DE2201034A1

DE2201034A1 - Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten nach der Aufbaumethode

Info

Publication number: DE2201034A1
Application number: DE19722201034
Authority: DE
Inventors: Guenter Dipl-Ing Andrae; Helmut Dipl-Ing Bollinger; Hans-Dieter Dipl-Ing Cornelius; Detlef Dipl-Chem Elbe; Werner Dipl-Ing Fleischer; Lothar Dipl-Ing Fraenzel; Elimar Dipl-Ing Dr-Ing Goering; Klaus Dipl-Phys Petzold; Wolfgang Dr-Ing Telle
Original assignee: Hochvakuum Dresden VEB
Current assignee: Hochvakuum Dresden VEB
Priority date: 1971-05-17
Filing date: 1972-01-11
Publication date: 1972-11-30

Description

Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten nach der Aufbaumethode Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten nach der Aufbaumethode. Die Aufbaumethode besteht darin, daß ein Isolierstoffträgerkörper mit einer dünnen elektrisch leitenden Schicht, z. B. Kupfer, versehen ist bzw. wird, die mit einer Schablone so belegt wird, daß die Stellen, an denen Leiterbahnen entstehen sollen, freibleiben (Negativschablone) und dort galvanisch Kupfer oder andere geeignete Materialien bis zur gewünschten Stärke abgeschieden und evtl. zusätzlich mit einem Atzresist versehen werden. Nach dem Abwaschen der Schablone wird in einem Ätzprozeß die vorher abgedeckte dünne Leitschicht entfernt.
Schwierig ist bei dieser Methode das Aufbringen der dünnen etwa 1 bis 2 /um starken Leitschicht, Bekannt sind dazu Verfahren der stromlosen chemischen Reduktion und Spritzverfahren. Zur Art der erstgenannten Verfahren wurde z. B. vorgeschlagen, daß auf einen Isolierstoffträger mindestens ein Kleberschicht aufgebracht wird, die mit Zinnverbindungen sensibilisiert und mit Palladiumverbindungen aktiviert wird und mittels stromloser chemischer Verkupferung mit einer O,# /um starken Kupfergrundschicht versehen wird. Danach macht sich noch eine galvanische Zwischenverkupferung notwendig, damit die notwendigen Festigkeiten für das Aufbringen der Negativschablone erzielt werden. Die weitere Aufbaufolge entS spricht der erläuterten Aufbaumethode, Nachteilig sind an diesem Verfahren die zusätzlichen Schritte des Sensibilisierens und des Aktivierens der Kleberschicht auf dem Isolierstoffträger. Bedingt durch eine sehr kleine Abscheidegeschwindigkeit im Kupferreduktionsbad und wegen der geringen Eaftfestlgkeit muß vor dem Aufbringen der Negativschablone eine galvanische Verstärkung erfolgen.
Der Zweck der Erfindung besteht darin, das Aufbringen der Leitschicht auf den Isolierstoffträgerkörper zu vereinfachen.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zu schaffen, welches die elektrisch leitende Schicht so aufbringt, daß diese unmittelbar mit der Negativschablone versehen werden kann.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß der präparierte Isolierstoffträgerkörper im Vakuum mit einem elektrisch leitenden Material, vorzugsweise Kupfer, so stark bedampft wird, daß eine ausreichend dicke Leitschicht entsteht. Im allgemeinen beträgt die Schichtdicke etwa 2 /um.
Das Präparieren des Isolierstoffträgerkörpers erfolgt durch ein ausreichendes mechanisches Aufrauhen, ein Beizen oder ein Aufbringen eines geeigneten Haftvermittlers mit evtl. nachfolgender chemischer Behandlung, z. B. beizen. Es besteht auch die Möglichkeit, den Haftvermittler bereits bei der Herstellung des Isolierstoffträgerkörpers mit aufzubringen. Da sich beim Aufdampfen ohne besondere Hilfsmittel nur auf der dem Verdampfer zugewandten Ebene das Verdampfungæmaterial niederschlägt, ist es, wenn beide Ebenen des Isolierstoffträgerkörpers bedampft werden sollen, erforderlich, daß dieser gewendet wird oder verschiedene Verdampferquellen entsprechend angeordnet bzw. gedreht werden. Befinden sich im Isolierstoffträgerkörper Bohrungen, die durchkontaktiert werden müssen, so ist es erforderlich, daß dieser derart über der Verdampferquelle bewegt wird, daß alle Stellen der Bohrungen abwechselnd in die Strahlrichtung der Verdampferquelle kommen.
Am geeignetsten sind dafür Taumelbewegungen über einem Punktverdanipfer und Dreh- oder Planetenbewegungen über einem Linienverdampfer.
Der Vorteil des beschriebenen Verfahrens besteht im besonderen darin, daß nach dem Präparieren des Isolierstoffträgerkörpers zum Aufbringen der elektrisch.
leitenden Schicht nur noch der Prozeß des Vakuumbedampfes erforderlich ist. Es entfällt das Sensibilisieren und das Aktivieren des Isolierstoffträgerkörpers, und es entfällt die aufwendige stromlose chemische Reduktion sowie die Kupfer-Zwischengalvanisierung.
Die Erfindung soll nachstehend an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. In der zugehörigen Zeichnung zeigen: Fig. 1: den Schnitt durch einen Isolierstoffträgerkörper mit zweiseitig aufgedampfter Kupf ergrundschicht Fig. 2: den Schnitt durch einen Isolierstoffträgerkörper mit einseitiger Schicht, fertig aufgebautem Leiterzug und eingelötetem Anschlußteil.
Der Isolierstoffträgerkörper 1 ist in Fig. 1 zweiseitig und in Fig. 2 einseitig beschichtet. Auf diesen Isolierstoffträgerkörper wird ein Haftvermittler 2 aufgebracht, oder die Oberfläche wird so gebeizt, daß die nötige Haftfestigkeit der unter Vakuum aufgedampften Kupfergrundschicht 3 erreicht wird. Ein gutes Bedampfen der Bohrung 4 wird dadurch erzielt, daß der Isolierstoffträgerkörper beim Bedampfen eine derartige Bewegung ausführt, daß jede Stelle der Bohrung abwechselnd in den Bereich der Verdampferstrahlung kommt. Die Kupfergrundschicht 3 hat in der Regel eine Stärke von etwa 2 /um.
In Fig. 2 ist der Leiterzug 5 bereits galvanisch aufgebaut worden, und der Anschluß 6 eines Bauelementes ist an die Leiterplatte angelötet. Erkennbar ist weiterhin die Lage der bereits abgewaschenen Negativschablone 7 und der weggeätzten Stelle 8 der Kupfergrundschicht 3.

Claims

Patentansprüche:

t1 Verfahren zum Herstellen von Leiterplatten nach der der Aufbaumethode, dadurch gekennzeichnet, daß auf einen mit einer geeigneten Haftgrundvorberei tung versehenen Isolierstoffträgerkörper (1) eine elektrisch leitende Schicht (3), vorzugsweise eine Kupferschicht, im Vakuum so stark aufgedampft wird, daß unmittelbar darauf eine Negativschablone aufgebracht werden kann.
2. Verfahren nach Anspruch 1S dadurch gekennzeichnet, daß beide Ebenen des Isolierstoffträgerkörpers im Vakuum nacheinander durch Wenden, ohne Unterbrechung des Bedampfungsprozesses, bedampft werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolierstoffträgerkörper mit Bohrungen (4) versehen ist und so über der Verdampferquelle bewegt wird, daß alle Stellen der Bohrung abwechselnd in die Strahlrichtung der Verdampferquelle gelangen und dadurch die gesamte Bohrung mit dem Verdampfungsmaterial bedeckt und dadurch elektrisch leitend gemacht wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß beim Bedampfen beider Ebenen des Isolierstoffträgerkörpers, dieser so bewegt wird, daß sich in den Bohrungen ein Niederschlag bildet.

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