DE2241947B2

DE2241947B2 - Halbleiter-Impedanzwandler-Schaltung

Info

Publication number: DE2241947B2
Application number: DE2241947A
Authority: DE
Inventors: Mikito Machida Baba; Seiya Kanagawa Hamada; Katsuaki Tokio Inoue; Takeo Kawasaki Kanagawa Miyata
Original assignee: Mitsumi Electric Co Ltd
Current assignee: Mitsumi Electric Co Ltd
Priority date: 1971-08-28
Filing date: 1972-08-25
Publication date: 1979-07-26
Also published as: DE2241947A1; GB1405297A; GB1405298A; DE2241947C3; US3808564A; US3829799A

Description

J5

Z₀ = - K₁ Z₁ + ^

~2

L = C₂R₁

IM*

+ R₃ +

und die Kapazität des Oszillator-Kondensators (6) 4η eingehen, wobei

wobei Ru R3 und Λ4 die Widerstände der Impedanz-Baueleraente (M 1) bzw. (M3) bzw. (MA) sind und C₂ die Kapazität des Kondensators (M 2) ist

3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein fünftes, dem ersten Anschluß vorgeschaltetes Impedanz-Bauelement (M5) ein ohm'scher Widerstand mit dem Wert

R₅ — K₁ Z₁ — -jT— · R₁

ist derart, daß in der in die Oszillator-Frequenz eingehenden Impedanz Z₀ das Glied -K₁ Z\ kompensiert ist und die die Oszillator-Frequenz bestimmende Induktivität Lunbedämpft ist.

4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorspannung veränderbar ist.

5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapazität C₂ mit der Spannung der Vorspannungsquelle veränderbar ist

6. Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Modulationssignalquelle zur Lieferung eines Modulationssignals zwischen den zweiten und vierten Anschluß geschaltet ist, derart, daß die resultierende Impedanz Zo und die Oszillator-Frequenz moduliert werden.

7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapazität C₂ mit der Spannung des Moduiationssignals veränderbar ist.

K₁ =

K₂ = Z₁ K₁ JZ₃ + Z₄ + Z₁ (1 + K₁))

und wobei Z\ die Impedanz des zwischen den zweiten (B) und den gemeinsamen Abschluß (T2) eingeschalteten Impedanz-Bauelements (M 1),
Z₂ die Impedanz des zwischen den zweiten (B) und den vierten Anschluß (Y)eingeschalteten Impedanz-Bauelements (M 2),

Zz die Impedanz des zwischen den dritten (C) und den gemeinsamen Anschluß (T2) eingeschalteten Impedanz-Bauelements (MZ), Zn die Impedanz des zwischen den vierten (Y) und den gemeinsamen Anschluß (T2) eingeschalteten Impedanz-Bauelements (MA) ist.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanz-Bauelemente (MX, M3, MA) ohm'sche Widerstände sind, während das Impedanz-Bauelement (M2) ein Kondensator ist, derart, daß die Schwingungsfrequenz des Oszillators durch die Kapazität des Oszillator-Kondensators (6) Die Erfindung betrifft eine Halbleiter Impedanzwandler-Schaltung gemäß dem Oberbegriff des Anspruches 1.

Eine derartige Schaltung ist aus US-PS 33 84 844 bekannt. Mit ihr lassen sich auch negative Widerstandswerte realisieren. Diese bekannte Anordnung ist dazu

bestimmt, in langen Übertragungsleitungen mit großem Widerstand eingebaut zu werden, um Übertragungsverluste und Frequenzverzerrungen zu beheben. Die spezielle Schaltung ist auf diesen Anwendungsfall abgestimmt und sucht selbsterregte Schwingungen

bo aufgrund von Instabilitäten und Reflexionen zu vermeiden. Sie löst jedoch nicht das Problem der bestmöglichen Temperaturkonstanz, die für den Betrieb als Oszillator erforderlich wäre.
Aus der DE-OS 19 44 064 ist es außerdem bei einer

b5 Impedanzwandler-Schaltung bekannt, zwischen den Anschluß, an den die Basis eines ersten Transistors und der Kollektor eines zweiten Transistors geführt sind, und den gemeinsamen Anschluß ein weiteres Impedanz-

wobei

P₁ - Z₄

element zu schalten. Außerdem ist es aus dieser Schrift bekannt, parallel zur resultierenden Impedanz einen Oszillatorkondensator zu schalten, so daß sich ein Oszillator ergibt, in dessen Schwingfrequenz der Wert des Oszillatorkondensators und der zu ihm parallel 5 liegenden Impedanz eingehea Diese bekannte Schaltung weist jedoch nur ein beschränktes temperaturunabhängiges Verhalten auf. Für einen hochwertigen Oszillator ist jedoch eine extreme Temperaturunabhängigkeit zu fordern.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiter-Impedanzwandler-Schaitung der eingangs genannten Art derart zu einem Oszillator zu ergänzen, daß ein weitgehend temperaturunabhängiges Verhalten und eine hohe Oszillatorgüte erzielbar sind. 15 P-, = Z₃

Die Erfindung löst die gestellte Aufgabe durch die im Anspruch 1 angegebenen Maßnahmen.

Weiterbildungen der Erfindung sind in den Ansprüchen 2 bis 7 angegeben.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werJen im 20 Hierbei ist folgenden anhand der Zeichnungen beschrieben.

F i g. 1 und 2 sind Schaltungen, die Beispiele für den grundsätzlichen Aufbau eines wichtigen Teils einer Halbleiter-lmpedanzwandler-Schaltung darstellen;

F i g. 3 bis 8 zeigen spezielle Ausführungsbeispiele des Schaltungsteils der F i g. 1 und 2;

Fig.9, 10 und 11 zeigen einen Oszillator unter Verwendung des Schaltungsteils nach F i g. 3,5 bzw. Γ;

Fig. 12 und 13 zeigen Beispiele für einen Oszillator, dessen Frequenz modulierbar ist; jo

Fig. 14 zeigt schematisch ein anderes Ausführungsbeispiel eines verwendbaren Halbleiter-Bauelements.

Anhand der F i g. 1 wird eine als Teil eines später noch zu beschreibenden Oszillators dienende Grundschaltung zunächst im einzelnen beschrieben. Mit U ist als J5 so folgt: Ganzes ein Halbleiter-Bauelement bezeichnet, das vier Anschlüsse E, B, Yund Chat, einen pnp-Transistor Qi und einen npn-Transistor Q2 enthält, und bei dem der Emitter des Transistors Qi mit dem Anschluß E verbunden ist, die Easis des Transistors <? 1 und der Kollektor des Transistors Q2 mit dem Anschluß B verbunden sind, während der Kollektor des Transistors Qi und die Basis des Transistors Q2 gemeinsam mit dem Anschluß Y verbunden sind und der Emitter des Transistors Q 2 mit dem Anschluß Cverbunden ist.

Der Anschluß £des Halbleiter-Bauelements Uist mit einem äußeren Anschluß Π und einer Stromquelle /5 verbunden. Ein Impedanzbauelement Mi und ein Impedanzbauelement M2 sind zwischen den Anschluß E und einen äußeren Anschluß T2 (auch gemeinsamer ErdanschluEI) eingeschaltet, und zwar zwischen die Anschlüsse B und T2 bzw. zwischen die Anschlüsse B und Y. Ferner sind die Anschlüsse C und Y durch Impedanzbauteile M3 bzw. A/4 mit dem einen Ende einer Vorspannungsquelle KSverbunden, deren anderes Ende an denn Anschluß T2 liegt. In diesem Falle müssen die Impedanzbauelemente Ml, M3 und M4 so ausgebildet sein, daß die Anschlüsse B, C und Y mit der Vorspannungsquelle KS gleichspannungsmäßig gekoppelt sind.

Haben bei dieser Schaltung die Basisschaltungs-Stromverstärkungsfaktoren der Transistoren Qi und Q2 die Werte αι bzw. «2, haben die Spannungen zwischen ihren Basen und den Emittern die Werte v\ bzw. v₂, haben ferner die Impedanz der Impedanzbauelemente Ai¹I, M2, Ai3 und M4 die Werte Z,, Z₂, Z₃ bzw. Z) und wird ein Strom, der zum Anschluß E fließt, als /bezeichnet, so wird die Impedanz Z₀ zwischen den und. sofern Anschlüssen Ti und 72 durch die folgende Gleichung wiedergegeben:

Z₄

Z₃

- D

Wird demgemäß die folgende Bedingung erfüllt:

-

_T— .(6)

P₁ = Z, (- λ₂Ζ₂ + Z₃).

P₂ = Z₃^-Z₂ - Z₁ (l + ψ) - Z₄).

Die Bedingung der Gleichung (6) kann aus folgendem Grund erfüllt werden. Werden nämlich die Emitterschaltungs-Stromverstärkungsfaktoren der Transistoren Q1 und Q 2 mit h_fe , bzw. h_[e2 bezeichnet so gilt für sie:

-

hj,₂ =

Daher wird aus der Gleichung (6) folgendes:

(9) (10)

"fei "fei

Z₃

(H)

z. B. \h_Iel I = \h_fe2\ = 200, so folgt:
Z₄

äiö« f:«²⁰°

(in

ist, kann die Bedingung der

Gleichung (6) gut erfüllt werden. Daher wird der Ausdruck ganz rechts in Gleichung (1) durch Verwendung der Gleichungen (7) und (8) zu folgendem:

z h _ __z z*.

¹ P₂ ~ ' Z₃

(1 -

Z₂ +Z₁

|z, (i + ^)+ Z₃

Wird die folgende Bedingung erfüllt:

so wird demgemäß aus Gleichung (12) folgendes:

Z₃ + Z_x + Z

■ 0 +1)

Umgeschrieben unter Verwendung der Gleichung (10) ergibt sich aus Gleichung (15) folgendes:

Z₁ (l + Ij) + Z₄N |Z₂| « |fc_/rf Jz₃ + Z₄ + Z₁ (l + |±-)J| . (17)

Ist z. B. j Ζ., I = IZ₄1 = IZ₁1 = 1 kii und beträgt | h_fe2 \ = 200, so folgt daraus:

80OkU.

Aus Gleichung (8) folgt:

P₂ = -Z₂-Z₃

innerhalb eines Bereiches, in dem die Gleichung (15) Seite der Gleichung (1) und ist «₂=1, so läßt sich erfüllt ist. Wird demgemäß die Gleichung {19) Gleichung (1) wie folgt ausdrucken: verwendet als der zweite Ausdruck auf der rechten 55

₂ Δ₃

-■•fr¹-

Z₃+ Z₄+ Z₁ (1 + φ-

Ist der Absolutwert des ersten Ausdrucks der sofemjZ₂|=30kii,undwenn Gleichung (20) sehr viel kleiner als der des zweiten ν/Z=V₂//= 10 Ω

Ausdrucks, d. h. zum Beispiel wenn 65

so werden der erste und der zweite Ausdruck etwa 20 Ω bzw. 1 kii Infolgedessen dominiert in Gleichung (20) 1^₃| = I-Z4I = |2Ί| = 1 kß, der zweite Ausdruck und Z₀ wird:

7 Z₀ =

Z₃

Z₄

1 - (21)

(22)

(23)

K₂ = Z₁ ■ K₁ (Z₃ + Z₄ + Z₁ (I + A',)}, (24)

so folgt demnach:

Z₀ = - K₁Z₁ +

(25)

Z₀ — — K₁ ■ Z₁

(26) ben. Das Beispiel nach F i g. 2 gleicht dem nach F i g. 1 mit der Ausnahme, daß ein Impedanz-Bauelement M5 in Reihe zwischen die Anschlüsse 7*1 und £ geschaltet ist. Dieses Bauelement hat eine Impedanz nach der folgenden Gleichung:

20

Bei der Schaltung, die oben im Zusammenhang mit F i g. 1 beschrieben wurde, läßt sich die Impedanz Zo, die gegeben ist durch die Gleichung (25), zwischen den Anschlüssen Ti und T2 abgreifen. Demgemäß kann die Schaltung nach Fig. 1 eine Impedanz-Wandler-Wirkung haben, bei einer negativen Impedanz-Wandlerfunktion für Z₁ und einer Gyratorfunktion für Z₂.

Ist ferner der Wert der Impedanz Z₂ des Bauelements M 2 bei der Schaltung nach F i g. 1 sehr groß, so folgt

und es ist möglich, eine Impedanz-Wandlerschaltung mit negativer Impedanz-Wandlerfunktion für Z\ zu erzielen.

Werden ferner die Impedanzen Z\ und Zi der Bauelemente Mi und M3 so ausgewählt, daß sie die folgende Beziehung haben

IZ₃I < IZ₁I, (27)

so wird aus Gleichung (24) folgendes:

K₂ = Zj K₁ (1 + K₁). (28)

35

45 Demnach kann Z₀ eine Funktion sein, die nur Ky =-§*-

als unabhängige Varibale enthält, in die Z₁ und Z₂ nicht eingehen, so daß Z₀ allein durch das Verhältnis Z₄ZZ₃ und Z\ und/oder Z₂ bestimmt werden kann.

Anhand der Fig.2 wird nun ein weiteres Beispiel einer als Teil eines später noch zu beschreibenden Oszillators dienenden Grundschaltung, beschrieben. Teile, die denen der F i g. 1 entsprechen, haben dieselben Bezugszeichen und werden nicht noch einmal beschrie-Z₅- K₁ ■ Z₁

(29)

Bei einer Schaltung wie der nach F i g. 2 ist die Impedanz Zo, von den Anschlüssen Π und Tl her betrachtet folgende:

Z₀ — — K₁ Z₁ +

I- Z₅

= -K₁Z₁₊^₊K₁Z₁
Z₂

30

ζ, ·

(30)

Die Schaltung nach F i g. 2 kann also eine Kreis- oder Gyratorfunktion für Zo haben.

Fig.3 zeigt eine Ausführungsform für den Schaltungsteil des Oszillators, die von der Grundschaltung nach F i g. 1 ausgeht. Teile mit denselben Bezugszeichen wie in F i g. 1 werden nicht noch einmal beschrieben. Die Bauteile M1, Λ/2, MZ und MA haben einen Widerstand 1 mit einem Widerstandswert R\, bzw. einen Kondensator 2 mit einer Kapazität C₂, bzw. einen Widerstand 3 mit einem Widerstandswert R3 bzw. einen Widerstand 4 mit einem Widerstandswert Λμ

Bei einer Schaltung wie der nach F i g. 3 werden die oben erwähnten Impedanzen Zu Z3 und Zt dargestellt durch R₁ bzw. A₃ bzw. R₄, während Z₂ dargestellt wird durch 1//U)C₂. Werden A₁, A3, R₄ und MJV)C₂ in diesem Fall zweckmäßigerweise so gewählt, daß Bedingungen ähnlich oder gleich denen zur Erzielung der oben erwähnten Gleichung (25) geschaffen werden, so wird daher die Impedanz 2b zwischen den Anschlüssen Ti und T2 in der folgenden Form gegeben:

Z₀ = — K₁Z₁ + -=—

JO

-R₁ +JmC₂

i3

R₃ -I- A₄ +

Rt (ι + I^

\ Λ₃ j

(3D

Demgemäß läßt sich durch die Schaltung nach F i g. 3 zwischen den Anschlüssen Π und T2 eine Reihen-Impedanz eines negativen Widerstandes Rin mit einer

Induktivität L erhalten, die beide durch die folgenden Gleichungen ausgedrückt werden:

Rin = -

(32 a)

= C₂R₁ .£

(32b)

In diesem Falle erhält man die Impedanz Z₀ als einen Wert, der nicht die Basisschaltungs-Stromverstärkungsfaktoren αϊ und <%2 der Transistoren Qi und Q2 des Halbleiterbauteils U einschließt. Selbst wenn die Verstärkungsfaktoren «i und «2 eine Terrsperaturabhängigkeit haben, ist es daher unmöglich, daß die Impedanz durch die Temperatur beeinflußt wird.

Die Schaltung nach F i g. 4 geht von derjenigen nach Fig. 2 aus. Hierbei enthalten die Bauteile Mi, M3 und MA Widerstände 1 bzw. 3 bzw. 4 mit Widerstandswerten R\ bzw. /?3 bzw. R4. Der Bauteil MI enthält einen Kondensator 2 mit einer Kapazität C₂, wie im Beispiel der F i g. 3. Der Bauteil MS hat einen Widerstand 5 mit einem Widerstandswert Rs.

Bei einer solchen Schaltung werden die Impedanzen Zi, Z₂, Z% Zt und Zi, die oben im Zusammenhang mit Fig.2 erwähnt wurden, dargestellt durch R\ bzw. !/K)C₂ bzw. A₃ bzw. A4 bzw. R₅. Werden A₁, \/jü)C₂, R₃ und R4 zweckmäßigerweise so gewählt, daß man Bedingungen erhält, die denen zur Erzielung der oben erwähnten Gleichung (25) gleichen oder ähneln, und wird R5 so gewählt, daß die Bedingungen zur Erzielung der Gleichung (29) erhalten werden, so wird die Impedanz Zo zwischen den Anschlüssen Ti und 72 in folgender Form auf der Basis der oben genannten Gleichung (30) erhalten:

Z₀ =

R₃

(33)

Auf diese Weise kann man mit der Schaltung nach Fig.4 zwischen den Anschlüssen Ti und T2 eine Impedanz erhalten, die auf der Induktivität nach Gleichung (32b) basiert. Auch in diesem Falle ist die Impedanz frei von der Temperaturabhängigkeit der Verstärkungsfaktoren on und <x₂ der Transistoren Q1 und<?2.

Fig.5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel, das demjenigen nach F i g. 3 gleicht, mit der Ausnahme, daß die Vorspannungsquelle KS nach F i g. 3 durch eine Vorspannungsquelle veränderbarer Spannung VS' ersetzt ist.

Bei einer solchen Schallung wird eine veränderbare Vorspannung aus der Quelle KS' an die Anschlüsse B und K gelegt und demzufolge zwischen die Kollektoren und die Basen der Transistoren Q1 und Q 2, so daß ihre Kollektor-Basis-Übergangs-Kapazitäten veränderbar gemacht sind. Da diese Übergangszonen-Kapazitäten parallel zur Kapazität des Kondensators 2 liegen, ändert sich die Kapazität C₂ in der Gleichung (32b) entsprechend mit der veränderbaren Vorspannung. Daher ist es möglich, mit der Schaltung nach Fig.5 die Funktion einer veränderbaren Impedanz zu erzieten, während der oben im Zusammenhang mit F i g. 3 beschriebene Effekt beibehalten wird.

Fig.6 zeigt eine Schaltung, die derjenigen nach F i g. 4 gleicht, mit der Ausnahme, daß auch hier, wie in Fig.5 eine Vorspannungsquelle veränderbarer Spannung VS'vorgesehen ist

_ Bei der Schaltung nach diesem Beispiel sind die Übergangszonen-Kapazitäten zwischen den Kollektoren und Basen der Transistoren QX und Q 2 veränderbar gemacht mit dem Ergebnis, daß die Übergangszonen-Kapazitäten sich mit der Kapazität C₂ in Gleichung (32b) ändern, wie bei dem Beispiel nach Fig.4. Daher ist es möglich, eine veränderbare Induktivität zu erzielen, während der oben im Zusammenhang mit Fig.4 erzielte Effekt beibehalten wird.

jo F i g. 7 und 8 zeigen weitere Ausführungsbeispiele, die denen der F i g. 5 bzw. 6 gleichen, mit der Ausnahme, daß die Kondensatoren nach den letztgenannten Beispielen ersetzt sind durch Kapazitäts-Bauelemente 2', die durch die Spannung veränderbar sind, z. B.

j5 Kapazitätsvariationsdiode^

Bei Schaltungen nach diesen Beispielen wird die Kapazität des Bauelementes 2' geändert durch die veränderbare Vorspannung, die von der Vorspannungsquelle veränderbarer Spannung KS'hergeleitet wird, so daß der Wert C₂ in der Gleichung (32b) verändert wird, während gleichzeitig die Übergangszonen-Kapazitäten zwischen den Kollektoren und den Basen der Transistoren Q i und Q 2 geändert werden, wie es oben im Zusammenhang mit F i g. 5 und 6 beschrieben wurde.

Man erhält daher eine veränderbare Impedanz, die der nach F i g. 5 und 6 ähnelt, jedoch wirksamer ist.

Die nachfolgend beschriebenen Fig.9—13 zeigen Beispiele für Oszillatoren, bei denen in den vorhergehend beschriebenen Figuren dargestellte Teilschaltungen Verwendung finden.

Das Ausführungsbeispiel nach Fig.9 gleicht dem nach F i g. 3 mit der Ausnahme, daß ein Kondensator 6 mit einer Kapazität Ce zwischen die Anschlüsse E und Erde geschaltet ist und daß die Anschlüsse 7Ί und Γ2 nach F i g. 3 weggelassen wurden.

Wäre bei dieser Schaltung der Kondensator 6 nicht vorhanden, so könnte die Impedanz zwischen dem Anschluß fund Erde die der Reihenschaltung sein, die aus dem negativen Rin, gegeben durch Gleichung (32a) und der Induktivität, gegeben durch die Gleichung (32b) besteht, so daß die Schaltung auf einer "Frequenz schwingen kann, die hauptsächlich bestimmt wird durch die Induktivität L, gegeben durch Gleichung (32b) und die Kapazität Ce. Die Schwingung kann an einem

es Ausgang abgegriffen werden, der zwischen dem Anschluß 7 und Erde besteht Da in diesem Falle die Konstante, die die Schwingungsfrequenz bestimmt, unabhängig ist von den Basisschaltungs-Stromverstär-

kungsfaktoren der Transistoren Qi und Q2, ist die Schwingungsfrequenz unabhängig von der Temperatur.

Die Schaltung nach Fig. 10 gleicht derjenigen nach F i g. 9 mit der Ausnahme, daß die Vorspannungsquelle VS nach Fig.9 ersetzt ist durch eine Vorspannungsquelle veränderbarer Spannung KS'.

Diese Schaltung kann schwingen wie die nach F i g. 9, und die Übergangszonen-Kapazitäten zwischen den Kollektoren und Basen der Transistoren Qi und Q 2 ändern sich durch die veränderbare Vorspannung aus der Quelle VS', wie oben in Zusammenhang mit Fi g. 5 und 6 beschrieben wurde, so daß die Schwingungsfrequenz sich ändert. Hierdurch erhält man die Funktion einer Oszillatorschaltung veränderbarer Frequenz.

Die Schaltung nach Fig. 11 gleicht derjenigen nach Fig. 10 mit der Ausnahme, daß der Kondensator von Fig. 10 ersetzt ist durch ein spannungsabhängiges Kapazitätsbauteil 2'.

Diese Schaltung kann schwingen wie die nach Fig. 10. Da die Kapazität des Bauteils 2' sich ebenfalls mit der veränderbaren Vorspannung ändert, wird hierdurch die Schwingungsfrequenz geändert. Man erhält so eine wirksamere veränderbare Oszillatorschaltung im Vergleich mit der nach F i g. 10.

Die Schaltung nach Fig. 12 gleicht derjenigen nach Fig.9 mit der Ausnahme, daß eine Modulations-Spannungsquelle 8 eingeschaltet ist, z. B. in Reihe mit der Vorspannungsquelle VS.

Bei einer solchen Schaltung wird eine Modulations-Spannung aus der Modulations-Spannungsquelle 8 der oben erwähnten Vorspannung zwischen den Anschlüssen Kund Sund zwischen Cund ßüberlagert, so daß die Schwingungsfrequenz entsprechend der Modulations-Spannung moduliert wird. Man erhält so die Funktion eines Oszillators, der in seiner Frequenz modulierbar ist, wie sich aus der Beschreibung im Zusammenhang mit F i g. 10 ergibt.
Die Schaltung nach Fig. 13 gleicht derjenigen nach Fig. 12, mit der Ausnahme, daß der Kondensator 2 in Fig. 12 ersetzt ist durch ein spannungsabhängiges Kapazitätselement 2' wie in F i g. 1Ί.

Mit einer solchen Schaltung kann die Funktion eines Oszillators, der in seiner Frequenz modulierbar ist,

ίο erzielt werden wie im Falle der Fig. 12. Jedoch gibt das spannungsabhängige Kapazitätsbauelement 2' die Möglichkeit, eine Frequenzmodulation über einen weiten Bereich von Frequenzabweichungen zu erzielen.
Während die Oszillatorschaltung anhand von Beispielen beschrieben wurde, bei denen die Transistoren Qi und Q2 pnp- bzw. npn-Typen sind, könnten sie auch npn- bzw. pnp-Typen sein, während die Vorspannungsquelle und die Stromquelle umgekehrte Polarität hätten. Ferner könnte das aus zwei Transistoren bestehende Halbleiterbauelement U durch eine pnpn- oder npnp-Vierschichthalbleiteranordnung ersetzt werden, wie sie F i g. 14 zeigt, wobei die Anschlüsse E, B, Kund C zu den entsprechenden Schichten führen. Ferner könnten bei den obigen Beispielen die Vorspannungen, die zwischen den Anschlüssen Kund Sund zwischen C und B liegen und die von der gemeinsamen Vorspannungsquelle hergeleitet werden, stattdessen von getrennten Vorspannungsquellen abgenommen werden. Ferner kann die Vorspannungsquelle, die nach der

jo Beschreibung zwischen dem Anschlußpunkt der Bauelemente M4 und M3 einerseits und Erde andererseits liegt, zu dem Bauelement Mi in Reihe geschaltet werden.

Hierzu 5 Blatt Zeichnungen

Claims

Patentansprüche:

1. Halbleiter-Impedanzwandler-Schaltung mit einem Halbleiter-Bauelement oder einer hierzu äquivalenten Schaltung, wobei das Halbleiter-Bauelement einen ersten Transistor eines ersten Leitfähigkeitstyps und einen zweiten Transistor eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist, der Emitter des ersten Transistors mit einem ersten Anschluß verbunden ist, die Basis des ersten Transistors und der Kollektor des zweiten Transistors gemeinsam mit einem zweiten Anschluß verbunden sind, der Emitter des zweiten Transistors mit einem dritten Anschluß verbunden ist und der Kollektor des ersten Transistors und die Basis des zweiten Transistors gemeinsam mit einem vierten Anschluß verbunden sind, wöbe; ferner zwischen dem zvieiten und dem vierten Anschluß, zwischen dem dritten und einem gemeinsamen Anschluß und zwischen dem vierten und dem gemeinsamen Anschluß je ein Impedanz-Bauelement eingeschaltet ist, sowie eine Gleichspannungs-Vorspannungsquelle für das Halbleiter-Bauelement oder die äquivalente Schaltung vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem zweiten Anschluß (B) und dem gemeinsamen Anschluß (T2) ein weiteres Impedanz-Bauelement (M 1) und parallel zu einer zwischen dem ersten Anschluß (E) und dem gemeinsamen Anschluß (T2) sich ergebenden jo Impedanz Zo ein Oszillatorkondensator (6) eingeschaltet ist, derart, daß sich ein Oszillator ergibt, in dessen Schwingungsfrequenz die Impedanz

sowie durch die Induktivität bestimmt ist, die durch folgende Gleichung gegeben ist: