DE2305407C3 - Electroradiographic recording material - Google Patents
Electroradiographic recording materialInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein elektroradiografisches Aufzeichnungsmaterial mit einem elektrisch leitenden Schichtträger und einer Selen enthaltenden Schicht mit einem Zusatz eines Elementes mit einem Atomgewicht größer als 140 oder einer Verbindung eines solchen Elementes.The invention relates to an electroradiographic recording material with an electrically conductive support and a selenium-containing layer with an addition of an element with a Atomic weight greater than 140 or a compound of such an element.
Es ist bereits bekannt, daß elektrofotografische Elemente, wie /.. B. elektrofotografische Platten und folien, mit einem halbierenden Sclcniiber/ug auch für die Herstellung von Röntgenaufnahmen verwendet werden können (US-PS 2(Wi 144).It is already known that electrophotographic elements, such as , for example, electrophotographic plates and foils, with a bisecting film can also be used for the production of X-ray images (US Pat. No. 2 (Wi 144).
Hierbei kommt es darauf an, das clektroradiografischc Element besonders empfindlich für Röntgenstrahlen zu machen, um bei Aufnahmen des menschlichen Körpers die Röntgenstrahlenbelastungso gering wie möglich zu halten. Man hat insbesondere Elemente mit großem Atomgewicht dazu verwendet, die Empfindlichkeit von Selenplatten für die Elektroradiografie zu steigern. So ist es beispielsweise bekannt, einen Verstärkungsschirm auf die Selenschicht während der Belichtung aufzulegen, der mindestens eine Schicht aus einem Element mit großem AtomgewichtHere it is important to use the clektroradiografischc To make element particularly sensitive to X-rays when taking pictures of the human Body to keep the X-ray exposure as low as possible. You have elements in particular high atomic weight used to increase the sensitivity of selenium plates for electroradiography to increase. For example, it is known to place an intensifying screen on the selenium layer during the exposure to apply the at least one layer of a high atomic weight element
ίο enthält (US-PS 2 85935!)).ίο contains (US-PS 2,85935!)).
Weiter ist bekannt, eine Schicht aus einem Element hohen Atomgewichts in die leitende Unterlage für die Selenschicht einzubetten. Der Träger für die Selenschicht besteht aus zwei Aluminiumschichten, zwisehen denen sich eine Bleischicht befindet. Die oberste Aluminiumschicht trägt eine nichtleitende Aluminiumoxidschicht, auf der sich die Selenschicht befindet (US-PS 2809294).It is also known to incorporate a layer of a high atomic weight element into the conductive substrate for the Embed selenium layer. The carrier for the selenium layer consists of two aluminum layers, in between which has a lead layer. The topmost aluminum layer has a non-conductive one Aluminum oxide layer on which the selenium layer is located (US Pat. No. 2,809,294).
Durch diese bekannten Mittel ist es jedocii nichtIt is not jedocii by these known means
ao gelungen, die Empfindlichkeit der Selenschicht für Röntgenstrahlen wesentlich zu verbessern. Dies lag offenbar daran, daß die von der Schicht aus einem Element hohen Atomgewichtes absorbierte Röntgenstrahlenenergic nur zu einem geringen Teil zur Entlass dung der aufgeladenen Selenschicht beitrug.ao managed to reduce the sensitivity of the selenium layer for Significantly improve x-rays. This was evidently due to the fact that the one from the layer High atomic weight element absorbed X-ray energic contributed only to a small extent to the discharge of the charged selenium layer.
Aus der DT-OS 1497007 ist es bekannt, als fotoleitendcs Isoliermaterial Selen zu verwenden, dem Schwermetall-Halogenide hinzugefügt werden, um die spektrale Empfindlichkeit nach längeren Wellenlängen hin zu verschieben und auch die Empfindlichkeit in bezug auf Röntgenstrahlen zu vergrößern. Die Schwermetalle sind Metalle mit einem spezifischen Gewicht, das größer als 4,0 ist. DieSchwermetall-Halogcnidc stehen zum Selen in einem Molverhältnis, das kleiner als 20% ist. Auch mit einer solchen Maßnahme läßt sich die Empfindlichkeit der Selenschicht für Röntgenstrahlen nicht wesentlich verbessern, ohne gleichzeitig die lichtelektrische Leitfähigkeit zu verschlechtern und die Dunkcllcitfähigkeit des fotoleitcnden Materials zu verringern.From DT-OS 1497007 it is known as photoconductive cs Insulating material to use selenium to which heavy metal halides are added to shift the spectral sensitivity towards longer wavelengths and also the sensitivity in relation to x-rays. The heavy metals are metals with a specific Weight greater than 4.0. The heavy metal halide c are in a molar ratio to selenium that is less than 20%. Even with such a measure the sensitivity of the selenium layer to X-rays cannot be improved significantly without at the same time to worsen the photoelectric conductivity and the darkening capacity of the photoconductive Material to decrease.
Aus der DT-AS I 157478 ist ein aus mehreren Schichten aufgebautes elektrofotogtafischcs Material bekannt: Auf einem Schichtträger sind eine Zwischenschicht aus einem Aminoalkohol und darauf eine fotolcitfähige Schicht angeordnet. Als Fotoleiter ist Zinkoxid, Schwefel, Anthrazen, Anthrachinon, Bleioxid, Bleijodid, Cadmiumsulfid oder Cadmiumselenid vorgesehen.From the DT-AS I 157478 is an electrophotographic material made up of several layers known: On a layer support there is an intermediate layer of an amino alcohol and on top of it a arranged photoconductive layer. Zinc oxide, sulfur, anthracene, anthraquinone, lead oxide, Lead iodide, cadmium sulfide or cadmium selenide are provided.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein elektroradiografisches Aufzeichnungsmaterial der eingangs genannten Art zu schaffen, bei welchem die Röntgenempfindlichkeit gegenüber bekannten Materialien wesentlich erhöht ist und dabei die elektrischen Eigenschaften gewahrt und optimal genutzt sind.The invention is based on the object of providing an electroradiographic recording material To create the type mentioned at the outset, in which the X-ray sensitivity to known materials is significantly increased and the electrical properties are preserved and optimally used.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß die Selen und den Zusatz enthaltende Schicht als Zwischenschicht zwischen zwei Selen enthaltenden Schichten angeordnet ist, und daß die Zwischenschicht den Zusatz in einem Anteil bis 50 Gcwichtsprozent enthält.This object is achieved according to the invention in that the selenium and the additive containing Layer is arranged as an intermediate layer between two selenium-containing layers, and that the intermediate layer contains the additive in a proportion of up to 50 percent by weight.
Es hat sich gezeigt, daß zur Erzielung einer guten Röntgcnstrahinbsoiplipii ein ziemlich hoher Anteil eier dem Selen zugesetzten Elemente, nämlich bis zu 50Gewichtsprozent, nötigst. Ein derail hoher Anteil der zugesetzten Element.: würde aber die lichtelektrische Leitfähigkeit verschlechtern und die Dunkcllcit-fiihigkeil einer notierten elektrofotografischen Schicht \crringern. Dies ist dadurch vermieden, daß das elek-It has been shown that to achieve good X-ray radiation a fairly high proportion egg elements added to selenium, namely up to 50 percent by weight, necessary. A derail high proportion the added element .: but would be the photoelectric Worsen conductivity and the darkening capacity a noted electrophotographic layer. This is avoided by the fact that the elec-
trofotografischc Aufzeichnungsmaterial entsprechend mehrschichtig aufgebaut ist.photographic recording material is accordingly multilayered.
Gemäß einem Merkmal der Erfindung enthält die Zwischenschicht als Element mit einem Atomgewicht größer als 140 oder als Verbindung eines solchen Elementes Blei, Thallium, ein Metall der Seltenen Erden oder eine Verbindung eines dieser Elemente.According to a feature of the invention, the intermediate layer contains an element having an atomic weight greater than 140 or as a compound of such an element lead, thallium, a rare earth metal or a combination of any of these elements.
Damit werden optimale Verhältnisse sowohl in bezug auf die Röntgenabsorption als auch auf die elektrischen Eigenschaften der gesamten Selenschicht geschaffen. Bei einem solch hohen Dotierungsanteil zeigt es sich auch, daß Elemente mit hohem Atomgewicht sich hervorragend eignen, nicht jedoch solche mit zwar einem hohen spezifischen Gewicht, jedoch geringem Atomgewicht, wie sie in der genannten DT-OS 1497U07 zwar nicht ausschließlich, jedoch ebenfalls und gleichberechtigt neben den anderen aufgeführt sind.This results in optimal conditions with regard to both the X-ray absorption and the electrical absorption Properties of the entire selenium layer created. With such a high doping level it also shows that elements with a high atomic weight are eminently suitable, but not those with a high specific weight, but a low atomic weight, as in the above DT-OS 1497U07 not exclusively, but are also listed alongside the others on an equal footing.
Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung ist die Zwischenschicht zwischen einer Schicht aus reinem Selen und einer Selen enthaltenden Schicht mit einem kristailisationshemmenden Zusatz angeordnet.According to a further feature of the invention, the intermediate layer is between a layer of pure Selenium and a selenium-containing layer with a crystallization-inhibiting additive.
Durch die Einbettung von Elementen mit großem Atomgewicht in die Selenschicht wird die absorbierte Energie weitgehend zur Entladung der aufgeladenen Selenschicht und damit zum Bildaufbau nutzbar gemacht. Bei Aufnahmen des menschlichen Körpers mit einem elektroradiografischen Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung ist daher eine weit geringere Röntgenstrahlenbelastung möglich, als dies bei den bekannten elektroradiografischen Aufzeichnungsmaterialien der Fall war.By embedding elements with a high atomic weight in the selenium layer, the absorbed Energy largely made available for discharging the charged selenium layer and thus for creating an image. When recording the human body with an electroradiographic recording material according to the invention, therefore, a far lower X-ray exposure is possible than with the known electroradiographic recording materials was the case.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind durch die Unteransprüche gekennzeichnet.Further refinements of the invention are characterized by the subclaims.
In den Figuren sind zwei bevorzugte Ausführungsbeispiele für elektroradiografische Aufzeichnupgsmaterialien gemäß der Erfindung schematisch im Schnitt dargestellt.In the figures are two preferred embodiments for electroradiographic recording materials according to the invention shown schematically in section.
Das Element nach Fig. 1 besteht aus einer leitenden Unterlage 1 aus Aluminium oder Stahl mit einer Dicke von 5(/ bis 200 μπι. Auf dieser leitenden Unterlage 1 ist eine Schicht 2 aus Reinsclen mit einem Reinheitsgrad von 9lJ,y Prozent in einer Dicke von 5 bis 50 μτη angeordnet. Auf dieser Reinselenschicht befindet sich die Selenschicht 3 mit einem Element mit hohem Atomgewicht, vorzugsweise Blei oder einer Bleiverbindung, mit einer Dicke von 1 bis 50 /im. Auf dieser Schicht 3 ist die Selenschicht 4 angeordnet, die einen Zusatz von kristailisationshemmenden Stoffen besitzt. Vorzugsweise wird als Zusatz Arsen verwendet. Diese Schicht hat eine Dicke von 1 bis 50The element according to FIG. 1 consists of a conductive base 1 made of aluminum or steel with a thickness of 5 (/ to 200 μπι. On this conductive base 1 is a layer 2 made of Reinsclen with a degree of purity of 9 l J, y percent in a Thickness of 5 to 50 μm. Arranged on this pure selenium layer is the selenium layer 3 with an element with a high atomic weight, preferably lead or a lead compound, with a thickness of 1 to 50 μm. On this layer 3, the selenium layer 4 is arranged, which has an addition of anti-crystallization substances. Arsenic is preferably used as an additive. This layer has a thickness of 1 to 50
in /im. Der Arsengehalt beträgt vorzugsweise 0,5 Gewichtsprozent. in / in. The arsenic content is preferably 0.5 percent by weight.
Eine andere Ausführungsform für ein elektroradiografisches Element ist in Fig. 2 dargestellt. Hier besteht die leitende Unterlage 1 aus einer Folie aus Aluminium oder Stahl mit einer Dicke von etwa 0,1 mm. Beisolchen Folienunterlagen ist zwischen der untersten Selenschicht und leitenden Unterlage eine Schicht erforderlich, die die Haftung der Selenschicht auf der Unterlage verbessert.Another embodiment for an electroradiographic Element is shown in FIG. Here the conductive base 1 consists of a film Aluminum or steel with a thickness of about 0.1 mm. Both foil documents are between the The lowest selenium layer and conductive underlay require a layer to ensure the adhesion of the selenium layer improved on the pad.
Auf die bitende Unterlage ist daher eine Schicht 5 aus einem leitfähigen Lack aus P./yvinylacetal mit Zusätzen von Ruß und/oder Grafit, vorzugsweise durch Aufspritzen aufgebracht. Die Schicht 5 hat vorzugsweise eine Dicke von 0,5 bis 2 μπ\. Die Schicht 5A layer 5 of a conductive lacquer made of P./yvinylacetal with additions of carbon black and / or graphite is therefore applied to the bitter base, preferably by spraying. The layer 5 preferably has a thickness of 0.5 to 2 μπ \. Layer 5
»5 trägt eine Selenschicht 2 aus Reinselen mit einer Dicke vi.-n 1 bis 20 μπι. Dann folgt die Selenschicht 3 mit einem Element hohen Atomgewichts, vorzugsweise Blei, mit einer Stärke bis zu 30 μπι. Die letzte Schicht 4 besteht aus Selen mit einem kristallisationshemmenden Zusatz, vorzugsweise Arsen, und hat eine Dicke von 2 bis zu 30 μηι.»5 has a selenium layer 2 made of pure selenium with one Thickness vi.-n 1 to 20 μm. Then the selenium layer 3 follows with an element of high atomic weight, preferably lead, with a strength of up to 30 μm. The last Layer 4 consists of selenium with a crystallization-inhibiting additive, preferably arsenic, and has one Thickness from 2 to 30 μm.
Die einzelnen Selenschichten werden auf die Unterlage vorzugsweise durch Aufdampfen im Vakuum aufgebracht.The individual selenium layers are preferably applied to the substrate by vapor deposition in a vacuum upset.
Verzeichnis der BezugszeichenList of reference signs
1 leitende Unterlage1 executive document
2 Reinselen2 pure selenium
3 Zwischenschicht3 intermediate layer
4 Selen mit Zusatz4 selenium with added
5 Lackschicht5 coat of paint
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
Claims (9)
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| US3501343A (en) * | 1966-02-16 | 1970-03-17 | Xerox Corp | Light insensitive xerographic plate and method for making same |
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| US3574140A (en) * | 1968-02-26 | 1971-04-06 | Us Navy | Epitaxial lead-containing photoconductive materials |
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| US3709683A (en) * | 1970-12-18 | 1973-01-09 | Xerox Corp | Infrared sensitive image retention photoreceptor |
| US3712810A (en) * | 1970-12-18 | 1973-01-23 | Xerox Corp | Ambipolar photoreceptor and method |
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