DE2338767A1 - Mechanisch-elektrischer wandler - Google Patents
Mechanisch-elektrischer wandlerInfo
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Description
τ ii8o
PATENTANWÄLTE
Dr. - Ing. HANS RUSCHKE Dipl--Ing. OLAF RUSCHKE
DipUng. HANS E. RUSCHKE
1 BERLIN 33 Auguste-Viktoria-Straße 6g
Telefonaktiebolaget LM Ericsson, Stockholm, Schweden
Mechanisch-elektrischer Wandler
Die vorliegende Erfindung betrifft einen mechanisch-elektrischen Wandler mit einem ein magnetisches Feld erzeugenden Hilfskreis
mit einem Luftspalt, einem seitlich in dem Luftspalt relativ zur Feldrichtung beweglichen Element und mit einem mechanisch-
-elektrischen Wandlerelement, welches durch das Magnetfeld als
elektrische Signalquelle gesteuert wird,,
Ziel der Erfindung ist ein Wandler dieser Art, der eine beträchtlich
höhere Ausgangsspannung bei einem gegebenen mechanischen
Eingangssignal abgibt im Vergleich zu früher bekannten Wandlern.
Die Kennzeichen eines gemäss der Erfindung konstruierten Wandlers
gehen aus den nachfolgenden Patentansprüchen hervor.
Die Erfindung wird in den genaueren Einzelheiten nachfolgend unter
Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben, in denen
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--2 - T 1180
Fig. 1 und Fig. 2 schema&isch zwei Beispiele für zwei Ausführungsformen
der Erfindung zeigen, während
Fig. 3 ein Halbleiterelement zeigt, das in den Wandlern gemäss den Figuren 1 und 2 enthalten ist.
Der Wandler gemäss Fig. 1 ist ein Mikrofon und besteht aus einem Deckel 11, einer Membran 12, die am Umfang durch einen Klemmring
13 befestigt ist, einem Permanentmagneten 10 in Form eines langen Streifens, der an der Mitte der Membran befestigt ist und dessen
Nordende N sich zu einem Luftspalt 18 in einem magnetischen Kreis erstreckt, einem Halbleiterelement in Form einer ebenen Platte 14,
einem Halter 16 für die Platte und einer Einstellschraube 15 zur Einstellung der Platte in dem Luftspalt.
Aus der Fig. 3 geht die Konstruktion der Platte 14 in genaueren
Einzelheiten hervor. Auf einer p-dotierten Siliziumplatte j50
sind ein stärker p-dotierter Basisbereieh Bl in Form eines langen
Streifens, ein kreisförmiger, η-dotierter Emitterbereich el, zwei η-dotierte kreisförmige Kollektorbereiche el und c2, die relativ
nahe beieinander liegen und etwa den gleichen Abstand zum EmitterbereieJh
el haben, und ein stärker p-dotierter Basisbereieh B2 in Form eines langen Streifens angeordnet. In dem jetzt beschriebenen
Teil der Platte 14 funktioniert der Emitterbereich el als
eine Ladungsträger erzeugende Zone, und der Bereich zwischen dem Emitterbereich el und den Kollektorbereichen el und c2 arbeitet
als Ladungsträger-Beschleunigungszone aufgrund der statischen
Arbeitsfeldverteilung durch eine Gleichspannung über den Klemmen 31 und 32 zu den Basisbereiehe.n Bl und B2. über* eine Klamme 34
erhält der Emitterbereich el geeignetes Potential relativ zu den Kollektorbereichen el und c2. Abschliessend kann gesagt wanden,
dass dieser Teil der Platte mit Ladungsträgerinjektion arbeitet und eine Punktion hat alb durch Magnetfeld modulierbares Minoritätsladungsträgermediura,
als Besehleunigungsbereich für die Ladungsträger unter statischer· Arbeitsfelöverteiliing und als Medium
für den LadüngsträgeMurühgang durch mindestens einen in Sperr«
;richtimg vorgespannten pn-übergang,» der einen Basis- und einen
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- 3 - τ ii8o
Kollektörbereieh trennt, um eine Stromverstärkung zu erzielen.
. Die Halbleiterplatte 14 ist in der Fig. 1 so angeordnet, dass ihre Ebene senkrecht zu dem durch den Luftspalt gehenden Magnetfeld
liegt und ihre Ebene weiterhin parallel zur Bewegung des Permanentmagneten 10 liegt, wenn die Schallmembran mechanisch
beeinflusst wird. Wenn die Membran vibriert, wird die Stellung
des den Beschleunigungsbereich durchquerenden Magnetfeldes beeinflusst, wodurch eine Potentialdifferenz zwischen den Kollektorbereichen
el und c2 entsteht, d.h. es wird eine Signalspannung
erzielt, die auf die folgende Transistorstufe übertragen wird. Diese Stufe ist auf der Platte 30 angeordnet und besteht aus
einem p-dotierten Basisbereich B3, einem η-dotierten Emitterbereich
e3 und einem stärker p-dotierten Kollektorbereich c3·
Die Signalspannung von den Kollektorbereichen el und c2 gelangt
auf den Basisbereich B3 bzw. auf den Emitterbereich e3, und von den Klemmen 33, 35* die mit dem Basis- bzw. dem Kollektr\gbereich
in dem Transistorteil verbunden sind, wird ein verstärktes Signal abgenommen. Zwischen den Klemmen 31-35 an dem Halbleiterelement
und den Klemmen 19 ausserhalb des Mikrofons liegt ein Vieldrahtkabel
17.
Ein Mikrofon gemäss der Erfindung kann auf viele verschiedene
Arten konstruiert werden, ohne dass die Idee der Erfindung verlassen
wird. Eine Variante wird in der Fig. 2 gezeigt, wo ein Permanentmagnet 21 an einem Halter 26 befestigt ist, der in
einer vertikalen Ebene durch eine Einstellschraube 25 eingestellt
werden kann. An der Membran ist ein Eisenkreis befestigt, der zusammen mit der Platte 14 an dem Magnet 21 einen Luftspalt bildet
und der bei Bewegung der Membran 12 sich in einer horizontalen Bahn senkrecht zum Magnetfeld in dem Luftspalt bewegt und damit
das Magnetfeld durch den Beschleunigungsbereich in dem Halbleiterelement moduliert.
Die Erfindung ist nicht auf Mikrofone begrenzt, sondern findet
auch bei anderen mechanisch-elektrischen Wandlern Anwendung, z.B.
409808/0855
- 4 - T 1180
als Abnehmer, als Fühler in Längenmessern und Diffraktometern
usvi. Bei einem Abnehmer ist das beweglich angeordnete Element an einem der Zeile folgenden Zapfen befestigt, dessen Bewegung
damit das Magnetfeld durch die Beschleunigungszone in der ebenen
Platte l4 moduliert. Der Deckel 11 mit seinem Inhalt ist in der
üblichen weise an einem Feäerarm befestigt.
-'Patentansprüche -
A09808/085B
Claims (6)
1. Mechanisch elektrischer Wandler, bestehend aus einem ein
Magnetfeld erzeugenden Hilfskreis mit einem Luftspalt, einem beweglichen Element, das den Luftspalt begrenzt, und einem
magnetisch-elektrischen Wandlerelement, das von dem Magnetfeld
als elektrischer Quelle gesteuert wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Signalquelle (14·) aus einem HaIbleiteieLement
in Form einer ebenen mono.lithischen Platte besteht, die mindestens zwei pn-Übergänge aufweist und
gleichzeitig beide bipolaren Transistorfunktionen mit Stromverstärkung und durch Magnetfeld steuerbarem Transportbereich
bildet, wobei die Platte (14) mit ihrer grossten ebenen Oberfläche senkrecht zum Magnetfeld in dem Luftspalt
angeordnet ist und das Element (10), das beweglich angeordnet ist und die Magnetfeldänderungen steuert, zur Aufrechterhaltung
eines konstanten Luftspaltes und zur Vermeidung von Haftung seine Bewegungsrichtung senkrecht zum Magnetfeld in
dem Luftspalt hat.
2. Wandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Platte eine integrierte Schaltung mit einem Eingangsteil,
- der für die Transistorfunktion mit der Stromverstärkung eine utromträger-Erzeugungszone (Bl-el) und eine Stromträger-Beschleunigungszone
(el-cl-c2) mit Stromverstärkung und Magnetfeldmodulation zur Erzeugung eines den Magnetfeldänderungen
409808/0855
- 6 - . . T 1180
proportionalen Signals besitzt, und mit einem Verstärkerteil
aufweist, der Transistoren (B3-e3-c3) zur Verstärkung
des so erzeugten Signals besitzt.
3. Wandler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das beweglich angeordnete Element (1O) aus einem Permanentmagneten
besteht.
4. Wandler nach Anspruch 1, ' dadurch gekennzeichnet, dass ein
Halbleiterelement (14) direkt an dem einen Ende eines Permanentmagneten (21) befestigt ist, der in dem das Magnetfeld
erzeugenden Kreis enthalten ist, und zusammen mit dem beweglich angeordneten Element (20) den Luftspalt begrenzt.
5· Wamdler nach einem der Ansprüche 1-3* dadurch gekennzeichnet,
dass das beweglich angeordnete Element (10,20) an einer sohallempfindlichen Membran (12) befestigt ist, die
in bekannter Art an ihrem Umfang gehalten wird und in ihrer Mitte elastisch parallel zur ebenen Platte (14) beweglich
ist.
6. Wandler nach einem der Ansprüche 1-3* dadurch gekennzeichnet, dass das beweglich angeordnete Element an einem Zeilenfolgerzapfen
befestigt ist, dessen Bewegung damit das Magnetfeld durch die Beschleunigungszone in der ebenen Platte (14)
moduliert.
Dr.H.Pa./Br.
409808/0855
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