DE2363625B2 - Stromspiegelungs-verstaerker - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Kaskadenverstärker der im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegebenen Art.

Eine Stromspiegelschaltung ist ein Stromverstärker mit einer Stromverstärkung von —1 und wird üblicherweise bei integrierten Schaltkreisen benutzt. Eingangsstromschwankungen, die dem üblicherweise eine relativ geringe Impedanz aufweisenden Eingangskreis zugeführt werden, erzeugen dazu gleiche und entgegengesetzte Ausgangsstromänderungen in dessen Ausgangskreis, der üblicherweise eine relativ hohe Impedanz aufweist. Die Stromspiegelschaltung weist üblicherweise ein Paar Transistoren mit gleichen Basis-Emitter-K^reisen auf, die durch eine negative Rückkoppelschaltung gemeinsam vorgespannt werden, indem der Kollektor des ersten Transistors mit der Basis verbunden wird. Der negative Rückkoppelkreis regelt den Kollektorstrom des ersten Transistors derart, daß er im wesentlichen den gleichen Wert besitzt wie ein angelegter Eingangsstrom. Infolge der durch die Basis-Emitter-Verbindungen hergestellte Zustandsübereinstimmung sind die Kollektorströme der Transistor η im wesentlichen gleich. Am Kollektor des zweiten Transistors tritt daher ein Ausgangsstrom auf, der dem dem Kollektor des ersten Transistors zugeführten Eingangsstrom im wesentlichen gleich und entgegengesetzt ist. Um noch sicherer zu gehen, daß die Kollektorströme des Transistorpaares gleich sind, werden Emitter-Koppelwiderstände mit gleichen Widerstandswerten üblicherweise benutzt. Stromspiegelschaltungen werden oft als aktive Belastungen für Differential-Verstärker-Transistoren verwendet und setzen in dieser Funktion die Differentialverstärker-Ausgangsströme in geeigneter Weise zusammen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Kaskadenverstärker zu schaffen, bei dem die Kollektor-Emitter-Ströme der Transistoren des Differentialverstärkers symmetrisch sind, also keine Unausgewogenheiten aufweisen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.

Weiterbildungen und Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.

Die Fig. 1, 2 und 3, an Hand deren die Erfindune beisDielsweise näher erläutert werden soll, zeigen in schematischer Darstellung einen Differentialverstärker, der mit einer als aktive Belastung dienenden Stromspiegelschaltung versehen ist und dem ein Transistor-Verstärker mit geerdetem Emitter in Kaskadenschaltung direkt nachgeschaltet ist, wobei jede Stromspiegelschaltung eine verbesserte Anordnung darstellt, in der die vorliegende Erfindung enthalten ist, und durch die die direkte Kopplung des Differentialverstärkers und des Transistorverstärkers mit geerdetem Emitter erleichtert wird.

Fig. 1 zeigt eine Schaltungsanordnung, in der der Gegenstand der vorliegenden Erfindung mit Vorteil angewandt werden kann. Eine Quelle 5 für die Eingangssignale ist mit einem Differentialverstärker 10 verbunden, der Ausgangsströme mit gleichen oder entgegengesetzten Stromänderungen für eine Stromspiegelschaltung 20 erzeugt, wobei die Stromspiegelschaltung 20 die Stromänderungen in geeigneter Weise in Zusammenhang bringt, um sie einem nachfolgenden Transistorverstärker 30 zuzuleiten, dessen Emitter geerdet ist. Die Stromspiegelschaltung 20 soll die Ruheströme /,, I₂, die nahezu gleich sind, so weit wie möglich vom Differentialverstärker 10 abziehen, um zu vermeiden, daß unterschiedliche Vorspannungen an den Transistoren 11, 12 anliegen. Derartige unterschiedliche Vorspannungen würden dazu führen, daß die Gegenwirkleitwerte der Transistoren 11, 12 sich voneinander unterscheiden, was dazu führen würde, daß unerwünschte Potentialversetzungen zwischen den Eingangsklemmen 6, 7 des Differentialverstärkers 10 auftreten.

Die Transistoren des Differentialverstärkers 10 sind, wie dies in der Zeichnung dargestellt ist, PMOS-Feldeffekt-Transistoren 11, 12, die vorzuziehen sind, weil sie im Vergleich zu Bipolar-Bauelementen eine hohe Eingangsimpedanz aufweisen. Üblicherweise ist es kritischer, daß die Amplituden der an die Stromspiegelschaltung angelegten Ruheströme /,, /., gleich sind, wenn für den Differentialverstärker 10 — wie dargestellt — quellengekoppelte PMOS-Transistoren anstatt emittergekoppelte pnp-Bipolar-Transistoren verwendet werden. Der Grund ist der, daß die MOS-Transistoren bei den meisten Strompegeln einen wesentlich niederen Gegenwirkleitwert als die Bipolar-Transistoren haben, so daß bei nur geringer Fehlanpassung der Ausgangsruheströme /,, I₂ in einem Differentialverstärker, bei dem MOS-Transistoren verwendet werden, eine größere differentielle Versetz-Eingangsspannung verursacht wird, als wenn in dem Differentialverstärker Bipolar-Transistoren benutzt werden.

Um eine einfache Eingangs-Vorspi.nnung zu erhalten, und um die direkte Ankopplung von den Signalquellen, die auf das Erd-Referenz-Potential bezogen sind, zu erleichtern, werden die Steuerelektroden der Transistoren 11, 12 durch die Widerstände 13, 14 gegenüber dem Erd-Bezugspotential gleichstrommäßig vorgespannt. Die miteinander in Verbindung stenenden Quellenelektroden der Transistoren 11,12 werden mit einem gleichförmigen Quellenstrom aus einer Stromquelle 15 versorgt. Da die Steuerelektroden der PMOS-Transistoren 11, 12 nahezu auf das Abflußelektroden-Versorgungspotential vorgespannt sind, werden die Transistoren durch das dadurch verringerte Abfluß-Quell-Potential in einen Bereich gebracht, wo deren Ausgangswiderstand und der Gegenwirkleitwert wesentlich verringert ist, weil das Bauelement nahezu im Sättieuneszustand arbeitet.

Dadurch wird auch die differentielle Eingangs-Spannungsversetzung zwischen den Steuerelektroden der Transistoren 11, 12 vergrößert, wodurch ihre Abflußströme /,, /₂ fchlangepaßt werden. Die npn-Transistoren 23, 24 in der Stromspiegelschaltung werden auch bei einem Kollektor- Emitter-Potential von nur etwa einem Basis-Emitter-Versetzpotential (1 V_nv, etwa 650 Millivolt) betrieben, das nicht weit vom Kollektor-Sättigungspotential (etwa 100 bis 200 Millivolt) entfernt ist. Da die Temperatur leicht ansteigt, fällt das \-V_HI -Kollektor-Emitter-Potential, wodurch man noch näher an das ansteigende Sättigungspotential herankommt. Dies führt dazu, daß die Stromspiegelschaltung 20 weniger gut abgeglichene Ströme /,, I₂ aus den Abflußelektroden der Transistoren 11, 12 abzieht.

Die Stromspiegelschaltung 20 besteht im wesentlichen aus den Transistoren 23, 24 und den Widerständen 25, 26, 27, 28. Die Kollektorströme der Transistoren 23 und 24 sind im wesentlichen gleich, vorausgesetzt daß diese Transistoren im wesentlichen gleichen Aufbau und eine gleiche Umgebungstemperatur besitzen, und zwar so lange, wie die Basis-Emitterkreise der Transistoren 25, 26 gleich sind. Wenn die Werte der Emitter-Widerstände 25, 26 der Transistoren 23, 24 gleich sind, etwa einen Wert R haben, oder Null sind, sind auch die Basis- und Emitter-Ströme im wesentlichen gleich, da die Basen dieser Transistoren auf dem gleichen Potential liegen und da die Emitter über Widerstände mit gleichen Widerstandswerten an einer gemeinsamen Klemme 29 liegen, die geerdet ist. Sieht man von den üblicherweise viel kleineren Basisströmen der basisverbundenen Transistoren 23, 24 ab, so würden gleiche Kollektorströme über die Klemmen 21, 22 zugeführt werden.

Bei bekannten Stromspiegelschaltungen, die der Stromspiegelschaltung 20 ähnlich sind, jedoch statt der Widerstünde 25, 26, 27, 28 direkte Verbindungen aufweisen, wurde häufig festgestellt, daß Unausgewogenheiten in den Kollektorströmen der Transistoren, aus denen die Stromspiegelschaltung besteht, infolge etwas unterschiedlicher Gegenwirkleitwerte auftreten. Diese Unausgewogenheit wurde bei späteren Stromspiegelschaltungen im wesentlichen vermieden, bei denen Emitter-Koppelwiderstände beispielsweise 25, 26 mit gleichen Widerstandswerten R vorgesehen waren. Die vorliegende Erfindung beruht nun auf der Feststellung, daß diese Emitter-Koppel-Widerstände 25, 26 (ohne den Widerstand 28 in der vorliegenden Anordnung) eine Schwierigkeit mit sich bringt, wenn die Ausgangsklemme 22' des Stromverstärkers das Ausgangssignal und die Basis-Vorspannung für den Transistor 30 liefert.

Kurz gesagt, wenn der Widerstand 28 nicht vorhanden ist, ist der Punkt 22 der Punkt 22', d. h., die Punkte 22 und 22' liegen auf dem gleichen Potential. Der Wert dieses Potentials ist V_BK!ttl, da der Emitter des Transistors 30 geerdet ist. Der Punkt 21 liegt jedoch auf einem Potential K₇^₂₃ (im Hinblick auf die Rückkoppel-Verbindune von der Basis des Tran- -^;stors 23 zum Punkt 21) plus der Spannung K₂. über dem Widerstand 25. Da F_ߣ2, = V_BFm, ^u"d da V₂₅ einen beträchtlichen Wert aufweist, bedeutet dies. daß K.,, sich wesentlich von K.,„ unterscheidet. Die MOS-Transistoren 11, 12 werden daher ungleiche Abfluß-Quell-Ruhepotentiale aufweisen, wobei die relativen Gegenwirkleitwerte davon berührt werden und eine unerwünschte Versetzung des Ruhe-Versetzpotentials zwischen den Klemmen 6 und 7 auftritt.

Um ähnliche Gleichstrom-Arbeitsbedingungen für die PMOS-Transistoren 11, 12 zu erhalten, sollten die Gleichspannungen an den Eingangsklemmen 21, 22 der Stromspiegelschaltung 20 gleich sein. Das Potential an der Eingangsklemme 21 wird über die negative Rückkoppel-Verbindung im Kollektor-Basis-Kreis des Transistors 23 auf ein Basis-Emitter-Verselzpolential K/./..,., über dem Potential am Emitter des Transistors 23 geregelt. Diese Spannung K_n,.-wird für den Transistor 23 benötigt, um einen Kollektorstrom zu ziehen, der dem Strom I₁ im wesentlichen gleich ist, wobei die Basis-Ströme der Transistoren 23 und 24 üblicherweise im Verhältnis zum Strom /, vernachlässigbar klein sind.

Der Ruhe-Emitterstrom //;.,., des Transistors 23, der durch den Emitter-Widerstand 25 fließt, erzeugt über diesem einen Ruhe-Spannungsabfall /,.·,,.,·/?.

Das Ruhepotential an der Eingangsklemme 21 ist (^ hum + Λ;₂.ι^)· ^w'^e dies '^m Zusammenhang mit der gemeinsamen Klemme 29 der Stromspiegelschaltung 20 beschrieben wurde. Das Ruhepotential an der Ausgangsklemme 22' wird durch die Basis-Emitter-Klemmwirkung des Transistors 30 auf einem Basis-Emitter-Versetzpotential K_i(/;₃₀ gehalten. V_lu. ₃₀ und Vin _2:) sind im wesentlichen gleich, wenn die Ströme innerhalb der gleichen Größenordnung liegen.

Die vorliegende Erfindung beruht unter anderem auf der bereits genannten Feststellung, weshalb die bekannten Schaltungsanordnungen (die Koppelwiderstände 25 und 26 aufweisen, aber den Widerstand 28 nicht aufweisen) weniger gut arbeiten als man erwarten könnte, und welche Mängel dazu führen, daß die Versetzung zwischen den Ruhe-Eingangs-Potentialen an den Klemmen 6 und 7 des Differentialverstärkers 10 auftreten. Der Grund für diese unzulängliche Betriebsweise kann auf die ungleichen Ruhepotentiale an den Klemmen 21 unci 22 zurückgeführt werden, die an den MOS-Transisi.oren 11, 12 ungleichmäßige Arbeitspunktverhältnisse verursachen.

Um das Potential an der Eingangsklemme 22 mit dem Potential (K_n,.-₂₃ 4- I_F23R) an der Klemme 21 gleichzumachen, während die Basisspannung am

Transistor 30 im wesentlichen gleich K_n/f.,₃ ist, muß eine Maßnahme vorgesehen sein, um einen Spannungsabfall /, ₂₃ · R zwischen den Klemmen 22 und 22' zu erzeugen.
Da der Basis-Ruhestrom des Transistors 24 im Verhältnis zum Strom Z₁ als vernachlässigbar angesehen werden kann, ist /^₂₃ im wesentlichen gleich dem Strom /,. Der Spannungsabfall zwischen den Klemmen 22 und 22' sollte daher gleich /, R sein. Da 7, gleich /., sein sollte, sollte der Spannungsabfall zwisehen den Klemmen 22 und 22', der durch den Strorr /„ verursacht wird, gleich I₂R sein. Diese Bedingung bekommt man dadurch, daß man einen Widerstand 28, der ebenfalls einen Widerstandswert R besitzt zwischen die Eingangsklemmen 22 und 22' legt.

Bei Abwesenheit des Widerstandes 27 wird di( Kollektorspannung des Transistors 24 etwas wenigei positiv als die Kollektorspannung des Transistors 22 sein, was dazu führt, daß der Gegenwirkleitwert die ser Transistoren etwas unterschiedlich ist. Dies win

⁶S andererseits die Ausgewogenheit der Abflußelektro denströme der PMOS-Transistoren 11, 12 beeinflus sen, wobei eine unerwünschte Versetzung zwischei den Steuerelektroden-Pcitentialen dieser Transistors

11, 12 hervorgerufen wird. Ein Widerstand 27 mit einem Widerstandswert R stellt eine Schaltungsverfeincrung dar, die die Kollektorspannungen derTransistorcn 23, 24 gleichmacht.

Um die relativen Abflußruheströme der Transistoren 11, 12 noch genauer einstellen zu können, kann man ein Potentiometer 40 nach Art bekannter Schaltungen benutzen, wie dies in der Fig. 1 dargestellt ist. Der Widerstandswert des Potentiometers ist größer als R zwischen jedem der Klemmen 41, 42 und dem Erdpotential, wenn der Potentiometerabgriff in der Mittelstellung zwischen den Klemmen 41 und 42 steht. Das Potentiometer kann auch dazu verwendet werden, um gewisse Unterschiede in den Widerstandswerten derWiderstandselemente25,26 auszugleichen.

Eine (nicht dargestellte) direkt gekoppelte Rückkoppelschaltung kann die Ausgangsklemme 35 am Kollektor des emittergeerdeten Transistorverstärkers 30 mit der Steuerelektrode eines der PMOS-Transistorsll, 12 verbinden, um den Arbeitspunkt des Transistors 30, wenn dies gewünscht wird, zu stabilisieren.

Fig. 2 zeigt die vorliegende Erfindung im Zusammenhang mit einer Stromspiegelschaltung 50, die von einer anderen Art ist als der Stromspiegelungsverstärker 20. Bei der Stromspiegelschaltung 50 werden die Kollektor-Ruheströme der gleichen Transistoren 53 und 54 durch die ähnlichen Basis-Emitter-Schaltungsverbindungen im wesentlichen gleichgemacht. Der Kollektorstrom des Transistors 59 ist im wesentlichen dem Emitterstrom gleich, unter der Annahme, daß der Basisstrom im Vergleich zum Kollektorsirom vernachlässigbar klein ist, wobei der Emitterstrom in überwiegendem Maße der Kollektorstrom des Transistors 54 ist. Die Kollektorruheströme der Transistoren 53. 54 sind in überwiegendem Maße Teilsiröme der Ruheströme Z₁, /.,. Die Ausgangsklemme 22' wird durch die Basis-Emitter-Klemmwirkung der Transistoren 31 und 32 auf einem 2-F_fli.-PotentiaI gehalten, das dem Potential V_BF3l - V_BFx gleich ist. wobei V_Bfin und V_BF^ die Basis-Emitter-Versetzspannungen der Transistoren 31 bzw. 32 sind. Die negative Rückführverbindung zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors 54 regelt den Spannungsabfall von der Eingangsklemme 21 zum Emitter dieses Transistors au fein 2-F_ßP-Potential. das dem Potential V_BF^ + V_RFm gleich ist, wobei V be ^ ^ur>d K_ß,._S9 die Basis-Emitter-Versetzspannungen der Transistoren 53 bzw. 59 sind. Diese Regelwirkung macht auch die Kollektor- und Emitterströme des Transitors 53 im wesentlichen dem Strom I₁ gleich, unter der Annahme, daß die Basisströme der Transistoren 53, 54, 59 im Vergleich zu ihren Kollektorströmen vernachlässigbar klein sind.

Über dem Widerstand 55 tritt ein Spannungsabfall /, R auf, wodurch die Eingangsklemme 21 auf einem Potential 2 V_BF + T₁R liegt. Um ähnliche Spannungen an den Klemmen 21 und 22 zu erhalten, muß die Klemme 22 auf dem Potential 2 V_BF_ + I₁R liegen. Da /, auf Grund der Vorspannbedingungen des Differentialverstärkers 10 als gleich mit dem Strom I₂ angenommen wird, kann die an der Klemme 22 anliegende Spannung durch den Ausdruck 2 V_BF + I_ZR ausgedrückt werden. Da die Spannung an der Klemme 22' die Größe 2 V₁₁₁- aufweist, muß der durch den Widerstand 58 fließende Strom /₂ einen Spannungsabfall /.,/? hervorrufen. Der Widerstand 58 sollte daher einen "Widerstandswert R besitzen. Die Halbleiter-Diode 57 erzeugt gleiche Kollektorspannungen an den Transistoren 53 und 54. Die Kollektorspannungen sind jeweils gegenüber dem Potential an der Klemme 21 durch das Potential versetzt, das über einem in Vorwärtsrichtung betriebenen

ίο Halbleiter-Übergang auftritt. Die Diode 27 kann aus einem Transistor bestehen, dessen Kollektor und Basis verbunden sind, wodurch eine Elektrode der Diode dargestellt wird, wobei der Filter dieses Transistors die andere Elektrode der Diode darstellt.

Die Diode 57 kann auch in einfacher Weise als zusätzlicher Halbleiter-Übergang vorhanden sein, der in den Kollektor des Transistors 53 eindiffundiert wird.

F i g. 3 zeigt die vorliegende Erfindung in Zusammenhang mit einer Stromspiegelschaltung60. Da dessen Basis-Emitter-Schaltungen die gleichen sind, sind auch die Kollektorströme der Transistoren 63 und 64 im wesentlichen gleich. Die negative Rückkopplung zwischen dem Kollektor und der Basis des Transistors 63 regelt den Kollektorstrom auf einen Wert, der dem über die Diode 67 angelegten Strom I₁ im wesentlichen gleich ist, wobei der Basisstrom des Transistors 69 als vergleichsweise vernachlässigbar angesehen wird. Der Kollektorstrom des Transistors 69 ist im wesentlichen dessen Emitterstrom gleich, der zunächst als Kollektorstrom des Transistors 64 angelegt wird. Der Kollektorstrom des Transistors 69 isl daher im wesentlichen dem Strom I₁ gleich.

Die Klemme 22' wird auf einem 2-K_ße-Pctential durch die Basis-Emitter-Klemmwirkung der Transistoren 31, 32 gehalten. Der Strom /, fließt primäi über die Diode 67, die Kollektor-Emitterstrecke des Transistors 63 und über den Widerstand 65. Es tritl ein Spannungsabfall von 1 V_m über der in Vorwärtsrichtung betriebenen Diode 67 auf. Die Regelwirkung der Kollektor-Basis-Verbindung des Transistors 62 hält den Kollektor des Transistors 63 auf einem Potential 1 V_BF über dem Emitterpotential. Der Strorr I₁ verursacht einen Spannungsabfall /, R am Wider-

stand 65. Die Klemme 21 liegt daher auf einem Potential 2 V_BF + I₁R. Der Differential verstärker K sollte gleiche Ströme Z₁ und /₂ aufweisen. Das Ruhepotential an der Klemme 22 sollte 2 V_BF + I₂R sein so daß die Transistoren 11 und 12 ähnlichen Vor Spannungsbedingungen unterliegen.

Der Spannungsabfall über dem Widerstand 68, de durch den Strom I₂ hervorgerufen wird, sollte gleicr I„R sein; der Widerstandswert des Widerstandes 6ί sollte daher gleich R sein.

Die Diode 67 kann in gleicher Weise wie die ii Verbindung mit der Diode 57 beschriebenen Möglich keiten hergestellt werden.

Obwohl die vorliegende Erfindung nur im Zusam menhang mit den drei Ausführungsbeispielen eine Stromspiegelschaltung beschrieben wurde, ist es klar daß der Gegenstand der Erfindung auch bei Strom Spiegelschaltungen anderer Bauart verwendet werdei kann, bei denen Transistoren mit negativer Signalver Stärkung benutzt werden.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (6)

Patentansprüche:

1. Kaskadenverstärker mit einem ersten und einem zweiten Transistor vom selben Leitfähigkeitstyp, deren Emitter mit einer Stromquelle und deren Basen mit einer Eingangssignalquelle verbunden sind und die als Differenz-Eingangsverstärker dienen; einer Stromspiegelschaltung, die einen dritten und einen vierten Transistor mit jeweils zum ersten Transistor entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp und einen ersten und zweiten Widerstand aufweist, wobei der Kollektor des ersten Transistors mit dem Kollektor des dritten. Transistors, der Kollektor des zweiten Transistors mit dem Kollektor des vierten Transistors und der Emitter des dritten Transistors über den ersten Widerstand und der Emitter des vierten Transistors über den zweiten Widerstand mit einem Bezugsspannungs-Punkt verbunden ist und eine direkte Verbindung zwischen der Elektrode des ersten Transistors und der Basis des dritten und vierten Transistors besteht; einem denselben Leitfähigkeitstyp wie der dritte und vierte Transistor aufweisenden fünften Ausgangstransistor, dessen Kollektor mit einer Ausgangssignal-Klemme, und dessen Emitter mit dem Bezugsspannungs-Punkt in Verbindung steht; und mit einer direkten Verbindung zwischen dem Kollektor des dritten Transistors und der Basis des fünften Transistors, gekennzeichnet durch einen mit einem Anschluß direkt am Kollektor des zweiten Transistors (12) liegenden dritten Widerstand (28), der im wesentlichen denselben Widerstandswert wie der zweite Widerstand (26) aufweist und sowohl in der Verbindung zwischen den Kollektoren des zweiten und dritten Transistors (12, 24) als auch in der direkten Verbindung zwischen dem Kollektor des zweiten Transistors (12) und der Basis des fünften Transistors (30) liegt, wobei der dritte Transistor (28) die Emitter-Kollektor-Spannungen des ersten und zweiten Transistors (11, 12) einander mehr angleicht, so daß der Gegenwirkleitwert dieser ersten und zweiten Transistoren (11,12) einander besser angepaßt ist, wodurch der Versetzungsfehler der Eingangsspannung kleiner wird, die zwischen den Basen der ersten und zweiten Transistoren (11, 12) angelegt werden muß, um die Kollektor-Emitter-Ströme dieser Transistoren (11, 12) symmetrisch zu halten.

2. Kaskadenverstärker nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch

(a) eine direkte Verbindung zwischen dem KoI-lektor des eisten Transistors (11) und den Basen des dritten und vierten Transistors (23, 24) und

(b) eine direkte Verbindung zwischen dem den Kollektor des zweiten Transistors (12) abgewendeten Anschluß des dritten Widerstandes (28) und dem Kollektor des vierten Transistors (24) sowie der Basis des fünften Transistors (30).

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3. Kaskadenverstärker nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch einen zwischen den Kollektoren des ersten und dritten Transistors (11, 23) liegenden vierten Widerstand (27), der im wesentlichen denselben Widerstandswert wie der erste Widerstand (25) aufweist.

4. Kaskadenverstärker nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch

(a) einen ersten Halbleiterübergang [ζ. Β. der Basis-Emitter-Ubergang des Transistors (31)], der in der direkten Verbindung zwischen dem Kollektor des zweiten Transistors (12) und der Basis des fünften Transistors (32) liegt und zwischen dem den Kollektor des zweiten Transistors (12) abgewandten Anschluß des dritten Transistors (58) und der Basis des fünften Transistors (32) geschaltet ist, und der so gepolt ist, daß er den Basisstrom des fünften Transistors (32) in Durchlaßrichtung durchläßt, und

(b) einen denselben Leitfähigkeitstyp wie die dritten und vierten Transistoren (53, 54) aufweisenden sechsten Transistor (39), dessen Basis mit dem Kollektor des ersten Transistors (11), dessen Emitter mit den Basen des dritten und vierten Transistors (53, 54) sowie mit dem Kollektor des vierten Transistors (54), und dessen Kollektor mit dem dem Transistor (12) abgewandten Anschluß des dritten Transistors (58) verbunden ist, wobei der Basis-Emitter-Ubergang des sechsten Transistors (59) zusammen mit der Verbindung zwischen dem Emitter und den Basiselektroden des dritten und vierten Transistors (53, 54) in der direkten Verbindung zwischen dem Kollektor des ersten Transistors (11) und den Basen des dritten und vierten Transistors (53, 54) enthalten ist, und der Kollektor-Emitter-Übergang zusammen mit dem dritten Widerstand (58) in der Verbindung zwischen dem Kollektor des zweiten Transistors (12) und dem Kollektoi des vierten Transistors (54) liegt (F i g. 2),

5. Kaskadenverstärker nach Anspruch 4, gekennzeichnet durch einen zweiten Halbleiterübergang (57), der mit einem Anschluß am Kollektoi des ersten Transistors (11) und an der Basis des sechsten Transistors (59) und mit dem anderer Anschluß am Kollektor des dritten Transistors (53) liegt und in Durchlaßrichtung gepolt isi (Fig. 2).

6. Kaskadenverstärker nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch

(a) einen ersten Halbleiterübergang [ζ. Β. den Basis-Emitter-Übergang eines Transistor; (31)], der in der direkten Verbindung zwi sehen dem Kollektor des zweiten Transistors (12) und der Basis des fünften Transistor; (32) liegt und zwischen dem dem Kollektoi des zweiten Transistors (12) abgewandten Anschluß des dritten Widerstands (68) und dei Basis des fünften Transistors (32) liegt, wobei er so gepolt ist, daß er den Basisstrorr des fünften Transistors (32) in Durchlaß richtung durchläßt,

(b) einen sechsten Transistor (61), dessen Basi; mit dem Kollektor des ersten Transistor (11), dessen Emitter mit dem Kollektor de;

vierten Transistors (64) und dessen Kollektor mit dem dem zweiten Transistor (12) abgewandten Anschluß des dritten Widerstandes (68) verbunden ist. wobei der Kollektor-Emitter-Übergang des sechsten Transistors (69) zusammen mit dem dritten Widerstand (68) in der Verbindung zwischen dem Kollektor des vierten Transistors (64) und dem Kollektor des zweiten Transistors (12) liegt,

(c) einen zweiten Halbleiterübergang (67), der in der Verbindung zwischen dem Kollektor des dritten Transistors (62) und dem Kollektor des ersten Transistors (11) liegt und in Durchlaßrichtung gepolt ist, und durch

(d) eine direkte Verbindung zwischen dem Kollektor des dritten Transistors («3) und den Basen des dritten und vierten Transistors (63, 64) (Fig. 3).