DE2202488A1 - Hochohmiger widerstand fuer integrierte schaltung, insbesondere fuer halbleiterspeicherelemente - Google Patents

Hochohmiger widerstand fuer integrierte schaltung, insbesondere fuer halbleiterspeicherelemente

Info

Publication number
DE2202488A1
DE2202488A1 DE19722202488 DE2202488A DE2202488A1 DE 2202488 A1 DE2202488 A1 DE 2202488A1 DE 19722202488 DE19722202488 DE 19722202488 DE 2202488 A DE2202488 A DE 2202488A DE 2202488 A1 DE2202488 A1 DE 2202488A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
area
electrode
semiconductor material
resistance
electrical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19722202488
Other languages
English (en)
Inventor
Karl Dr-Ing Goser
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE19712104862 external-priority patent/DE2104862C3/de
Priority to DE19712104862 priority Critical patent/DE2104862C3/de
Priority to DE19722202488 priority patent/DE2202488A1/de
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to GB355672A priority patent/GB1383533A/en
Priority to IT1994072A priority patent/IT947090B/it
Priority to BE778647A priority patent/BE778647A/xx
Priority to FR7203058A priority patent/FR2124302B1/fr
Priority to LU64688D priority patent/LU64688A1/xx
Priority to NL7201245A priority patent/NL7201245A/xx
Priority to JP47105208A priority patent/JPS496884A/ja
Publication of DE2202488A1 publication Critical patent/DE2202488A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
    • H01L27/07—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common
    • H01L27/0705—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type
    • H01L27/0727—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with diodes, or capacitors or resistors
    • H01L27/0738—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration the components having an active region in common comprising components of the field effect type in combination with diodes, or capacitors or resistors in combination with resistors only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/8605—Resistors with PN junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/356—Bistable circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Description

Hochohmiger Widerstand für integrierte Schaltung, insbesondere für Halbleiter-Speicherelemente
Zusatz zu VPA 71/7014
P 2104 862.4
Die Erfindung bezieht sich auf einen elektrischen Widerstand nach dem Hauptpatent P 21o4 862.4 für eine integrierte, monolitHsche Schaltung, angeordnet in einem Gebiet eines Körpers aus Halbleitermaterial, wobei dieses Gebiet und damit der Widerstand gegenüber dem übrigen Halbleitermaterial durch eine das Gebiet umgebende Verarmungszone elektrisch isoliert ist, die sich im Betrieb durch die Wirkung eines gesperrten Diodenüberganges, dessen eine Elektrode auf dem Halbleitermaterial angeordnet ist ausbildet. Dieser Widerstand nach dem Hauptpatent ist weiter dadurch gekennzeichnet, daß in dem genannten Gebiet ein zum Halbleitermaterial entgegengesetzt dotierter Bereich mit einem ohmschen Kontakt auf seine Oberfläche vorgesehen ist, so daß der Widerstand zwischen diesem Kontakt und der Elektrode liegt, und wobei der Abstand zwischen der Elektrode des Diodenüberganges und dem Rand des Bereiches abhängig von der vorgegebenen elektrischen Maximalspannung ■ am Widerstand und abhängig von der Höhe der Leitfähigkeit des Halbleitermaterials des Körpers außerhalb des genannten Bereiches derart gewählt ist, daß die Verarmungszone von dem Bereich, abhängig vom Ort, jeweils noch so weit entfernt bleibt, daß noch kein hoher Durch:bruchsstrom fließen kann.
309830/0704
2202A88
Nach der Lehre des Hauptpatentes ergeben sich sehr hochohmige Widerstände, deren Widerstandeswerte sehr hoch sind in Bezug auf die spezifische Leitfähigkeit, bzw. in Bezug auf den spezifischen Widerstand des verwendeten Halbleitermaterials. Der Widerstand nach dem Hauptpatent ist mit seinen Anschlüssen gegenüber dem Substrat elektrisch isoliert.
In der Hauptanmeldung ist bereits eine Maßnahme angegeben worden, mit deren Hilfe der Widerstandswert eines Widerstandes nach der Erfindung auf einen niedrigeren Wert verringert werden kann. Diese Möglichkeit ist insbesondere dann von Vorteil, wenn ein Widerotand nach der Erfindung des Hauptpatentes als Lastwiderstand in einem Halbleiter-Speicherelement verwendet wird und der parallel liegende parasitäre Sperrwiderstand des Schalttransistors, und zwar zwischen dem Drain-Gebiet und dem Halbleiter-Substratkörper, nicht genügend hoch ist.
Aufgabe der'vorliegenden Erfindung ist es, eine weitere vorteilhafte Maßnahme anzugeben, nach der der Widerstandswert eines Widerstandes nach der Erfindung, des Hauptpatentes insbesondere durch von außen vorzunehmende Maßnahmen einstellbar verringert werden kann.
Diese Aufgabe wird durch einen wie eingangs angegebenen Widerstand nach dem Hauptpatent P 2104 862.4 erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß zwischen der Elektrode des Diodenüberganges und dem Halbleiter-Substratkörper eine gepulste elektrische Spannung angelegt ist. Vorzugsweise ist eine gepulste Spannung einstellbarer Pulsfrequenz vorgesehen.
Bevorzugtes Anwendungsgebiet eines hochohmigen elektrischen Widerstandes mit einstellbaren Widerstandswert gemäß der vorliegenden Erfindung sind logische Schaltungen und zwar insbesondere Halbleiter-Speicherelemente, in denen der Widerstand als Lastwiderstand eingesetzt ist.
309830/0 7 (U
Mit 1 ist ein Teil eines Körpers, auch Substrat genannt, aus Substrat bezeichnet, das beispielsweise η-leitend ist. Auf diesen Körper sind zwei Elektroden 2 und 3 aufgebracht, wobei die Elektrode 3 im wesentlichen ringförmig ist und die Elektrode 2 mit Abstand einschließt. Im Falle des dargestellten Beispiels bildet die Elektrode 3 auf dem Halbleitermaterial des
3098 3 0/Ö7Ü4
, Körpers 1 einen sog. Schottky-Barrier-Kontakt. Vorzugsweise v/ird für diesen Kontakt bei einem Halbleiterkörper aus Silizium eine Elektrode 3 aus Aluminium verwendet.
Unterhalb der Elektrode 2 befindet sich in dem Halbleiterkörper 1 ein über den Rand der Elektrode 2 hinausgreifender Bereich '4. Dieser Bereich ist so dotiert, daß er einen dem Halbleitermaterial von 1 gegenüber entgegengesetzten Leitungstyp hat. Die Länge des äußeren Randes dee Bereiches 4 bestimmt u.a. die Höhe des erfindungsgemäßen Widerstandes. Je langer der Rand ist, um so niedri- ·" ger ist der Widerstand. Mit 5 ist ein elektrischer Kontakt an dem Halbleiterkörper 1 angedeutet. 6, 7 und 8 sind elektrische Anschlüsse, die, abweichend von der hier gewählten schematischen Darstellung, entsprechend der integrierten Technik ausgebildet sind. *
Mit 9 ist die erfindungsgemäß vorgesehene Verarmungszone bezeichnet. Ihre ungefähre Abgrenzung in dem Halbleiterkörper 1 ist . durch die gestrichtelt dargestellten Linien 10 und 11 angedeutet. Bei einem η-leitenden Halbleiterkörper hat diese Verarmungszone 9 üborwiegend positive Raumladung.
Entsprechend einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist ein Teilgebiet 12 des Halbleiterkörpers 1 etwas höher η-leitend dotiert ala der übrige Körper 1. Dieses höher leitende Gebiet befindet sich im wesentlichen an der Oberfläche des Körpers 1 und erstreckt sich in das Innere des Körpers etwa bis zu der gestrichelt angedeuteten Ebene 14. Ein derartiges Teilgebiet ' 12 kann vorzugsweise durch epitaktisches Abscheiden oder durch Diffusion hergestellt werden. Zweck dieser höher leitenden Zone ist, die Ausdehnung der Raumladungszone\'4nahe der Oberfläche des Halbleiterkörper im wesentlichen auf die'Fläche der Elektrode 5 zu begrenzen. Je höher näralioh die Dotierung des Halbleitermaterials ist, um so weniger weit dent sich die Verarmungβaone über die unmittelbare Nähe des Diodenüberganges, hier des Schottky-Barrier-Kontaktes zwischen der Elektrode 3 und dem Halbleiterkörper 1, aus. In dem dagegen nur schwach dotierten Material
309830/0704
des restlichen Teils des Körpers 1 soll sich dagegen erfindungsgemäß die Verarmungszone weit ausdehnen und zwar insbesondere so weit, daß sie, wie in der Figur 1 dargestellt, ein Gebiet 15 des Halbleiterkörpers utaschließt, in dem sich der Bereich 4 befindet. Erfindungen s entlich soll sich die Verarmung s ζ one. dem Bereich 4 nur so weit annähern, daß noch kein hoher Durchbruchstrom fließen kann. Unter einem hohen Durehbruchstrom im Sinne' der Erfindung versteht man einen im Gegensatz zu dem bei weichem Durchbruch auftretenden Strom einen abrupt um· mehrere Größenordnungen, ,ansteigenden Strom. λ ,
Die Verarmungszone 9 bildet sich aus, wenn zwischen den Anschlüssen 6 und 7 eine den Diodenübergang, hier den Schottky-Barrierübergang, sperrende elektrische Spannung angelegt ist. Die Ausdehnung der Verarmungszone hängt dabei von der Höhe der angelegten Spannung und von der Leitfähigkeit des Halbleitermaterials ab. · · .
Der erfindungsgemäße Widerstand liegt avischen den Anschlüssen 7 und 8, d.h. räumlich zwischen dem Breich 4 und der Zone 9- Er hat einen hochohmigen Wert, wenn, im Falle eines p-leitenden Bereiches 4t das .Potential an dem Anschluß δ negativ gegenüber dem Potential an dem Anschluß 7 ist.
Ein Teil des Sperrstromes fließt von der Elektrode 3 in den Bereich 4 bis sich dieser Bereich etwa bis auf das Potential der Elektrode»' 3 aufgeladen hat. Durch diesen Teil des Sperrstroms ist die Höhe des erfindungsgemäßen Widerstandes bestimmt·
Es. kommt wesentlich darauf an, daß \enigstens nahe der Oberfläche des Halbleiterkörpers 1 bzw. im Teilber.eich 12 zwischen dem Bereich 4 und der Verarmungszone 9 noch ein räumlicher Abstand besteht, eo daß das'GeMet 15 größer als der Bereich 4 ist. Nahe der Oberfläche herrschen nämlich im Betrieb relativ hohe elektrioche Feldstärken, die bei zu geringem oder gar fehlendem Abstand zu hohen Durchbruohströmen führen können. Dagegen kommt es an Orten, die von der Elektrode 3 weiter entfernt sind, wesentlich
' ' 309 8 30/07 04
weniger auf einen derartigen Abstand zwischen dem Bereich 4 und der Verarmungezone 9 an. Dort ist nämlich die elektrische Feldstärke stets so klein, daß Durchbrüche ohnehin ausgeschlossen sind.
Gemäß einer Weiterbildung der Erfindung hat der Schottky-Barrier-Kontakt beim Ausführungsbeispiel der Figur 1 einen Schutzrand, wie er im Prinzip hierfür bekannt ist. Es ist hier beispielsweise ein dielektrischer Schutzrand vorgesehen, der durch die dielektrischen Belegungen 16 und 17 sowie durch die in der Figur dargestellten übergreif enden. Bänder 18 und 19 der Elektrode,. 3 gebildet wird. Dieser Schutzrand hat den Zweck, den Gradienten des elektrischen Feldes in der Bandzone herabzusetzen und damit den Sperrstrom des Überganges zu verkleinern.
Anstelle eines dielektrischen Schutzrandes kann auch, wie an eich bekannt, ein durch^Dotierung gebildeter Schutzrand vorgeoehen sein« Dieser wird jdadurch realisiert, daß in der unmittelbaren Umgebung des Bandes der Elektrode 3 im Oberflächenbereich des Halbleiterkörpers 1 ein gegendotierter Bereich vorgesehen ist. Im Falle einer ringförmigen'Elektrode 3 wären dies zwei .konzentri-' ringförmige Dotierungsbereiohe.
309830/07U*
Mit 61 und 71 sind Zuleitungen zu dem Anschluß 6 des Substratkörpersund dem Anschluß 7 der Elektrode des Diodenüberganges bezeichnet. Mit 12 ist ein Generator für eine gepulste Spannung, vorzugsweise mit einstellbarer Pulsfolgefrequenz bezeichnet. Die mit 61, 71 und 72 bezeichneten Einzelheiten der Figur sind als schematische Darstellung zu verstehen. Die Leitungen 61 und 71 sind im Regelfall in der Praxis Teile des monolithischen Aufbaues. Z.B. im Falle der Verwendung des Widerstandes nach der vorliegenden Erfindung ist die Quelle 72 Bestandteil der Versorgungsschaltung eines Halbleiterspeichers.
Die Höhe des Widerstandswertes eines elektrischen Widerstandes nach der vorliegenden Erfindung ist von der Pulsfrequenz der erfindungsgemäß vorgesehenen.gepulsten elektrischen Spannung abhängig. Der Widerstandswert ist umso niedriger, je höher die Pulsfrequenz ist.
Wie bereits oben erwähnt ist die Verringerung des Widerstandswertes des erfindungsgemäßen Widerstandes insbesondere bei monolithischen Schaltungen in einem gemeinsamen Substrat von Bedeutung, nämlich wenn parasitäre Parallelwiderstände auftreten. Dies kann z.B. für den Sperrwiderstand des Draingebietes des Schalttransistors eines Speieherelementes der Fall sein, in dem der erfindungsgemäße Widerstand Lastwiderstand ist.
2 Patentansprüche
1 Figur
309830/07U4

Claims (3)

  1. Patentansprüche
    .J Elektrischer Widerstand für eine integrierte, monolithische Schaltung, angeordnet in einem Gebiet eines Körpers aus Halbleitermaterial, wobei dieses Gebiet und damit der Widerstand gegenüber dem übrigen Halbleitermaterial durch eine das Gebiet umgebende Verarmungszone elektrische isoliert ist, die sich im Betrieb durch die Wirkung eines gesperrten Dioden-Überganges, dessen eine Elektrode auf dem Halbleitermaterial angeordnet ist, ausbildet, und bei dem in dem Gebiet (15) ein zum Halbleitermaterial entgegengesetzt dotierter Bereich (4) mit einem ohm1sehen Kontakt (2) auf seiner Oberfläche vorgesehen ist, äo daß der Widerstand zwischen diesem Kontakt (2) und der Elektrode (3) liegt, und wobei der Abstand zwischen der Elekktrode (3) des Diodenüberganges und dem Rand des Bereiches (4) abhängig von der vorgegebenen elektrischen Maximalspannung am Widerstand und abhängig von der Höhe der Leitfähigkeit des Halbleitermaterials des Körpers (1) außerhalb des Bereiches derart gewählt ist, dä3 die Verarmungszone (9) von dem Bereich (A), abhängig vom Ort, jeweils noch so weit entfernt bleibt, daß noch kein hoher Durchbruchstrom fließen kann, dadurch gekennzeichnet , daß zwischen der Elektrode (3) des Diodenüberganges und dem Halbleiter-Substratkörper (1) eine gepulste elektrische Spannung (72) angelegt ist.
  2. 2. Elektrischer Widerstand nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß eine gepulste Spannung einstellbarer Pulsfrequenz vorgesehen ist.
  3. 3 0 9 ß 3 t) / υ 7 υ U
    VTA //
DE19722202488 1971-02-02 1972-01-19 Hochohmiger widerstand fuer integrierte schaltung, insbesondere fuer halbleiterspeicherelemente Pending DE2202488A1 (de)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19712104862 DE2104862C3 (de) 1971-02-02 Lastwiderstand für eine monolithisch integrierte Schaltung
DE19722202488 DE2202488A1 (de) 1971-02-02 1972-01-19 Hochohmiger widerstand fuer integrierte schaltung, insbesondere fuer halbleiterspeicherelemente
GB355672A GB1383533A (en) 1971-02-02 1972-01-26 Electrical components
IT1994072A IT947090B (it) 1971-02-02 1972-01-28 Resistenza di elevato valore ohmico per circuiti integrati specie per elementi di memoria a semiconduttori
BE778647A BE778647A (fr) 1971-02-02 1972-01-28 Resistance de valeur ohmique elevee pour des circuits integres,notamment pour des elements de memoire a semiconducteurs
FR7203058A FR2124302B1 (de) 1971-02-02 1972-01-31
NL7201245A NL7201245A (de) 1971-02-02 1972-01-31
LU64688D LU64688A1 (de) 1971-02-02 1972-01-31
JP47105208A JPS496884A (de) 1971-02-02 1972-10-20

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19712104862 DE2104862C3 (de) 1971-02-02 Lastwiderstand für eine monolithisch integrierte Schaltung
DE19722202488 DE2202488A1 (de) 1971-02-02 1972-01-19 Hochohmiger widerstand fuer integrierte schaltung, insbesondere fuer halbleiterspeicherelemente

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2202488A1 true DE2202488A1 (de) 1973-07-26

Family

ID=25760611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19722202488 Pending DE2202488A1 (de) 1971-02-02 1972-01-19 Hochohmiger widerstand fuer integrierte schaltung, insbesondere fuer halbleiterspeicherelemente

Country Status (8)

Country Link
JP (1) JPS496884A (de)
BE (1) BE778647A (de)
DE (1) DE2202488A1 (de)
FR (1) FR2124302B1 (de)
GB (1) GB1383533A (de)
IT (1) IT947090B (de)
LU (1) LU64688A1 (de)
NL (1) NL7201245A (de)

Also Published As

Publication number Publication date
GB1383533A (en) 1974-02-12
DE2104862B2 (de) 1976-07-15
JPS496884A (de) 1974-01-22
FR2124302B1 (de) 1977-09-02
IT947090B (it) 1973-05-21
LU64688A1 (de) 1972-06-26
FR2124302A1 (de) 1972-09-22
NL7201245A (de) 1972-08-04
BE778647A (fr) 1972-05-16
DE2104862A1 (de) 1972-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3011557C2 (de) Zweipoliger Überstromschutz
DE69325608T2 (de) Halbleiterbauelement mit einem Schutzmittel
DE69311627T2 (de) Schutzvorrichtung einer integrierten Schaltung gegen elektrostatische Entladungen
DE2707744A1 (de) Halbleiteranordnung mit sicherungsschaltung
CH668505A5 (de) Halbleiterbauelement.
DE19908477B4 (de) Halbleitervorrichtung
CH698373B1 (de) Halbleitervorrichtung.
DE1764164B1 (de) Sperrschicht feldeffektransistor
DE102014110366A1 (de) Mos-leistungstransistor mit integriertem gatewiderstand
DE2226613A1 (de) Halbleiterbauelement
DE102017210255A1 (de) Leistungshalbleiterbauelement
EP0096651B1 (de) Zweipoliger Überstromschutz
DE102019213509A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE2023219A1 (de) Festwertspeicher
DE112019002288T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE69835052T2 (de) Kontakt auf P-Typ Gebiet
DE2349938A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE1539070A1 (de) Halbleiteranordnungen mit kleinen Oberflaechenstroemen
DE1764780A1 (de) Steuerbares Halbleiterbauelement
DE1062821B (de) Drifttransistor mit in der Basiszone abgestuftem spezifischem Widerstand
DE2202488A1 (de) Hochohmiger widerstand fuer integrierte schaltung, insbesondere fuer halbleiterspeicherelemente
DE1539877A1 (de) Schaltbares Halbleiterbauelement
DE2723951A1 (de) In zwei quadranten der strom- spannungs-charakteristik schaltbares leistungs-halbleiterbauelement
DE1919406C3 (de) Feldeffekttransistor und seine Verwendung in einer Schaltungsanordnung für einen Miller-Integrator
DE2809564B2 (de) Steuerbarer Halbleitergleichrichter

Legal Events

Date Code Title Description
OHA Expiration of time for request for examination