022-07-05 | PsiQuantum Corp. | Superconducting device with asymmetric impedance |
US11473974B2 (en) | 2018-02-06 | 2022-10-18 | PsiQuantum Corp. | Superconducting photon detector |
US11569816B1 (en) | 2019-04-10 | 2023-01-31 | PsiQuantum Corp. | Superconducting switch |
US11585695B1 (en) | 2019-10-21 | 2023-02-21 | PsiQuantum Corp. | Self-triaging photon detector |
US11719653B1 (en) | 2018-09-21 | 2023-08-08 | PsiQuantum Corp. | Methods and systems for manufacturing superconductor devices |
US11994426B1 (en) | 2019-11-13 | 2024-05-28 | PsiQuantum Corp. | Scalable photon number resolving photon detector |
-
1974
- 1974-08-23 DE DE19742440576 patent/DE2440576C2/de not_active Expired
Cited By (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10897235B2 (en) | 2017-05-16 | 2021-01-19 | PsiQuantum Corp. | Superconducting signal amplifier |
US11029203B2 (en) | 2017-05-16 | 2021-06-08 | PsiQuantum Corp. | Gated superconducting photon detector |
US12015383B2 (en) | 2017-05-16 | 2024-06-18 | PsiQuantum Corp. | Superconducting signal amplifier |
US10386229B2 (en) | 2017-05-16 | 2019-08-20 | PsiQuantum Corp. | Gated superconducting photon detector |
US10396733B2 (en) | 2017-05-16 | 2019-08-27 | PsiQuantum Corp. | Superconducting signal amplifier |
US11805709B2 (en) | 2017-07-28 | 2023-10-31 | PsiQuantum Corp. | Superconductor-based transistor |
US11283001B2 (en) | 2017-07-28 | 2022-03-22 | PsiQuantum Corp. | Photodetector with superconductor nanowire transistor based on interlayer heat transfer |
WO2019023577A1 (en) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | PsiQuantum Corp. | SUPERCONDUCTING TRANSISTOR |
US10586910B2 (en) | 2017-07-28 | 2020-03-10 | PsiQuantum Corp. | Superconductor-based transistor |
US10566516B2 (en) | 2017-07-28 | 2020-02-18 | PsiQuantum Corp. | Photodetector with superconductor nanowire transistor based on interlayer heat transfer |
US10944038B2 (en) | 2017-07-28 | 2021-03-09 | PsiQuantum Corp. | Photodetector with superconductor nanowire transistor based on interlayer heat transfer |
US12095462B2 (en) | 2017-10-05 | 2024-09-17 | PsiQuantum Corp. | Superconducting logic circuits |
US10374611B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-08-06 | PsiQuantum Corp. | Superconducting logic components |
US11133805B2 (en) | 2017-10-05 | 2021-09-28 | PsiQuantum Corp. | Superconducting logic circuits |
US10361703B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-07-23 | PsiQuantum Corp. | Superconducting logic circuits |
US11621714B2 (en) | 2017-10-05 | 2023-04-04 | PsiQuantum Corp. | Superconducting logic circuits |
US10461445B2 (en) | 2017-11-13 | 2019-10-29 | PsiQuantum Corp. | Methods and devices for impedance multiplication |
US12107375B2 (en) | 2017-11-13 | 2024-10-01 | PsiQuantum Corp. | Methods and devices for impedance multiplication |
US11108172B2 (en) | 2017-11-13 | 2021-08-31 | PsiQuantum Corp. | Methods and devices for impedance multiplication |
US12061114B2 (en) | 2018-02-06 | 2024-08-13 | PsiQuantum Corp. | Superconducting photon detector |
US11473974B2 (en) | 2018-02-06 | 2022-10-18 | PsiQuantum Corp. | Superconducting photon detector |
US11811394B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-11-07 | PsiQuantum Corp. | Superconducting field-programmable gate array |
US11362664B2 (en) | 2018-02-14 | 2022-06-14 | PsiQuantum Corp. | Superconducting field-programmable gate array |
US10972104B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-04-06 | PsiQuantum Corp. | Superconducting logic components |
US12119820B2 (en) | 2018-02-14 | 2024-10-15 | PsiQuantum Corp. | Superconducting field-programmable gate array |
US12009819B2 (en) | 2018-02-14 | 2024-06-11 | PsiQuantum Corp. | Superconducting logic components |
US10879905B2 (en) | 2018-02-14 | 2020-12-29 | PsiQuantum Corp. | Superconducting field-programmable gate array |
US11629995B2 (en) | 2018-05-01 | 2023-04-18 | PsiQuantum Corp. | Photon number resolving superconducting detector |
US11988554B2 (en) | 2018-05-01 | 2024-05-21 | PsiQuantum Corp. | Photon number resolving superconducting detector |
US11313719B2 (en) | 2018-05-01 | 2022-04-26 | PsiQuantum Corp. | Photon number resolving superconducting detector |
US10984857B2 (en) | 2018-08-16 | 2021-04-20 | PsiQuantum Corp. | Superconductive memory cells and devices |
US11475945B2 (en) | 2018-08-16 | 2022-10-18 | PsiQuantum Corp. | Superconductive memory cells and devices |
US11972794B2 (en) | 2018-08-16 | 2024-04-30 | PsiQuantum Corp. | Superconductive memory cells and devices |
US10573800B1 (en) | 2018-08-21 | 2020-02-25 | PsiQuantum Corp. | Superconductor-to-insulator devices |
US11832532B2 (en) | 2018-08-21 | 2023-11-28 | PsiQuantum Corp. | Superconductor-to-insulator devices |
US11101215B2 (en) | 2018-09-19 | 2021-08-24 | PsiQuantum Corp. | Tapered connectors for superconductor circuits |
US11830811B2 (en) | 2018-09-19 | 2023-11-28 | PsiQuantum Corp. | Tapered connectors for superconductor circuits |
US11719653B1 (en) | 2018-09-21 | 2023-08-08 | PsiQuantum Corp. | Methods and systems for manufacturing superconductor devices |
US11601127B2 (en) | 2018-10-27 | 2023-03-07 | PsiQuantum Corp. | Superconducting field-programmable gate array |
US11936380B2 (en) | 2018-10-27 | 2024-03-19 | PsiQuantum Corp. | Superconducting field-programmable gate array |
US10944403B2 (en) | 2018-10-27 | 2021-03-09 | PsiQuantum Corp. | Superconducting field-programmable gate array |
US11289590B1 (en) | 2019-01-30 | 2022-03-29 | PsiQuantum Corp. | Thermal diode switch |
US11799020B1 (en) | 2019-01-30 | 2023-10-24 | PsiQuantum Corp. | Thermal diode switch |
US11569816B1 (en) | 2019-04-10 | 2023-01-31 | PsiQuantum Corp. | Superconducting switch |
US11009387B2 (en) | 2019-04-16 | 2021-05-18 | PsiQuantum Corp. | Superconducting nanowire single photon detector and method of fabrication thereof |
US11441941B2 (en) | 2019-04-16 | 2022-09-13 | PsiQuantum Corp. | Superconducting nanowire single photon detector and method of fabrication thereof |
US11793090B1 (en) | 2019-09-26 | 2023-10-17 | PsiQuantum Corp. | Superconducting device with asymmetric impedance |
US11380731B1 (en) | 2019-09-26 | 2022-07-05 | PsiQuantum Corp. | Superconducting device with asymmetric impedance |
US11585695B1 (en) | 2019-10-21 | 2023-02-21 | PsiQuantum Corp. | Self-triaging photon detector |
US11994428B1 (en) | 2019-10-21 | 2024-05-28 | PsiQuantum Corp. | Self-triaging photon detector |
US11994426B1 (en) | 2019-11-13 | 2024-05-28 | PsiQuantum Corp. | Scalable photon number resolving photon detector |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2440576C2 (de) | 1976-08-19 |
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