DE2344983A1

DE2344983A1 - Magnetischer duennschichtspeicher

Info

Publication number: DE2344983A1
Application number: DE19732344983
Authority: DE
Inventors: Hermann Dipl Phys Deichelmann; Herbert Dipl Ing Dr Henkler; Roland Dipl Phys Dr Koenig
Original assignee: BASF SE
Current assignee: BASF SE
Priority date: 1973-09-06
Filing date: 1973-09-06
Publication date: 1975-03-20
Also published as: GB1476489A; JPS5056831A; US3962690A; FR2243491A1; IT1019191B; FR2243491B1; JPS5718272B2

Description

Unser Zeichen: O.Z. 30 O83 Sob/Wil 6?00 Ludwigshafen, 4.9-1973

Magnetischer Dünnschichtspeicher

Die Erfindung betrifft einen magnetischen Dünnschichtspeicher vereinfachter Konstruktion und verbesserter Punktionsweise, bestehend aus

a) einem ebenen Träger mit darauf aufgebrachter ferromagnetischer Schicht, welche Bereiche unterschiedlicher Koerzitivfeldstärke enthält, wobei die Bereiche niedrigerer Koerzitivfeldstärke von solchen höherer Koerzitivfeldstärke umgeben sind und aus

b) in parallel zum Träger angeordneten Ebenen verlaufenden elektrischen Leiterbahnen zur Erzeugung der für die Fortbewegung von magnetischen Domänen in den Bereichen niedriger Koerzitivfeldstärke erforderlichen Magnetfelder.

Es sind bereits magnetische Dünnschichtspeicher mit sieh bewegenden magnetischen Domänen bekannt. Magnetische Domänen sind Bereiche spontaner Magnetisierung. Bestehen solche dünnen Schichten aus einem ferromagnetischen Material mit einachsiger Anisotropie, so können den beiden bevorzugten Magnetisierungszuständen die binären Werte "1" und "0" zugeordnet werden.

Wie bei bekannten Ummagnetisierungsvorgängen läßt sich durch ein kleines äußeres Feld die Richtung der Magnetisierung des einen Bereichs auf einen anderen übertragen. Das äußere magnetische Feld darf jedoch nur so stark sein, daß es zusammen mit der Komponente des einen Bereichs den nächsten ummagnetisiert, ohne selbst Bereiche auszurichten. Um diesen Vorgang gesteuert vor sich gehen zu lassen, muß der magnetische Dünnschichtspeicher bevorzugte Fortpflanzungsrichtungen aufweisen. Dies wird dadurch erreicht, daß man Zonen, im folgenden Kanäle genannt, mit relativ niedriger Koerzitivkraft in einer Umgebung mit höherer Koerzitivkraft erzeugt. Die Bereiche höherer Koerzitivkraft sind bis zur Sättigung vormagnetisiert und dienen zur Vermeidung von Randdomänen an den Rändern der Kanäle. Jene Bereiche in den Kanälen, deren Magnetisierung antiparallel zur Magnetisierung außerhalb

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der Kanäle ist, werden als binäre "1" definiert. Mit Hilfe von elektrischen Leiterbahnen, die über die Kanäle geführt werden, können mit einem periodischen Programm von Stromimpulsen entsprechende Magnetfelder erzeugt werden, welche dann die Domänen als Informationsträger von Speicherplatz zu Speicherplatz wie in einem Schieberegister bewegen. Dabei sind im einzelnen die Schritte des Einschreibens, des Weiterbewegens und des Nachweisens der Domänen nötig, was durch eine entsprechende Folge von Magnetfeldimpulsen, erzeugt durch ein geeignet angeordnetes System von Leiterbahnen, bewerkstelligt wird. Das Nachweisen kann allerdings auch mittels Hall- oder Kerr-Effekt erfolgen.

Die physikalischen Grundlagen für magnetische Dünnschichtspeicher mit sich bewegenden Domänen sind bekannt (R. J. Spain, Journal of Applied Physics, Vol. 37, No. 7, Juni I966, S. 2572 ff.). Ferner ist bekannt, daß die ferromagnetisehen Schichten für solche Speicher in den Kanälen eine möglichst kleine Koerzitivfeldstärke (Η_Λ), eine mindestens dreimal so große Anisotropiefeldstärke (H_K) und eine noch größere Koerzitivfeidstärke (H_ca) außerhalb der Kanäle besitzen müssen. Ebenso 1st bekannt, daß die geforderten Eigenschaften vorteilhaft von Legierungen aus Ni/Fe/Co erfüllt werden, wenn außerhalb der Kanäle zwischen Träger und Magnetschicht eine Aluminiumschicht aufgebracht ist (R. J. Spain, Journal of Applied Physics, Vol. 37* No. 7, Juni 1966, S. 2584. ff). Aus der gleichen Arbeit ist eine Ausführungsform eines magnetischen Dünnschichtspeichers bekannt geworden. Der Speicher besitzt eine lineare Speicherdichte von 16 bit/inch (= 6 bit/cm) und 4 Ebenen, in denen 4 Leiterbahnen verlaufen. Die Nachteile dieser Ausführungsform liegen neben der geringen Speicherdichte in der sehr aufwendigen Herstellung der elektrischen Leiterbahnen.

Es sind insbesondere magnetische Dünnschichtspeicher bekannt, bei denen schmale Kanäle zick-zack-förmig auf den Träger aufgebracht sind (USA-Patentschrift 3 438 016). Die Verschiebung der Domänen in den Kanälen kann dabei sowohl in Richtung der leichten Achse als auch senkrecht dazu erfolgen. Nach Ablauf eines Verschiebezyklus befinden sich die Domänen an Speicherplätzen,

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die durch die Ecken des Zick-Zack-Musters definiert sind. Grundsätzlich ist die Geschwindigkeit, mit der die Domänen verschoben werden können, begrenzt und durch die Eigenschaften der ferromagnetischen Schicht gegeben. Ein Nachteil dieser Ausführungsform sind somit die langen Laufwege, die die Domänen zwischen benachbarten Speicherplätzen zurücklegen müssen, was nur geringe Taktfrequenzen zuläßt. Ein weiterer Nachteil dieser Ausführungsform ist das komplizierte Impulsprogramm, das für einen VerSchiebezyklus notwendig ist. Ein besonders schwerwiegender Nachteil ist, daß zur Fortbewegung der Domäxien zwei periodische Magnetfelder erzeugt werden müssen, die sich über den gesamten Träger erstrecken. Die elektrischen Leiterbahnen zur Erzeugung solcher "nicht lokalen" Magnetfelder besitzen neben einer hohen Leistungsaufnahme eine hohe Selbstinduktion, was das Erreichen von Taktfrequenzen im MHz-Bereich unmöglich macht.

Des weiteren sind magnetische Dünnschichtspeicher bekannt geworden, die mit einer geringeren Anzahl von elektrischen Leiterbahnen auskommen, bei denen zudem die für die Erzeugung, Portbewegung und Vernichtung von magnetischen Domänen erforderlichen Magnetfelder nur in Richtung der leichten Achse erzeugt werden müssen und bei denen die Laufwege der Domänen zwischen benachbarten Speicherplätzen relativ gering sind (USA-Patentschrift 3 562 722 und 3 656 126). Dies wird erreicht durch Verwendung einer speziellen Kanalstruktur, die für bestimmte Magnetfeldstärken nur eine Richtung der Domänenausbreitung im Kanal zuläßt (USA-Patentschrift 3 465 316). Nachteilig ist dabei neben einem komplizierten Kanalmuster mit hoher Störanfälligkeit vor allem die Tatsache, daß die Magnetfeldstärke für die Domänenausbreitung nur in geringen Grenzen variiert werden kann. Außerdem ist dieses Magnetfeld "nicht lokal" und besitzt den oben geschilderten Nachteil der Begrenzung der Taktfrequenz.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen magnetischen Dünnschichtspeicher durch geeignete Maßnahmen so auszubilden, daß die Konstruktion und die Herstellung vereinfacht werden und damit sowohl Störanfälligkeit wie auch Energiebedarf geringer werden.

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Eine weitere Aufgabe ist, die Anzahl der Ebenen für die elektrischen Leiterbahnen zu verringern, wodurch das Impulsprogramm für die Fortbewegung der Domänen vereinfacht wird und die Anordnung der Leiterbahnen so zu gestalten, daß "nichtlokale" Magnetfelder vermieden werden.

Eine zusätzliche Aufgabe der Erfindung ist es, durch eine geeignete Anordnung der Kanäle die Laufwege der Domänen zwischen den Speicherplätzen möglichst kurz zu halten, um die lineare Speicherdichte zu erhöhen und die Zeit für einen Verschiebezyklus zu vermindern.

Es wurde nun gefunden, daß magnetische Dünnschichtspeicher bestehend aus

a) einem ebenen Träger mit darauf aufgebrachter ferromagnetischer Schicht, welche Bereiche unterschiedlicher Koerzitivfeldstärke enthält, wobei die Bereiche niedriger Koerzitivfeldstärke von solchen höherer Koerzitivfeldstärke umgeben sind und aus

b) in parallel zum Träger angeordneten Ebenen verlaufenden elektrischen Leiterbahnen zur Erzeugung der für die Portbewegung von magnetischen Domänen in den Bereichen niedriger Koerzitivfeldstärke erforderlichen Magnetfelder, die genannten Anforderungen weitgehend erfüllen, wenn die Bereiche niedriger Koerzitivfeldstärke in Form von streifenförmigen Kanälen ausgebildet sind und die elektrischen Leiterbahnen

A) in zwei getrennten Ebenen so angeordnet sind, daß sie die Kanäle senkrecht schneiden und die Leiterbahnen der einen Ebene sich an den Schnittstellen mit den Kanälen über den Lücken zwischen den Leiterbahnen der zweiten Ebene befinden, und

B) die Leiterbahnenbreite an den Schnittstellen mit den Kanälen mindestens ebenso groß ist wie die Kanalbreite.

Die elektrischen Leiterbahnen für die zwei getrennten Ebenen gemäß der Erfindung werden zweckmäßigerweise auf einem ebenen Träger in an sich bekannter Weise aufgebracht und dann erfindungsgemäß zu dem Träger der ferromagnetischen Schicht angeordnet.

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In einer anderen vorteilhaften Ausführungsform gemäß der Erfindung werden die elektrischen Leiterbahnen getrennt durch dünne Isolierschichten gleich auf die entsprechend ausgebildete ferromagnetische Schicht in der erfindungsgemäßen Anordnung zu den Kanälen aufgebracht.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von Zeichnungen von einem Ausführungsbeispiel näher erläutert. In der Zeichnung zeigen: Pig. 1 den Aufbau einer Speicherschicht nach der Erfindung in schematischer Form:

a) Draufsicht

b) Schnitt

Fig. 2a und 2c:

Anordnung der elektrischen Leiterbahnen in Teilschnittbildern

Fig. 2b Form der elektrischen Leiterbahnen als Ausschnitt

Fig. 3a Impulsprogramm für die Ansteuerung der elektrischen

Leiterbahnen
Fig. 3b Bewegung einer Domäne während eines Zyklus.

Mit Hilfe von Fig. 1 wird der Aufbau einer Speicherschicht nach der Erfindung schematisch angegeben. Die Schicht ist auf einen ebenen Träger JLO aufgebracht. Dieser kann aus Glas, Keramik, Metall, Kunststoff oder anderen nichtmagnetischen Materialien mit geringer Oberflächenrauhigkeit bestehen, vorzugsweise werden feuerpolierte Glasplatten verwendet. Auf diesen Träger ist eine ferromagnetische Schicht 2?0 mit einer Dicke zwischen 10 und 500 nm aufgebracht. Die leichte Achse, d. h. die beiden stabilen Lagen der Magnetisierung sind in Fig. la durch den Doppelpfeil J21 angegeben. Diese ferromagnetischen Schichten bestehen zweckmäßigerweise aus Eisen, Kobalt oder Nickel bzw. aus Legierungen zweier oder mehrerer dieser Elemente, wobei Beimengungen von Phosphor, Kupfer, Gold, Aluminium, Silber oder von einem Metall aus der Gruppe der Seltenen Erden enthalten sein können. Vorzugsweise wird - wie für das Ausführungsbeispiel - die magnetostriktionsfreie Legierung aus NisFe:Co mit der Zusammensetzung 64:15:21 in einer Dicke von 100 nm verwendet. Solche Schichten besitzen eine Koerzitivfeidstärke H

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von 4 Oe und eine Anisotropiefeldstärke H_K von 28 Oe. Die ferromagnetische Schicht 2Ό muß Bereiche unterschiedlicher Koerzitivfeldstärke enthalten. Dies wird erreicht, indem die Koerzitivfeldstärke H in den Bereichen außerhalb der Kanäle gegenüber der Koerzitivfeldstärke H₀ in den Kanälen erhöht wird. Ein Verfahren dafür ist das selektive Aufbringen einer weiteren ferromagnetischen Schicht mit höherer Koerzitivkraft auf die Bereiche außerhalb der Kanäle. Solche Schichten bestehen zweckmäßigerweise aus Ni, Go oder Co/P, mit einer Koerzitivfeldstärke zwischen 20 und 1000 Oe. Zwischen den aufeinanderliegenden Schichten besteht eine starke Austauschkopplung, die eine voneinander unabhängige Änderung der Magnetisierung in nur einer Schicht verhindert. Dadurch wird die niedrigere Koerzitivfeldstärke an den bedeckten Bereichen erhöht, dagegen ändert sich die Koerzitivfeldstärke an den unbedeckten Bereichen nicht.

Eine Abwandlung dieses Verfahrens besteht darin, daß zunächst die Kanäle durch eine Zwischenschicht aus SiO, Kunstharz oder Photolack abgedeckt werden und anschließend.eine einheitliche Magnetschicht mit höherer Koerzitivfeldstärke aufgebracht wird. In den Bereichen außerhalb der Kanäle findet die oben beschriebene Koppelung statt, dagegen wird in den Kanälen durch die Zwischenschicht eine solche Koppelung vermieden. Ein anderes Verfahren zur Erzielung unterschiedlicher Koerzitivfeldstärke besteht darin, daß in den Bereichen außerhalb der Kanäle eine dünne Cu- oder Au-Schicht aufgebracht wird. Durch eine nachfolgende Temperaturerhöhung wird eine Diffusion des Cu oder Au in die ferromagnetische Schicht erreicht, woraus in den Bereichen außerhalb der Kanäle eine Erhöhung der Koerzitivfeldstärke resultiert, während die Koerzitivfeldstärke in den Kanälen unbeeinflußt bleibt. Das für das Ausführungsbeispiel vorzugsweise verwendete Verfahren zur Erzielung von unterschiedlicher Koerzitivfeldstärke wird in Pig. Ib dargestellt. In den Bereichen 22 außerhalb der Kanäle ist zwischen der ferromagnetischen Schicht j?0 und dem Träger JLO eine 10 bis 20 nm dicke Aluminiumschicht bei erhöhter Temperatur aufgedampft worden. Bei der geringen Schichtdicke stellt diese keine durchgehende Schicht dar, sondern besteht aus einer Vielzahl von mikroskopisch kleinen Inseln. In den Kanälen wird diese Al-Schicht mit den bekannten

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Verfahren der Photoätztechnik entfernt. Anschließend wird die oben beschriebene ferromagnetische Schicht 2_0 mit einer Elektronenstrahlkanone aufgedampft. In den Bereichen außerhalb der Kanäle wird durch die mikroskopische Rauhigkeit der Al-Zwischenschicht die Koerzltivfeldstärke der Magnetschicht von 4 Oe auf 70 Oe erhöht. Statt Aluminium kann auch Silber verwendet werden.

Die zur Speicherung und Bewegung der Information dienenden Kanäle können unterschiedliche,, zum Teile sehr komplizierte Strukturen aufweisen. Nach der Erfindung werden bevorzugt einfache streifenförmige Kanäle parallel zur leichten Achse verwendet, wie in Fig. la durch _24 angedeutet. Diese Kanalstruktur ist einfach in der Konstruktion, besitzt damit eine geringe Störanfälligkeit und ist nach den beschriebenen Verfahren zur Herstellung der Magnetschicht leicht anzufertigen. In den Kanälen läßt sich eine binäre Information in Form von länglichen Domänen speichern. Die Speicherplätze sind durch 2ß kenntlich gemacht. Die Kanalbreite beträgt dabei zwischen 10/um und 50/um. Aus Stabilitätsgründen müssen die Domänen mindestens doppelt so lang wie breit sein und um mindestens eine Domänenlänge auseinanderliegen. Mit der erfindungsgemäßen Kanalstruktur wird die physikalisch mögliche Speicherdichte voll ausgenutzt und die Laufwege der Domänen zwischen benachbarten Speicherplätzen werden minimal.

Die zur Fortbewegung der magnetischen Domänen erforderlichen Magnetfelder werden durch Stromimpulse in den elektrischen Leiterbahnen erzeugt.. Die Lage dieser in zwei getrennten Ebenen angeordneten Leiterbahnen zeigt Fig. 2a als Teilschnittbild im Zusammenhang mit dem Träger J₁O und der darauf aufgebrachten ferromagnetischen Schicht 20.

Über der Magnetschicht _20 ist eine elektrische Isolationsschicht J50 beispielsweise aus aufgedampften SiO, aufgebrachtem Kunstharz oder aufgelegter Kunststoffolie angebracht. Darüber befindet sich in der Ebene JK) eine erste Schar elektrischer Leiterbahnen. Vorzugsweise werden diese in einem Photoätzprozeß aus einer einheitlichen 10 /um bis j50/um dicken Cu-Schicht hergestellt. In der Ebene j>0 verläuft eine zweite Schar von

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Leiterbahnen, die Leiterbahnen der Ebenen _60 und JjO sind durch eine weitere Isolationsschicht jjO getrennt. Vorzugsweise können die Leiterbahnen der zwei getrennten Ebenen ^O und 60 aus einer doppelseitig Cu kaschierten dünnen Polyester-Folie hergestellt werden, die nach beidseitiger Photoätzung mit der Isolationsschicht j50 in Kontakt gebracht wird.

Die Form der elektrischen Leiterbahnen in den beiden Ebenen JK) und J5O ist in Fig. 2b dargestellt. In der Ebene _40 befinden sich die Leiterbahnen Jj4 und _42, die die Kanäle 2Ä_ senkrecht schneiden. In der Ebene 6>0 verlaufen die Leiterbahnen j>l und j5g, welche an den Schnittstellen mit den Kanälen über den Lücken zwischen den Leiterbahnen Kl und k2 der Ebene JjO angeordnet sind. Fig. 2c zeigt ein Teilschnittbild längs eines Kanals. In dem dargestellten AusfUhrungsbeispiel sind die Leiterbahnen in beiden Ebenen gleich breit und die Lücken zwischen den Leiterbahnen einer Ebene sind ebenso breit wie die Leiterbahnen selbst. Die Leiterbahnen der Ebene JjO können aber auch breiter sein als die Leiterbahnen der Ebene j50 und die Lücken zwischen den Leiterbahnen einer Ebene können schmäler sein als die Leiterbahnen. Auch eine teilweise Überlappung der Leiterbahnen der zwei getrennten Ebenen _4θ und j50 ist möglich, wobei Jedoch die Leiterbahnen der Ebene §0 symmetrisch über den Lücken der Leiterbahnen der Ebene JjO liegen müssen. Der Vorteil der elektrischen Leiterbahnen nach der Erfindung ist ihre einfache, gerade Struktur und die einfache Herstellbarkeit in Form einer doppelseitigen geätzten Schaltung. Die elektrischen Isolationsschichten 2Q und 5Q können sehr dünn gewählt werden, wodurch der Energiebedarf für die Fortbewegung der Domänen gering ist.

Der Fortbewegungsmechanismus der Domänen nach der Erfindung wird an Hand des Impulsprogramms in Fig. 3a erläutert. Dazu ist die Zykluszeit zum Verschieben einer Domäne zum benachbarten Speicherplatz in vier Einzelschritte t, bis tu unterteilt. Fig. 3b gibt die Lage der Domäne nach Ablauf des jeweiligen Einzelschrittes an. Es sei an einem Speicherplatz, definiert durch die Schnittstelle des Kanals mit den Leiterbahnen 62 und _42, zum Zeitpunkt 0 eine Domäne vorhanden. Während t^ fließt in den Leiterbahnen _6l eine Strom in Pfeilrichtung, der im

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folgenden als positiver Strom bezeichnet wird. Dadurch entsteht in der Magnetschicht ein lokales Magnetfeld parallel zur leichten Achse 21. Dies Magnetfeld, das größer als die Koerzitivfeldstärke E_n in den Kanälen sein muß, bewirkt ein Wachsen der vorhandenen Domäne in dem Bereich unter der Leiterbahn 6l. Gleichzeitig werden die Leiterbahnen §2 mit einem negativen Strom, also gegen die Pfeilrichtung, gepulst. Dies bewirkt ein Schrumpfen der Domäne unter Leiterbahn 62. Die Domäne befindet sich zum Zeitpunkt 1 an der Schnittstelle des Kanals mit den Leiterbahnen _42 und j6l. Während t₂ werden die Leiter _4l positiv und die Leiter j\2 negativ gepulst, dadurch wächst die Domäne in den Bereich unter _4l und schrumpft gleichzeitig unter 42. Nach Ablauf eines vollen Zyklus, also nach t|,, ist die Domäne zum benachbarten Speicherplatz unter Leiter §2 und 42 verschoben und der nächste Zyklus beginnt. Bei kleinen Impulshaltezeiten t. bis tjL bewegen sich die Domänen mit nahezu gleichförmiger Geschwindigkeit durch den Kanal. Die minimale Zykluszeit ergibt sieh dann aus der endlichen Beweglichkeit der

Domänen, die bei 10 cm/sec · Oe liegt. Mit der erfindungsgemäßen Anordnung wird damit die hohe Beweglichkeit der Domänen voll ausgenützt. Um ein zusätzliches Entstehen von neuen Domänen zu vermeiden, müssen die zur Portbewegung erzeugten Magnetfelder kleiner als die Anisotropiefeldstärke H_K sein. In Abweichung zu Fig. 3a können sich aufeinanderfolgende Stromimpulse auch teilweise überlappen. Dies erzeugt in gewissen Grenzen keine kritischen Überfeldstärken, weil durch die elektrischen' Leiterbahnen nur lokale Felder erzeugt werden. Im Gegenteil wird eine solche Überlappung die Gleichförmigkeit der Bewegung und damit die Geschwindigkeit der Domänen erhöhen.

Aus Fig. Jb ist ersichtlich, daß die Domänenlänge der zweifachen Leiterbahnbreite entspricht. Die oben beschriebenen Stabilitätsbedingungen für magnetische Domänen sind somit erfüllt, wenn die Leiterbahnbreite mindestens ebenso groß ist wie die Kanalbreite. Mit dem beschriebenen Fortbewegungsmechanismus gelingt es, bei einem einfachen Impulsprogramm "nichtlokale" Magnetfelder ganz zu vermeiden, womit Taktfrequenzen im MHz-Bereich möglich werden.

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Das Erzeugen von Domänen am Anfang der Kanäle kann in bekannter Weise duroh zusätzliche elektrische Leiterbahnen erfolgen, wobei mit diesen Leitern lokale Magnetfelder erzeugt werden, die die Anisotropiefeldstärke Hj, übertreffen. Am Ende der Kanäle kann das Auftreten von Domänen duroh weitere Leiterbahnen über Induktion oder Widerstandsmessung naohgewiesen werden. Zum zerstörungsfreien Lesen wird zweckmäßigerweise die Information vom Ende des Kanals nach Verstärkung elektronisch auf den Anfang zurückgeschrieben. Zweckmäßig werden diese zusätzlichen Leiterbahnen in den Ebenen JiO und 60 untergebracht.

Insgesamt wird erfindungsgemäß ein magnetischer Dünnschichtspeicher zur Verfügung gestellt, der nur zwei verschiedene Ebenen für die elektrischen Leiterbahnen aufweist, wodurch eine erhebliche Vereinfachung in der Konstruktion, Herstellung und Funktionsweise möglich ist bei gleichzeitig höherer Punktionssicherheit des entsprechenden Speichers.

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Claims

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Patentansprüche

{\j Magnetischer Dünnschichtspeicher, bestehend aus

a) einem ebenen Träger mit darauf aufgebrachter ferromagnetischer Schicht, welche Bereiche unterschiedlicher Koerzitivfeldstärke enthält, wobei die Bereiche niedrigerer Koerzitivfeldstärke von solchen höherer Koerzitivfeldstärke umgeben sind

und aus

b) in parallel zum Träger angeordneten Ebenen verlaufenden elektrischen Leiterbahnen zur Erzeugung der für die Fortbewegung von magnetischen Domänen in den Bereichen niedriger Koerzitivfeldstärke erforderlichen Magnetfelder,

dadurch gekennzeichnet, daß die Bereiche niedrigerer Koerzitivfeldstärke in Form von streifenförmigen Kanälen ausgebildet sind und die elektrischen Leiterbahnen

A) in zwei getrennten Ebenen so angeordnet sind, daß sie die Kanäle senkrecht schneiden und die Leiterbahnen der einen Ebene sich an den Schnittstellen mit den Kanälen über den Lücken zwischen den Leiterbahnen der zweiten Ebene befinden, und

B) die Leiterbahnenbreite an den Schnittstellen mit den Kanälen mindestens ebenso groß ist wie die Kanalbreite.
2. Magnetischer Dünnschichtspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sich je eine Ebene der beiden elektrischen Leiterbahnen auf jeweils einer der beiden Seiten eines flexiblen Trägers befindet.
3. Magnetischer Dünnschichtspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ferromagnetische Schicht aus einer Nickel-Eisen-Kobalt-Legierung mit den entsprechenden Gewichtsverhältnissen 64 : 15 : 21 besteht und eine Dicke von 10 bis 500 nm, vorzugsweise von 100 bis 200 nm, aufweist.

Zeichn. BASF Aktiengesellschaft/

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