DE2152943B2 - Verfahren zum Abtragen von Material - Google Patents

Verfahren zum Abtragen von Material

Info

Publication number
DE2152943B2
DE2152943B2 DE2152943A DE2152943A DE2152943B2 DE 2152943 B2 DE2152943 B2 DE 2152943B2 DE 2152943 A DE2152943 A DE 2152943A DE 2152943 A DE2152943 A DE 2152943A DE 2152943 B2 DE2152943 B2 DE 2152943B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
processing objects
layer
removal
temperature sensor
test body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2152943A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2152943C3 (de
DE2152943A1 (de
Inventor
Janos Havas
John S. Lechaton
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2152943A1 publication Critical patent/DE2152943A1/de
Publication of DE2152943B2 publication Critical patent/DE2152943B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2152943C3 publication Critical patent/DE2152943C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917Plasma diagnostics
    • H01J37/32935Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F4/00Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Feststellen des Zeitpunktes, in dem beim Materialabtragen von Schichten oder Teilen von Schichten eine bestimmte Abtragungstiefe erreicht ist, insbesonders beim Abtragen von Materialien mittels Kathodenzerstäubung.
Bei der Herstellung beispielsweise von Halbleiteranordnungen wird häufig die Entfernung von Materialschichten oder Teilen dieser Schichten durchgeführt Ein Verfahren zum Abtragen von Materialien ist z. B. die Kathodenzerstäubung. Dabei ist es wesentlich, möglichst genau bestimmen zu können, wann die gewünschte Abtragung beendet worden ist, d. h. wann der Abtragungsvorgang abgebrochen werden muß. Bei der Bildung eines metallischen Leitungsmusters aus einem durchgehenden Metallüberzug auf einer Halbleiteranordnung muß das Metall zwischen den verbleibenden Leitungen vollständig entfernt werden, andererseits soll jedoch das darunter befindliche Isoliermaterial so wenig wie möglich angegriffen werden. Eine Möglichkeit, den Zeitpunkt für die Beendigung des Abtragens zu bestimmen, bestellt in der visuellen Beobachtung der
ίο
Bearbeitungsobjekte. Dieses Verfahren ist jedoch sehr ungenau und vom jeweiligen Beobachter abhängig; außerdem ist seine Durchführung sehr aufwendig.
Es ist daher die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Feststellen des Zeitpunktes, in dem eine bestimmte Abtragungstiefe erreicht ist, anzugeben, das ielativ genau arbeitet und das mit einfachen Mitteln realisierbar ist
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst
Es sei angemerkt, daß das obere Material (35) aus mehreren Schichten aus unterschiedlichen Materialien bestehen kann.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird der Materialabtragungsvorgang mittels einer objektiv meßbaren physikalischen Größe direkt verfolgt Der Meßwert läßt sich in eine analoge elektrische Spannung umwandeln, wodurch es möglich ist den Abtragungsvorgang über einen Regelkreis automatisch zu steuern. Die Messung ist frei von subjektiven Einflüssen, so daß der Methode nicht die Unsicherheiten der visuellen Beobachtung anhaften. Bei der Anwendung der Methode is,t die Genauigkeit der Materialabtragung — anders als z. B. bei den Verfahren, bei denen die Dauer der Abtragung als Maß für die erreichte Abtragungstiefe verwendet wird — unabhängig von Schwankungen der Ätzgeschwindigkeiten. Das erfindungsgemäße Verfahren ist auch einfach und zeitsparend, da es nicht notwendig ist, zur Messung den Abtragungsvorgang zu unterbrechen und das Bearbeitungsobjekt aus der Abtragungsvorrichtung herauszunehmen.
Es ist vorteilhaft, wenn ein Prüfkörper, auf welchem zwei Materialien mit unterschiedlichen Wärmeemissionsfähigkeiten in Schichtform aufgebracht sind, und Beobachtungsobjekte demselben Abtragungsprozeß unterworfen werden und wenn der Abtragungsprozeß beendet wird, wenn mittels des auf den Prüfkörper gerichteten Temperaturfühlers festgestellt wird, daß das obere Maverial entfernt ist.
Das abzutragende Material, das durch den gleichen Prozeß auf den Prüfkörper und auf d.is Bearbeitungsobjekte aufgebracht wurde, wird vorteilhaft selektiv von den Bearbeitungsobjekten entfernt. Die abzutragenden Materialien beim Prüfkörper und bei den Bearbeitungs-Objekten können auch verschieden gewählt und mit unterschiedlicher Geschwindigkeit abgetragen werden.
Der Temperaturfühler wird vorzugsweise außerhalb der Abtragungsvorrichtung angeordnet.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispieles näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine Kathodenzerstäubungsanlage, F i g. 2 ein Querschnitt durch einen Prüfkörper,
Fig.3 die Ausgangsspannung eines Temperaturfühlers in Abhängigkeit von der Abtragungszeit für den Prüfkörper nach F i g. 2.
In F i g. 1 ist eine Zerstäubungskammer 1 dargestellt, die für die bekannte Hochfrequenz-Kathodenzerstäubung verwendet wird. Eine Anode 3 liegt auf Erdpotential, während eine Kathode 5 über einen Kondensator 9 an eine Hochfrequenzquelle 7 angeschlossen ist. Der Kondensator 9 dient dazu, eine Vorspannung an die Kathode anzulegen. Die Kathode 5 wird vorzugsweise mit Wasser gekühlt, wobei ein Einlaß 11 und ein Auslaß 13 für das Wasser vorgesehen sind, wie durch die Pfeile angedeutet ist.
Eine Kathodenplatte 15, die über der Kathode 5 angeordnet ist, trägt mehrere Bearbeitungsobjekte 17,
19 und 23. Diese besitzen eine scheibenförmige Gestalt und liegen räumlich voneinander getrennt auf der Kathodenplatte 15, die leitend mit der Kathode 5 verbunden ist Auf der Kathodenplatte 15 oefindet sich ebenfalls ein scheibenförmiger Prüfkörper 21, der zur Bestimmung des Zeitpunktes, an dem der Abtragungsvorgang beendet werden soll, dient Obwohl in F i g. 1 nur drei Bearbeitungsobjekte gezeigt sind, εο ist doch selbstverständlich, daß eine beliebige Anzahl von Bearbeitungsobjekten willkürlich verteilt auf der Ka- i< > thodenplatte 15 angeordnet sein kann. Die Kathodenplatte 15 kann beispielsweise Reihen und Spalten von Erhebungen aufweisen, auf denen die Bearbeitungsobjekte und der Prüfkörper ausgerichtet werden. Die Abtragung des Materials von den Bearbeitungsobjekten kann in beliebigen Mustern erfolgen, die durch entsprechende Masken über den Bearbeitungsobjekten vorgegeben werden.
Die Bearbeitungsobjekte 17, 19 und Zi in Fig. 1 stellen beispielsweise Halbleiteranordnungen dar, die mit einem Metallüberzug aus den übereinanderliegenden Schichten Chrom-Silber-Chrom versehen sind. Diese Anordnung entspricht auch dem in F i g. 2 gezeigten Prüfkörper, wie noch erläutert werden wird. Hierbei soll der Chrom-Silber-Chrom-Überzug der 2r> Bearbeitungsobjekte selektiv mit Hilfe von Masken so weit abgetragen werden, bis das Halbleitersubstrat erreicht wird. Es ist selbstverständlich, daß auch andere Materialien, beispielsweise Isolierstoffe, abgetragen werden können. i»
Die Verwendung von Masken für ein selektives Abtragen bei der Kathodenzerstäubung ist bekannt. Diese Masken sind daher in der F i g. 1 nicht dargestellt. Die Lage des Prüfkörpers auf der Kathodenplatte ist von untergeordneter Bedeutung. Es ist lediglich zu r> beachten, daß die von ihm ausgehenden Infrarotstrahlen durch den Temperaturfühler erfaßt werden können.
Die Verwendung einer Metallschicht auf einem Halbleitersubstrat z. B. aus Silicium, oder einem Isoliermaterial, beispielsweise Quarz, ergibt gewöhnlich ■"> einen ausgeprägten Übergang in der Wärmestrahlung und damit im Ausgangssignal des Temperaturfühlers, wenn das Metall entfernt und das darunterliegende Halbleiter- bzw. Isoliermaterial freigelegt wurde. Die Anwendung des vorliegenden Verfahrens bezieht sich ■'"> jedoch allgemein auf den Übergang zwischen zwei verschiedenen Materialien, solange hier eine unterscheidbare Änderung der Wärmeemissionsfähigkeit feststellbar ist.
In der rechten Wand der Zerstäubungskammer 1 ist ">» ein Fenster 27 vorgesehen, welches einen Durchgang der Strahlungsenergie vom Prüfkörper 21 gestattet. Diese wird von einem auf infrarote Strahlung ansprechenden Temperaturfühler 29 aufgenommen. Der Temperaturfühler ist mit einer Anzeigevorrichtung « 31 und mit einem Schreibgerät 33 verbunden. Mit der Anzeigevorrichtung 31 wird die Ausgangsspannung des Temperaturfühlers 29 dargestellt, während das Schreibgerät 33 diese Ausgangsspannung in Abhängigkeit von der Zeit aufzeichnet. m>
Die F i g. 2 zeigt einen vergrößerten Schnitt durch den Prüfkörper 21 in Fig. 1. Dieser besteht aus einer oberen Schicht 35 sowie aus einer Substratschicht 37. Das wesentliche Merkmal des Prüfkörpers besteht darin, daß eine Änderung in der Wärmeemission und br> damit der Temperatur erfolgt, wenn nach dem Abtragen der Schicht 35 die Substratschicht 37 freigelegt wird. Da der Prüfkörper im vorliegenden Beispiel während des Abtragungsvorganges genau die Bedingungen an den einzelnen Bearbeitungsobjekten wiedergibt, bedeutet eine entsprechende Änderung der vom Temperaturfühler 2O aufgenommenen Strahlung, daß die Metallschicht an den ausgewählten Stellen der Bearbeitungsobjekte vollständig abgetragen ist und daß der Zerstäubungsvorgang beendet werden muß. Damit am Prüfkörper die gleichen Bedingungen wie an den Bearbeitungsobjekten auftreten, sollte er im wesentlichen im gleichen Fertigungsprozeß wie diese hergestellt werden.
Wenn das gleiche abzutragende Material sowohl bei den Bearbeitungsobjekten als auch beim Prüfkörper verwendet wird und dieses an den ausgewählten Stellen der Bearbeitungsobjekte vollständig entfernt werden soll, dann wird die Dicke der Schichten aus diesem Material auf dem Prüfkörper und auf den Bearbeitungsobjekten gleich gewählt Wenn jedoch das Material auf den Bearbeitungsobjekten nicht vollständig entfernt werden soll, dann muß die abzutragende Schicht auf dem Prüfkörper entsprechend dünner ausgeführt werden. Wenn beispielsweise gewünscht wird, von einer Metallschicht auf den Bearbeitungsobjekten mit einer Dicke von mehreren lOOOÄ lediglich lOOOÄ abzutragen, dann darf die Dicke der Schicht aus diesem Metall auf dem Prüfkörper nur 1000 A betragen. Es werden bei den Bearbeitungsobjekten und beim Prüfkörper vorzugsweise gleiche abzutragende Materialien verwendet, damit sichergestellt ist, daß gleiche Abtragungsgeschwindigkeiten vorliegen. Die Substratschicht 37 des Prüfkörpers 21 kann jedoch ohne weiteres aus einem anderen Material bestehen als die Substrate der Bearbeitungsobjekte. Für das Material der Substratschicht 37 besteht lediglich die Bedingung, daß es eine von der der Schicht 35 unterscheidbare Wärmeemissionsfähigkeit besitzt. Auch das abzutragende Material des Prüfkörpers kann von dem abzutragenden Material der Bearbeitungsobjekte verschieden sein. Beispielsweise kann die Schicht 35 in Fig. 2 aus einem Isoliermaterial und die Schicht 37 aus einem Halbleitermaterial bestehen. Es ist jedoch vorteilhaft, wenn die Materialien der einzelnen Schichten des Prüfkörpers mit den Materialien der entsprechenden Schichten der Bearbeitungsobjekte übereinstimmen, so daß auch die Substratschicht 37 des Prüfkörpers 21 aus dem gleichen Material besteht wie die Substrate der Bearbeitungsobjekte 17,19 und 23.
Ein spezielles Ausführungsbeispiel wird nun anhand der F i g. 2 und 3 beschrieben. Danach besteht die Schicht 35 aus drei übereinanderliegenden Metallschichten, einer Chrornschicht 39, einer Silberschicht 41 und einer weiteren Chrornschicht 43. Die Substratschicht 37 ist aus einer Siliciumschicht 45 und einer darüber angeordneten Schicht 47 aus Siliciumdioxyd aufgebaut. Die Schicht 47 wird beispielsweise durch thermische Oxydation des Siliciums gewonnen. Wenn die Metallschicht 35 abgetragen und die Schicht 47 aus Siliciumdioxyd freigelegt wird, wird vom Temperaturfühler 29 eine deutliche Änderung in der Wärmestrahlung festgestellt.
F i g. 3 zeigt die Abhängigkeit der Ausgangsspannung der Temperaturfühlers 29 von der Abtragungszeit, wie sie in dem Schreibgerät 33 aufgezeichnet wird. Das abzutragende Material besteht entsprechend Fi g. 2 aus einer Chrom-Silber-Chrom-Schicht. Der Temperaturfühler 29 spricht vorzugsweise auf infrarote Strahlung mit einer sehr engen Bandbreite an. Das die vom Prüfkörper 21 ausgehende Strahlungsenergie durchlassende Fenster 27 besteht z. B. aus einer Ouarzsrheihp
von 0,6 cm Dicke, deren Durchlässigkeit für die infrarote Strahlung im Bereich der gewünschten Bandbreite bei etwa 90% liegt.
Aus der rechten Seite der F i g. 3 ist ersichtlich, daß zu Beginn des Zerstäubungsvorganges, d. h. beim Abtragen der oberen Chromschicht 39, die Temperatur am Prüfkörper und damit die Ausgangsspannung des Temperaturfühlers 29 stark ansteigt. Nachdem ein Teil dieser Schicht abgetragen ist, erreicht die Spannung ihren höchsten Wert und beginnt dann wieder abzufallen. In diesem Bereich ist die Chromschicht 39, die eine ursprüngliche Dicke von 500 A hatte, schon sehr dünn und uneben, so daß die Silberschicht 41, die eine Dicke von 700 Ä besitzt, die vom Prüfkörper 21 ausgehende Wärmestrahlung zu beeinflussen beginnt Durch die Silberschicht 41 wird die vom Wärmefühler 29 empfangene Wärmestrahlung herabgesetzt. Nach einer Zeit von etwa sechs Minuten ist nur noch der Einfluß dieser Silberschicht vorhanden. Zu diesem Zeitpunkt ist somit die obere Chromschicht 39 vollständig entfernt.
Die völlige Abtragung der Silberschicht 41 ist etwa 18 Minuten nach Beginn des Zerstäubungsvorganges erreicht Es ist einleuchtend, daß bei Schichten mit vollständig gleichförmiger Dicke sich wesentlich schärfere Übergänge im Spannungsverlauf ergeben, als es die F i g. 3 zeigt Solche Schichten sind praktisch jedoch nicht zu erreichen. Wegen der ungleichmäßigen Dicke ergeben sich Überschneidungen zwischen den einzelnen Schichten. Dies ist beispielsweise zwischen der 13. und der 18. Minute der Fall, wo an manchen Stellen noch das Silber und an anderen Stellen bereits das Chrom der unteren Schicht 43 abgetragen wird.
Im Verlaufe der Abtragung der unteren Chromschicht 43 fällt die Temperatur und damit die
rt Ausgangspannung des Temperaturfühlers 29 auf einen konstanten Wert ab, der durch die Substratschicht 37 auf der Kathodenplatte 15 bestimmt wird. Zwischen dem Prüfkörper 21 und der Kathodenplatte 115 besteht vorzugsweise ein schlechter thermischer Übergang,
κι wodurch die Temperatur des Prüfkörpers während der Kathodenzerstäubung über die der Kathodenplatte ansteigt und somit leichter erfaßt werden kann.
Die Kathodenplatte 15 selbst befindet sich in gutem thermischem Kontakt mit der wassergekühlten Katho-Ί de 5. Bei einem weiteren Abtragen der Substratschicht 37 bleibt die Temperatur konstant, da die Kathodenplatte 15 sich in thermischem Gleichgewicht befindet Nach einer Zeit von etwa 23 Minuten sind alle drei Metallschichten 39, 41 und 43 weitgehend entfernt und der Temperaturverlauf am Prüfkörper 21 beginnt sich abzuflachen. Nachdem der Temperatur- bzw. Spannungsverlauf ausgeschwungen ist was nach etwa 24 Minuten eintritt, \s\ die untere Chromschicht 43 gänzlich beseitigt so daß auch die entsprechenden Schichten auf
j) den Bearbeitungsobjekten vollständig entfernt sind und der Zerstäubungsvorgang beendet werden kann.
Die Ausgangsspannung des Temperaturfühlers 29 wird zweckmäßig einem entsprechenden Auswertegerät zugeführt werden, das den Temperaturverlauf
«< analysiert und hieraus den Zeitpunkt für die Beendigung des Abtragungsvorganges feststellt
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Feststellen des Zeitpunktes, in dem beim Materialabtragen von Schichten oder Teilen von Schichten eine bestimmte Abtragungstiefe erreicht ist, insbesondere beim Abtragen von Materialien mittels Kathodenzerstäubung, dadurch gekennzeichnet, daß dabei die unterschiedlichen Wärmeemissionsfähigkeiten eines Materials (37) und eines auf ihm aufgebrachten Materials (35) ausgenutzt werden, indem die Änderung der mittels eines in gewissem Abstand angeordneten, auf Infrarotstrahlung ansprechenden Temperaturfühlers während des Abtragungsprozesses registrierten Wärmeemission, wenn das obere Material (35) entfernt ist, als Indikator fur das Erreichen der gewünschten Abtragungstiefe verwendet wird.
2. Verfahren nach Anspruch J, dadurch gekennzeichnet daß ein Prüfkörper (21), auf welchem Materialien (35 und 37) in Schichtform aufgebracht sind, und Bearbeitungsobjekte demselben Abtragungsprozeß unterworfen werden und daß der Abtragungsprozeß beendet wird, wenn mittels des auf den Prüfkörper (21) gerichteten Temperaturfühlers (29) festgestellt wird, daß das obere Material (35) entfernt ist
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das abzutragende Material, das durch den gleichen Prozeß auf den Prüfkörper (21) und die Bearbeitungsobjekte (17,19,23) aufgebracht wurde, selektiv von den Bearbeitungsobjekten entfernt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die abzutragenden Materialien beim Prüfkörper (21) und bei den Bearbeitungsobjekten (17,19,23) verschieden gewählt und mit unterschiedlicher Geschwindigkeit abgetragen werden.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet daß der Temperaturfühler (29) außerhalb der Abtragungsvorrichtung angeordnet ist.
DE2152943A 1970-12-31 1971-10-23 Verfahren zum Abtragen von Material Expired DE2152943C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10304570A 1970-12-31 1970-12-31

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2152943A1 DE2152943A1 (de) 1972-07-20
DE2152943B2 true DE2152943B2 (de) 1979-02-15
DE2152943C3 DE2152943C3 (de) 1979-10-11

Family

ID=22293062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2152943A Expired DE2152943C3 (de) 1970-12-31 1971-10-23 Verfahren zum Abtragen von Material

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3664942A (de)
JP (1) JPS537789B1 (de)
DE (1) DE2152943C3 (de)
FR (1) FR2120697A5 (de)
GB (1) GB1312909A (de)

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3971684A (en) * 1973-12-03 1976-07-27 Hewlett-Packard Company Etching thin film circuits and semiconductor chips
JPS50134769A (de) * 1974-04-15 1975-10-25
JPS5230851B2 (de) * 1974-10-11 1977-08-11
JPS5738897B2 (de) * 1974-11-19 1982-08-18
US4207105A (en) * 1975-01-27 1980-06-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Plasma-etching image in exposed AgX emulsion
JPS51105821A (en) * 1975-03-14 1976-09-20 Fuji Photo Film Co Ltd Masukugazono keiseihoho
US3986912A (en) * 1975-09-04 1976-10-19 International Business Machines Corporation Process for controlling the wall inclination of a plasma etched via hole
DE2603675A1 (de) * 1976-01-31 1977-08-04 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Verfahren zur kontrolle des abtragens einer duennen schicht oder durch masken bestimmter schichtbereiche mit hilfe des ionen-aetzens
FR2343331A1 (fr) * 1976-03-05 1977-09-30 Thomson Csf Procede de controle d'usinage par bombardement ionique, d'une plaquette piezo-electrique
NL7605234A (nl) * 1976-05-17 1977-11-21 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd met behulp van de werkwijze.
US4312732A (en) * 1976-08-31 1982-01-26 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for the optical monitoring of plasma discharge processing operations
US4528438A (en) * 1976-09-16 1985-07-09 Northern Telecom Limited End point control in plasma etching
NL7710164A (nl) * 1977-09-16 1979-03-20 Philips Nv Werkwijze ter behandeling van een eenkristal- lijn lichaam.
DE2815373A1 (de) * 1978-04-10 1979-10-11 Siemens Ag Verfahren und vorrichtung zum pruefen von hochpraezisen formatzteilen
US4246060A (en) * 1979-01-02 1981-01-20 Motorola, Inc. Plasma development process controller
US4307283A (en) * 1979-09-27 1981-12-22 Eaton Corporation Plasma etching apparatus II-conical-shaped projection
US4302311A (en) * 1979-11-19 1981-11-24 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Sputter coating of microspherical substrates by levitation
JPS5813625B2 (ja) * 1979-12-12 1983-03-15 超エル・エス・アイ技術研究組合 ガスプラズマ食刻法
US4361749A (en) * 1980-02-04 1982-11-30 Western Electric Co., Inc. Uniformly cooled plasma etching electrode
US4367044A (en) * 1980-12-31 1983-01-04 International Business Machines Corp. Situ rate and depth monitor for silicon etching
US4656331A (en) * 1982-04-26 1987-04-07 General Electric Company Infrared sensor for the control of plasma-jet spray coating and electric are heating processes
US4585920A (en) * 1982-05-21 1986-04-29 Tegal Corporation Plasma reactor removable insert
US4496448A (en) * 1983-10-13 1985-01-29 At&T Bell Laboratories Method for fabricating devices with DC bias-controlled reactive ion etching
CH669609A5 (de) * 1986-12-23 1989-03-31 Balzers Hochvakuum
US5170041A (en) * 1988-02-17 1992-12-08 Itt Corporation Transmission method to determine and control the temperature of wafers or thin layers with special application to semiconductors
JPH0349250U (de) * 1989-09-20 1991-05-14
US5200023A (en) * 1991-08-30 1993-04-06 International Business Machines Corp. Infrared thermographic method and apparatus for etch process monitoring and control
US5549756A (en) * 1994-02-02 1996-08-27 Applied Materials, Inc. Optical pyrometer for a thin film deposition system
US5948283A (en) * 1996-06-28 1999-09-07 Lam Research Corporation Method and apparatus for enhancing outcome uniformity of direct-plasma processes
US6184149B1 (en) * 1997-08-26 2001-02-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for monitoring self-aligned contact etching
US7048837B2 (en) * 2002-09-13 2006-05-23 Applied Materials, Inc. End point detection for sputtering and resputtering
US6965129B1 (en) * 2002-11-06 2005-11-15 T-Ram, Inc. Thyristor-based device having dual control ports
US7867403B2 (en) * 2006-06-05 2011-01-11 Jason Plumhoff Temperature control method for photolithographic substrate
US8702372B2 (en) 2010-05-03 2014-04-22 Bha Altair, Llc System and method for adjusting compressor inlet fluid temperature
TW201204849A (en) * 2010-07-16 2012-02-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Processing apparatus for smoothing film material and evaporation deposition device with same
US9019108B2 (en) * 2010-08-05 2015-04-28 General Electric Company Thermal measurement system for fault detection within a power generation system
US9097182B2 (en) * 2010-08-05 2015-08-04 General Electric Company Thermal control system for fault detection and mitigation within a power generation system
KR102102003B1 (ko) * 2012-05-25 2020-04-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 및 플라즈마 처리 방법
US20140042152A1 (en) * 2012-08-08 2014-02-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Variable frequency microwave device and method for rectifying wafer warpage

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3334228A (en) * 1964-11-06 1967-08-01 Gen Electric X-ray spectrometer having an x-ray source with a continuously cleaned x-ray target
US3395090A (en) * 1965-05-28 1968-07-30 Physics Technology Lab Inc Method of determining crystal grain orientation by comparing sputtered patterns
US3474021A (en) * 1966-01-12 1969-10-21 Ibm Method of forming openings using sequential sputtering and chemical etching

Also Published As

Publication number Publication date
US3664942A (en) 1972-05-23
FR2120697A5 (de) 1972-08-18
JPS537789B1 (de) 1978-03-22
DE2152943C3 (de) 1979-10-11
DE2152943A1 (de) 1972-07-20
GB1312909A (en) 1973-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2152943C3 (de) Verfahren zum Abtragen von Material
DE2554536C2 (de) Verfahren zum Bestimmen der Breite und/oder des Schichtwiderstandes von flächenhaften Leiterzügen integrierter Schaltungen
EP3244181B1 (de) Verfahren zur herstellung eines sensorelements mittels laserstrukturierung
DE2256887A1 (de) Temperaturmessgeraet
WO2005111561A1 (de) Temperatursensor für ein gargerät, gargerät mit elektronischer temperaturregelung und verfahren zur temperaturerfassung
DE3527942A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur messung der koerperkerntemperatur von biologischen messobjekten
EP0082934B1 (de) Feuchtigkeitsfühler und Verfahren zu seiner Herstellung
DE4328363C2 (de) Verfahren zur Ermittlung eines Bewertungszeitintervalles sowie Verfahren zur Qualitätsbeurteilung einer Punktschweißverbindung auf Grundlage eines Temperaturverlaufes in dem Bewertungszeitintervall
DE2724265C3 (de) Temperaturmeßeinrichtung für emaillierte Apparate
DE1573486A1 (de) Vorrichtung zum Messen und Aufzeichnen verschiedener Umwandlungscharakteristika von Metallen
DE112018006038T5 (de) Körperkerntemperatursensor mit zwei tegs
EP0150784A2 (de) Verfahren zum Abgleich eines Temperaturfühlers
DE2706418C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Temperaturmeßwiderstandes für ein Widerstandsthermometer
DE590678C (de) Zelle zum Messen der Feldstaerke bzw. Induktion magnetischer Felder
DE10216017A1 (de) Halbleiterbauelement
EP0019017B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Trimmen mindestens eines temperaturabhängigen Widerstands
DE3707819C2 (de)
DE1498493B1 (de) Verfahren zur Endfertigung eines Glasthermometers
DE3110047A1 (de) Sensor zur messung physikalischer groessen sowie verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung
DE2311623A1 (de) Vorrichtung zum messen der dicke von schichten mit einem die schicht bestrahlenden radionuklid
DE2745244C2 (de) Verfahren zur Bestimmung der Zeitabhängigkeit der Länge eines Risses in einem Probekörper bei einem Bruchversuch und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE10133924B4 (de) Widerstandstrimmverfahren für elektrische Zündwiderstände
DE887272C (de) Temperaturmessverfahren
DE1590698A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Widerstaenden vorgegebenen Flaechenwiderstandes mit hoher Genauigkeit
DE2123371C (de) Temperaturmeßeinrichtung fur email lierte Apparate

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee