DE2232495A1

DE2232495A1 - Schaltung zur pegelregelung

Info

Publication number: DE2232495A1
Application number: DE19722232495
Authority: DE
Inventors: Dieter Dipl Ing Crantz
Original assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Current assignee: Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date: 1972-07-01
Filing date: 1972-07-01
Publication date: 1974-01-17
Also published as: DE2232495B2; JPS4938550A

Description

Schaltung zur Pegelregelung Bei elektrischen Verstärkern ist es bekannt, eine Pegelregelung des zu verstärkenden Signals vorzusehen. Dadurch soll erreicht werden, daß bei großem Eingangssignal das Ausgangssignal nicht durch Übersteuerung verzerrt wird und daß bei zu schwachem Eingangssignal das Ausgangssignal genügend groß bleibt, um'weiter verstärkt oder hörbar gemacht werden zu können.
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltung zur Pegelregelung von Signalen, bei der die Regelspannung der Basis eines nur von der Regelspannung gesteuerten Transistors zugeführt wird und bei der zwischen dem Emitter dieses Transistors und dem Bezugspotential (nasse) eine Diode in Durchlaßrichtung geschaltet ist, die als veränderbarer Teil eines Spannungsteilers für die Signalspannung dient.
Bei einer bekannten Regelschaltung dieser Art, die in Fig. 1 dargestellt ist, erfolgt die Pegelregelung in der Weise, daß das zu verstärkende NF-Signal mit Hilfe eines variablen Spannungsteilers geteilt wird, wobei das Teilerverhältnis sich in Abhelgigkeit von der durch Gleichrichtung des tlF-Ausgangssignals gewonnenen, am Kondensator C3 liegenden Regelspannung ändert.
Das nrF-Signal wird vom Transistor T3, dessen Arbeitswiderstand mit R1 bezeichnet i-st, verstärkt und gelangt über den Kondensator CI, den Widerstand X2 und den Kondensator C2 an die Basis des Transistors T4, dessen Arbeits- und EmittervJiderstand mit R5 und R6 und dessen Widerstände zur Erzeugung der Basisvorspannung mit R3 bzw. R4 bezeichnet sind. Die an der Basis des nur von der Regelspannung gesteuerten Transistors T1 liegende Regelspannung öffnet den Transistor T1 und bewirkt dadurch, daß die Diode D1 in Abhängigkeit von der Größe der Regelspannung mehr oder wenig niederohmig wird. Das am Kollektor des Transistors T3 stehende I4F-Signal wird durch den Widerstand R2 und die Diode D1 heruntergeteilt. Diese bekannte Schaltung hat den Nachteil, daß sie einen großen Klirrfaktor besitzt. Bei der in Fig. 1 dargestellten Schaltung ergaben Messungen einen Klirrfaktor bis zu o'.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei der beschriebenen Regelschaltung den Klirrfaktor zu verbessern.
Die Lösung dieser Aufgabe geschieht erfindungsgemäß dadurch, daß die Diode eine solche ist, deren Kennlinienverlauf dem Kennlinienverlauf der wechselstrommäßig parallel liegenden Basis-Emitter-Strecke des nur von der Regelspannung gesteuerten Transistors im wesentlichen gleich ist. Der Erfindung liegt nämlich die Erkenntnis zugrunde, daß die Basis-Emitter-Strecke des von der Regelspannung gesteuerten Transistors wechselstrommäßig parallel zur Diode liegt, so daß auch dieser Transistor von Einfluß auf die Spannungsteilung ist.
Gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung besteht die Diode aus einem als Diode geschalteten Transistor.
Bei Verwendung eines Transistors vom entgegengesetzten Typ im Vergleich zu dem von der Regelspannung gesteuerten npn- Transistor kann der Emitter des als Diode geschalteten Transistors mit dem Emitter des von der Regelspannung gesteuerten Transistors verbunden und die Basis und gegebenenfalls auch der Kollektor des als Diode geschalteten Transistors an Masse geschaltet werden. Bei Verwendung eines Transistors vom gleichen Typ kann die Basis und gegebenenfalls auch der Kollektor des als Diode geschalteten Transistors mit dem Emitter des von der Regelspannung gesteuerten Transistors verbunden werden und der Emitter des als Diode geschalteten Transistors an Nasse liegen.
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung näher erläutert.
Es zeigen: Fig. 2 bis 5 erfindungsgemäße Schaltungen des als Diode verwendeten Transistors und Fig. 6 das Wechselstromersatzschaltbild des Spannungsteilers.
In Fig. 2 ist eine Möglichkeit dargestellt, wie erfindungsgemäß der Transistor T2 in der bekannten Schaltung nach Fig. 1 als Diode geschaltet werden kann.
In Fig. 6 ist das Wechselstromersatzschaltbild des Spannungsteilers dargestellt. Der Widerstand R7 entspricht der Summe der beiden Widerstände R1 und R2 und stellt den Innenwiderstand der Wechselspannungsquelle EMK dar. Der Widerstand R8 entspricht der Parallelschaltung der Basis-Emitter-Strecke des Transistors TI und der Diode D1. Die Diode D1 und die Basis-Emitter-Strecke des Transistors T1 sind bezüglich ihrer Durchlaßrichtung entgegengesetzt geschaltet. Die positive Halbwelle des NF-Signals fließt zum größten Teil durch die Diode DI, die negative Halbwelle zum größten Teil durch die Basis-Emitter-Strecke des Transistors T1.Bei unterschiedlichen Kennlinien der Basis-Emitter-3trecke des Transistors T1 und der Diode D1 werden die positiven und negativen Halbwellen des NF-Signals verschieden verformt. Durch die erfindungsgemäße Schaltung des Transistors T2, dessen Kennlinienverlauf dem des Transistors TI im wesentlichen gleich ist, erfahren beide Halbwellen die gleiche Verformung. Die hierbei auftretenden Verzerrungen durch geradzahlige Harmonische heben sich wie bei einer Gegentaktschaltung auf, so daß der Klirrfaktor wesentlich niedriger wird.
In Fig. 3 bis 5 sind weitere Ausführungsformen der Erfindung dargestellt. Der Emitter des als Diode geschalteten Transistors T2 ist bei Verwendung von Transistoren TI, T2 vom gleichen Typ nach Fig. 3 mit dem Emitter des nur von der Regelspannung gesteuerten Transistors T1 verbunden, während die Basis des als Diode geschalteten Transistors T2 an Masse geschaltet wird. In Fig. 4 und 5 ist gezeigt, wie bei Verwendung von Transistoren vom entgegengesetzten Typ der Transistor T2 als Diode geschaltet ist.

Claims

Patentansprüche

(1.)Schaltung zur Pegelregelung von Signalen, bei der die Regelspannung der Basis eines nur von der Regelspannung gesteuerten Transistors zugeführt wird und bei der zwischen dem Emitter dieses Transistors und den Bezugspotential (Masse) eine Diole in Durchlaßrichtung geschaltet ist, die als veränderbarer Teil eines Spannungsteilers für die Signalspannung dient, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (D1) eine solche ist, deren Kennlinienverlauf dem Kennlinienverlauf der wechselstromnäßig parallel liegenden Basis-Emitter-Strecke des nur von der Regelspannung gesteuerten Transistors (T1) im wesentlichen gleich ist.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (D1) aus einem als Diode geschalteten Transistor (T2) besteht.
3. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Transistoren (T1, T2) vom entgegengesetzten Typ der Emitter des als Diode geschalteten Transistors (T2) mit dem Emitter des nur von der Regelspannung gesteuerten Transistors (T1) verbunden ist und daß die Basis und gegebenenfalls auch der Kollektor des als Diode geschalteten Transistors (T2) an Masse geschaltet sind (Fig. 2 und 3).
4. Schaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Transistoren (T1, T2) vom gleichen Typ die Basis und gegebenenfalls auch der Kollektor des als Diode geschalteten Transistors (T2) mit dem Emitter des nur von der Regelspannung gesteuerten Transistors (T1) verbunden sind und daß der Emitter des als Diode geschalteten Transistors (T2) an Nasse liegt (Fig. 4 und 5),