DE3029852C2

DE3029852C2 - Electrophotographic recording material

Info

Publication number: DE3029852C2
Application number: DE19803029852
Authority: DE
Inventors: Reimund Dr.rer.nat. 7141 Schwieberdingen Dornd; Kurt Dr.rer.nat. 7000 Stuttgart Lösch
Original assignee: Standard Elektrik Lorenz AG
Current assignee: Alcatel Lucent Deutschland AG
Priority date: 1980-08-07
Filing date: 1980-08-07
Publication date: 1984-02-16
Also published as: DE3029852A1

Description

Die Erfindung betrifft ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial mit einer auf einem elektrisch leitenden Schichtträger angeordneten fotoleitfähigen Zwischenschicht jnd einer darauf angeordneten Schicht aus einem Fotohalbleiter/nit hokrm Dunkelwiderstand.The invention relates to an electrophotographic recording material with one on one electrically A photoconductive intermediate layer arranged on the conductive substrate and a layer arranged thereon from a photo semiconductor / nit hokrm dark resistance.

In Fotokopiergeräten besteht das verwendete elektrofotografische Aufzeichnungsms! rial aus einer Aluminiumtrommel, auf die eine fotoleitfähige Schicht, z. B. aus amorphem Selen oder aus Cadmiumsulfid aufgedampft ist. Ein Fotohalbleitermaterial, das zur Verwendung in einer solchen fotoleitfähigen Schicht geeignet sein soll, muß einen hohen Dunkelwiderstand und eine gute Absorptionsfähigkeit im sichtbaren Bereich der elektromagnetischen Strahlung aufweisen.In photocopiers, the one used is electrophotographic Recording ms! rial from an aluminum drum on which a photoconductive layer, e.g. B. vapor-deposited from amorphous selenium or from cadmium sulfide is. A photo semiconductor material suitable for use in such a photoconductive layer should be, must have a high dark resistance and a good absorption capacity in the visible range of the have electromagnetic radiation.

Von allem bisher als fotoleitfähige Schicht fih~ Kopiertrommeln verwendeten Fotohalbleitern zeichnet sich amorphes Selen durch einen besonders hohen Dunkelwiderstand aus. Ein besonders schwerwiegender Nachteil des amorphen Selens ist jedoch, daß das Absorptionsvermögen vom blauen Bereich des sichtbaren Lichtes zum roten Bereich hin stark abnimmt. Diese Abnahme ist so stark, daß mit amorphem Selen keine Kopien von Vorlagen gemacht werden können, die eine ausschließlich rote Darstellung aufweisen. Durch verschiedene Maßnahmen, wie z. B. Dotierung des Selens oder eine Verfahrensführung beim Aufdampfen, die teilweise zu kristallinem Selen führt, gelingt es, die Absorptionsfähigkeit einer aus Selen bestehenden fotoleitfähigen Schicht auch im roten Bereich erheblich zu steigern, doch bestehen nach wie vor erhebliche Absorptionsunterschiede von blauem und von rotem Licht, so daß es nicht ohne weiteres möglich ist, vorlagegetreue Farbkopien in einem einfachen Kopier= verfahren mit Hilfe einer Selentrommel herzustellen.From everything so far as a photoconductive layer fih ~ Photo semiconductors used for copier drums, amorphous selenium is characterized by a particularly high level of selenium Dark resistance off. A particularly serious disadvantage of amorphous selenium, however, is that Absorbency decreases sharply from the blue range of visible light to the red range. These The decrease is so great that amorphous selenium cannot be used to make copies of originals, the one show only red representation. Through various measures, such as. B. Selenium doping or a process procedure during vapor deposition, which partially leads to crystalline selenium, succeeds in the The absorption capacity of a photoconductive layer consisting of selenium is also considerable in the red area but there are still considerable differences in absorption between blue and red Light, so that it is not easily possible to make true-to-original color copies in a simple copy = process with the help of a selenium drum.

Bei radioelektrofotografischen Verfahren bestehen die elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien üblicherweise aus Aluminiumplatten, die als fotoleitfähige Schicht eine amorphe Selenschicht aufweisen, die jedoch erheblich dicker ist als eine Selenschicht, wie sie auf Kopiertrommeln verwendet wird. Man versucht, die Selenschicht so dick wie möglich herzustellen, um eine möglichst hohe Absorption der Röntgenstrahlung zu erzielen. Eine bessere Absorption ist mit Fotohalbleitern möglich, die sehr schwere Atome aufweisen, z. B. mit Bleioxid. Von allen bekannten Fotohalbleitern weist jedoch amorphes Selen den höchsten Dunkelwiderstand auf, so daß es trotz seines relativ schwachen Absorptionsvermögens für Röntgenstrahlen dennoch fast ausschließlich praktische Verwendung fin let Für Röntgenelektrofografie geeignete Fotohalbleiter undIn radioelectrophotographic processes, the electrophotographic recording materials exist Usually made of aluminum plates which have an amorphous selenium layer as a photoconductive layer, the however, it is considerably thicker than a selenium layer used on copier drums. You try that Produce a selenium layer as thick as possible in order to achieve the highest possible absorption of the X-rays achieve. Better absorption is possible with photo semiconductors that have very heavy atoms, e.g. B. with lead oxide. Of all known photo semiconductors, however, amorphous selenium has the highest dark resistance so that, despite its relatively weak ability to absorb X-rays, it still does almost exclusively practical use fin let for Photo semiconductors suitable for X-ray electrofography and

ίο Aufzeichnungsmaterialien sind in dem Buch von R. M. Schaffen »Elektrophotography«, 1975, auf den Seiten 196 bis 198, beschrieben. Elektrofotografische Aufzeichnungsmaterialien mit amorphem Selen besitzen, wie schon erwähnt, einen sehr hohen Dunkelwiderstand und ein gutes Absorptionsvermögen im sichtbaren Bereich der elektromagnetischen Strahlung mit Ausnahme des roten Bereiches. Bei elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien, die in diesem roten oder auch ultraroten Bereich, oder im Bereich der Röntgenstrahlung verwendet werden sollen, sind bei der Materialauswahl des Fotohaibieiters Kompromisse zwischen hohem Dunkelwiderstand und gutem Absorptionsvermögen zu schließen.
Aus der DE-AS 19 32 105 ist bereits ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial bekannt, bei dem auf einem leitenden Schichtträger eine Schicht aus glasartigem Selen und auf dieser eine Schicht aus einem Selen-Tellur-Gemisch angeordnet ist. Diese Schicht eignet sich jedoch nicht für die Elektrofotografie.ίο Recording materials are described in the book by RM Schaffen "Elektrophotography", 1975, on pages 196 to 198. As already mentioned, electrophotographic recording materials with amorphous selenium have a very high dark resistance and good absorption capacity in the visible range of electromagnetic radiation, with the exception of the red range. In the case of electrophotographic recording materials that are to be used in this red or also ultra-red range, or in the range of X-rays, compromises must be made between high dark resistance and good absorption capacity when selecting the material for the photo-reflector.
From DE-AS 19 32 105 an electrophotographic recording material is already known in which a layer of vitreous selenium and a layer of a selenium-tellurium mixture is arranged on a conductive layer support. However, this layer is not suitable for electrophotography.

JO Weiter ist aus dic-ser Veröffentlichung ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial bekannt, bei dem auf einem Metallschichtträger eine Selen-Tellur-Schicht von etwa 25 μπι Dicke angeordnet ist und auf dieser eine dünne Schicht aus Selen mit einer Dicke von etwaJO Next is an electrophotographic from this publication Recording material is known in which a selenium-tellurium layer on a metal support of about 25 μπι thickness is arranged and on this a thin layer of selenium with a thickness of about

J5 l um. Auf diese dünne Selenschicht ist noch eine Isolierschicht aus Polycarbonat aufgebrachtJ5 l around. There is another layer of selenium on top of this thin layer of selenium Polycarbonate insulating layer applied

Weiter ist dort ein Dreischichten-Aufbau beschrieben, bei dem zwischen der unteren und der oberen Fotohalbleiterschicht eine Üüergangs^chicht angeordnet ist, die Bestandteile der beiden angrenzenden Schichten in wechselnder Menge enthält, so daß ein allmählicher Übergang von der einen Schichtzusammensetzung zur anderen Schichtzusammensetzung vorhanden ist Die untere Schicht besteht beispielsweise aus einer Selen-Tellur-Legierung, die obere Schicht aus einer Selen-Schicht und die Zwischenschicht aus einer Selen-Schicht mit abgestuftem Tellur-Gehalt. Die untere Schicht kann, auch aus Cadmiumsulfid bestehen, die obere Schicht aus Zinksulfid und die Zwischenschicht aus einem abgestuften Gemisch von Cadmiumsulfid und Zinksulfid.A three-layer structure is also described there, in which between the lower and the upper Photo semiconductor layer arranged a transition layer is, the constituents of the two adjacent layers in varying amounts, so that one gradual transition from one layer composition to the other layer composition The lower layer consists, for example, of a selenium-tellurium alloy, the upper layer of a selenium layer and the intermediate layer of a selenium layer with a graduated tellurium content. the lower layer can also consist of cadmium sulfide, the top layer of zinc sulfide and the intermediate layer of a graded mixture of cadmium sulfide and zinc sulfide.

uin solcher Schichtaufbau mit einer Zwischenschicht abgestuften Gehaltes an einem Bestandteil läßt sich jedoch nur mit großem Aufwand herstellen.Such a layer structure with an intermediate layer with a graded content of one constituent can be used but only produce with great effort.

Aus der DE-AS 12 77 016 ist ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial bekannt, das eine erweiterte spektrale Empfindlichkeit habensoll.From DE-AS 12 77 016 is an electrophotographic Recording material known which should have an extended spectral sensitivity.

Dazu werden auf einem Schichtträger zwei Fotohalbleiterschichten übereinander angeordnet, von denen die eine Fotohalbleiterschicht amorphes Seien und die andere Fotohalbletterschicht kristallines Selen oder eine Selen-Tellur-Legierung sein kann. Bedingung ist weiter, daß die zweite Schicht nur eine sehr geringe Dicke haben darf. z. B. weniger als 0,1 μΐη, und daß diese Schicht an zwei isolierende Schichten angrenzen muß. Bei Schichtdicken der zweiten Fotohalbleiterschicht von mehr als 0,2 μηι wird der angestrebte Vorteil nicht erreicht. Zur Isolation der zweiten FotohalbleiterschichtFor this purpose, two photo semiconductor layers are arranged one above the other on a layer carrier, of which the one photo semiconductor layer is amorphous selenium and the other photo semiconductor layer is crystalline selenium or one Can be selenium-tellurium alloy. Another condition is that the second layer is only very thin may have. z. B. less than 0.1 μΐη, and that this Layer must be adjacent to two insulating layers. With layer thicknesses of the second photo semiconductor layer of more than 0.2 μm is not the desired advantage achieved. For isolating the second photo semiconductor layer

müssen gegebenenfalls zusätzliche Isolationsschichten, beispielsweise aus Magnesiumoxid oder Silikonharz angeordnet werden, die noch dazu optisch transparent sein müssen.may have to have additional insulation layers, for example made of magnesium oxide or silicone resin be arranged, which must also be optically transparent.

Derartig dünne Schichten lassen sich nur sehr schwierig in der erforderlichen Gleichmäßigkeit herstellen und die Erzeugung zusätzlicher transparenter isolierender Schichten bildet ein weiteres Erschwernis bei der Herstellung einer solchen Anordnung.Such thin layers are very difficult to produce with the required uniformity and the creation of additional transparent insulating layers constitutes a further complication in the manufacture of such an arrangement.

Die DE-AS 23 05 407 bezieht sich auf ein Aufzeich- m nungsmaterial speziell für die Elektroradiografie. Mit der dort beschriebenen Anordnung wird versucht, die Röntgenempfindlichkeit von Selen-Schichten für diesen Zweck dadurch zu verbessern, daß zwischen zwei Selen-Schichten eine weitere Selen-Schich: angeordnet '5 wird, die bis zu 50 Gewichtsprozent eines Zusatzes eines Elementes mit einem Atomgewicht größer als 140 oder einer Verbindung eines solchen Elementes enthält Hier müssen also drei verschiedene Selen-Schichten nacheinander aufgebracht werden, von denen die mittlere Schich-·: Zusätze an Verbindungen schwerer Elemente enthält. Das Aufbringen von solchen Schichten, beispielsweise durch Aufdampfen, bereitet jedoch besondere Schwierigkeiten, weil diese Zusatzstoffe bei ganz anderen Temperaturen verdampfen als das Selen.DE-AS 23 05 407 relates to a record tion material especially for electroradiography. With the arrangement described there is attempted, the To improve X-ray sensitivity of selenium layers for this purpose by placing between two Selenium layers another selenium layer: arranged '5 is up to 50 percent by weight of an additive of an element with an atomic weight greater than 140 or a compound of such an element contains three different selenium layers one after the other are applied, of which the middle layer- ·: Additions of compounds of heavy elements contains. The application of such layers, for example by vapor deposition, prepares, however particular difficulties because these additives evaporate at completely different temperatures than selenium.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial zu schaffen, bei dem das Absorptionsvermögen für Strahlungsenergie in einem bestimmten Wellenlängenbereich durch einen einfach herstellbaren Schichtaufbau verbessert ist.The invention is based on the object of creating an electrophotographic recording material, in which the absorption capacity for radiant energy in a certain wavelength range is improved by a layer structure that is easy to manufacture.

Diese Aufgabe wird durch die im Kennzeichen des Anspruchs 1 genannten Maßnahmen gelöstThis object is achieved by the measures mentioned in the characterizing part of claim 1

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung können den Unteransprüchen entnommen werden. ^J5 Advantageous further developments of the invention can be found in the subclaims. ^J5

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial auf dem elektrisch leitenden Schichtträger zwei Schichten aufweist, und zwar eine Fotohalbleiterschicht mit einem möglichst hohen Dunk :Iwiderstand und zwischen Fotohalbleiterschicht und Träger eine Zwischenschicht aus CuInSe2, Silizium, Germanium, Bleisulfid oder Bleioxid. Bei dieser Anordnung ist es nicht mehr notwendig, einen Kompromiß zwischen hohem Dunkelwiderstand und gutem Absorptionsvermögen zu schließen. Der erste ^A'^J Fotohalblciter wird vielmehr überv/iegend unter dem Gesichtspunkt eines hohen Dunkelwiderstandes ausgewählt. Unter den derzeit bekannten Fotohalbleiterr. wird man dabei in fast allen Fällen amorphes Selen auswählen. "^l0 According to the invention it is provided that the electrophotographic recording material has two layers on the electrically conductive substrate, namely a photo semiconductor layer with the highest possible dark resistance and an intermediate layer of CuInSe2, silicon, germanium, lead sulfide or lead oxide between the photo semiconductor layer and the substrate. With this arrangement it is no longer necessary to compromise between high dark resistance and good absorption capacity. Rather, the first ^A ' ^J photo half liter is predominantly selected from the point of view of high dark resistance. Among the currently known photo semiconductors In almost all cases, amorphous selenium will be selected. " ^l0

Welches Material für die Zwischenschicht ausgewählt wird, hänrjt vom Bereich der Wellenlängen der zu empfangenden Strahlung ab. Wenn Strahlung im roten und nahen infraroten Bereich empfangen werden soll, so wird CuInSe? ,oder Silizium oder Germanium verwen-'⁵⁵ det. Soll dagegen Röntgenstrahlung empfangen werden, so sind Bleisulfid oder Bleioxid besonders vorteilhaft.Which material is selected for the intermediate layer depends on the range of wavelengths of the radiation to be received. If radiation in the red and near infrared range is to be received, then CuInSe? , or silicon or germanium verwen- 'det ^55th If, on the other hand, X-rays are to be received, lead sulfide or lead oxide are particularly advantageous.

Mit einem solchen elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial ist es auf einfache Art und Weise möglich, farbgetreue Kopien einer Vorlage herzustellen. Dazu wird die Vorläge dreimal belichtet, wobei jedesmal das reflektierte Licht durch ein anderes Filter hindurch jeweils deckungsgleich auf die Anordnung durchgelassen wird. Die Filter lassen jeweils nur eine der drei Grundfarben, von denen eine Rot ist, durch. Nach jedem Belichtungsvorgang wird mit einem Farbtoner die jeweilige Grundfarbe entwickelt.With such an electrophotographic recording material it is possible in a simple manner make true-color copies of an original. For this purpose, the template is exposed three times, each time the reflected light passed through another filter congruently onto the arrangement will. The filters only let through one of the three primary colors, one of which is red. After every In the exposure process, the respective base color is developed with a color toner.

Das elektrofotograhsche Aufzeichnungsmaterial kann auch in Faksimile-Schreibeinrichtungen verwendet werden. Dabei wird das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial punktweise belichtet Zum punktweisen Belichten sind verschiedene Vorrichtungen bekannt; unter anderem ist schon vorgeschlagen worden, dazu Leuchtdioden zu verwenden. Bei der Anwendung von Leuchtdioden ergab sich jedoch bisher das Problem, daß alle Leuchtdioden mit hohem Wirkungsgrad im infraroten Bereich emittieren, in dem die bisher bekannten elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterialien nicht mehr oder zumindest nicht mehr gut absorbieren. Mit einem elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial der vorgeschlagenen Art, die auch im infraroten Bereich gut absorbiert und dennoch einen hohen Dunkelwiderstand aufweist, ist es nun auch möglich, Faksimilekopien durch punktweises Belichten mit Leuchtdioden, die im roten bis infraroten Spektralbereich emittieren, herzustellen.The electrophotographic recording material can also be used in facsimile writing devices will. The electrophotographic recording material is exposed point by point Zum Various devices are known point-wise exposure; among other things is already proposed been to use light-emitting diodes for this purpose. So far, however, this has resulted in the use of light-emitting diodes the problem that all light-emitting diodes emit with high efficiency in the infrared range, in which the previously known electrophotographic recording materials no longer or at least no longer absorb well. With an electrophotographic recording material of the type proposed, the It is also well absorbed in the infrared range and yet has a high dark resistance possible to make facsimile copies by point-by-point exposure with light-emitting diodes in the red to infrared spectral range emit, manufacture.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von durch Figuren veranschaulichten Ausfübr-ngsbeispielen näher erläutert Es zeigtThe invention is explained in more detail below with reference to exemplary embodiments illustrated by figures explained it shows

F i g. 1 schematischer Schnitt durch ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial, das mit Licht bestrahlt wird, das in einer Fotohalbleiterschicht absorbiert wird,F i g. 1 shows a schematic section through an electrophotographic recording material which is irradiated with light that is absorbed in a photo semiconductor layer,

F i g. 2 schematischer Schnitt durch ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial, das mit Licht bestrahlt wird, das eine Fotohalbleiterschicht durchdringt und erst in einer fotoleitfähigen Zwischenschicht absorbiert wird,F i g. 2 shows a schematic section through an electrophotographic recording material which is irradiated with light that penetrates a photo semiconductor layer and only in a photoconductive intermediate layer is absorbed,

F i g. 3 schematischer Schnitt durch ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial nach dessen Bestrahlen mit LichtF i g. 3 shows a schematic section through an electrophotographic recording material after it has been irradiated with light

In den F i g. 1 bis 3 ist jeweils schematisch ein Schnitt durch ein elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial 1 dargestellt. Die Anordnung weist im wesentlichen drei Schichten auf, und zwar einen Schichtträger 2, eine fotoleitfähige Zwischenschicht 3 und eine Fotobalbleiterschicht 4. Die Darstellungen sind nicht maßstabsgetreu. Der Schichtträger 2 ist hier jeweils als dünne Scb^:cht dargestellt da es in den Darstellungen nur darauf ankommt, daß dieser Schichtträger elektrisch leitend ist Bei einem elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial besteht der Schichtträger 2 iräufig aus einer Aluminiumplatte oder einer Alur.iiniumtrommel von mehreren Millimetern Wandstärke. Dagegen ist der Fotohalbleiter 4 für Anwendungen im Bereich des sichtbaren Lichtes 50 bis 100 μΐη dick und bei Anwendungen in der Röntgenelektrofotografie einige 100 μπι. Die fotoleitfähige Zwischenschicht 3 ist je nach ausgewähltem Material und zu empfangender Wellenlänge einige bis einige 10 μπι stark. Die Fotohalbleiltrschicht 4 besteht bei üblichen elektrofotografischen Ajfzeichnungsmaterialien häufig aus amorphem Selen oder aus Cadmiumsulfid. Auch andere anorganische Fotohalbleiter, wie z. B. Zinksulfid oder Bleioxid, oder organische Stoffe, wie Anthrazen oder Stilben finden Verwendung.In the F i g. 1 to 3, a section through an electrophotographic recording material 1 is shown schematically in each case. The arrangement has essentially three layers, namely a layer carrier 2, a photoconductive intermediate layer 3 and a photoconductive layer 4. The illustrations are not true to scale. The substrate 2 is in each case designed as a thin ^Scb: shown CHT since it only it arrives in the representations that this substrate is electrically conductive, In an electrophotographic recording material of the substrate 2 is composed iräufig of an aluminum plate or a Alur.iiniumtrommel of several millimeters thickness. In contrast, the photo semiconductor 4 is 50 to 100 μm thick for applications in the range of visible light and a few 100 μm for applications in X-ray electrophotography. The photoconductive intermediate layer 3 is a few to a few 10 μm thick, depending on the material selected and the wavelength to be received. In the case of conventional electrophotographic recording materials, the photo semiconductor layer 4 often consists of amorphous selenium or of cadmium sulfide. Other inorganic photo semiconductors, such as. B. zinc sulfide or lead oxide, or organic substances such as anthracene or stilbene are used.

Wird das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial 1 mit Strahlung einer Wellenlänge belichtet, die der Fotöhälbleäter der Fotohalbleiterschicht 4 absorbiert, so arbeitet die Anordnung wie ein herkömmliches elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial. In der Anordnung gemäß Fig. 1 besteht die Fotohalbleiterschicht 4 z. B. aus Feien und der Schichtträger 2 aus Aluminium. Die Fotohalbleiterschicht ist an ihrer Oberfläche 5 mit positiven Ladungsträgern 6 aufgeladen. Der Schichtträger 2 ist geerdet. Durch die ölfnungIf the electrophotographic recording material 1 is exposed to radiation of a wavelength which is the Photo semiconductor absorbed by the photo semiconductor layer 4, the arrangement works like a conventional one electrophotographic recording material. In the arrangement according to FIG. 1, there is the photo semiconductor layer 4 z. B. from Feien and the substrate 2 made of aluminum. The photo semiconductor layer is on theirs Surface 5 charged with positive charge carriers 6. The substrate 2 is grounded. Through the opening

7 einer Blende 8 wird das Aufzeichnungsmaterial mit blauem Licht eines Wellenlängenbereiches Wb belichtet. Dieses blaue Licht wird in der Fotohalbleiterschicht 4 unter Bildung von Ladungsträgerpaaren absorbiert. Unter dem Einfluß des zwischen Fotohaibleiteroberfläche S und Schichtträger 2 bestehenden elektrischen Feldes bewegt sich der negative Ladungsträgerteil 9 auf die positiv geladene Fotohalbleiteroberfläche 5 und der positive Ladungsträger 10 auf den Schichtträger 2 zu.7 of a diaphragm 8, the recording material is exposed to blue light of a wavelength range Wb. This blue light is absorbed in the photo semiconductor layer 4 with the formation of charge carrier pairs. Under the influence of the electric field existing between the photo semiconductor surface S and the layer carrier 2, the negative charge carrier part 9 moves towards the positively charged photo semiconductor surface 5 and the positive charge carrier 10 moves towards the layer carrier 2.

Durch die die Fotohalbleiteroberfläche 5 erreichenden negativen Ladungsträgerteile 9 wird die positive Ladung auf der Fotohalbleiteroberfläche an den belichteten Stellen kompensiert. Dadurch ergibt sich ein Muster der positiven Ladungsträger 6 auf der Fotohalbleiteroberfläche 5, wie es in F i g. 3 dargestellt ist.Due to the negative charge carrier parts 9 reaching the photo semiconductor surface 5, the positive Compensated for the charge on the photo semiconductor surface in the exposed areas. This results in a Pattern of the positive charge carriers 6 on the photo semiconductor surface 5, as shown in FIG. 3 shown is.

Bei Bestrahlung mit blauem Licht, wie es zuvor beschrieben ist, arbeitet das Aufzeichnungsmaterial gemäß der Erfindung wie uic uckünmc Anordnung. Wenn nun jedoch die aus amorphem Selen bestehende Fotohalbleiterschicht 4 mit rotem Licht des Wellenlängenbereiches Wr belichtet wird, wie dies in Fig.2 dargestellt ist, so erfolgt keine Absorption mehr in der Fotohalbleiterschicht 4, da amorphes Selen für derartige Wellenlängen recht gut durchlässig ist.When irradiated with blue light, as described above, the recording material according to the invention works like the same arrangement. If, however, the photo semiconductor layer 4 consisting of amorphous selenium is exposed to red light of the wavelength range Wr , as shown in FIG.

Bei dem elektrofotografischen Aufzeichnungsmaterial 1 gemäß der Erfindung befindet sich jedoch zwischen Fotohalbleiterschicht 4 und Schichtträger 2 eine fotoleitfähige Zwischenschicht 3 aus einemIn the electrophotographic recording material 1 according to the invention, however, there is between the photo semiconductor layer 4 and the substrate 2, a photoconductive intermediate layer 3 composed of a

fotoleitfähigen Material, das rotes Licht besonders gut absorbiert, wie CuInSe?, das z. B. durch Molekularstrahlepitaxie oder durch Aufdampfen auf den Schichtträger 2 aufgebracht ist. Bei der Absorption des roten Lichtes in der fotoleitfähigen Zwischenschicht 3 werden wiederum Ladungsträgerpaare gebildet, von denen der negative Ladungsträgerteil 9 zur Fotohalbleiteroberfläche hin und der positive Ladungsträgerteil 10 zum Schichtträger 2 wandert. Diese Wanderung erfolgt wieder unter dem Einfluß eines elektrischen Feldes zwischen dem geerdeten Schichtträger 2 und der positiven Fotohalbleiteroberfläche 5. Erfolgt das Belichten wiederum durch die öffnung 7 einer Blende 8 wie in Fig. 1, so ergibt sich nach dem Belichten das Muster der positiven Ladungsträger 6 auf der Fotohalbleiteroberfläche 5, wie es in F i g. 3 dargestellt ist.photoconductive material that absorbs red light particularly well, such as CuInSe ?, the z. B. by molecular beam epitaxy or by vapor deposition on the substrate 2 is upset. When the red light is absorbed in the photoconductive intermediate layer 3, again Formed charge carrier pairs, of which the negative charge carrier part 9 to the photo semiconductor surface and the positive charge carrier part 10 migrates to the substrate 2. This hike takes place again under the influence of an electric field between the grounded substrate 2 and the positive photo semiconductor surface 5. The exposure takes place again through the opening 7 of a diaphragm 8 as in FIG. 1, so after exposure, the pattern of the positive charge carriers 6 on the photo semiconductor surface 5, such as it in Fig. 3 is shown.

Die Fotohalbleiterschicht besteht vorzugsweise aus amorphem Selen, da dieses von allen bekannten Fctchslbieitsm den höchsten 0unkt?!widcrs?5!nd ?*ufweist. Für die fotoleitfähige Zwischenschicht wird aus den genannten Stoffen derjenige ausgewählt, der im Bereich der Wellenlängen der zu empfangenden Strahlung besonders gut absorbiert. Soll das elektrofotografische Aufzeichnungsmaterial für röntgenelektro fotografische Zwecke verwendet werden, so kommt es auf ein besonders hohes Absorptionsvermögen für Röntgenstrahlen an. Für diese Anwendung wird als Materi*' 5ür die Zwischenschicht Bleioxid oder Bleisulfid verwendet.The photo semiconductor layer is preferably made of amorphous selenium, since this is known from all Fctchslbieitsm has the highest 0 point?! Widcrs? 5! Nd? * Uf. For the photoconductive interlayer, from the substances selected that are in the range of the wavelengths to be received Absorbs radiation particularly well. Shall be the electrophotographic recording material for X-ray electro Photographic purposes are used, so it comes to a particularly high absorption capacity for X-rays on. For this application, lead oxide or lead sulfide is used as the material for the intermediate layer.

Hierzu 1 Btott ZeichnungenFor this 1 bottle of drawings

Claims

1 claims:

1. Electrophotographic recording material! with one on an electrically conductive substrate arranged photoconductive intermediate layer and a layer arranged thereon composed of a Photo semiconductors with high dark resistance, characterized in that the photoconductive Intermediate layer consists of CuInSej, silicon, germanium, lead sulfide or lead oxide

2. Electrophotographic recording material according to claim 1, characterized in that the photoconductive intermediate layer has a thickness of a few μm to a few tens of μm

3. Electrophotographic recording material according to claim 1 or 2, characterized in that that the layer of the photo semiconductor with high dark resistance is made of amorphous selenium or cadmium sulfide consists.

4. Electrophotographic recording material according to one of claims 1 to 3, characterized in that the layer support is made of aluminum consists