DE2305407B2 - ELECTRORADIOGRAPHIC RECORDING MATERIAL - Google Patents
ELECTRORADIOGRAPHIC RECORDING MATERIALInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein elektroradiografisches Aufzeichnungsmaterial mit einem elektrisch leitenden Schichtträger und einer Selen enthaltenden Schicht mit einem Zusatz eines Elementes mit einem Atomgewicht größer als 140 oder einer Verbindung eines solchen Elementes.The invention relates to an electroradiographic recording material with an electrically conductive support and a selenium-containing layer with an addition of an element with a Atomic weight greater than 140 or a compound of such an element.
Es ist bereits bekannt, daß elektrofotografische Elemente, wie z. U. elektrofotografische Platten und i-'olien, mit einem hulbkitcndcn Selenüberzug auch für die Herstellung von Röntgenaufnahmen verwendet werden können (US-PS 2666 144).It is already known that electrophotographic elements such. U. electrophotographic plates and I-'olien, with a sleeve-like selenium coating too can be used for the production of X-rays (US-PS 2666 144).
Hierbei kommt es darauf an. das elektroradiografisclic Element besonders empfindlich für Röntgenstrahlen zu machen, um bei Aufnahmen des menschlichen Körpers die Röntgenstrahlenbelastung so gering wie möglich zu halten. Man hat insbesondere Elemente mit großem Atomgewicht dazu verwendet, dieThis is where it depends. the elektroradiografisclic To make element particularly sensitive to X-rays when taking pictures of the human Body to keep the X-ray exposure as low as possible. You have elements in particular with a large atomic weight used to produce the
Empfindlichkeit von Selenplatten für die Elektroradiografie zu steigern. So ist es beispielsweise bekannt, einen Verstärkungsschirm auf die Selenschicht während der Belichtung aufzulegen, der mindestens eine Schicht aus einem Element mit großem AtomgewichtSensitivity of selenium plates for electroradiography to increase. For example, it is known to place an intensifying screen on the selenium layer during the exposure to apply the at least one layer of a high atomic weight element
to enthält (US-PS 2859350).to (US-PS 2859350).
Weiter ist bekannt, eine Schicht aus einem Element hohen Atomgewichts in die leitende Unterlage für die Selenschicht einzubetten. Der Träger für die Selenschicht besteht aus zwei Aluminiumschichten, zwisehen denen sich eine Bleischicht befindet. Die oberste Aluminiumschicht trägt eine nichtleitende Aluminiumoxidschicht, auf der sich die Selenschicht befindet (US-PS 2 809 294,).It is also known to incorporate a layer of a high atomic weight element into the conductive substrate for the Embed selenium layer. The carrier for the selenium layer consists of two aluminum layers, in between which has a lead layer. The topmost aluminum layer has a non-conductive one Aluminum oxide layer on which the selenium layer is located (US Pat. No. 2,809,294).
Durch diese bekannten Mittel ist es jedoch nichtHowever, by these known means it is not
ao gelungen, die Empfindlichkeit der Selenschicht für Röntgenstrahlen wesentlich zu verbessern. Dies lag offenbar daran, daß die von der Schicht aus einem Element hohen Atomgewichtes absorbierte Röntgenstrahlenenergie nur zu einem geringen Teil zur Entla-ao managed to reduce the sensitivity of the selenium layer for Significantly improve x-rays. This was evidently due to the fact that the one from the layer Element of high atomic weight absorbed X-ray energy only to a small extent for discharge
dung der aufgeladenen Selenschicht beitrug.generation of the charged selenium layer contributed.
Aus tier DT-OS 1497007 ist es bekannt, als fotoleitendes Isoliermaterial Selen zu verwenden, dem Schwermetall-Halogenide hinzugefügt werden, um die spektrale Empfindlichkeit nach längeren Wellen-From tier DT-OS 1497007 it is known as photoconductive Insulating material to use selenium to which heavy metal halides are added the spectral sensitivity after longer wave
längen hin zu verschieben und auch die Empfindlichkeit in bezug auf Röntgenstrahlen zu vergrößern. Die Schwermetalle sind Metalle mit einem spezifischen Gewicht, das größer als 4,0 ist. Die Schwermetall-Halogenide stehen zum Selen in einem Molverhältnis,to shift lengths and also to increase the sensitivity to X-rays. the Heavy metals are metals with a specific gravity greater than 4.0. The heavy metal halides are in a molar ratio to selenium,
das kleiner als 20% ist. Auch mit einer solchen Maßnahme läßt sich die Empfindiichkeit der Selenschicht für Röntgenstrahlen nicht wesentlich verbessern, ohne gleichzeitig die lichtelektrische Leitfähigkeit zu verschlechtern und die Dunkelleitfähigkeit des fotoleitenden Materials zu verringern.that is less than 20%. Such a measure can also reduce the sensitivity of the selenium layer for X-rays do not improve significantly without at the same time deteriorating the photoelectric conductivity and reduce the dark conductivity of the photoconductive material.
Aus der DT-AS 1157478 ist ein aus mehreren Schichten aufgebautes elektrofotografisches Material bekannt: Auf einem Schichtträger sind eine Zwischenschicht aus einem Aminoalkohol und darauf eine fotoleitfähige Schicht angeordnet. Ais Fotoleiter ist Zinkoxid, Schwefel, Anthrazen, Anthrachinon, Bleioxid, Bleijodid, Cadmiumsulfid oder Cadmiumselenid vorgesehen.From the DT-AS 1157478 an electrophotographic material is made up of several layers known: On a layer support there is an intermediate layer of an amino alcohol and on top of it a photoconductive layer arranged. Ais photoconductor is zinc oxide, sulfur, anthracene, anthraquinone, lead oxide, Lead iodide, cadmium sulfide or cadmium selenide are provided.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein elektroradiografisches Aufzeichnungsmaterial der eingangs genannten Art zu schaffen, bei welchem die Röntgenempfindlichkeit gegenüber bekannten Materialien wesentlich erhöht ist und dabei die elektrischen Eigenschaften gewahrt und optimal genutzt sind.The invention is based on the object of providing an electroradiographic recording material To create the type mentioned at the outset, in which the X-ray sensitivity to known materials is significantly increased and the electrical properties are preserved and optimally used.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelost, daß die Selen und den Zusatz enthaltende Schicht als Zwischenschicht zwischen zwei Selen enthaltenden Schichten angeordnet ist, und daß die 2'wischenschicht den Zusatz in einem Anteil bis 50 Gewichtsprozent enthält.This object is achieved according to the invention in that the selenium and the additive containing Layer is arranged as an intermediate layer between two selenium-containing layers, and that the 2'wischenschicht contains the additive in a proportion of up to 50 percent by weight.
Es hat sich gezeigt, daß zur Erzielung einer guten Röntgenstrahlabsorption ein ziemlich hoher Anteil der dem Selen zugesetzten Elemente, nämlich bis zu 50 Gewichtsprozent, nötig ist. Ein derart hoher Anteil der zugesetzten Elemente wurde aber die lichtelektrische Leitfähigkeit verschlechtern und die Dunkelleitfähigkeit einer dotierten elektrofotografischen Schicht verringern. Dies ist dadurch vermieden, daß das elek-It has been found that to get good X-ray absorption a fairly high proportion of the elements added to selenium, namely up to 50 percent by weight, is necessary. Such a high proportion however, the added elements would worsen the photoelectric conductivity and the dark conductivity a doped electrophotographic layer. This is avoided by the fact that the elec-
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trofotografische Aufzeichnungsmaterial entsprechend mehrschichtig aufgebaut ist.The photographic recording material is correspondingly multilayered.
Gemäß einem Merkmal der Erfindung enthält die Zwischenschicht als Element mit eii*em Atomgewicht größer als 140 oder als Verbindung eines solchen Elementes Blei, Thallium, ein Metall der Seltenen Erden oder eine Verbindung eines dieser Elemente.According to a feature of the invention, the intermediate layer contains an element of one atomic weight greater than 140 or as a compound of such an element lead, thallium, a rare earth metal or a combination of any of these elements.
Damit werden optimale Verhältnisse sowohl in bezug auf die Röntgenabsorpiion als auch auf die elektrischen Eigenschaften der gesamten Selenschicht geschaffen. Bei einem solch hohen Dotierungsanteil zeigt es sich auch, daß Elemente mit hohem Atomgewicht sich hervorragend eignen, nicht jedoch solche mit zwar einem hohen spezifischen Gewicht, jedoch geringem Atomgewicht, wie sie in der genannten DT-OS 1497007 zwar nicht ausschließlich, jedoch ebenfalls und gleichberechtigt neben den anderen aufgeführt sind.This results in optimal conditions with regard to both the X-ray absorption and the electrical Properties of the entire selenium layer created. With such a high doping level it also shows that elements with a high atomic weight are eminently suitable, but not those with a high specific weight, but a low atomic weight, as in the above DT-OS 1497007 not exclusively, but also and on an equal footing with the others are listed.
Gemäß einem weiteren Merkmal der Erfindung ist die Zwischenschicht zwischen einer Schicht aus reinem Selen und einer Selen enthaltenden Schicht mit einem kristallisationshemmenden Zusatz angeordnet.According to a further feature of the invention, the intermediate layer is between a layer of pure Selenium and a selenium-containing layer with a crystallization-inhibiting additive arranged.
Durch die Einbettung von Elementen mit großem Atomgewicht in die Selenschicht wird die absorbierte Energie weitgehend zur Entladung der aufgeladenen Selenschicht und damit zum Bildaufbau nutzbar gemacht. Bei Aufnahmen des menschlichen Körpers mit einem elektroradiografischen Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung ist daher eine weit geringere Röntgenstrahlenbelastung möglich, als dies bei den bekannten elektroradiografischen Aufzeichnungsmaterialien der fall war.By embedding elements with a high atomic weight in the selenium layer, the absorbed Energy largely made available for discharging the charged selenium layer and thus for creating an image. When recording the human body with an electroradiographic recording material according to the invention, therefore, a far lower X-ray exposure is possible than with the known electroradiographic recording materials was the case.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind durch die Unteransprüche gekennzeichnet.Further refinements of the invention are characterized by the subclaims.
In den Figuren sind zwei bevorzugte Ausführungsbeispiele für elektroradiografische Aufzeichnungsmaterialien gemäß der Erfindung schematisch im Schnitt dargestellt.Two preferred exemplary embodiments for electroradiographic recording materials according to the invention are shown schematically in the figures Section shown.
Das Element nach Fig. 1 besteht aus einer leitenden Unterlage 1 aus Aluminium oder Stahl mit einer Dicke von 50 bis 200 μηι. Auf dieser leitenden Unterlage 1 ist eine Schicht 2 aus Reinselen mit einem Reinheitsgrad von 99,9 Prozent in einer Dicke von 5 bis 50 μπι angeordnet. Auf dieser Reinselenschicht befindet sich die Selenschicht 3 mit einem Element mit hohem Atomgewicht, vorzugsweise Blei oder einer Bleiverbindung, mit einer Dicke von 1 bis 50 μνη. Auf dieser Schicht 3 ist die Selenschicht 4 angeordnet, die einen Zusatz von kristallisationshemmenden Stoffen besitzt. Vorzugsweise wird als Zusatz Arsen verwendet. Diese Schicht hat eine Dicke von 1 bis 50The element according to FIG. 1 consists of a conductive base 1 made of aluminum or steel with a thickness of 50 to 200 μm. A layer 2 of pure selenium with a degree of purity of 99.9 percent and a thickness of 5 to 50 μm is arranged on this conductive base 1. The selenium layer 3 with an element with a high atomic weight, preferably lead or a lead compound, with a thickness of 1 to 50 μνη is located on this pure selenium layer. The selenium layer 4, which has an addition of crystallization-inhibiting substances, is arranged on this layer 3. Arsenic is preferably used as an additive. This layer has a thickness of 1 to 50
ίο μπ\. Der Arsengehalt beträgt vorzugsweise 0,5 Gewichtsprozent. ίο μπ \. The arsenic content is preferably 0.5 percent by weight.
Eine andere Ausführungsform für ein elektroradiografisches Element ist in Fig. 2 dargestellt. Hier besteht die leitende Unterlage 1 aus einer Folie aus Aluminium oder Stahl mit einer Dicke, von etwa 0,1 mm. Bei solchen Folienunterlagen ist zwischen der untersten Selenschicht und leitenden Unterlage eine Schicht erforderlich, die die Haftung der Selenschicht auf der Unterlage verbessert.Another embodiment for an electroradiographic element is shown in FIG. here the conductive base 1 consists of a foil made of aluminum or steel with a thickness of about 0.1 mm. With such foil underlays there is a layer between the lowest selenium layer and the conductive underlay Layer required that improves the adhesion of the selenium layer to the substrate.
ao Auf die leitende Unterlage ist daher eine Schicht 5 aus einem leitfähigen Lack aus Polyvinylacetat mit Zusätzen von Ruß und/oder Grafit, vorzugsweise durch Aufspritzen aufgebracht. Die Schicht 5 hat vorzugsweise eine Dicke von 0,5 bis 2 μιτι. Die Schicht 5 trägt eine Selenschicht 2 aus Reinselen mit einer Dicke von 1 bis 20 μιτι. Dann folgt die Selenschicht 3 mit einem Element hohen Atomgewichts, vorzugsweise Blei, mit einer Stärke bis zu 30 μηι. Die letzte Schicht 4 besteht aus Selen mit einem kristallisationshemmenden Zusatz, vorzugsweise Arsen, und hat eine Dicke von 2 bis zu 30 μΐη.ao There is therefore a layer 5 on the conductive base from a conductive varnish made from polyvinyl acetate with additions of carbon black and / or graphite, preferably applied by spraying. The layer 5 preferably has a thickness of 0.5 to 2 μm. Layer 5 carries a selenium layer 2 made of pure selenium with a thickness of 1 to 20 μm. Then the selenium layer 3 follows with an element of high atomic weight, preferably lead, with a strength of up to 30 μm. The last Layer 4 consists of selenium with a crystallization-inhibiting additive, preferably arsenic, and has one Thickness from 2 to 30 μm.
Die einzelnen Sclenschichten werden auf die Unterlage vorzugsweise durch Aufdampfen im Vakuum aufgebracht.The individual layers of film are preferably applied to the substrate by vapor deposition in a vacuum upset.
Verzeichnis der BezugszeichenList of reference signs
leitende Unterlage
Reinselen
Zwischenschicht
Selen mit Zusatz
Lackschichtconductive document
Pure selenium
Intermediate layer
Selenium with added
Lacquer layer
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen1 sheet of drawings
Claims (9)
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2305407A DE2305407C3 (en) | 1973-02-03 | 1973-02-03 | Electroradiographic recording material |
| US436019A US3901703A (en) | 1973-02-03 | 1974-01-23 | Xeroradiographic plate |
| NL7400954A NL7400954A (en) | 1973-02-03 | 1974-01-24 | |
| BR708/74A BR7400708D0 (en) | 1973-02-03 | 1974-01-31 | XERORADIOGRAPHIC ELEMENT |
| JP49012342A JPS5218582B2 (en) | 1973-02-03 | 1974-01-31 | |
| ES422826A ES422826A1 (en) | 1973-02-03 | 1974-01-31 | Xeroradiographic plate |
| CH142274A CH589873A5 (en) | 1973-02-03 | 1974-02-01 | |
| GB481174A GB1456724A (en) | 1973-02-03 | 1974-02-01 | Xeroradiographic member hypodermic needles and supports therefor |
| FR7403409A FR2216608B1 (en) | 1973-02-03 | 1974-02-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2305407A DE2305407C3 (en) | 1973-02-03 | 1973-02-03 | Electroradiographic recording material |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2305407A1 DE2305407A1 (en) | 1974-08-08 |
| DE2305407B2 true DE2305407B2 (en) | 1977-08-04 |
| DE2305407C3 DE2305407C3 (en) | 1978-04-06 |
Family
ID=5870892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2305407A Expired DE2305407C3 (en) | 1973-02-03 | 1973-02-03 | Electroradiographic recording material |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3901703A (en) |
| JP (1) | JPS5218582B2 (en) |
| BR (1) | BR7400708D0 (en) |
| CH (1) | CH589873A5 (en) |
| DE (1) | DE2305407C3 (en) |
| ES (1) | ES422826A1 (en) |
| FR (1) | FR2216608B1 (en) |
| GB (1) | GB1456724A (en) |
| NL (1) | NL7400954A (en) |
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- 1974-01-24 NL NL7400954A patent/NL7400954A/xx not_active Application Discontinuation
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- 1974-02-01 CH CH142274A patent/CH589873A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1974-02-01 GB GB481174A patent/GB1456724A/en not_active Expired
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|---|---|
| JPS5136944A (en) | 1976-03-29 |
| ES422826A1 (en) | 1977-05-16 |
| FR2216608A1 (en) | 1974-08-30 |
| FR2216608B1 (en) | 1977-09-16 |
| DE2305407C3 (en) | 1978-04-06 |
| CH589873A5 (en) | 1977-07-15 |
| NL7400954A (en) | 1974-08-06 |
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| JPS5218582B2 (en) | 1977-05-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |