DE2164092B2 - Elektrolumineszente lichtquelle - Google Patents
Elektrolumineszente lichtquelleInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine elektrolumineszente Lichtquelle mit einer Halbleiter-Lumineszenzdiode in
einem Gehäuse, in das zwei Stromzuleitungen führen,
65 wobei im Gehäuse an einer Stromzuleitung die I umineszenzdiode befestigt ist. Eine derartige Liehtauelle
ist aus der FR-PS 14 90 665 bekannt.
Rs ist bereits bekannt (DT-AS 12 74 737), zwei Dioden
in ein gemeinsames Flachgehäuse einzubauen. Die beiden Gehäusezuleitungen, die durch eine Glasperle
miteinander verbunden sind, tragen je eine Diode. Bei dieser Anordnung geht es jedoch nicht um den Betrieb
einer Lichtquelle. Aus der DT-OS 19 33 330 ist eine Wiedergabevorrichtung für eine Vielzahl von Lumineszenzdioden
bekannt, die über eine Elektronik gesondert angesteuert werden können, wobei die Lumineszenzdioden
und die Elektronik in einem gemeinsamen Gehäuse angeordnet sind.
Die Betriebsspannung von Lumineszenzdioden liegt bei wenigen Volt. Wenn die Dioden an eine höhere
Spannung angeschlossen werden sollen, müssen entsprechende Widerstände vorgeschaltet werden. Hierdurch
wird der Schaltungsaufwand größer.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine einzelne elektrolumineszente Lichtquelle
anzugeben, die unmittelbar an Versorgungsspannungsquellen
angeschlossen werden kann, deren Spannungswert sich von der Betriebsspannung der Lumineszenzdiode
wesentlich unterscheidet.
Diese Aufgabe wird bei einer Anordnung der eingangs beschriebenen Art erfindungsgemäß dadurch
gelöst, daß an der anderen Stromzuleitung ein elektrischer Widerstand oder ein elektrisches Widerstandsnetzwerk
befestigt ist, und daß die Diode so mit dem oder den Widerständen verbunden ist, daß
zumindest ein Widerstand in Reihe zu der Diode geschaltet ist.
Die erfindungsgemäße Anordnung hat den wesentlichen Vorteil, daß in ein herkömmliches Diodengehäuse
ohne Änderung der Anzahl der Zuleitungen oder des inneren geometrischen Aufbaus zwei Bauelemente
eingebracht werden können, die eine Reihenschaltung aus mindestens einem Widerstand und einer Diode
bilden.
Je nach Wahl des vorgeschalteten Widerstandes kann die elek.trolumineszente Lichtquelle nun an eine
Versorgungsspannung angelegt werden, die sich von der Betriebsspannung der Diode unterscheidet. Der
Widerstand wird dabei vorzugsweise so gewählt, daß an der in Flußrichtung betriebenen Diode die optimale
Betriebsspannung abfällt, während die Differenz zwischen Diodenbetriebsspannung und Versorgungsspannung
am Widerstand abfällt.
In einer erfindungsgemäßen Weiterbildung ist vorgesehen,
daß die beiden Stromzuleitungen an ihrer im Gehäuseinneren angeordneten Stirnfläche abgeflacht
sind. Auf der Stirnfläche der einen Zuleitung ist die Lumineszenzdiode befestigt, während auf der Stirnfläche
der anderen Zuleitung ein Trägerkörper befestigt ist, auf dem ein oder mehrere Widerstände angeordnet
sind. Die Diode und das Widerstandsnetzwerk sind wärmemäßig entkoppelt, so daß sich beide Bauelemente
nicht beeinflussen können.
Auf dem Trägerkörper sind vorzugsweise mehrere in Reihe geschaltete Widerstände angeordnet. Die Enden
der so gebildeten Widerstandskette und die Verbindungen zwischen je zwei Widerständen stehen mit
Drahtanschlußflächen auf dem Trägerkörper in elektrischer Verbindung, so daß die Möglichkeit besteht, vor
der Kontaktierung jeweils nach dem vorgesehenen Verwendungszweck auszuwählen, wie viele der vorhandenen
Widerstände zur Diode in Reihe geschaltet
Ί*
werden μ>IU-n
Du· Wiik-i stunde können aus in einen Halbleiterkörpi-i
i'iiulillundierten Widerstandsbahnen bestehen. Die
\S nliTsiande können aber auch aus metallischem
νΛ ulcrstandsmaterial bestehen und auf einem Träger- _s
körper, der zumindest an seiner Oberfläche isolierend ist, aufgedampft oder anderweitig abgeschieden werden.
Die Halbleiterkörper bzw. Trägerkörper können Huf die Zuleitungsunterlage aufgeklebt oder aufgelötet
werden.
Die Erfindung und ihre weitere vorteilhafte Ausgestaltung soll im weiteren noch anhand eines Ausführungsbeispiels
näher erläutert werden.
In der Fig. 1 ist ein Gehäuse für eine Lumineszenzdiode
dargestellt. Das Gehäuse besteht aus einem Gehäusesockel 12, der beispielsweise ein mit Kunststoff
ausgegossener Metallring ist. Durch diesen Gehäusesockel sind zwei Gehäusezuleitungen 1 und 2 geführt,
die an ihrem stirnseitigen Ende (z. B. 3) abgeflacht sind. Aui der Stirnfläche 3 der Zuleitung 1 ist der
Diodenkörper 6 befestigt. Für Rotlichv emittierende Dioden wird beispielsweise ein Halbleiterkörper aus
Gallium-Arsenid-Phospid verwendet. Der Halbleiterkörper ist auf seiner Rückseite mit einem Metallkontakt
7 versehen, mit dem er unter Bildung eines ohmschen Kontaktes auf die Stirnfläche 3 der Zuleitung 1
aufgeklebt oder aufgelötet ist. Im Halbleiterkörper verläuft ein pn-übergang 11. Die extrem dünne
Oberflächenzone des Halbleiterkörpers ist mit einem Kontakt 8 versehen, der nur einen kleinen Teil der
Oberfläche bedeckt, so daß die vom pn-übergang ausgehende Strahlung praktisch ungehindert durch die
Oberfläche treten kann.
Auf der Stirnfläche der anderen Zuleitung 2 ist ein die Widerstände enthaltender Trägerkörper 10 befestigt.
Dieser Trägerkörper ist so ausgebildet, daß das eine Ende des Widerstandes oder der Widerstandskette mit
der Zuleitung elektrisch verbunden ist. Wenn der Trägerkörper 10 aus einem leitenden Material besteht,
wird vorzugsweise die Unterseite dieses Trägerkörpers mit einem metallischen Kontakt 4 versehen, mit dem der
Trägerkörper unter Bildung eines ohmschen Kontaktes an der Zuleitung befestigt wird. Das andere Ende des
Widerstandes, der Widerstandskette oder einer Verbindung zwischen zwei Widerständen v^ird dann über einen
dünnen Zuleitungsdraht 9 mit dem Vorderseitenkontakt
8 der Diode 6 elektrisch leitend verbunden.
In der F i g. 2 ist eine besonders vorteilhafte Ausführung des Widerstandsnetzwerkes dargestellt.
Der Trägerkörper 10 besteht beispielsweise aus einem elektrisch leitenden Halbleitermaterial. Die Oberfläche
des Halbleiterkörpers ist auf der Vorderseite mit einer Isolierschicht 13 bedeckt. Der Halbleiterkörper kann
beispielsweise aus Silizium, die Isolierschicht aus Siliziumdioxyd bestehen. Auf dieser Isolierschicht
befinden sich bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel
drei metallische Widerstände 17, !9 und 21, die beispielsweise aufgedampft werden. Die Widerstände
sind über die Verbindungskontakte 18 und 20 in Reiht geschaltet. In die Isolierschicht wurde eine öffnung 15
eingebracht, durch die das eine Ende des Widerstands 17, das zugleich das Ende der Widerstandskette ist, über
die Anschlußstelle 16 mit dem Halbleiterkörper elektrisch leitend verbunden ist. Der Strompfad führt
dann über das leitende Halbleitermaterial und den Rückseitenanschluß 14 zur Stromzuleitung 2 (Fig. 1).
Der Verbindungsdraht 9 zur Diode 6 kann nun einmal an die Fläche 18 angeschlossen werden; dann ist die
Diode mit dem Widerstand 17 in Reihe geschaltet. Bei einer anderen vorgesehenen Versorgungsspannung
wird der Draht 9 an die Kontaktfläche 20 oder an die Kontaktfläche 22 angeschlossen. Im ersten Fall sind zur
Diode die Widerstände 17 und 19, im zweiten Fall die Widerstände 17,19 und 21 in Reihe geschaltet.
In einer Ausführungsform können die Widerstände beispielsweise mit folgenden Werten versehen werden:
Widerstand 17:330 Ohm.
Widerstand 19:670 Ohm.
Widerstand 21:1,7 kOhm.
Widerstand 19:670 Ohm.
Widerstand 21:1,7 kOhm.
Geht man von einer Anordnung mit diesen Widerstandswerten aus, so ist diese bei einem Anschluß
der Diode an den Kontakt 18 für Spannungswerte zwischen 4 und 6 Volt, bei einem Anschluß der Diode an
den Kontakt 20 für Spannungswerte zwischen 7 und 14VoIt und bei einem Anschluß der Diode an den
Kontakt 22 für Versorgungsspannungswerte zwischen 15 und 30VoIt geeignet. Der Betriebsstrom beträgt
dabei ca. 10 mA.
Man wird vorteilhafterweise so vorgehen, daß jeweils ein Teil der Fertigung für die verschiedenen Versorgungsspannungen
aufgebaut wird. Ein Kunde muß dem Produzenten dann nur noch mitteilen, bei welcher
Spannung er die Lumineszenzdiode betreiben will oder betreiben muß, und es werden dann aus dem
vorhandenen Sortiment die Dioden herausgesucht, die mit einem Widerstand geeigneter Größe in Reihe
geschaltet sind.
Es ist selbstverständlich, daß auf dem Trägerkörper oder im Trägerkörper beliebig viele Widerstände
unterschiedlicher Größe untergebracht werden können.
Das Gehäuse, in dem beide Bauelemente untergebracht sind, wird abschließend, wie dies in der F i g. 1
dargestellt ist, in eine lichtdurchlässige Kunststoffmasse 5 eingebettet.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. E'ektrolumineszente Lichtquelle mit einer
Halbleiter-Lumineszenzdiode in einem Gehäuse, in das zwei Stromzuleitungen führen, wobei im
Gehäuse an einer Stromzuleitung die Lumineszenzdiode befestigt ist, dadurch gekennzeichnet,
daß an der anderen Stromzuleitung ein elektrischer Widerstand oder ein elektrisches
Widerstandsnetzwerk befestigt ist, und daß die Diode so mit dem oder den Widerständen
verbunden ist, daß zumindest ein Widerstand in Reihe zu der Diode geschaltet ist.
2. Elektrolumineszente Lichtquelle nach Anspruch
1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Stromzuleitungen an ihrer im Gehäuseinneren angeordneten
Stirnfläche abgeflacht sind, daß auf der Stirnfläche der einen Zuleitung die Lumineszenzdiode befestigt
ist, während auf der Stirnfläche der anderen Zuleitung ein Trägerkörper befestigt ist, auf dem ein
oder mehrere Widerstände angeordnet sind.
3. Elektrolumineszente Lichtquelle nach Anspruch
2, dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Trägerkörper mehrere in Reihe geschaltete Widerstände
angeordnet sind, daß die Enden der Widerstandskette sowie die Verbindungen zwischen den einzelnen
Widerständen mit Drahtanschlußflächen auf dem Trägerkörper in elektrischer Verbindung stehen,
daß das eine Ende der Widerstandskette mit der Gehäusezuleitung elektrisch leitend verbunden ist,
während das andere Ende der Widerstandskette oder eine Verbindung zwischen zwei Widerständen
mit der freien Elektrode der Diode elektrisch leitend verbunden ist.
4. Elektrolumineszente Lichtquelle nach Anspruch
3, dadurch gekennzeichnet, daß das Widerstandsnetzwerk über einen dünnen Zuleitungsdraht mit der
Diode elektrisch leitend verbunden ist.
5. Elektrolumineszente Lichtquelle nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper
für den oder die Widerstände aus einem Halbleiterkörper besteht, der an seiner von der Gehäusezuleitung
abgewandten Oberflächenseite mit einer Isolierschicht bedeckt ist, auf der die Widerstände
verlaufen, wobei ein Ende des Widerstandes oder der Widerstandskette durch eine öffnung in der
Isolierschicht mit dem Halbleiterkörper in elektrischer Verbindung steht und daß dieser Halbleiterkörper
unter Bildung eines ohmschen Kontaktes auf der Gehäusezuleitung befestigt ist.
6. Elektrolumineszente Lichtquelle nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Lumineszenzdiode
und der Trägerkörper auf je eine der beiden Gehäusezuleitungen unter Bildung eines ohmschen
Kontaktes aufgeklebt oder aufgelötet sind.
7. Verwendung einer Lichtquelle nach einem der Ansprüche 1 bis 6 für den Anschluß an Versorgungsspannungsquellen,
deren Spannungswert sich von der Betriebsspannung der Dioden wesentlich unterscheidet.
Priority Applications (3)
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Publications (3)
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DE2164092B2 true DE2164092B2 (de) | 1977-09-29 |
DE2164092C3 DE2164092C3 (de) | 1978-05-24 |
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ID=5828970
Family Applications (1)
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DE2164092A Expired DE2164092C3 (de) | 1971-12-23 | 1971-12-23 | Elektrolumineszente Lichtquelle |
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DE (1) | DE2164092C3 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE3929477A1 (de) * | 1989-09-05 | 1991-03-07 | Siemens Ag | Led-anordnung |
DE4242604A1 (en) * | 1991-12-18 | 1993-06-24 | Gold Star Co | Light-emitting diode with different light output levels for vehicle rear braking light - uses integrated resistance with different resistance terminals providing respective resistance values for controlling light level |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55105388A (en) * | 1979-02-07 | 1980-08-12 | Toshiba Corp | Manufacture of light emission display device |
DE3736144A1 (de) * | 1987-10-26 | 1989-05-03 | Telefunken Electronic Gmbh | Verfahren zur herstellung eines widerstandes zur verwendung als vorwiderstand fuer halbleiterlumineszenzdioden |
-
1971
- 1971-12-23 DE DE2164092A patent/DE2164092C3/de not_active Expired
-
1972
- 1972-12-05 JP JP12195572A patent/JPS4874188A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3929477A1 (de) * | 1989-09-05 | 1991-03-07 | Siemens Ag | Led-anordnung |
DE4242604A1 (en) * | 1991-12-18 | 1993-06-24 | Gold Star Co | Light-emitting diode with different light output levels for vehicle rear braking light - uses integrated resistance with different resistance terminals providing respective resistance values for controlling light level |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPS4874188A (de) | 1973-10-05 |
DE2164092C3 (de) | 1978-05-24 |
DE2164092A1 (de) | 1973-07-05 |
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