DE2261119A1

DE2261119A1 - Maske fuer photolithographische verfahren

Info

Publication number: DE2261119A1
Application number: DE2261119A
Authority: DE
Inventors: Kie Yeung Ahn; Frank Paul Laming
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1971-12-27
Filing date: 1972-12-14
Publication date: 1973-07-12
Also published as: FR2165973B1; FR2165973A1; GB1356210A; JPS4877769A; JPS5443873B2; US3895147A

Description

Die Erfindung betrifft eine Maske für photolithographische Verfahren, axe aus einem lichtdurchlässigen Substrat und einer dieses selektiv bedeckenden Schicht aus einem für das Auge durchsichtigen und für die den Photolack verändernde Strahlung hinreichend undurchlässigen Maskierungsmaterial aufgebaut ist.

Das selektive Belichten von lichtempfindlichen Schichten, z.B. aus Photolack, durch Masken hindurch ist ein bekanntes Verfahren. ils findet verbreitete Anwendung beim Herstellen von integrierten und gedruckten Schaltungen. Die bisher allgemein verwendeten Masken lassen sich jedoch nur mit Schwierigkeiten zu den mit Pnotolack beschichteten Bauteilen justieren _r weil das Maskierungsmaterial für sichtbares Licht undurchlässig ist.

^s ist auch bereits Maskierungsmaterial bekannt, das für sichtbares Licht durchlässig und nur für die den Photolack verändernde Strahlung undurchlässig ist. Ein derartiges Material ist in eier OS 1 522 52ö beschrieben, in welcher das Maskierungsmaterial aus konventionellem, polymerisiertem Photolack besteht. Da jedoch das Maskierungsmaterial relativ weich ist, können scharfe Kanten,, die für die Erzeugung feiner Strukturen wesentlich sind, nicht hergestellt werden, und da das Maskierungsma-

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terial viel weicher ist, als das Material, mit dem die zu belichtende Photolackschicht bedeckt ist, werden diese Masken sehr rasch beschädigt, was ihre Lebensdauer verkürzt und hohe Kosten verursacht.

Es ist die Aufgabe der Erfindung, eine Maske für photolithographische Verfahren anzugeben, welche sichtbares Licht durchläßt, aber die den Photolack verändernde Strahlung nur selektiv durchläßt und die härter ist als das Material, das unter dem zu belichtenden Photolack liegt.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Maskierungsschicht aus einer Verbindung einer Seltenen Erde mit einem Element der sechsten Hauptgruppe des Periodensystems be steht. Die aus diesen Verbindungen hergestellte Maskierungsschicht erfüllt alle Forderungen an Härte und Durchlässigkeit*

Es wurde zwar bereits vorgeschlagen, als Maskierungsmaterial ein Material aus der Gruppe der Spinelle, Perowskite, Granate, Fluoride oder Oxifluoride zu verwenden. Was Härte und Durchlässigkeit anbetrifft, sind diese Verbindungen auch zufriedenstellend. Sie lassen sich jedoch nur schwer ätzen. Außerdem ist es nicht leicht, aus den vorgeschlagenen Verbindungen homogene Schichten über größere Flächenbereiche herzustellen, und die Defektdichte der Schichten ist manchmal groß.

Es ist vorteilhaft, wenn die Seltene Erde in der Verbindung zweiwertig vorliegt, da Verbindungen der zweiwertigen Seltenen Erden in einem größeren Wellenlängenbereich absorbieren als dreiwertige. Allerdings ist ein breites Absorptionsgebiet auch dann gegeben, wenn die Seltene Erde in der Verbindung dreiwertig vorliegt und das Maskierungsmaterial zusätzlich noch ein beispielsweise eisenhaltiges Dotierungsmittel enthält.

Es ist vorteilhaft, wenn die Maskierungsschicht zwischen 1000 und 6000 £ dick ist. Bei einer Schichtdicke unter 1000 R ist eine

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relativ große Zahl von durchgehenden Poren in der Maskierungsschicht zu erwarten. Außerdem werden Schichten mit abnehmender Dicke für ultraviolette Strahlung zunehmend durchlässiger. Allerdings muß, wenn die Schichten dünner als 4000 S sein sollen, zwischen Lichtquelle und Maske ein Filter eingebaut werden. Bei einer Schichtdicke über 6000 S wird die Maskierungsschicht auch für sichtbares Licht undurchlässig.

Manchmal ist es vorteilhaft, wenn die Maskierungsschicht selektiv nur fast bis zum Substrat weggeätzt ist. Schichten aus den beschriebenen Verbindungen, die <_ 500 A* dick, sind, lassen die den Photolack ändernde Strahlung durch.

Es kann auch vorteilhaft sein, wenn die Maskierungsschicht in das Substrat eingelegt ist oder wenn ein Kristall aus der Verbindung, in den selektiv fast durchgehende Löcher geätzt sind, das Substrat und die Maskierungsschicht bildet. Diese letztere Ausführungsform ist günstig, weil sie sich den Konturen des zu belichtenden Materials anpassen läßt.

Die Erfindung wird anhand von durch Zeichnungen veranschaulichten Beispielen beschrieben. Es zeigen:

Fign. 1A-1D aufeinanderfolgende Verfahrensschritte zur Herstellung einer ersten Ausführungsform einer Maske nach der Erfindung,

Fign. 2A-2D aufeinanderfolgende Verfahrensschritte zur Herstellung einer zweiten Ausführungsform einer Maske nach der Erfindung,

Fig. 3 eine gemäß den Fign. ΙΑ-ID hergestellte Maske, Fig. 4 eine gemäß den Fign. 2A-2D hergestellte Maske,

Fig. 5 eine aus kristallinem Material hergestellte

Maske mit Gebieten unterschiedlicher Dicke,

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Fig. 6 die Abhängigkeit der Absorption von der Wellenlänge des Lichts für einige der in den Patentansprüchen aufgeführten Maskierungsmaterialien und

Fig. 7 die Abhängigkeit der Absorption von der Wellenlänge des Lichts für ein Maskierungsmaterial, welches eisenhaltige Dotierungsstoffe enthält.

Die Fign. 1A-1D demonstrieren ein Verfahren zur Herstellung einer Maske nach der vorliegenden Erfindung. Die hierdurch erhaltene Maske ist in Fig. 3 dargestellt. Sie besteht aus einer dünnen Schicht des das Maskenmuster bildenden Materials, das auf einem Substrat aufgebracht ist.

In Fig. IA ist ein Substrat 10 auf einer Seite mit einer dünnen Schicht 12 des Maskierungsmaterials beschichtet. Das Substrat kann beispielsweise aus Natronkalkglass, Saphir oder Quarz bestehen. Das Substrat hat im allgemeinen eine standardisierte Dicke von etwa 1,5 mm. Im allgemeinen wird das Substrat sowohl für sichtbares Licht als auch für die Strahlung, die zum Belichten von in der Komponentenherstellung benutzten Photolackschichten verwendet wird, durchlässig sein. D.h., daß das Substratmaterial normalerweise bis ins nahe Ultraviolett durchlässig ist, da langweiliges ultraviolettes Licht in den meisten Fällen zum Belichten von Photolackschichten verwendet wird. Das Maskierungsmaterial ist undurchlässig für ultraviolettes Licht und durchlässig für sichtbares Licht, wenn eine halbdurchlässige Maske angestrebt wird. Für diesen Zweck kann die Schicht 12 zwischen etwa 1000 und 4000 R dick sein, sofern ein Filter zusammen mit der Maske benutzt wird, das sicherstellt, daß die Maskierungsschicht für die zum Belichten der Photolackschichten benutzten Strahlung undurchlässig ist. Die untere Grenze von 1000 α ist auch durch die Bedingung diktiert, daß die Maskierungsschicht nicht zuviele durchgehende Poren haben darf.

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Wenn kein Filter benutzt wird und trotzdem eine halbdurchlässige Maske angestrebt wird, darf die Dicke der Schicht 12 zwischen 4000 und 6000 S betragen. Bei einer Dicke unter 4000 S wird die optische Dichte der Schicht 12 in dem Wellenbereich niedrig sein, in dem die meisten Photolacke empfindlich sind. Die optische Dichte ist definiert durch das Verhältnis

—=—, wobei Iq gleich der eingestrahlten Lichtintensität und

I gleich der durchgelassenen Lichtintensität sind. Es ist wünschenswert, daß in dem Wellenlängenbereich, in welchem der Photolack empfindlich ist, die optische Dichte der Maskierungsschicht mindestens gleich 1 und bevorzugt größer als 2 ist, so daß ein wesentlicher Unterschied der Durchlässigkeit von ultraviolettem Licht zwischen den maskierten Gebieten und den unrnaskierten Gebieten vorhanden ist. Im allgemeinen ist es nicht wünschenswert, die Maskierungsschicht dicker als 6000 Ä zu machen, da oberhalb dieser Dicke die Maske für sichtbares Licht undurchlässig wird und dann der Vorteil bei der Justierung, der in der Halbdurchlässigkeit liegt, verlorengeht.

Wenn auf die Halbdurchlässigkeit der Maske keinen Wert gelegt wird, kann die Schicht 12 auch dicker als 6000 Ä sein. Das bedeutet, daß die Maskierungsschicht sowohl für ultraviolettes als auch für sichtbares Licht undurchlässig ist.

Das Maskierungsmaterial besteht aus einer Verbindung einer seltenen Erde, die in der Lage ist, zweiwertige Ionen zu bilden (Sm, Eu, Yb), mit einem Element der sechsten Hauptgruppe des Periodensystems. Zu diesen Elementen zählen Sauerstoff, Schwefel, Selen und Tellur. Beispielsweise kann das Maskierungsmaterial aus EuO, EuS, SmO, YbO, SmSe oder YbS bestehen. Von diesen möglichen Materialien sind die Oxide leichter wie "die Sulfide, die Sulfide leichter wie die Selenide und die Selenide leichter als die Telluride herzustellen. Z.B. sieht man im Fall von Eu vor, entweder EuO oder EuS als Maskierungsmaterialien zu ver-

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wenden.

Im allgemeinen sind die seltenen Erden in der dreiwertigen Form als Maskierungsmaterial nicht geeignet, da ihr Absorptionsbereich schmal ist. Da zum Belichten von Photolackschichten eine Strahlung verwendet wird, die sich über einen breiten Wellenbereich erstreckt, würden Maskierungsmaterialien, die dreiwertige seltene Erden enthalten, keinen Absorptionsbereich haben, der breit genug wäre, um den Photolack zu schützen. Durch geeignete Sortierung können jedoch auch dreiwertige Seltene Erden als Bestandteil des Maskierungsmaterials brauchbar gemacht werden. Beispielsweise ist Eu brauchbar, wenn, wie weiter unten im einzelnen erklärt wird, ein Eu₂O₃-FiIm mit Fe₃O₃ dotiert wird.

Die Maskierungsschicht 12 kann auf das Substrat 10 nach verschie denen Methoden, wie z.B. Kathodenzerstäubung oder Bedampfung, aufgebracht werden. Die Maskierungsschicht 12 kann auch aufgesprüht oder aufgeschleudert werden. Allgemein läßt sich sagen, daß jedes Verfahren, mit dem kontinuierliche Filme von keramischem Material aufgebracht werden können, geeignet ist.

Da die Maskierungsschicht 12 ätzbar ist, kann auch eine dickere Schicht niedergeschlagen werden, die dann bis zur gewünschten Dicke heruntergeätzt wird. EuO ist beispielsweise mit sehr verdünnten Ätzmitteln, wie 1/200 molarer Essigsäure, ätzbar. Ein anderes Ätzmittel ist wässrige, 5%ige Zitronensäure. Das beste Ätzmittel für EuO ist jedoch Salpetersäure zwischen 1 und 10 % in 100%igem Glyzerin. In diesem Ätzmittel liegt der bevorzugte Konzentrationsbereich für Salpetersäure zwischen 3 und 5 %.

Wie Fig. IB zeigt, wird die Maskierungsschicht 12 mit einer dünnen Schicht 14 aus Photolack bedeckt. Die Dicke der Schicht 14 ist nicht von Bedeutung. Es ist lediglich zu beachten, daß sie in ihrer ganzen Dicke belichtet werden kann. Zur Belichtung wird gewöhnlich ultraviolettes Licht verwendet.

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Im Gegensatz zu anderen Maskierungsmaterialien, wie z.B. Eisenoxid, können bei Anwendung der hier beschriebenen Maskierungsmaterialien eine Vielzahl von Photolackmaterialien, wie z.B. die von der Firma Eastman Kodak und von der Firma Shipley hergestellten, negativen bzw. positiven Photolacke verwendet werden. Obwohl diese Maskierungsmaterialien durch verdünnte Säuren leicht geätzt werden, werden sie überraschenderweise überhaupt nicht von den Lösungen, die zum Entwickeln und Ablösen des Photolacks verwendet werden, angegriffen. Folglich können alle Arten von Photolack benützt werden.

Die Photolackschicht 14 wird selektiv mit ultraviolettem Licht belichtet. Anschließend werden die belichteten Stellen mit einem geeigneten Lösungsmittel behandelt. Dann wird 5%ige Salpetersäure in Glyzerin benutzt, um die Maskierungsschicht 12 zu ätzen. Die so hergestellte Maske ist in der Fig. IC dargestellt. Nachfolgend wird auch der verbliebene Photolack entfernt, so daß man schließlich die fertige Maskenstruktur, die sich aus Fig. ID ergibt, erhält. Diese besteht aus dem Substrat 10 und der darüber angeordneten maskierenden Schicht 12, in die öffnungen 16 selektiv geätzt sind. Eine Ansicht dieser Struktur ist in Fig. 3 dargestellt. Aus dieser Figur geht klar hervor, daß die Maske ein Muster von geometrisch angeordneten öffnungen 16 in der Maskierungsschicht 12 hat. Obwohl die öffnungen 16 als bis'zu dem Substrat 10 durchgehende Löcher dargestellt sind, sei klargestellt, daß dies nicht notwendig ist. Beispielsweise kann eine dünne Schicht Maskierungsmaterial von etwa 500 S Dicke in den öffnungen 16 belassen werden.

Eine weitere Möglichkeit zur Bildung einer Maske nach der Erfindung ist in den Fign, 2A bis 2D gezeigt. Hierbei werden Aussparungen in dem Substrat geschaffen, in welche das maskierende Material eingebracht wird. Diese Struktur (Fig. 4) unterscheidet sich von der in der Fig. 3, bei der eine äußere Maskierungsschicht 12 geätzte öffnungen 16 hat. Die Dicke des in das Substrat eingebrachten Maskierungsmaterials entspricht Vorzugs-

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weise der Dicke der Maskierungsschicht 12 in Fig. 3.

In Fig. 2A ist ein Substrat 20 mit einem Muster aus Photolack 22 bedeckt. Dieses Muster aus Photolack wird in bekannter Welse hergestellt, indem die Oberfläche des Substrats 20 gleichförmig mit einer Photolackschicht bedeckt wird und dann selektiv belichtet und entwickelt wird.

In Fign. 2A-2D sind die Substratmaterialien und die Abmessungen ähnlich denen, die bei der Ausführung entsprechend den Fign. 1A-1D und 3 benutzt wurden. Natürlich werden auch dieselben Maskierungsmaterialien verwendet. In Fig. 2B sind Gebiete 24 in die vom Photolack nicht bedeckten Bereiche des Substrats 20 geätzt. Dann wird das zu maskierende Material 26 auf die geätzten Gebiete 24 und auf die Photolackschicht 22 niedergeschlagen (Fig. 2C). Die Photolackschicht 22 und das darüber befindliche Material 26 werden nun entfernt. So daß sich das Material 26 nun nur noch in den Aussparungen 24 befindet. Diese so hergestellte Maske zeigt die Fig. 2D. Eine perspektivische Ansicht dieser Maske ist in Fig. 4 dargestellt. Das in die Aussparungen eingebrachte Material 26 bildet das Muster der Maske. Bei richtig gewählter Dicke des Maskierungsmaterials (siehe oben), ist die Maske undurchlässig für ultraviolettes und durchlässig für sichtbares Licht.

Die in den Fign. 3 und 4 dargestellten Masken können auch auf andere als auf die beschriebene Weise hergestellt Werden. Z.B. kann zuerst mit Hilfe von Elektronenstrahlen eine Urmäske gefertigt werden. Weitere Masken werden aufgrund dieser ürmaske gemäß dem in den Fign. 1 und 2 gezeigten Verfahren hergestellt. Hierdurch erhält man Masken mit sehr hohem Auflösungsvermögen.

Eine weitere Möglichkeit zur Fertigung einer Maske ist die mit Hilfe der Projektion. Hierbei wird zuerst eine große Maske hergestellt, die dann auf photographischem Wege sukzessiv verkleinert wird, indem jede Maske durch eine reduzierende Linse auf mit

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Photolack beschichtete Maskierungsraaterialien projiziert wird und auf diese Weise sukzessiv kleinere Masken erzeugt werden. EuO und die anderen hier beschriebenen Maskierungsmaterialien sind sowohl für eine Projektionsbelichtung als auch für eine Belichtung mit Elektronenstrahlen geeignet. Mit diesen Belichtungstechniken erhält man sehr feine Strukturen mit guter Kantenschärfe. Sie sind speziell geeignet für die Herstellung sehr feiner Strukturen in Halbleitern, wie z.B.'Silicium. Da die genannten Materialien härter als Silicium und andere gewöhnlich benutzte Halbleiter sind, besitzen die mit diesen Materialien gefertigen Masken eine hohe Lebensdauer. Z.B. sind Masken aus EuO auf Saphir'sehr hart und haltbar. Dies ist wirtschaftlich von groj3er Bedeutung, da die Kosten für die Masken erheblich höher sind als aie für die Halbleiteranordnungen selbst.

Zum Festlegen der geometrischen Muster der Maske können bekannte Verfahren, wie z.B. die Projektionsbelichtung, benutzt werden. TJenn die erzielte Auflösung von der Wellenlänge der für die Belichtung benutzten Strahlung abhängt, dann muß zur Bildung noch feinerer Strukturen mit"Elektronenstrahlen gearbeitet werden. Es ist eine größere Anzahl von Photolacken erhältlich, die mit Elektronenstrahlen belichtet werden können. Mit Hilfe dieser Photolacke ist die Herstellung feinster Strukturen möglich.

Bei der Projektionsbelichtung wird ein Bild des gewünschten Musters auf eine Photolackschicht mit Hilfe einer Linse mit hohem Auflösungsvermögen geworfen.. Wenn für die Belichtung einer Halbleiterscheibe mit etwa 2,5 cm Durchmesser eine Linse von hoher Qualität benutzt wird, dann liegt die erreichbare Feinheit der Muster bei etwa 2,5 pm. Bei Verwendung einer Linse entsprechend hoher Qualität können auf einer Fläche von etwa.0,5 χ 0,5 mm Muster mit einer Feinheit von etwa 0,5 pm hergestellt werden. ' .

Fig. 5 zeigt eine Ausführungsform einer Maske, bei welcher YO 971 033 V < ''■

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ein Kristall 28 ein Muster von Vertiefungen 30 aufweist. Die dicken Gebiete des Kristalls 28 sind für die Strahlung, die für das Prozessieren von Photolacken verwendet werden, undurchlässig, während die durch die Vertiefungen 30 gebildeten dünneren Gebiete des Kristalls 23 für diese Strahlung durchlässig sind. Beispielsweise ist ein Gebiet, das < 500 A dick ist, für ultraviolette Strahlung durchlässig. Deshalb v/erden die Vertiefungen 30 so tief in den Kristall 28 geätzt, daß die Schichtdicke des Kristalls unter diesen Vertiefungen £ 500 8 beträgt.

Eine Maske, die der in der Fig. 5 dargestellten entspricht, hat den Vorteil, daß sie sehr bildsam ist und der Topographie des Halbleiterplättchens angepaßt werden kann. Allerdings sind diese Kristalle etwas zerbrechlich und beim tiefen litzen kann es vorkommen, daß die Vertiefungen 30 die vorgegebene Form nicht ganz behalten. Diese Nachteile werden die Benutzung dieser Maske bei Fabrikationsprozessen, insbesondere bei solchen, bei denen es auf hohe Auflösung ankommt, erschweren.

In der Fig. 6 ist die Absorption der Europiun enthaltenden Maskierungsmaterialien gegen die Wellenlänge aufgetragen. Aus diesem Diagramm ist ersichtlich, daß bei richtig gewählter Dicke der Ilaskierungsschichten Undurchlässigkeit im ultravioletten Bereich und Durchlässigkeit im sichtbaren Bereich erzielt werden kann, mit anderen Worten, daß es möglich ist, aus diesem Material halbdurchlässige Masken herzustellen.

Die Absorption des Maskierungsmaterials kann durch Zusätze von Verunreinigungen beeinflußt werden. Da es z.B. möglich ist, die Absorption der Filme zu erhöhen, hat man den Vorteil, die Dicke der Filme reduzieren zu können.

Wird einem dünnen Film von Eu₂O₃, der im Wellenlängenbereich zwichen 0,3 bis 3,5 ρ durchlässig ist, eine kleine Menge Fe₂O₃ zugesetzt, so wird seine Durchlässigkeit in der Weise verändert, daß dieser Film als Material für halbdurchlässige Masken geeignet

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wird. Auf diese Weise kann eine Seltene Erde in der dreiwertigen Form als Maskierungsmaterial benutzt werden. Beispielsweise haben ^Eu2^O3~^F^^me' ^"*"^{e Fe}2°3 ^enth^al^ten' eine scharfe Absorptionskante bei etwa 4000 S und das Absorptionsgebiet erstreckt sich in das ultraviolette Gebiet hinein. Ein 2000 R dicker Film hat bei einer Wellenlänge von etwa 3600 Ä eine Absorption von 2,0. Dies, ist dem Diagramm in Fig. 7 zu entnehmen, in dem die Absorption eines solchen Filmes gegen die Wellenlänge aufgetragen ist.

Ein solcher mit Fe₃O₃ dotierter Eu₂O₃-FiIm kann, durch Vakuumaufdampfen hergestellt werden. Dabei wird ein gemischtes Oxid der Formel (Eu₂O₃) Qi^Fe2^O3^o 1 ^{mit einer} Elektronenstrahlkanone verdampft. Vor dem Verdampfen wird ein Druck von 2 χ 10 Torr eingestellt und der Film wird dann auf erhitzte Glas- oder Quarzglassubstrate, die eine Temperatur von etwa 380 C haben, aufgeüampft. Eine Aufdampfrate von 6-7 S/s ist üblich. Zur Herstellung der Verdampfungsquelle werden die zwei Oxide nach dem Mischen heiß gepreßt, wobei ein Material entsteht, das 90 % der zu erwartenden theoretischen Dichte hat.

Filme, die auf diesem"Weg hergestellt worden sind, sind ein ideales Material für Masken, die bei photolithographischen Verfahren, bei aenen mit Quecksilberdampflampen belichtet wird,- benutzt werden. Beim Aufdampfen werden Filme gleichförmig über große Gebiete und reproduzierbar erzeugt. Diese Filme sind mechanisch haltbar, können leicht gehandhabt werden und mit verdünnter Salpetersäure geätzt werden. Die chemische Stabilität.der Filme ist ausgezeichnet unu. sie können auf glasigen oder metallischen Substraten aufgebracht werden.

Ein anderes Verfahren, um eisendotierte Europiumoxidfilme herzustellen, besteht im gleichzeitigen Aufdampfen von Eu₃O₃ und Fe im ültrahochvuküum. Sin Gewichtsverhaltnis des Eu₃O₃ zu Fe von 6:1 während des Aufdampfens dieser Materialien ergibt einen dotierten Eu₂O₃-FiIm, der halbdurchlässig ist. Die Absorption eines so hergestellten, 224O 8 dicken Films beginnt bei 0,3 p.

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BAD ORIGiNAL

Diese Filme können mit einer Aufdampfrate von 10 Ä/s auf ein

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100 C heißes Substrat bei einem Druck zwischen 5 χ 10 und 6 χ 10 Torr aufgebracht werden.

Aus diesem Film hergestellte Masken haben eine geringe Reflexion und lassen sich leicht visuell justieren. Die Eigenschaften der Filme lassen sich reproduzieren und das Absorptionsverhalten kann durch die gewählte Eisenkonzentration gesteuert werden. Auch für diese Filme ist verdünnte Salpetersäure ein geeignetes Ätzmittel, außerdem sind diese Filme haltbar und haben eine gute Haftung auf dem Substrat.

Die mit den beschriebenen Maskierungsmaterialien hergestellten Masken zeichnen sich aus durch große Härte, durch die Möglichkeit, sich ständig visuell justieren zu können und die Verträglichkeit mit den bekannten photolithographischen Verfahren. Zu den beschriebenen Maskierungsmaterialien gehören Verbindungen aus zweiwertigen und dreiwertigen Ionen der Seltenen Erden mit Elementen der sechsten Hauptgruppe. Werden diese Maskierungsmaterialien dotiert, so lassen sich die Absorptionseigenschaften der Masken variieren, so daß es möglich ist, diese unter sehr verschiedenen Bedingungen zu benützen. Die beschriebenen Masken lassen sich besonders vorteilhaft beim Herstellen von Halbleiterbauteilen verwenden.

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Claims

PAT E HTANS P RÜCHE

l.J Maske für phötolithographische Verfahren, die aus einem lichtdurchlässigen Substrat und einer dieses selektiv bedeckenden Schicht aus einem für das Auge durchsichtigen und für die den Photolack verändernde Strahlung hinreichend undurchlässigen Maskierungsmaterial aufgebaut ist> dadurch gekennzeichnet, daß die Maskierungsschicht (12, 26} aus einer Verbindung einer Seltenen Erde mit einem Element der sechsten Hauptgruppe-des Periodensystems besteht.
2. Maske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Seltene Erde in der Verbindung zweiwertig vorliegt.
3. Maske nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung Sn, Eu oder Yb enthält.
4. Maske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Seltene Erde in der Verbindung dreiwertig vorliegt und daß das Maskierungsmaterial zusätzlich noch ein Dotierungsmittel enthält.
5. Maske nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Verbindung Eu und das Dotierungsmaterial Fe enthält.
6. Maske nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Maskierungsschicht (12, 26) zv/ischen 1000 und 6000 8 dick ist.
7. Maske nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Maskierungsschicht (26) in die Unterlage (20) eingelegt ist.
8. Maske nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Maskierungsschicht (12)

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selektiv fast bis zum Substrat (10) weggeätzt ist.
9. Maske nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kristall aus der Verbin dung, in den selektiv fast durchgehende Löcher geätzt sind, das Substrat und die Maskierungsschicht bildet.

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