DE2405866A1

DE2405866A1 - Verfahren zur herstellung eines organischen hochmolekularen films

Info

Publication number: DE2405866A1
Application number: DE19742405866
Authority: DE
Inventors: Kazuo Horiguchi
Original assignee: SUSUMU IND CO Ltd
Current assignee: SUSUMU IND CO Ltd
Priority date: 1973-09-14
Filing date: 1974-02-07
Publication date: 1975-04-17
Also published as: US3966999A; JPS587644B2; JPS5054683A

Description

2405866 Patentanwalt Dipl.-Phys. Gerhard Liedl 8 München 22 Steinsdorfstr. 21-22 Tel. 29 84 62

A 6436

SUSUMU INDUSTRIAL Co., LTD.

No. 14, Umamawashi-cho, Kamitoba, Minami-ku, Kyoto-shi, Kyoto-fu

JAPAN

Verfahren zur Herstellung eines organischen hochmolekularen Films

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines organischen hochmolekularen Films mittels einer Glüh- bzw. Glimmentladung, insbesondere ein Verfahren zur Herstellung eines organischen hochmolekularen Films durch direkte Polymerisationsablagerung des organischen hochmolekularen Überzugs auf einem Körper (Substrat) mittels einer Glühentladung innerhalb des Dampfes des organischen Monomers, wobei dieser Überzug über einen weiten Raum bzw. Bereich hinweg gleichförmig ausgestaltet und nach Wunsch in einem speziellen besonderen organischen Lösungsmittel löslich ist.

z/Li -6.09816/1012

2*05866

Es ist schon bekannt, ein organisches Monom er über eine Glüh- bzw. Glimmentladung zu polymerisieren. Das heißt, es kann eine Glühentladung zwischen einem Paar Entladungseleketroden erzeugt werden, die einander gegenüberliegend innerhalb des Dampfes eines organischen Monomers angeordnet sind, wodurch auf dem Körper, der im folgenden als "Substrat" bezeichnet wird und der an der Oberfläche einer Elektrode oder vor dieser angeordnet ist, ein Überzug abgelagert wird. Der durch das oben erwähnte Verfahren erzeugte organische hochmolekulare Film ist jedoch in jedem beliebigen organischen Lösungsmittel unlöslich, und zwar aufgrund der Brückenreaktion, die sich in ihm zu einem großen Ausmaß ergeben hat. Solch ein Film, der aufgrund der in ihm weithin fortgeschrittenen Brückenreaktion in jedem beliebigen organischen Lösungsmittel unlöslich ist, wäre jedoch verwertbar, wenn er in Anwendung der genannten Eigenschaft verwendet werden würde; solch ein Film müßte aber hinsichtlich seiner physikalischen und chemischen Eigenschaften verbessert werden, damit er in größerem Umfang als bisher verwendbar wäre. Wenn beispielsweise erwünscht ist, den auf einem Substrat abgelagerten Film an einer speziellen Stelle oder von einem bestimmten Teil hiervon zu entfernen, kann auf dasjenige Teil, an dem der Film entfernt werden soll, eine einfache Maske aufgebracht werden, bevor die Glühentladung zum Erzielen der Polymerisationsablagerung durchgeführt wird. Wenn jedoch ein kompliziertes Muster des organischen hochmolekularen Films erforderlich wird, ist das oben erwähnte Maskierverfahren ungeeignet oder unzureichend, und es wird dann vorgezogen, nachdem ein gleichförmiger organischer hochmolekularer Film auf dem Substrat abgelagert worden ist, den Film an den nicht notwendigen Stellen mittels geeigneter Mittel bzw. Einrichtungen zu entfernen.

Es ist weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines organischen hochmolekularen Films bekannt, bei dem eine photosensitive Harzen 509816/1012

verbindung mittels einer Sprüheinrichtung auf einem Substrat abgelagert oder bei dem eine Lösung einer hochmolekularen Substanz hierauf aufgetragen und getrocknet wird. Es weist jedoch jeder Film, der auf solch eine Weise erzeugt wird, hinsichtlich seiner Dicke eine bestimmte untere Grenze auf, und er ist insofern fehlerhaft, als er Zapfenlöcher aufweist, so daß er bei elektronischen Teilen nicht zufriedenstellend zur Anwendung gelangen kann. Wenn demgemäß das Glimmentladungspolymerisätionsverfahren, mittels dem - was durch konventionelle Verfahren ziemlich unmöglich war - leicht ein gleichförmiger Film in einer Dicke von weniger als mehreren Mikron geschaffen werden kann, derart verbessert werden kann, daß der organische Film gleichförmig ausgestaltet und nach Wunsch in einem besonderen organischen Lösungsmittel lösl ich ist sowie in einem weiten Bereich auf stabile Weise erzeugt werden kann, dann wäre die Anwendbarkeit des Films offensichtlich in einem weiten Bereich vergrößert.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, die obengenannten Nachteile zu beseitigen und das Verfahren der eingangs genannten Art derart auszugestalten, daß die genannten Ziele auf einfache Weise erreichbar sind.

Die Merkmale des zur Lösung dieser Aufgabe geschaffenen Verfahrens ergeben sich aus den Ansprüchen»

Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung näher erläutert. Diese zeigt in:

6436 S09816/1012

Fig. 1 im Diagramm das Prinzip der Ablagerung des organischen hochmolekularen Films auf einem Substrat mittels Glühentladung;

Fig. 2, 3

und 4 schematisch Ausflihrungsformen der Erfindung;

Fig. 5 schematisch den Verlauf der Herstellung eines organischen hochmolekularen Films gemäß dem konventionellen Verfahren der Glühentladung;

Fig. 6 einen Schnitt gemäß linie A-A in Fig. 2 und Fig. 7 einen Schnitt gemäß Linie B-B in Fig. 3 .

Bei der schematisch in Fig. 1 dargestellten Glühentladungsvorrichtung sind ein Reaktionsrohr 1 für die Glühentladung, E nt lad ungs elektroden 2, 3, die einander gegenüberliegend im Reaktionsrohr 1 an dessen linker bzw. rechter Seite angeordnet sind, sowie ein Substrat 4 vorgesehen, das zwischen den beiden Elektroden 2 und 3 angeordnet ist. Wenn in solch einem Glühentladungsrohr 1 ein Satz aus Elektroden 2 und 3, die im Abstand voneinander angeordnet sind, im richtigen Zustand gehalten wird, wird durch Hervorrufen einer Entladung eine positive Säule zwischen den Elektroden 2, 3 errichtet. Die positive Säule kann als sogenannte Plasmazone 5 gesehen werden, in der Elektronen sowie Ionen mit jeweils der entsprechenden, we itgehend einander gleichen Dichte'anwesend sind und die als eine Art von leitendem Gas betrachtet werden kann. Wenn das Substrat 4 innerhalb der Plasmazone 5 in einem Zustand angeordnet ist, daß das Substrat 4 von beiden Entladungselektroden 2,3 aus bzw. unter deren Wirkung elektrisch floatet, biegen sich die Elektronen, die sehr viel mehr

509816/1012 6436

Energie als die Ionen in der Plasmazone 5 besitzen, schneller als die Ionen und bringen die Oberfläche des Substrats 4 auf ein negatives Potential, was darauf beruht, daß die Elektronen auf die Substratoberfläche auftreffen. Das negative Potential ist sehr viel tiefer als das Plasmapotential und liegt in der Größenordnung von etwa einigen bis 10 Volt, höchstens mehreren Volt. Aufgrund des Umstandes, daß das Potential an der Subetratoberfläche erniedrigt ist, werden die Elektronen hiervon zurückgestoßen, wodurch sich zwischen der Oberfläche des Substrats 4 und dem benachbarten freien Raum ein Gleichgewicht einstellt. Es wird daher in dem Raum, der sich in nächster Nachbarschaft der Oberfläche das ein negatives Potential aufweisenden Substrats 4 befindet, die Elektronendichte aufgrund der abgestoßenen bzw. zurückgestoßenen Elektronen niedrig werden^ wodurch das Substrat 4 von einer dünnen Ioüeawölke (lonenhüll© β des Plasmas) umgeben ist; Da die auf di© ©bei erwähnte Weise tsmarhalb der Plasmazone 5 eingeschlossene öberfläsh© des Substrats 4 durch die lonenhülle β elektrisch abgeschirmt ist, wird deswegen «te polymerisierte Film, der in dem oben ©rwälmten Zustand mitt©2g der Glühentladungspolymerisatioa direkt auf dem. Substrat 4 abgelagert wird, nicht metis· weiter Kollisionen vos ülaktroneii mit hoher Enargi© ausgesetzt. Aus d.@m dbm ©räumten Grnaä tgfc die AfelageruHgsrate bzw. -menge am polymorisleFten Üfe©j?si^&f sieht so hoch wie im Entladussgsraum (das ist der Rmm A rasa B im Fig. 1) ausselili@Micli der EidstrodfBiefe^rfiiehea miu der p^Sivm Eäiue (der Flasiaazcm©), jedoch ist die Brtc3k@nreaktioit, die BMi aasonsten aufgrund der Kollision mit den Elekfcroaeffi ergäbe, sdir gering. Es ist demgemäß der organische Überzug,, der unter einer adäquaten, mittels einer entsprechenden Eüs teilung erzielten Bedingung durch eine Glühbzw. Glimmentladung auf dem Substrat abgelagert worden ist, im allgemeinen im Anfangsmonom er oder - mit Ausnahme von Monomeren in solchen hierzu analogen organischen Lösungsmitteln löslich, die,

6436 5 0 9 816/1012

wie beispielsweise Di-vinyl-benzol, eine Brückenreaktion bewirken. Bei der praktischen Anwendung zeigt die Glühentladung jedoch die Neigung, hinterher anormal zu sein, oder es wird der Druck des Monom er gas es häufig variiert, so daß sich oft ein pulvriger Zustand der teilweise abgelagerten Polymerisation zeigt. Außerdem kann sich die Glühentladung häufig teilweise konzentrieren, wodurch in großem Ausmaß die Ausbildung eines organischen hochmolekularen Films mit einer gleich großen Löslichkeit verhindert und dadurch die Ablagerung teilweise unlöslich wird. Solch ein Film würde jedoch in dem darauffolgenden Verfahrensschritt Störungen hervorrufen. Abgesehen von der Änderung des Zustandes der jeweiligen Glühentladung ist aber auch die-Feldintensität bei der Glühentladung in Bereichen nahe der beiden Entladungselektroden sehr viel höher, und es zeigt sich häufig, daß in solchen Zonen in der positiven Säulen ein Film abgelagert wird, der nicht in jedem beliebigen organischen Lösungsmittel löslich ist, so daß diejenigen Bereiche, bei denen ein in einem organischen Lösungsmittel löslicher Film erzielt wird, begrenzt und unstabil sind. Erfindungsgemäß wurde nun zur Vermeidung der beim Stand der Technik unvermeidbaren Nachteile folgendes Verfahren geschaffen:

I. Zwei Siebplatten 7,7, deren Perforationen eine geeignete Gr öße aufweisen, sind einander gegenüberliegend gegen den Strom der positiven Säule der Glühentladimg 5 (Piasma^one) in der Nähe deren beiden Enden in einem Zustand angeordnet, daß sie von den beiden Entladungselektroden 2,3 elektrisch beaufschlagt werden, wobei die beiden Siebplatten 7,7 jeweils dicht an der Reaktionsrohrwand angeordnet und miteinander mittels eines Leiters 8 verbunden sind. Innerhalb des Raumes ρ zwischen den beiden Siebplatten 7, 7 ist eine Gruppe von Substraten 4 angeordnet, auf denen innerhalb des gesamten, der positiven Säule entsprechenden Raumes ein organischer

6436 509816/1012

hochmolekularer Film gleichförmig abgelagert werden soll. Dieser Film ist dann in einem bestimmten organischen Lösungsmittel löslich. Wenn dann zwischen den in der oben erwähnten Weise angeordneten Siebplatten 7,7 eine Glühentladung erzeugt wird, zeigt sich, daß die freien Räume q und r, die jeweils zwischen den beiden Siebplatten 7,7 und den beiden Enth dungs elektroden 2, 3 gebildet sind, eine große Helligkeit aufweisen, während der Raum p, der der positiven Säule zwischen den beiden Siebplatten 7,7 entspricht und in dem die Gruppe der Substrate 4 angeordnet ist, relativ dunkel ist, s ο daß sich zwischen beiden Seiten jeder Siebplatte 7 ein Helligkeitsunterschied zeigt. Das bedeutet, daß sich der Raum ρ zwischen den beiden Siebplatten 7,7 als geeignet für Ablagerung eines gleichförmigen polymerisieren Films erweist. Die Siebplatten 7,7 sind äußerst vorteilhaft, um Nachteile bzw. Störungen zu vermeiden, wie sie sich beispielsweise aufgrund einer anormalen E^ladung ergeben, die sich beispielsweise an einer Stelle der Elektrodenoberfläche ergäbe, an der ein Karbid ausgefallen ist. Demgemäß ist zu erwarten, daß sich in dem positiven Säulenraum entsprechend der Plasma zone 5 zwischen den beiden Siebplatten 7,7 eine gleichförmige unstabile Entladung ergibt. Das aus Flg. 2 ersichtliche Entladungsrohr 1 ist mit einem Einlaß 9 zum Einleiten des Monomers, einem Auslaß 10 zum Herausleiten des Monomers sowie mit Ventilen 11,11 für den Einlaß 9 und den Auslaß 10 versehen.

Ώ. Beim weiteren Studium des auf die oben beschriebene Weise erzielten hochmolekularen Films zeigt sich, daß der Erweichungspunkt des organischen hochmolekulare!!, in bestimmten ausgewählten organischen Lösungsmitteln löslich;«» Films Sn Abhängigkeit davon unterschiedlich ist, wo das Substrat 4 innerhalb der Plasmazone 5 angeordnet war. Das bedeutet mit anderen Worten, daß der Erweichungspunkt des auf dem Substrat 4 abgelagerten organischen Films

6436 509816/1012

- 8-

um so höher ist, je weiter vom Einlaß 9 entfernt das Substrat 4 angeordnet ist. Diese Tatsache kann dem Umstand zugeschrieben werden, daß solche Einflüsse, wie die Geschwindigkeit des monomeren Gases innerhalb des Reaktionsrohrs, die Änderung des Partialdruckes des Monomers in bezug auf die Zeit und auf den freien Raum sowie die Energie der Glühentladung, in komplizierter Weise miteinander verbunden sind. Erfindungsgemäß kann nun das Problem des irregulären bzw. unregelmäßigen Erweichungspunktes gelöst werden, und es kann die Streuung des Erweichungspunktes in bezug auf die Lage des Substrates, auf den der organische hochmolekulare Film abgelagert wird, auf ein Minimum begrenzt werden; hierdurch läßt sich ein organischer hochmolekularer Film erzeugen, der eine sehr viel größere Gleichförmigkeit aufweist. Das Verfahren zum Erzielen dieser Eigenschaft läßt sich folgendermaßen beschreiben:

Bei der aus Fig. 3 ersichtlichen Ausführungsform der Vorrichtung zur Durchführung des genannten Verfahrens sind innerhalb eines GKihentladungsreaktionsrohres 1 Entladungselektroden 2,3 sowie eine Gruppe von Substraten 4 vorgesehen, die horizontal zwischen den Entladimgeelektroden 2,3 in solch einem Zustand angeordnet sind, daß auf ihnen organischer:? hochmolekularer Film abgelagert werden kann. Im GTühentlariungflrnhr 1 ist an einer den Substraten 4 gegenüberliegenden oberen Stelle derart eine Monomergaselnführung 16 vorgesehen, daß deren Bodenfläche den gesamten Raum bedeckt, in dem die Substrate 4 angeordnet sind. Die Gaseinführung 15 ist von einem Monomergaaeinlaß 12 aus bis zu der von einer perforierten Platte 14 gebildeten Bodenfläche aus erweitert, wobei die perforierte Platte 14 eine Vielzahl von Perforationen aufweist. Die Bodenfläche der perforiert» Platte 14 ist parallel zur Ebene der zueinander ausgerichteten Substrate 4 angeordnet^ um hierdurch

509818/1012 6436

einen gleichförmigen Spalt bsw. Zwischenraum zu bilder.. Aufgrund der beschriebenen Anordnung läßt sich die Zeit, welche das ina@rhalb der Gas einführung 15 befindliche monomere Gas benötigt, um in das Entladungsrohr 1 m gelangen und auf den Substraten 4 abgelagert zu werden, (Verweilzeit genannt) über einen weite% die Substrate einschließenden Bereich gleichförmig gestalten; gleichfalls läßt sich die Zufuhr des monomeren Gases durch die Perforationen 13 der perforierten Platte 14 hindurch über einen weiten Flächenbereich dieser Platte· hinweg gfeieMQrmlg gestalten^ wtA es läßt sich die Streuung das Erweiehusagspunkiteg d©s abgelagerten organischen Films, di@ gleis ansonsten aiis d©f unterschiedlichen Anordnung übt Substrat© ©gglife®, aisf-©äa MMteTOm feegr@&g@s₀ Das ■Entladungsrohr 1 gemäß FIg, 3 ist im I
sowie mit hierfür

ΙΠ. Das wesentliche Merkmal der irfiMaiif Hegt daher gemäß Merkmal I in einem ¥@rfate©a %w? MeiMg&E'Wig eSmes förmig in eüiem organiscliiga L5siagi5®Efe©l lcMieiiea laren Films auf iiibstrateaj, äie ia umm άβκ pmltiwem. Sänal© (F zone) @ntspr@chenä@E BaMa ©ise? Glüs^atlMimg aag©ardß@t s und sadererseite gemäi Mezlmml H la eisern lfepfateess zraa

b@i aE@E₉ üsor ©iiiea w©£t@® Baum Mnwsg sageöKBasfes ii^stsatea g,i»fw©is©K. Wean die oben ©rwäkiten beMea ligsMiwm te EeaMsat&ois durchgeführt werden, läßt sich ein wei%eh©sid farbloser«, trans^renter organischer Film, der in einem ausgewählten organischen Lösungsmittel gleichförmig löslich ist, an der Oberfläche einer Vielzahl von Substraten niederschlagen, die in einem weiten Bereich innerhalb der Plasmazone eines Glühentladungsrohres angeordnet sind, und zwar unabhängig davon, ob das Substrat leitend ist oder nicht. Gleichzeitig wei&t dieser Film weithin die gleiche Erweichungstemperatur

_mm . 609818/1912 . .- '

7 10-

bzw. den gleichen Erweichungspunkt an jeder beliebigen Oberflächenstelle jedes Substrates auf. Aus Gründen der Raumersparnis kann eine Vielzahl aus Einheiten, die jeweils aus mehreren perforierten Platten zum Einleiten des monomeren Gases sowie aus einem Substratträger bestehen, übereinander angeordnet werden, wobei eine solche Anordnung im Hinblick auf eine Massenproduktion von großem Vorteil ist. Bei der aus Fig. 4 ersichtlichen Ausführungsform einer Vorrichtung zur gleichzeitigen Durchführung der Verfahren gemäß I und Π entsprechen die Bezugsziffern 1 bis 5 sowie 7 bis 17 denj enlgen gemäß Fig. 2 und 3. Hierbei ist außerdem mit dem Reaktionsrohr 1 ein Monometer 18 verbunden. In die GHihentladungspolymerisatici:^7Oi richtung gemäß Fig., 4 werden nun die Substrate 4, beispielsweise Glasplatten, eingeführt und entsprechend angeordnet. Nachdem das Innere des Rohrs 1 bis auf

-5
etwa 10 Torr evakuiert worden ist, wird vom Monom er gaseinlaß 12 her Styroldampf eingeleitet. Die Evakuierung wird fortgesetzt, so daß der Innendruck auf 0,3 Torr gehalten wird, und es wird zur Erzeugung einer Glühentladung zwisehen den beiden Elektroden 2, 3 ein Potential von 100 mA, 5 kHz angelegt. Die Entladung wird 20 Minuten lang aufrechterhalten und sodann unterbrochen. Hierauf werden die Glasaubstrate 4 herausgenommen. Es läßt sich hierdurch ein auf den Giaasubstratan 4 abgelagerter hochmolekularer Film erzeugen, der weitgehend farblos sowie transparent ist und eine Dicke von etwa 1 Mikron (μ }aufweist. Wenn die den hochmolekularen Film aufweisenden Glassubstrate in ein Xylol-Lösungsmittel eingetaucht werden, zeigt sich, daß sich der gesamte in der Plasmazone auf den Substraten abgelagerte Film vollständig auflöst. Wenn Scheiben, die durch Abkratzen*s Films von einem überzogenen Substrat erzeugt wurden, mittels eines Schmelzpunktmikrometers gemessen werden, zeigt sich, daß der Erweichungspunkt in einem Größenbereich von 60 bis 61 ⁰C liegt, was im völligen Gegensatz

6436 60981S/1Ü1

zu dem weiten Streuungsbereich von 45 bis 102 °c liegt, den der Erweichungspunkt desjenigen hochmolekularen Films aufweist, der mittel s einer Glühentladung durch eine konventionelle Vorrichtung gemäß Fig. 5 ohne Siebplatte 7 und ohne Monom ergaseinführung 15 erzeugt wurde. Außerdem zeigt die Löslichkeit des mittels einer konventionellen Vorrichtung erzeugten Films in dem Xylol-Lösungsmittel eine große Ungleichmäßigkeit, wenn sie innerhalb eines Überzuges auf demselben Glassubstrat gemessen wird. Das Verhältnis auf den Substraten, die einen unvollkommen löslichen Film aufweisen, zu den untersuchten Substraten, liegt bei etwa 50 %, was im Gegensatz zu dem Ergebnis steht, das mit demdurch das erfindungsgemäße Verfahren erzeugten Film erzielt wird und bei 100 % liegt. Weiterhin zeigt sich bei einigen der mittels des konventionellen Verfahrens überzogenen Substraten, daß hierauf teilweise ein pulverisierter Niederschlag erzeugt wird. Das konventionelle Glühentladungsre&tionsrohr 1 gemäß Fig. 5 ist mit Entladungs elektroden 2,3, zwischen denen Substrate 4 angeordnet sind,- mit einem Monomergaseinlaß 9, einem Monomer gasauslaß 10, Ventilen 11,11 sowie mit einem mit dem Reaktionsrohr 1 in Verbindung stehenden Monometer 18 versehen. Demgegenüber weist das erfindungsgemäße Glühentladungesystem die folgen« den Unterschiede bzw. Vorteile auf. . .

1. Da es in der Nähe der Enden der Plasmazone zwischen den Glüh entladungs elektroden· mit perforierten Platten versehen ist, läßt sich in der Plasmazone bzw. zwischen den Siebplatten ein Raum schaffen bzw. verwirklichen, der sich zur Ablagerung eines gleichförmigen polymerisieren Films eignet.

2. Durch das Einführen von Monom ergas durch die Perforation in der perforierten Platte in Richtung auf die in der Plaemazone ange-

509816/1012
6436

ordnete Gruppe der Substrate läßt sich ein organischer Film, der in einem ausgewählten organischen Lösungsmittel gleichförmig löslich ist, auf den Substraten ablagern, wobei die Erweichungspunkte jedes Films auf einem beliebigen Substrat weitgehend gleich sind, unabhängig davon, an welcher Stelle des Erstreckungsberdches in der Plasmazone das Substrat angeordnet ist. Demgemäß läßt sich das erfindungsgemäße Verfahren mit Vorteil im breiten Anwendungsbereich der Herstellung verschiedener Arten von elektronischen Materialien anwenden, wobei sich bei der Herstellung dieser Materialien die unter 1 und 2 geschilderten Vorteile erzielen lassen, was im Hinblick auf die industrielle Fertigung von großer Bedeutung ist.

6436 509816/1012

Claims

Patentansprüche

Iy Verfahren zur Herstellung eines organischen hochmolekularen Films durch Ablagern eines hochmolekularen Überzuges auf einem Körper (Substrat), der innerhalb einer Plasmazone entsprechend, dem Umfang der positiven Säule einer Glühentladung in einem Zustand angeordnet ist, daß der Körper von den Entladungselektroden aus elektrisch beaufschlagtwird, dadurch gekennzeichnet, daß ein Paar Siebplatten, deren Perforationen eine entsprechende Größe aufweisen, einander gegenüberliegend gegen den Strom der positiven Säule an beiden Enden der Plasmazone entsprechend dem von der positiven Säule eingenommenen Raum zwischen beiden Entladungselektroden angeordnet werden, daß die beiden Siebplatten miteinander mittels eines Leiters verbunden sowie dicht an den Wänden des Entladungsrohres angeordnet werden, und daß ein Monomer auf dem Körper (Substrat) abgelagert

wird, wobei der Überzug in einem vorbestimmten organischen Lösungsmittel löslich ist.
2. Verfahren zur Herstellung eines organischen hochmolekularen Films durch Ablagern eines hochmolekularen Überzuges auf einem Körper (Substrat), der innerhalb einer Plasmazone entsprechend dem von der positiven Säule einer Glühentladung eingenommenen Raum in solch einem Zustand angeordnet ist, daß der Körper von den Entladungselektroden elektrisch beaufschlagt wird, dadurch gekennzeichnet, daß eine Platte mit Perforationen in parallelem Abstand zu dem Körper (Substrat) angeordnet und derart innerhalb der Plasmazone gelagert wird, daß die Platte die gesamte entsprechende Fläche über dem Körper (Substrat) überdeckt, daß zur Herstellung eines auf dem Körper (Substrat) abgelagerten organischen hochmolekularen Überzuges ein Monomer durch

6436 . . 509818/1012

die Perforationen in der Platte in Richtung auf den Körper (Substrat) innerhalb der Plasmazone eingeleitet wird, wobei der Überzug unabhängig von seiner Lage innerhalb der Plasmazone an jedem beliebigen Punkt des Körpers (Substrat) die gleiche Erweichungstemperatur aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Paar Siebplatten, deren Perforationen eine entsprechende Größe aufweisen, einander gegenüberliegend gegen den Strom der positiven Säule an beiden Enden der Plasmazone entsprechend dem von der positiven Säule eingenommenen Raum zwischen den beiden Entladungselektroden angeordnet werden, daß die beiden Siebplatten miteinander mittels eines Leiters verbunden und dicht an den Wänden des Entladungsrohres angeordnet werden, und daß eine Platte mit Perforationen in parallelem Abstand zu dem Körper (Substrat) angeordnet und derart innerhalb der Plasmazone gelagert wird, daß die Platte den gesamten entsprechenden Bereich über dem Körper (Substrat) überdeckt, wodurch ein Monomer durch die Perforationen in der Platte hindurch in Richtung auf den Körper (Substrat) innerhalb der Plasmazone eingeleitet und hierdurch auf dem Körper (Substrat) ein organischer hochmolekularer Überzug abgelagert wird, der in einem vorbestimmten organischen Lösungsmittel löslich ist und unabhängig von der Lage der Ablag er ungsstelle innerhalb der Plasmazone die gleiche Erweichungstemperatur an jeder beliebigen Stelle des Körpers (Substrat) aufweist.

509816/1012

Leerseite