DE2302139A1 - Speicheranordnung unter anwendung magnetischer zylindrischer einzelwanddomaenen - Google Patents

Speicheranordnung unter anwendung magnetischer zylindrischer einzelwanddomaenen

Info

Publication number
DE2302139A1
DE2302139A1 DE19732302139 DE2302139A DE2302139A1 DE 2302139 A1 DE2302139 A1 DE 2302139A1 DE 19732302139 DE19732302139 DE 19732302139 DE 2302139 A DE2302139 A DE 2302139A DE 2302139 A1 DE2302139 A1 DE 2302139A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
forwarding
domain
storage unit
soft magnetic
path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19732302139
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
George Stanley Almasi
Stanley Everett Schuster
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2302139A1 publication Critical patent/DE2302139A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/86—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring in serial access memories, e.g. shift registers, CCDs, bubble memories
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)
  • Hardware Redundancy (AREA)
DE19732302139 1972-05-01 1973-01-17 Speicheranordnung unter anwendung magnetischer zylindrischer einzelwanddomaenen Pending DE2302139A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US24902672A 1972-05-01 1972-05-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2302139A1 true DE2302139A1 (de) 1973-11-22

Family

ID=22941730

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19732302139 Pending DE2302139A1 (de) 1972-05-01 1973-01-17 Speicheranordnung unter anwendung magnetischer zylindrischer einzelwanddomaenen

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPS4923546A (US08063081-20111122-C00044.png)
CA (1) CA1009367A (US08063081-20111122-C00044.png)
DE (1) DE2302139A1 (US08063081-20111122-C00044.png)
FR (1) FR2182840B1 (US08063081-20111122-C00044.png)
GB (1) GB1371597A (US08063081-20111122-C00044.png)
IT (1) IT978273B (US08063081-20111122-C00044.png)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5816264B2 (ja) * 1974-12-09 1983-03-30 株式会社日立製作所 ジキバブルメモリソウチ
JPS51118341A (en) * 1975-04-11 1976-10-18 Hitachi Ltd Shift register type memory
JPS51138344A (en) * 1975-05-26 1976-11-29 Hitachi Ltd Memory device
US4070651A (en) * 1975-07-10 1978-01-24 Texas Instruments Incorporated Magnetic domain minor loop redundancy system
JPS5318926A (en) * 1976-08-06 1978-02-21 Hitachi Ltd Auxiliary loop switching circuit for magnetic bubble memory unit

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1181577A (fr) * 1956-08-23 1959-06-17 Bayer Ag Appareil mélangeur
NL281825A (US08063081-20111122-C00044.png) * 1961-08-08
GB1010008A (en) * 1962-04-30 1965-11-17 Inv S Finance Corp A pressure regulator for injection of a plastic material
US3331058A (en) * 1964-12-24 1967-07-11 Fairchild Camera Instr Co Error free memory
NL149927B (nl) * 1968-02-19 1976-06-15 Philips Nv Woordgeorganiseerd geheugen.

Also Published As

Publication number Publication date
JPS4923546A (US08063081-20111122-C00044.png) 1974-03-02
GB1371597A (en) 1974-10-23
FR2182840A1 (US08063081-20111122-C00044.png) 1973-12-14
IT978273B (it) 1974-09-20
CA1009367A (en) 1977-04-26
FR2182840B1 (US08063081-20111122-C00044.png) 1976-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10238782A1 (de) Dünnfilm-Magnetspeichervorrichtung mit Redundanzreparaturfunktion
DE102005046425A1 (de) Array resistiver Speicherzellen und Verfahren zum Erfassen von Widerstandswerten solcher Zellen
DE60307459T2 (de) Mram-zelle und speicherarchitektur mit maximalem lesesignal und reduzierter elektromagnetischer interferenz
DE10239904A1 (de) Sensorelement für einen Umdrehungszähler
DE10251218A1 (de) Dünnfilmmagnetspeichervorrichtung, bei der für ein Datenschreiben ein Magnetfeld angelegt wird
DE2756267C3 (de) Halbleiterspeicher
DE10043440C2 (de) Magnetoresistiver Speicher und Verfahren zu seinem Auslesen
DE2227007C3 (de) Bläschendomänen-Speichervorrichtung
EP1360692A2 (de) Verfahren zum beschreiben magnetoresistiver speicherzellen und mit diesem verfahren beschreibbarer magnetoresistiver speicher
EP0103654B1 (de) Elektrisch programmierbare Speichermatrix
DE2302139A1 (de) Speicheranordnung unter anwendung magnetischer zylindrischer einzelwanddomaenen
DE10030234C2 (de) Integrierter Speicher mit Speicherzellen mit magnetoresistivem Speichereffekt
DE102007045077B4 (de) Aktive Schreib-Strom-Anpassung für einen magnetoresistiven Vielfachzugriffsspeicher
DE60215291T2 (de) Halbleiter Speicheranordnung
DE1186509B (de) Magnetspeicher mit einem mit zueinander senkrechten Bohrungen versehenen Magnetkern
EP1202283A2 (de) MRAM-Anordnung
EP0965995B1 (de) Schaltungsanordnung und Verfahren zur automatischen Erkennung und Beseitigung von Wortleitungs-Bitleitungs-Kurzschlüssen
DE2625763A1 (de) Verfahren zum pruefen von speicherchips fuer magnetische einzelwanddomaenen
DE10123593C2 (de) Magnetische Speicheranordnung
DE19924153B4 (de) Schaltungsanordnung zur Reparatur eines Halbleiterspeichers
DE10032272A1 (de) Strom-Treiberanordnung für MRAM
DE10033486A1 (de) Integrierter Speicher mit Speicherzellen mit magnetoresistivem Speichereffekt
EP1163678B1 (de) Integrierter speicher mit speicherzellen, die je einen ferroelektrischen speichertransistor aufweisen
EP1141834B1 (de) Integrierter speicher mit redundanz
DE1524001B2 (de) Prüfschaltung für eine Auswahlschaltung