DE2210638A1 - Verfahren zum Herstellen von Arsenselenid und mit Arsen verunreinigtem bzw. dotiertem Selen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Arsenselenid und mit Arsen verunreinigtem bzw. dotiertem SelenInfo
- Publication number
- DE2210638A1 DE2210638A1 DE19722210638 DE2210638A DE2210638A1 DE 2210638 A1 DE2210638 A1 DE 2210638A1 DE 19722210638 DE19722210638 DE 19722210638 DE 2210638 A DE2210638 A DE 2210638A DE 2210638 A1 DE2210638 A1 DE 2210638A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- selenium
- arsenic
- oxygen
- selenide
- contaminated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/50—Solid solutions
- C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
- C01P2002/54—Solid solutions containing elements as dopants one element only
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Description
DIPL.-ING. peter - c. sroka 2210638 t?lefonί?«!?™ 37-POSTFACH
TELEGR. PATENTBRYDGES DUSSELDORF
POSTSCHECK KÖLN 1100 52 DRESDNER BANK (BLZ. 30080000) 3 536 COMMERZBANK(BLZ. 30040000) 3609989
DEN 2. März 1972
Patentanmeldung
Boliden Alrtiebolag Stockholm/Schweden
Verfahren zum Herateilen von Arsenselenid und mit Arsen verunreinigtem
bzw. dotiertem Selen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von mit Arsen verunreinigtem bzw, dotiertem Selen, welches
0,1 bis 2 Gew.-ji Arsen enthält.
Selen wird unter anderem für fotoelektrische Zwecke benutzt,
und es ist bekannt, daß die Eigenschaften von Selen für diese Zwecke verbessert werden können, wenn in dem Selen
geringfügige Mengen Arsen gelöst bzw, verteilt werden. Derartige Arsen enthaltende Selenlegierungen sind in den US-PS'en
2 803 542 und 2 822 300 und in Dessaner-Olark "Xerography
and Related Processes", Seiten 79, 80 und 108, London-New York (1965) beschrieben. Das verwendete Arsen und das verwendete
209840/0992
Selen müssen einen hohen Reinheitsgrad haben und von hoher Qualität sein. Das Arsen wird in dem Selen gelö3t bzw. verteilt,
indem ein pulvriges Gemisch aus Arsen und Selen erhitzt wird, wobei das Selen zuerst schmilzt und das Arsen,
wenn auch nicht vollständig, fortschreitend gelöst wird. Dieser Vorgang kann in einem offenen oder geschlossenen Behälter
durchgeführt werden. Diese bekannten Verfahren haben den Nachteil, daß das Arsen in dem Selen unvollständig gelöst
wird, und daß zwischen Selen und Arsen Undefinierte Verbindungen gebildet werden. Es ist weiterhin schwierig, den
Arsengehalt genau auf ein spezifisches Niveau einzustellen, und es ist ebensowenig möglich, bei einem in dieser Weise
behandelten Selen die Eigenschaften zu erhalten, die hinsichtlich seiner fotoelektrischen und kristallisationsver- '
hindernden Wirkungen benötigt werden. Das Arsen Iö3t eich sehr langsam in geschmolzenem Selen, und zwar selbst dann,
wenn das Arsen sehr fein zerteilt bzw. pulverisiert ist. In der Praxis wird ein vollständiges Auflösen des Arsens
nicht erreicht, und ein Teil des Arsens bleibt in ungelöstem Zustand auf dem Boden des Behandlungsbehälters (siehe beispielsweise
US-PS 2 803 542, Spalte 2, Zeilen 32 bis 35).
Wenn die Reaktion zwischen Selen und Arsen einsetzt, liegt
das Arsen in fester Phase vor, beispielsweise in Form von feinen in dem geschmolzenen Selen verteilten bzw. suspendierten
Partikeln. Aus diesem Grund befindet sich ein Arsenüberschuß in der Phasengrenzfläche, die die Reaktionszone
darstellt. Vom thermodynamischen und reaktionskinetischen Gesichtspunkt bedeutet dies, daß dort eine bevorzugte Stelle
für die Bildung von Arsenseleniden vorhanden ist, die ein verhältnismäßig hohes Verhältnis von As au Se haben. Das
Konstitutionsdiagramm für das System As-Se ist in der Zeichnung dargestellt und zeigt, daß, obwohl eine Viel-'
zahl von Arsenseleniden vorliegt» die stark variierende Schmelzpunkte haben, der Schmelzpunkt für die meisten Arsenselenide
über dem Schmelzpunkt des Selens liegt. Wenn demzufolge pulvriges metallisches Arsen dem geschmolzenen
209840/0992
— Λ _
Selen zugesetzt wird, wird in der Praxis das Ergebnis erhalten,
daß Klumpen verschiedener Araenselenide erhalten werden, die in dem Selen schwimmen bzw. schweben· Diese
Klumpen haben variierende Zusammensetzungen, wobei jedoch das Verhältnis von Arsen zu Selen so hoch ist, daß die
Schmelzpunkte höher sind als der Schmelzpunkt von reinem Selen. Dadurch ist es nicht möglich, die Klumpen aus Arsenseleniden
zu lösen und eine homogene Schmelze zu erhalten, ohne die Verfahrenstemperatur weit über den Schmelzpunkt
des Selens zu erhöhen. In der Praxis führt das Erhitzen von Arsenselenidklumpen auf derart hohe Temperaturen zu
Schwierigkeiten in Form von Verdampfung und Selenverlueten usw., so daß das Verfahren unter Druck in einem geschlossenen
System durchgeführt werden muß.
Statt nur Arsen direkt mit Selen zu vermischen, basiert
die vorliegende Erfindung darauf, damit ein Arseneelenid zu mischen, welches einen Schmelzpunkt hat, der niedriger
ist al3 der Schmelzpunkt des Selens. Wie es sich aus dem in der Zeichnung dargestellten Konötitutionsdiagramm für
Arsen und Selen ergibt, ist eine derartige Verfahrensweise nur in einem verhältnismäßig kleinen Bereich bis etwa 23
Gew.-# As anwendbar. Die Verbindung AsSe-, die der eutektisehen
Zusammensetzung entspricht (etwa 19 &ew,-$ As und 81 Gew«-?£ Se) hat den niedrigsten Schmelzpunkt bei etwa
15O0C. Wenn AsSe, dem geschmolzenen Selen zugesetzt wird,
schmilzt das AsSe. darin, so daß zwei vollständig miteinander mischbare Flüssigkeiten erhalten werden. Das Arsentetraselenid
ist in dem flüssigen Selen leicht löslich, und es ist auf diese Weise möglich, das Selen homogen mit
Arsen, gewollt zu "verunreinigen" bzw. zu "dotieren" bzw. zu"dopenn. Die in der Praxis benutzten Temperaturen sind
geringfügig höher als der Schmelzpunkt des Selens, d.h. es' werden Temperaturen bis etwa 26O0O angewendet, um die AuflosungGgeschwindigkoit
zu erhöhen und eine niedrigere Viskosität der Flüssigkeiten zu erhalten. Höhere Temperaturen
sollten vorzugsweise nicht "benutzt werden, da die daraus
209840/0992
resultierende Verdampfung neue Probleme schafft·
Die Erfindung bezieht sich weiterhin auf ein Verfahren zum Herstellen von Arsentetraselenid, welches für den oben angegebenen
Zweck benutzbar ist. Es wurde festgestellt, daß bestimmte Bedingungen eingehalten werden müssen, damit Arsen
und Selen so reagieren, daß das gewünschte Selenid gebildet wird. Erfindungsgemäß wird ein pulvriges Gemisch aus Arsen
und Selen geschmolzen. Es ist außerordentlich wichtig, daß das pulvrige Gemisch homogen ist, und daß das Arsen und das
Selen in größtmöglichem Umfang zerkleinert worden sind· Auf diese Weise ist es möglich, örtliche Ungleichmaßigkeiten
und die Bildung anderer Selenide zu vermeiden. Die Korngröße der beiden Komponenten liegt somit erfindungsgemäß unter
30 tun und vorzugsweise zwischen 5 - 10 ^Um. Es ist weiterhin
bedeutungsvoll, daß die beiden Komponenten in reinem Zustand vorhanden sind und nicht reaktionsverhindernde
bzw. reaktionsbeeinträchtigende Verunreinigungen aufweisen wie beispielsweise Oxydschutzschichten. Dieses gilt
insbesondere für das pulvrige metallische Arsen, das leicht oxydierbar ist und hohe Sauerstoffgehalte in das Selenid
und damit in das mit Arsen "verunreinigte" Selen, welches als das Endprodukt erhalten wird, einführt. Die besten Ergebnisse
werden erzielt, wenn hochgradig reines, kristallines, elementares Arsen benutzt wird, das in einer geschlossenen
Quarzmühle in einer Schutzumgebung, wie beispielsweise einer Argongasatmosphäre, zermahlen worden ist. Das Selen sollte
in vergleichbarer Weise ebenfalls so rein wie möglich sein, und es wird vorzugsweise in der gleichen Weise vermählen wie
das Arsen. Der Reinheitsgrad soll vorzugsweise 99,999$ Se oder noch mehr betragen (d.h. die Summe der Verunreinigungen
sollte niedriger sein, als 10 g/t). Bei Durchführung des erfindungsgemäßen
Verfahrens wird das pulvrige Gemisch vorzugsweise langsam erhitzt, wobei eine Reaktion deutlich im Interval
zwischen 150-2000C beobachtet werden kann. Wenn AsSe. gebildet
wird, dann schmilzt es, und die gesamte Mischung wird fortschreitend in eine zähflüssige schwarze Flüssigkeit über-
209840/0992
führt, die eine glänzende hochreflektierende Oberfläche hat. Es lassen sich keine festen Aggregate anderer, bei hohen
Temperaturen schmelzenden. As-Selenide finden. Die Reaktion
kann im Rahmen der Erfindung auf verschiedene V/eise durchgeführt werden, und im folgenden wird in beispielhafter Weise
eine Verfahrensweise beschrieben, die sich für die Durchfuhrung der in Frage stehenden Reaktion als außerordentlich
gut bewiesen hat. Gemäß dieser Verfahrensweise wird eine Glasampulle
mit dem pulvrigen Gemisch unter einer Schutzgasatmosphäre wie vorzugsweise Argon, gefüllt; die Ampulle wird
anschließend heiß versiegelt bzw, unter Hitze verschlossene Die Ampulle wird dann in einen temperaturgeregelten Ofen
oder eine Heizkammer gegeben und an einer sich darin befindenden drehbaren Halteeinrichtung befestigt. Die Temperatur in
der Heizkammer wird zuerst auf 150-2Ou0G eingestellt. Eine
Reaktionszeit von 24 Stunden ist für eine Menge in der Größe von 500 g ausreichend bzw, geeignet. Wenn die Reaktion
zu Ende geführt ist, wird die Temperatur in der Heizkammer auf etwa 40O0O erhöht, und die Ampulle wird langsam etwa mit
1 U/min in Drehung versetzt. Das Selenid hat dabei eine niedrige Viskosität und infolge des durch das Rotieren hervorgerufenen
Umrührens wird die Lösung vollständig homogenisiert. Diese Stufe des Behandlungsprozesses dauert ebenfalls
ungefähr 24 Stunden; danach wird die Ampulle aus der Heizkammer herausgenommen und schnell in Luft gekühlt, wobei sie
in einer vertikalen Position gehalten wird. Auf diese Weise wird innerhalb der Ampulle ein zusammenhängender zylindrischer
Stab aus AsSe. erhalten. Bei der Verfestigung löst sich dieser
Stab von dem Glas und kann leicht aus der Ampulle herausgenommen werden.
Die Erfindung bezieht sich weiterhin auf ein Verfahren zum Herstellen von mit Arsen "verunreinigtem" bzw. "dotiertem"
Selen, welches sich von dem bisher beschriebenen Selen dadurch unterscheidet, daß Θ3 in wesentlichem Umfang sauerstoff
rei ist. Dieses ist wichtig, wenn das Selen für fotoelektrische Zwecke benutzt werden soll, bei denen selbst
209840/0992
kleine Sauerstoffmengen der Anlaß dazu sein können, daQ der
Prozeß gestört bzw. beeinträchtigt wird. Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, ein niit Arsen "verunreinigtes"
Selen zu erhalten, welches einen Sauerstoffgehalt hat, der im wesentlichen unter 3 g/t liegt. Das Einführen von Sauerstoff
in das Selen beim Arbeiten mit Arsen erfolgt jedoch außerordentlich leicht. Es ist richtig, daß metallisches
Arsen durch Sublim ie rung in V/asserstoffgas sauer&toffrei
gemacht werden kann; das Arson oxydiert jedoch teilweise in Luft, insbesondere in feuchter Luft, und zwar bevorzugt
dann, wenn es fein vermählen ist. Beim Oxydieren werden die Metallpartikel mit einer dünnen Oxidschicht
überzogen, woraufhin die Partikeln aufhören, weiterhin Sauerstoff anzunehmen. Auf diese Weise ist es außerordentlich
schwierig, das Metall zu vermählen und es bei dem Betiandelii
bzw."Verunreinigen" des Selens handzuhaben, ohne daß dabei das Material während der.einen oder der anderen Verfahrensstufe in Kontakt mit Luftsauerstoff kommt. Andererseits hat
das Selen keine große Neigung, Sauerstoff zu absorbieren, und es ist bei Anwendung bekannter Verfahren verhältnismäßig einfach,
von dem Selen kleine Sauerstoffmengen abzutrennen, beispielsweise, indem zerstäubtes Wasserstoffgas durch eine Selenschmelze
geblasen wird. Auf diese V/eise ist es möglich, Sauerstoffgehalte zu erhalten, die niedriger als etwa 0,5 g/t liegen.
Es ist jedoch schwierig, bei der direkten Verarbeitung eines mit Arsen "verunreinigten" Selens, das einen niedrigen Sauerstoffgehalt
hat, mit einem saueratoffreien Arsen zu arbeiten. Wenn andererseits AsSe. zum "Verunreinigen" des Selens benutzt
wird, und zwar anstelle von Arsen, können die Probleme in einfacherer Weise gelöst werden. Der Sauerstoff wird das Metall,
selbst wenn das Selenid hergestellt wird, begleiten, wobei jedoch der Sauerstoff in der AsSe.-Schmelze in einer solchen
Weise gebunden wird, daß er leicht entfernt werden kann. Der spezielle erfindungsgemäße Sauerstoffentfernungsprozeß erfolgt
im Anschluß an die Herstellung des Selenids, während
209840/0992
dieses sich noch in geschmolzenem Zustand befindet. Das SeIenid
ist gegenüber Sauerstoff vollständig sicher, nachdem es in den festen Zustand abgekühlt worden ist. Es kann daher "vermählen
und bei dem "Verunreinigen" bzw, "Dopen" des Selens ohne die Gefahr einer Sauerstoffabsorption gehandhabt werden.
Sauerstoffgehalte in dem Selenid von 5 g/t und niedriger können in einfacher Weise durch Reinigung erhalten werden.
Die Sauerstoffzufuhr zu dem mit As "verunreinigtem" Selen
durch das gereinigte AeSe. ist vernachlässigbar. Ein hochgradig
reines Selen mit einem Sauerstoffanteil von etwa 0»5 g/t kann zu Herstellung von mit As "verunreinigtem"
Selen guter Qualität, welches 0,5 i° As aufweist, benutzt
werden. 5 Kg As je Tonne, was etwa 25 Kg AsSe.entspricht,
werden für den "Verunreinigungsprozeß" bsw.^opprozeB" benötigt.
Nachdem es gereinigt worden ist, enthält das AsSe. etwa 5 g Sauerstoff je Tonne, so daß die dem "verunreinigten"
Selen von dem AsSe^ zugeführte Sauerstoffringe in der Größe
von 0,1 g/t liegt, und zwar verglichen mit 0,5 g Sauerstoff je Tonne, der von dem Selen herrührt« Der endgültige Sauerstoffgehalt
in dem "verunreinigten" Selen liegt damit in der Größenordnung von einem halben Gramm je Tonne, Mmni keine
speziellen Maßnahmen zum Reinigen des Metalls oder des SeIenids getroffen werden, ist es in der Regel normal, Sauerstoffgehalte
in dem "verunreinigtem" Selen zwischen 5 und 10 g
je Tonne zu erhalten. Wenn Sauerstoff in solchen Mengen vorhanden ist, kann er die fotoelektrischen Eigenschaften
des Selens nachteilig beeinflussen.
Selen kann mit Arsenselenid in folgender Weise "verunreinigt"
bzw, "dotiert" werden: Ein mit einem Rührwerk versehenes
Quarzgefäß wird zuerst mit einer Bodenschicht aus granualatförmigem reinem Selen gefüllt, auf welches AsSe,
gegeben wird, während das übrige Selen wieder auf das AsSe. gegeben wird. Das Selenid kann in einer feinen zerteilten
Form vorhanden sein, beispielsweise in Pulverform, oder in Form des zusammenhangenden zylindrischen Stabes» der in der
209840/0992
— β —
oben beschriebenen Weise aus der Glasampulle erhalten worden ist. Das Gefäß wird in geeigneter Weise mit einem Deckel verschlossen
und mit Einrichtungen zum Einführen eines Schutzgases wie Argon oder Stickstoff versehen. Das Quarzgefäß
wird dann langsam in einem Elektroofen erhitzt. Wenn die Temperatur 150° G, übersteigt, ist festzustellen, daß das
Selenid schmilzt und nach unten in das granulatförmige
Selen fließt. Die Temperatur wird dann allmählich erhöht, und wenn die Selenschmelze bei etwa 260° 0. fertig ist,
kann festgestellt werden, daß sich das Selenid schnell löst. Die Mischung wird dann mehrere Stunden umgerührt, so daß das
As homogen in dem Selen verteilt wird. Es i3t auch möglich,
das Selenid in flüssiger Form dem Selen zuzusetzen, welches sich entweder in geschmolzenem oder festem Zustand befindet.
In diesem EaIl bestehen jedoch in allgemeinen Gefahren, daß
die Mischung in unerwünschter Weise verunreinigt wird. Das
Selen wird normaler Weise auf eine grobkörmige Korngröße von einigen Millimetern Durchmessern granuliert, in^dem die
Schmelze mit feinem Strahl in kaltes Wasser gegossen wird. In bestimmten Fällen wird die Anwendung von Wassergranuliermethoden
als weniger geeignet angesehen, da die Gefahr besteht, daß sich in dem Selen Wassereinschlüsse bilden.
Das Selen hat weiterhin die Neigung, in" gewissem Umfang Sauerstoff zu absorbieren. Das Arsen wird in dem Granulieriwasser herausgelöst, wenn auch nur in sehr kleinem Umfang.
Das Selen kann stattdessen auf einer kalten, sich bewegenden Oberfläche granuliert werden, beispielsweise auf einer sogenannten Kalt- bzw. Absohreckwalze. Eine Kalt- bzw. Abschreckwalze kann beispielsweise eine doppelwandige Trommel aufweisen, die mit kaltem Wasser gekühlt bzw. abgeschreckt
wird und an der äußeren Zylinderfläche mit gegen Sauerstoff widerstandsfähigem Stahl versehen ist. Die Oberfläche soll
vorzugsweise außerordentlich glatt und insbesondere hochpoliert sein. Das flüssige Selen wird der Walze bzw. Trommel
von einem darüber angeordnetem speziellen Verteilungsbehälter zugeführt. Der Boden des Behälters weist mehrere Stangen aufι
209840/0992
an denen das Selen herunter fließen kann, um am Ende der Stangen Tröpfchen der erwünschten Größe zu "bilden. Diese
Tröpfchen fallen dann a,uf die gekühlte Oberfläche und bilden darauf abgeflachte, linsenförmige Körner, die einen Durchmesser
von etwa 5 nmi und eine Dicke von etwa 1 mm haben, Die Anordnung befindet sich vorzugsweise innerhalb einer
Schutzgasatmosphäre, so daß das Gelen, während es sich in geschmolzenem Zustand befindet, gegenüber Berührung mit
Luftsauerstoff abgeschirmt ist.
Das mit As "verunreinigte" bzw. "dotierte" amorphe Selen hat
im festen Zustand und mit nur geringen Sauerstoffanteilen die besten Qualitätseigenschaften für die Elektrofotografie.
Ein derartiges Selen kann durch "Verunreinigen" bzw. "Dopen" mit der oben beschriebenen Verbindung AsSe. erhalten
werden, welches aus hochgradig reinen Komponenten hergestellt i3t, die weitgehend von Sauerstoff gereinigt sind.
Es ist nicht möglich, eine gleichmäßig "verunreinigte",
sauerstoffreie As-Se-Lösung direkt aus As und Se zu erhalten
oder über eine Undefinierte Mischung aller möglicher Arsenselenide.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung von mit
Arsen verunreinigtem bzw. dotiertem Selen besteht somit im wesentlichen darin, daß fein zerteiltes Selen mit
feinzerteiltem Arsen in einem atomaren Verhältnis von 1:4 gemischt wird, bevor das Gemisch unter inerter Atmosphäre
erhitzt wird, um eine Hauptlegierung zu erhalten» Die Hauptlegierung wird dann mit geschmolzenem reinem Selen
in einer solchen Weise gemischt, daß in dem Selen ein Arsen«
gehalt zwischen 0,1 und 2Gew.-# erhalten wircU
209840/09
Claims (3)
1. Verfahren zum Herstellen von zwischen 0,1 und 2 Gew.-Jk
Arsen enthaltendem Selen, sogenanntem gewollt verunreinigtem bzw« dotiertem Selen, dadurch gekennzeichnet, daß feinzerteiltes
Selen mit feinzerteiltem Arsen mit einer Korngröße von höchstens 30 Aün und einem atomaren Mischungsverhältnis
von Arsen zu Selen von im wesentlichen 1:4 vermischt wird, daß das Gemisch in einer inerten Atmosphäre
auf eine Temperatur über 15O0C. erhitzt wird, um eine homogene
Hauptlegierung zu erzeugen, die im wesentlichen Arsentetraselenid
enthält, und daß diese Hauptlegierung in fester oder flüssiger Form mit einer Schmelze aus reinem Selen
gemischt oder die Hauptlegierung mit Selen in einer solchen Menge gemeinsam zum Schmelzen gebracht wird, daß der beabsichtigte
Arsengehalt erreicht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Arsentetraselenid vor der Zugabe zum Selen von Sauerstoff
gereinigt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Zugabe von Arsen zu Selen das Arsentetraselenid auf einen
Sauerstoffgehalt unter 5 g/t gebracht wird.
BAD ORIGINAL
209840/0992
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE03226/71A SE356223B (de) | 1971-03-12 | 1971-03-12 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2210638A1 true DE2210638A1 (de) | 1972-09-28 |
DE2210638B2 DE2210638B2 (de) | 1979-01-04 |
DE2210638C3 DE2210638C3 (de) | 1979-08-30 |
Family
ID=20261652
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2210638A Expired DE2210638C3 (de) | 1971-03-12 | 1972-03-06 | Herstellung von Arsen enthaltendem Selen |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3785806A (de) |
JP (1) | JPS5511602B1 (de) |
CA (1) | CA967459A (de) |
DE (1) | DE2210638C3 (de) |
FR (1) | FR2128879B1 (de) |
GB (1) | GB1391013A (de) |
IT (1) | IT953448B (de) |
NL (1) | NL172047C (de) |
SE (1) | SE356223B (de) |
SU (1) | SU976857A3 (de) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1181614A (en) * | 1968-03-19 | 1970-02-18 | Siemens Ag | Process for Producing Homogeneously Doped Selenium. |
US4008082A (en) * | 1973-02-19 | 1977-02-15 | Licentia Patent-Verwaltungs-G.M.B.H. | Method for producing an electrophotographic recording material |
US4126457A (en) * | 1973-05-30 | 1978-11-21 | Xerox Corporation | Evaporation technique for producing high temperature photoreceptor alloys |
US4049505A (en) * | 1974-10-14 | 1977-09-20 | Chatterji Arun K | Photoconductors for electrostatic imaging systems |
US4414179A (en) * | 1981-12-03 | 1983-11-08 | Xerox Corporation | Process for making photoreceptors |
US4822712A (en) * | 1988-04-08 | 1989-04-18 | Xerox Corporation | Reduction of selenium alloy fractionation |
US4859411A (en) * | 1988-04-08 | 1989-08-22 | Xerox Corporation | Control of selenium alloy fractionation |
US4842973A (en) * | 1988-04-08 | 1989-06-27 | Xerox Corporation | Vacuum deposition of selenium alloy |
US4904559A (en) * | 1988-10-24 | 1990-02-27 | Xerox Corporation | Processes for suppressing the fractionation of chalcogenide alloys |
US4894307A (en) * | 1988-11-04 | 1990-01-16 | Xerox Corporation | Processes for preparing and controlling the fractionation of chalcogenide alloys |
US5002734A (en) * | 1989-01-31 | 1991-03-26 | Xerox Corporation | Processes for preparing chalcogenide alloys |
US5084301A (en) * | 1990-09-04 | 1992-01-28 | Xerox Corporation | Alloying and coating process |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2863768A (en) * | 1955-07-05 | 1958-12-09 | Haloid Xerox Inc | Xerographic plate |
FR1488186A (fr) * | 1965-08-02 | 1967-07-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | Matériau photosensible pour l'électrophotographie |
-
1971
- 1971-03-12 SE SE03226/71A patent/SE356223B/xx unknown
-
1972
- 1972-02-28 US US00229956A patent/US3785806A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-02-29 CA CA135,805A patent/CA967459A/en not_active Expired
- 1972-03-06 DE DE2210638A patent/DE2210638C3/de not_active Expired
- 1972-03-07 IT IT21511/72A patent/IT953448B/it active
- 1972-03-08 NL NLAANVRAGE7203087,A patent/NL172047C/xx not_active IP Right Cessation
- 1972-03-10 SU SU721758329A patent/SU976857A3/ru active
- 1972-03-13 FR FR7208680A patent/FR2128879B1/fr not_active Expired
- 1972-03-13 JP JP2554372A patent/JPS5511602B1/ja active Pending
- 1972-03-13 GB GB1153372A patent/GB1391013A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2128879A1 (de) | 1972-10-20 |
DE2210638C3 (de) | 1979-08-30 |
NL172047C (nl) | 1983-07-01 |
DE2210638B2 (de) | 1979-01-04 |
JPS5511602B1 (de) | 1980-03-26 |
US3785806A (en) | 1974-01-15 |
NL7203087A (de) | 1972-09-14 |
NL172047B (nl) | 1983-02-01 |
FR2128879B1 (de) | 1978-03-31 |
SE356223B (de) | 1973-05-21 |
IT953448B (it) | 1973-08-10 |
GB1391013A (en) | 1975-04-16 |
CA967459A (en) | 1975-05-13 |
SU976857A3 (ru) | 1982-11-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2119516C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Vorlegierung, die einer Aluminiumschmelze zum Zweck der Kornfeinung zugesetzt wird | |
DE2210638C3 (de) | Herstellung von Arsen enthaltendem Selen | |
DE4003018A1 (de) | Verfahren zur herstellung monotektischer legierungen | |
DE2107255A1 (de) | Exothermes Material | |
DE2924896C2 (de) | ||
DE2528427A1 (de) | Stoffzusammensetzung aus einem kaeltemittel und festen teilchen | |
DE2000033A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von passiviertem,rotem Phosphor | |
DE2255977C3 (de) | Verfahren zum Raffinieren von metallischem Kupfer | |
DE1212733B (de) | Ferrosiliziumlegierung | |
DE2014772A1 (de) | Verfahren zur Behandlung von unreinem Aluminiumchlorid | |
DE19800433A1 (de) | Aluminium-Gleitlagerlegierung | |
DE2648220B2 (de) | Verfahren zur Behandlung von eisenhaltigen metallurgischen Schlacken und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE69206630T2 (de) | Gegossene Verbundmaterial aus Al-Mg-Sr-Matrix mit Aluminiumoxidverstärkung. | |
DE3780887T2 (de) | Vorrichtung und verfahren zur herstellung einer kupferbasislegierung. | |
DE1533474C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Magnesiumenthaltendem Ferrosilizium | |
DE1767615C (de) | Vorrichtung zur Herstellung eines linsenförmigen Granulates | |
AT225362B (de) | Verfahren zur Herstellung von porösem Metall in einem kontinuierlichen Arbeitsgang | |
DE1005942B (de) | Verfahren zur Herstellung von Metallpulvern | |
DE2532875C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum tiegellosen Granulieren von Metallen und Metallegierungen | |
DE361408C (de) | Verfahren zur Herstellung von Aluminiumpulver | |
DE2359355C3 (de) | Neuartiges Verfahren zur Herstellung von körnigem oder pulverförmigem Silberchlorid | |
AT362411B (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer legierung | |
DE1086440B (de) | Verfahren zur Herstellung von Titan | |
DE443742C (de) | Verfahren zur Herstellung von Metallegierungen in feinst zerteilter Pulverform | |
DE2750347A1 (de) | Verfahren zum erniedrigen des na- gehalts in einem bad aus fluessigem aluminium und danach hergestellte magnesiumhaltige aluminiumlegierung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |