DE2305407A1 - XERORADIOGRAPHIC ELEMENT - Google Patents

XERORADIOGRAPHIC ELEMENT

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DE2305407A1 DE2305407A DE2305407A DE2305407A1 DE 2305407 A1 DE2305407 A1 DE 2305407A1 DE 2305407 A DE2305407 A DE 2305407A DE 2305407 A DE2305407 A DE 2305407A DE 2305407 A1 DE2305407 A1 DE 2305407A1
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Description

Standard Elektrik Lorenz AG 2305407Standard electrical system Lorenz AG 2305407

StuttgartStuttgart

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Xeroradiografisches ElementXeroradiographic element

Die Erfindung bezieht sich auf ein xeroradiografisches Element, "bei dem eine Selenschicht auf einer leitenden Unterlage angeordnet ist.The invention relates to a xeroradiographic element "in which a selenium layer on a conductive Pad is arranged.

Es ist "bereits bekannt, daß xeroradiografische Elemente, wie z.B. xerografische Platten und Folien, mit einem halbleitenden Selenüberzug auch für die Herstellung von Röntgenaufnahmen verwendet werden können (USA-Patentschrift 2 666 H4).It is "already known that xeroradiographic elements, such as xerographic plates and foils, with a semiconducting selenium coating, also for the production of Radiographs can be used (USA Patent 2,666H4).

Hierbei kommt es darauf an, das xeroradiografische Element besonders empfindlich für Röntgenstrahlen zu machen, um bei Aufnahmen des menschlichen Körpers die Röntgenstrahlenbelastung so gering wie möglich zu halten. Man hat insbesondere Elemente mit großem Atomgewicht dazu verwendet, die Empfindlichkeit von Selenplatten für die Xeroradiografie zu steigern. So ist es beispielsweise bekannt, einen Verstärkungsschirm auf die Selenschicht während der Belichtung aufzulegen, der mindestens eine Schicht aus einem Element mit großem Atomgewicht enthält (USA-Patentschrift 2 859 350).It is important here to make the xeroradiographic element particularly sensitive to X-rays in order to to keep the X-ray exposure as low as possible when taking pictures of the human body. One has in particular High atomic weight elements used to increase the sensitivity of selenium plates for xeroradiography to increase. For example, it is known to use an intensifying screen to place on the selenium layer during exposure, the at least one layer of a Contains high atomic weight element (U.S. Patent 2,859,350).

Fr/br - 30.1.1973 ./·Fri / br - January 30, 1973 ./·

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Weiter ist bekannt, eine Schicht aus einem Element hohen Atomgewichts in die leitende Unterlage für die Selenschicht einzubetten. Der Träger für die Selenschicht besteht aus zwei Aluminiumschichten, zwischen denen sich eine Bleischicht befindet. Die oberste Aluminiumschicht trägt eine nichtleitende Aluminiumoxidschicht auf der sich die Selenschicht befindet (USA-Patentschrift 2 809 294).It is also known to incorporate a layer of a high atomic weight element into the conductive substrate for the selenium layer to embed. The carrier for the selenium layer consists of two aluminum layers between which there is a layer of lead. The topmost aluminum layer has a non-conductive aluminum oxide layer on which the selenium layer is located (USA patent 2 809 294).

Durch diese bekannten Mittel ist es jedoch nicht gelungen, die Empfindlichkeit der Selenschicht für Röntgenstrahlen wesentlich zu verbessern. Dies lag offenbar daran, daß die von der Schicht aus einem Element hohen Atomgewichtes absorbierte Röntgenstrahlenenergie nur zu einem geringen Teil zur Entladung der aufgeladenen Selenschicht beitrug.However, these known means have not succeeded in increasing the sensitivity of the selenium layer to X-rays to improve significantly. This was evidently due to the fact that the layer was composed of an element of high atomic weight absorbed x-ray energy contributed only a small part to the discharge of the charged selenium layer.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein xeroradiografisehes Element unter Verwendung eines Elementes von großem Atomgewicht zu schaffen, bei dem möglichst viel der von dieser Schicht absorbierten Röntgenstrahlenenergie zur Entladung der Selenschicht und damit zum Bildaufbau wirksam wird.The object of the invention is to provide a xeroradiografisehes To create element using an element of large atomic weight in which as much as possible of that of this layer absorbed X-ray energy effectively to discharge the selenium layer and thus to build up the image will.

Dies wird gemäß der Erfindung bei einem xeroradiografischen Element der eingangs geschilderten Art dadurch erreicht, daß dem Selen Elemente mit großem Atomgewicht oder ehemische Verbindungen von solchen Elementen zugesetzt sind.According to the invention, this is done in a xeroradiographic Element of the type described above is achieved by adding elements with a large atomic weight to the selenium or former compounds of such elements are added.

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Durch die Einbettung von Elementen mit großem Atomgewicht in die Selenschicht wird die absorbierte Energie weitgehend zur Entladung der aufgeladenen Selenschicht und damit zum Bildaufbau nutzbar gemacht. Bei Aufnahmen des menschlichen Körpers mit einem xeroradiografischen Element gemäß der Erfindung ist daher eine weit geringere Röntgenstrahlenbelastung möglich, als dies bei den bekannten xeroradiografischen Elementen der Fall war.By embedding elements with a large atomic weight In the selenium layer, the absorbed energy is largely used to discharge the charged selenium layer and thus made usable for image construction. When recording the human body with a xeroradiographic element according to the invention, a far lower X-ray exposure is therefore possible than with the known ones xeroradiographic elements was the case.

Als Element für die Zwischenschicht kommt insbesondere Blei infrage. Es ist aber auch möglich, andere Elemente mit großem Atomgewicht zu verwenden, wie z.B. Thallium und Elemente der seltenen Erden.Lead, in particular, is suitable as an element for the intermediate layer. But it is also possible to use other elements to use with a large atomic weight, such as thallium and rare earth elements.

Der Anteil der Selenschicht an dem Zusatz richtet sich nach der elektrischen Leitfähigkeit des zugesetzten Stoffes. Der Anteil der Selenschicht an Elementen kann bis 10 Gewichtsprozent betragen, während nichtleitende chemische Verbindungen bis zu 50 Gewichtsprozent der Selenschicht ausmachen können.The proportion of the selenium layer in the additive depends on the electrical conductivity of the added Substance. The proportion of elements in the selenium layer can be up to 10 percent by weight, while non-conductive elements chemical compounds can make up up to 50 percent by weight of the selenium layer.

Besonders vorteilhaft ist es, die Selenschicht aus mehreren Teilschichten aufzubauen. Die Selenschicht mit einem Zusatz an Elementen mit großem Atomgewicht oder chemischen Verbindungen solcher ELemente bildet dann eine mittlere Selenschicht. Die Dicke dieser Schicht liegt zwischen 1 und 50 /um, vorzugsweise bei etwa 30 /um.It is particularly advantageous to use the selenium layer from several To build up partial layers. The selenium layer with an addition of elements with a large atomic weight or chemical compounds of such elements then form a middle layer of selenium. The thickness of this layer is between 1 and 50 μm, preferably about 30 μm.

Besonders vorteilhaft ist es, die mittlere Selenschicht zwischen zwei Selenschichten anzuordnen, von denen eine Schicht aus Reinselen besteht und eine Schicht aus SelenIt is particularly advantageous to arrange the middle selenium layer between two selenium layers, one of which Layer consists of pure selenium and one layer of selenium

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mit Zusätzen zur Verhinderung der Kristallisation. Unter Reinselen wird ein Selen verstanden mit einer Reinheit von etwa 99,99 Prozent. Als Zusatz zur Verhinderung der Kristallisation wird insbesondere Arsen verwendet.with additives to prevent crystallization. Under Pure selenium is understood to be a selenium with a purity of about 99.99 percent. As an addition to preventing the In particular, arsenic is used in crystallization.

Vorzugsweise ist der Schichtaufbau so getroffen, daß auf einer leitenden Unterlage eine Reinselenschicht angeordnet ist, darauf eine Selenschicht mit Elementen großen Atomgewichts oder chemischen Verbindungen solcher Elemente und auf dieser eine Selenschicht mit einem Zusatz von Kristallisationshemmer. Dabei ist es besonders günstig, wenn die Reinselenschicht dünner ist als die Selenschicht mit Zusatz an Kristallisationshemmer. Die Reinselenschicht kann eine Dicke von bis zu 20 /um haben, die Selenschicht mit einem Zusatz, an Kristallisationshemmern, insbesondere von Arsen, eine Dicke von bis zu 30 /um.The layer structure is preferably such that a pure selenium layer is arranged on a conductive base, on top of which there is a selenium layer with elements of high atomic weight or chemical compounds of such elements and on this a selenium layer with an addition of crystallization inhibitor. It is particularly advantageous if the pure selenium layer is thinner than the selenium layer with an added crystallization inhibitor. The pure selenium layer can have a thickness of up to 20 μm, the selenium layer with an addition of crystallization inhibitors, in particular arsenic, a thickness of up to 30 μm.

Als Unterlage wird eine Platte oder Folie aus Aluminium oder Stahl verwendet.A plate or foil made of aluminum or steel is used as a base.

In manchen Fällen ist es besonders vorteilhaft, Folien als Unterlage zu verwenden, d.h. Aluminium- oder Stahlfolien mit einer Dicke von etwa 0,1 mm. Bei solchen Folienunterlagen ist zwischen der untersten Selenschicht und leitenden Unterlage eine Zwischenschicht erforderlich, die die Haltung der Selenschicht auf der Unterlage verbessert. Hierzu wird vorzugsweise ein Polyvinylacetal mit einem leitfähigkeitserhöhenden Zusatz aus Ruß und/oder Graphit verwendet.In some cases it is particularly advantageous to use foils as a base, i.e. aluminum or steel foils with a thickness of about 0.1 mm. With such foil underlays there is between the lowest selenium layer and the conductive one Underlay an intermediate layer is required that improves the hold of the selenium layer on the underlay. For this purpose, a polyvinyl acetal is preferably used with a Conductivity-increasing additive made of carbon black and / or graphite is used.

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Die einzelnen Selenschichten werden auf die Unterlage vorzugsweise durch Aufdampfen im Vakuum aufgebracht.The individual selenium layers are on the base preferably applied by vacuum evaporation.

In den Figuren sind zwei bevorzugte Ausführungsbeispiele für xeroradiografische Elemente gemäß der Erfindung schematisch im Schnitt dargestellt.In the figures are two preferred embodiments for xeroradiographic elements according to the invention shown schematically in section.

Das Element nach Figur 1 besteht aus einer leitenden Unterlage 1 aus Aluminium oder Stahl mit einer Dicke von 50 bis 200 /um. Auf dieser leitenden Unterlage 1 ist eine Schicht 2 aus Reinselen mit einem Reinheitsgrad von 99,99 Prozent in einer Dicke von 5 bis 50 /um angeordnet. Auf dieser Reinselenschicht befindet sich die Selenschicht 3 mit einem Element mit hohen Atomgewicht, vorzugsweise Blei oder einer Bleiverbindung, mit einer Dicke von 1 bis 50 /um. Auf dieser Schicht ist die Selenschicht 4 angeordnet, die einen Zusatz von kristallisationsheinmenden Stoffen besitzt. Vorzugsweise wird als Zusatz Arsen verwendet. Diese Schicht hat eine Dicke von 1 bis 50 /um. Der Arsengehalt beträgt vorzugsweise 0,5 Gewichtsprozent.The element of Figure 1 consists of a conductive Base 1 made of aluminum or steel with a thickness of 50 to 200 μm. On this conductive document 1 is a layer 2 made of pure selenium with a degree of purity of 99.99 percent and a thickness of 5 to 50 μm arranged. On this pure selenium layer is the selenium layer 3 with an element with a high atomic weight, preferably lead or a lead compound, with a thickness of 1 to 50 μm. On this layer the selenium layer 4 is arranged, which has an addition of crystallization-inhibiting substances. Preferably is used as an additive arsenic. This layer has a thickness of 1 to 50 μm. The arsenic content is preferably 0.5 percent by weight.

Eine andere Ausfülirungsform für ein xeroradiografisches Element ist in Figur 2 dargestellt. Hier besteht die leitende Unterlage 1 aus einer Folie aus Aluminium oder Stahl mit einer Dicke von etwa 0,1 mm. Auf diese leitende Unterlage ist eine Schicht 5 aus einem leitfähigen Lack aus Polyvinylacetal mit Zusätzen von Ruß und/oder Graphit, vorzugsweise durch Aufspritzen aufgebracht. Die SchichtAnother embodiment for a xeroradiographic Element is shown in FIG. Here, the conductive base 1 consists of a foil made of aluminum or Steel with a thickness of about 0.1 mm. On this conductive base is a layer 5 made of a conductive lacquer Made of polyvinyl acetal with additions of carbon black and / or graphite, preferably applied by spraying. The layer

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hat vorzugsweise eine Dicke von 0,5 "bis 2 /um. Die Schicht 5 trägt eine Selenschicht 2 aus Reinselen mit einer Dicke von 1 bis 20 /um. Dann folgt die Selenschicht 3 mit einem Element hohen Atomgewichts, vorzugsweise Blei, mit einer Stärke "bis zu 30 /um» Die letzte Schicht 4 "besteht aus Selen mit einem kristallisationshemmenden Zusatz, vorzugsweise Arsen, und hat eine Dicke von 2 "bis zu 30 /um.preferably has a thickness of 0.5 "to 2 / µm. The layer 5 carries with it a selenium layer 2 made of pure selenium a thickness of 1 to 20 µm. Then follows the selenium layer 3 with a high atomic weight element, preferably Lead, with a strength "up to 30 / um» Die last layer 4 "consists of selenium with a crystallization inhibitor Additive, preferably arsenic, and has a thickness of 2 "up to 30 µm.

Verzeichnis der BezugszeichenList of reference signs

1 leitende Unterlage1 executive document

2 Reinselen2 pure selenium

3 Zwischenschicht3 intermediate layer

4 Selen mit Zusatz4 selenium with added

5 Lackschicht5 coat of paint

14 Patentansprüche 1 Bl. Zeichnungen14 claims 1 sheet drawings

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Claims (14)

H.Raum -1 Pat entansprücheH. room -1 patent claims 1.) Xeroradiografisches Element, "bei dem eine Selenschicht auf einer leitenden Unterlage angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet , daß dem Selen Elemente mit großem Atomgewicht oder chemischen Verbindungen solcher Elemente zugesetzt sind.1.) Xeroradiographic element, "in which a selenium layer is arranged on a conductive base, characterized in that that elements with a high atomic weight or chemical compounds of such elements are added to selenium are. 2.) Xeroradxografisclies Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Selen Blei oder Bleiverbindungen zugesetzt sind.2.) Xeroradxografisclies element according to claim 1, characterized in that the selenium is lead or lead compounds are added. 3·) Xeroradiografisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Selen Thallium oder Thalliumverbindungen zugesetzt sind.3 ·) Xeroradiographic element according to claim 1, characterized characterized in that thallium or thallium compounds are added to the selenium. 4·) Xeroradiografisch.es Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß dem Selen Metalle der seltenen Erden oder chemische Verbindungen der Metalle der seltenen Erden zugesetzt sind.4 ·) Xeroradiografisch.es element according to claim 1, characterized characterized that the selenium metals of the rare earths or chemical compounds of the metals which are added to rare earths. 5.) Xeroradiografisches Element nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4» dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil der Selenschicht an Elementen mit großem Atomgewicht bis zu 10 Gewichtsprozent beträgt.5.) Xeroradiographic element according to one or more of claims 1 to 4 »characterized in that the The proportion of elements with a high atomic weight in the selenium layer is up to 10 percent by weight. 409832/0945409832/0945 H.Raum -1H. room -1 6.) Xeroradiografisches Element nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil der Selenschicht an nichtleitenden chemischen Verbindungen von Elementen mit großem Atom-■ gewicht bis zu 50 Gewichtsprozent beträgt.6.) Xeroradiographic element according to one or more of claims 1 to 4, characterized in that the proportion of the selenium layer in non-conductive chemical compounds of elements with a large atomic ■ weight is up to 50 percent by weight. 7.) Xeroradiografisches Element nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Selenschicht aus mehreren Teilschichten (2, 3, 4) besteht und mindestens eine mittlere Selenschicht (3) einen Zusatz an Elementen mit großem Atomgewicht oder an chemischen Verbindungen solcher Elemente hat.7.) Xeroradiographic element according to one or more of claims 1 to 6, characterized in that the selenium layer consists of several partial layers (2, 3, 4) and at least one middle selenium layer (3) has an addition of elements with a large atomic weight or of chemical compounds of such elements. 8.) Xeroradiografisches Element nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Elemente mit großem Atomgewicht oder chemische Verbindungen von solchen Elementen enthaltende Selenschicht (3) eine Dicke von 1 bis 50 /um hat.8.) Xeroradiographic element according to claim 7, characterized in that the elements with a large atomic weight or selenium layer (3) containing chemical compounds of such elements has a thickness has from 1 to 50 / µm. 9«) Xeroradiografisches Element nach Anspruch 7 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Elemente mit großem Atomgewicht oder chemische Verbindungen von solchen Elementen enthaltende Selenschicht (3) zwischen einer Schicht aus Reinselen (2) und einer Selenschicht (4) mit kristallisationshemmenden Zusätzen angeordnet ist.9 «) Xeroradiographic element according to claims 7 and 8, characterized in that the elements with a large atomic weight or chemical compounds of such Selenium layer (3) containing elements between a layer of pure selenium (2) and a selenium layer (4) is arranged with crystallization-inhibiting additives. AO'9 832/0945AO'9 832/0945 H.Raum -1H. room -1 10.) Xeroradiografisch.es Element nach Anspruch 9> dadurch gekennzeichnet, daß auf einer leitenden Unterlage (1) eine Reinselenschicht (2), darauf eine Selenschicht (3) mit Zusätzen aus Elementen mit großem Atomgewicht oder chemischen Verbindungen solcher Elemente und darauf eine Selenschicht (4) mit kristallisationshemmenden Zusätzen angeordnet ist.10.) Xeroradiografisch.es element according to claim 9> characterized in that a pure selenium layer (2) is placed on a conductive base (1) a selenium layer (3) with additions of elements with a large atomic weight or chemical compounds such elements and thereon a selenium layer (4) with crystallization-inhibiting additives is. 11.) Xeroradiografisch.es Element nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß der kristallisationshemmende Zusatz aus Arsen "besteht.11.) Xeroradiografisch.es element according to claim 9 or 10, characterized in that the crystallization-inhibiting Additive made of arsenic ". 12.) Xeroradiografisch.es Element nach einem oder mehreren der Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die an die leitende Unterlage (1) angrenzende Selenschicht (2) eine geringere Dicke hat als die Selenschicht (4) mit kristallisationshemmenden Zusätzen.12.) Xeroradiografisch.es element after one or more of Claims 7 to 11, characterized in that the selenium layer adjoining the conductive base (1) (2) has a smaller thickness than the selenium layer (4) with crystallization-inhibiting additives. 13.) Xeroradiografisch.es Element nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Reinselenschicht (2) eine Dicke von etwa 20 /um und die Selenschicht (4) mit kristallisationshemmenden Zusätzen eine Dicke von etwa 30 /um hat.13.) Xeroradiografisch.es element according to claim 12, characterized characterized in that the pure selenium layer (2) has a thickness of about 20 μm and the selenium layer (4) with crystallization-inhibiting additives has a thickness of about 30 µm. 14.) Xeroradiografisches Element nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die leitende Unterlage (1) eine Dicte von etwa 0,1 mm hat und zwischen der leitenden Unterlage (1 ) und der angrenzenden Selenschicht (2) eine Zwischenschicht (5) aus Polyvinylacetal mit Graphit- und/oder Rußzusatz angeordnet ist.14.) Xeroradiographic element according to one or more of claims 1 to 13, characterized in that the conductive base (1) has a thickness of about 0.1 mm and between the conductive base (1) and the adjacent selenium layer (2) an intermediate layer (5) made of polyvinyl acetal with added graphite and / or carbon black is arranged. Fr/br - 30.I.1973Fri / br - 30.I.1973 A0 9832/0945A0 9832/0945 LeLe erseitefirst page
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