DE2144607A1 - Elektroakustische Einrichtung mit einem piezoelektrischen Wandler - Google Patents
Elektroakustische Einrichtung mit einem piezoelektrischen WandlerInfo
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Description
DlPL-ING. KLAUS NEUBECKER
Patentanwalt " 4 Düsseldorf 1 · Schadowplatz 9
•Düsseldorf, 6. Sept. 1971
Westinghouse Electric Corporation
Pittsburgh, Pa., V. St. A.
Pittsburgh, Pa., V. St. A.
Elektroakustische Einrichtung mit einem
piezoelektrischen Wandler
piezoelektrischen Wandler
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf elektroakustische
Einrichtungen ,insbesondere auf piezoelektrische Wandler in Dünnfilmtechnik für Mikrowellen-Anwendungen.
Beim Einsatz von Mikrowellen-Ultraschalleinrichtungen hat man erkannt,
daß es wichtig ist, den von jedemWandler in einem System
hervorgerufenen Einfügungsverlust auf den geringsten möglichen Wert herabzusetzen. Solche Einfügungsverluste sind einigen oder
allen der nachfolgend aufgezählten Gründe zuzuschreiben: elektrische Fehlanpassung, hohe Kontaktwiderstände, niedrige
elektrische Impedanz, Fehlen einer Kristallorientierung, kristalline Fehler und ein Fehlen einer vollkommenen Stöchiometrie des
piezoelektrischen Materials. Die Gründe für die Einfügungsverluste infolge kristalliner und chemischer Eigenschaften haften den
Wandlern mit abgelagertem Film an,und daher sind derartige Verluste
schwer herabzusetzen. Leichter können die durch elektrische Fehlanpassung, hohe Kontaktwiderstände und niedrige elektrische
Impedanz verursachten Verluste berücksichtigt und bei der Planung eines Mikrowellen-Schallwandlers kompensiert werden. Die
anscheinend am meisten auftretenden Ursachen hoher Einfügungsverluste
sind durch elektrische Fehlanpassung zwischen der Impedanz der äußeren Übertragungsleitung, an die der Wandler angeschlossen
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ist, und der niedrigen elektrische! Wandlerirapedanz, die für Dünnfilmwandler
charakteristisch ist, bedingt.
In der Vergangenheit hat sich die Notwendigkeit herausgestellt, die
Impedanz des Wandlers an die der Übertragungsleitung durch irgendeine Art Impedanztransformator anzupassen, wie etwa durch einen
Chebychev-Transformator oder eine andere bekannte Art eines
Impedanztransformators.
Mit dem Problem der Fehlanpassung ist das der eiektriscnen Kapazität
verbunden. Bei einem Wandler ist eine möglichst geringe Kapazität erwünscht, um eine beträchtliche Bandbreite zur Verfügung
stellen und damit senr hone Frequenzen erreichen zu Können. Bei Dünnfilmwandlern nat ein Versuch, die Kapazität nerabzusetzen,
eine Verringerung der Elektrodenfläche bedeutet. Eine
derartige Verminderung der Kapazität setzt zusätzlich die Impedanz herab und zwar entweder in Gestalt des Widerstandes oder
des Strahlungswiderstandes der Struktur. CnaraKteristisch beträgt in dem Fall, daß Wandler bei Mikrowellen-Frequenzen in der
Nähe von einem GHz betrieben werden, die Impedanz eines Kadmiumsulfid-Wandlers
etwa 0,01 Ohm. Üoertragungsleitungen besitzen
dagegen typische Impedanzen von etwa bO Ohm oder mehr. Infolgedessen
war die Größe der elektrischen Fehlanpassung bedeutend und Konnte nicht einfach durch Impedanztransformatoren ausgeglichen
werden, die bei solchen Frequenzen und für den Ausgleich solch großer Fehlanpassungen unhandliche und kostspielige Vorrichtungen
sind.
Aufgabe vorliegender Erfindung ist die Schaffung eines piezoelektrischen
Wandlers mit Vorrichtungen, die seine Impedanz, ohne eine der akustischen Eigenschaften des Wandlers preiszugeben,
zur Anpassung an die Impedanz von Übertragungsleitungen
auf den erforderlichen Wert ·«* erhöhen und darüber hinaus eine
sehr niedrige Kapazität gewährleisten, um seinen Einsatz bei hohen Frequenzen zu ermöglichen.
Zur Lösung dieser Aufgabe ist eine elektroakustische Einrichtung
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mit einem piezoelektrischen Wand lei', der mit einer ein Leiterpaar
mit einer charakteristischen Impedanz aufweisenden elektrischen Übertragungsleitung in Verbindung steht, erf indungsgemälo
dadurch gekennzeichnet, daß der piezoelektrische Wandler eine
Mehrzahl auf einem einzigen Substrat angeordnete, in Serie geschJLtete piezoelektrische Wand lere lemente mit einer im wesentlichen der Impedanz des Lexterpaares angepaßten Gesamtimpedans und einer iu Vergleich zur Kapazität eines einzelnen Wandlerelementes kleinen Gesamtkapazität aufweist.
Mehrzahl auf einem einzigen Substrat angeordnete, in Serie geschJLtete piezoelektrische Wand lere lemente mit einer im wesentlichen der Impedanz des Lexterpaares angepaßten Gesamtimpedans und einer iu Vergleich zur Kapazität eines einzelnen Wandlerelementes kleinen Gesamtkapazität aufweist.
Die Verwirklichung der oben beschriebenen elektrischen Eigenschaften
eines Wandlers wird durch Dünnfilm-Herstellungstechniken
ermöglicht, eingeschlossen eine Ablagerung einer ersten
schablonenartigen Elektrodenanordnung mit einer Mehrzahl einzelner Elektroden auf einem Substrat, eine auf die erste Elektrodenanordnung aufgebrachte einzelne Lage eines piezoelektrischen
Materials, eine zweite über der piezoelektrischen Lage angeordnete schablonenartige Elektrodenanordnung sowie selektiven· Ver-
schablonenartigen Elektrodenanordnung mit einer Mehrzahl einzelner Elektroden auf einem Substrat, eine auf die erste Elektrodenanordnung aufgebrachte einzelne Lage eines piezoelektrischen
Materials, eine zweite über der piezoelektrischen Lage angeordnete schablonenartige Elektrodenanordnung sowie selektiven· Ver-
en
bindung/zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenanordnung. Die Anwendung von Dünnfilm-Herstellungstechniken nach dem Stand der Technik ermöglicht die Bildung derartiger Strukturen mit
extrem kleinen Bereichen und zahlreichen einzelnen Elektroden.
bindung/zwischen der ersten und der zweiten Elektrodenanordnung. Die Anwendung von Dünnfilm-Herstellungstechniken nach dem Stand der Technik ermöglicht die Bildung derartiger Strukturen mit
extrem kleinen Bereichen und zahlreichen einzelnen Elektroden.
Die. Erfindung wird nachstehend zusammen mit weiteren Merkmalen
anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit der zugehörigen
Zeichnung erläutert. In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel nach der Erfindung;
Fig. 2 schematisch dargestellt die Ersatzschaltung der Einrichtung nach Fig. 1;
Fig. 3 einen Schnitt durch die Einrichtung nach Fig. 1
längs der Linie III-III;
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Fig. 4 und 5 eine Dräute icht auf gemäß Fig. 1 angeordnete
Elektroden;
Fig. 6 eine Dravfeicht auf eine andere Ausführungsform
der Erfindung;
Fig. 7 einen Schnitt durch Fig. 6 längs der Linie VII-VII; und
Fig. 8 eine Draüfeicnt auf ein weiteres Ausführungsbeispiel
ψ nach der Erfindung.
Im einzelnen zeigt Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel eines Wandlers nach der Erfindung. Der Wandler befindet sich auf einem Substrat
10, das aus einem Material mit Eigenschaften einer akustischen Verzögerungsleitung bestehen kann, in dem sich also akustische
Wellen ohne Verlust ihrer Charakteristik, dagegen im wesentlichen lediglich mit einer Zeitverzögerung fortpflanzen. Der Aufbau
umfaßt im wesentlichen eine Lage 12 piezoelektrischen Materials^ das sandwichförmig zwischen einer ersten und einer zweiten
schablonenartigen Elektrodenanordnung 14 und 16, die untereinander selektive Verbindungen besitzen, angeordnet ist.
" Fig. 4 veranschaulicht die erste, untere schablonenartige
Elektrodenanordnung 14, die auf der Oberfläche des Substrats angeordnet ist, und Fig. -5 die zweite, obere schablonenartige
Elektrodenanordnung 16, obschon die Elektrodenanordnungen auch vertauscht eingesetzt werden können. Jede der Elektrodenanordnungen
14 und 16 weist eine Mehrzahl streifenförmiger, über den
Rand der Lage 12 des piezoelektrischen Materials hinausragende Elektroden 14A und 16A auf. Die Elektroden 16A der oberen
Elektrodenanordnung 16 besitzen an einem Ende verbreiterte Bereiche 16B, die auf den Enden der streifenförmigen Elektroden
14A liegen, damit zwischen ihnen eine Verbindung herbeigeführt werden kann. Zum anderen sind die Elektroden 14A und lüA,
wie in Fig. 3 dargestellt, sich vertikal überdeckend angeordnet.
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Zusätzlich weist jede Elektrodenanordnung 14 und 16 eine größere
Elektrodenlasche 14C und 16C auf, die einzeln mit jeweils einer der streifenförmigen Elektroden 14A und 16A verbunden sind und
ebenfalls über den Rand der piezoelektrischen Lage 12 hinausragen. Diese stellen einen äußeren Anschluß des Wandlers wie
etwa an eine Übertragungsleitung dar, die,wie oben erläutert, eine charakteristische Impedanz aufweist, der die Impedanz des
Wandlers angepaßt werden soll.
Die Ersatzschaltung der Fig. 2 veranscnaulicht, wie die schablonenartigen
Elektrodenanordnungen, obwohl sie nur an einer einzigen Lage piezoelektrischen Materials angeordnet sind, eine Reihenscnaltung
einer Menrzanl einzelner Wandlerelemente 18 zwischen
den beiden Elektrodenlaschen 14C und 16C, die jeweils mit einem Leiter 20 und 22 einer koaxialen Übertragungsleitung 24 verbunden
sind, ermöglichen. Auf diese Weise können Widerstände addiert werden, um exne der Impedanz der äußeren Übertragungsleitung 24
angepaßte Impedanz zu erreichen. Gleichzeitig werden Kapazitäten starK herabgesetzt, und damit wird eine Eignung für Breitband-
und folglich Hocnfrequenzanwendung geschaffen.
Wie Fig. 1 und 2 zeigen, ist, um die Reinenschaltung zu erreichen,
jeweils die untere Elektrode der einzelnen Wandlerelemente 18
mit der oberen Elektrode des direkt benachbarten Wandlerelementes verbunden. Eine Verbindung benachbarter unterer und oenachbarter
oberer Elektroden zu einer Reihenschaltung sollte nicht vorgezogen werden, da die Wandlerelemente 18 dann abwechselnd
polarisiert würden.
Die Anzahl der piezoelektrischen WandlerdLemente 18, die zur Anpassung
an eine besondere Übertragungsleitung notwendig ist, hängt natürlich sowohl von der Impedanz der Übertragungsleitung als
auch von den für das einzelne Wandlerelernent gewählten Abmessungen
ab. Bei früheren Dünnfilm-Wandlern hat sich die Notwendigkeit
herausgestellt, die Fläche der Elektroden soweit wie möglich herabzusetzen, um die Kapazität zu verringern, und folglich
war die Impedanz eines derartigen Wandlers sehr gering und
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betrug typisch etwa 0,01 Ohm. Hier aber sind die Kapazitäten
durch Reihenverbindungen der Wandlerelemente herabgesetzt, und
daher müssen die einzelnen Elemente nicht so klein sein.
Die für die beiden schablonenartigen Elektrodenanordnungen und die piezoelektrische Lage erforderlichen Strukturen können nach
bekannten Technologien der Dünnfilmherstellung gebildet werden,
beispielsweise durch eine Ablagerung durch eine mit öffnungen versehene Maske, obschon sie auch durch Ablagerung einer durchgehenden
Schicht auf der Oberfläche des Substrats IO und Anwen-
ψ dung abtragender Methoden gebildet werden können.
Gemäß vorliegender Erfindung ist die Auswahl des anzuwendenden Materials nicht kritisch. Geeignete Elektroden können aus verdampftem
Gold auf einer, um ein größeres Haftvermögen an dem Substrat zu erzielen, Grundbeschichtung aus Chrom gebildet werden,
Die piezoelektrische Lage 12 kann aus Kadmiumsulfid oder einem anderen piezoelektrischen Material bestehen, das nach einer der
verschiedenen bekannten Techniken abgelagert werden ist, wie beispielsweise
in der noch nicht erledigten, auf denselben Erfinder und dieselbe Anmelderin zurückgehenden US-Patentanmeldung vom
29. Oktober 1965 mit der Ser.-Nr. 505 714 beschrieben worden ist.
Die piezoelektrische Lage kann eine einzelne homogene Lage oder, um verschiedene Leistungsübertragungsfaktoren zu erreichen, eine
einzelne Lage aus horizontal erstreckten Lagenbereichen mit unterschiedlichen Eigenschaften aufweisen,und,um unterschiedliche
Buidbreitedaten zu erzielen, kann der piezoelektrische Wandler
einen viellagigen Dünnfilm abwechselnder Polarität in der in dem US-Patent 3 497 727 beschriebenen Weise aufweisen. Mit solchen
Strukturen kann gestaffelte Abstimmung erreicht werden.
Wie Fig. 3 zeigt, weist das Ausführungsbeispeil weiter zwischen
den Elektrodenanordnungen sandwichartig eine Schicht 13 aus dielektrischem Material auf, die die Aufgabe hat, jegliche unabsichtlich
durch die piezoelektrische Lage infolge winziger Löcher o. dgl. auftretenden Kurzschlüsse zu verhindern. Eine
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solche Schicht sollte im Vergleich zur piezoelektrischen Lage
dünn sein, damit sie die akustischen Verhältnisse nicht beeinflußt.
Es wurden Wandler gemäß dem dargestellten Ausführungsbeispiel
mit einer einzelnen Lage piezoelektrischen Materials aus Kadmiurasulfid und mit Elektrodenanordnungen, die auf Lithiumniobat
abgelagertes Gold aufweisen (mit einer Grundbeschichtung aus Chrom zur Haftung am Substrat), hergestellt. Innerhalb einer
Fläche von 2 χ 2 mm wurden Elektrodenanordnungen mit jeweils streifenförraigen Elektroden mittels Aufdampfen durch Lochmasken
hindurch gebildet, wobei die streifenförmigen Elektroden etwa
12 um breit sind und der Abstand zwischen ihnen 4 um beträgt. Die Kadmiumsulfidlage war mit einer Dicke von etwa 2 um nach dem
oben angeführten Verfahren der noch nicht erledigten Patentanmeldung abgelagert worden. Eine Schicht Siliziummonoxid in einer
Stärke von etwa lOO 8 war auf der piezoelektrischen Lage aufgebracht
worden.
Die Einrichtung führt zu einer Bandbreite von - 50 % um eine Mittenfrequenz von 850 MHz ohne externe elektrische Anpassung
an eine 50 Ohm übertragungsleitung.
Die Ausführungen der Fig. 1-5 sind für Druck- oder Longitudinalwellen
vorgesehen. Aber gemäß vorliegender Erfindung können Wandlerstrukturen für Transversalwellen ähnlich gebildet werden.
Bei Transversalwellen wird es notwendig sein, daß die schablonenartigen Elektrodenanordnungen ein Entstehen jeglicher elektrischer
Felder senkrecht zur Ebene der piezoelektrischen Lage verhindern.
Die Fig. 6 und 7 veranschaulichen eine für Transversalwellen geeignete Ausführung. Die vorgesehenen unteren und oberen
schablonenartigen Elektrodenanordnungen 34 und 36 sind identisch. Die obere Elektrodenanordnung 36 ist in Fig. 6 dargestellt. Sie
weist ein Paar Elektrodenkämme 36A und 36B mit untereinander ver-
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zahnten, zahnförmig angeordneten Elektroden auf. Ihre Kammrücken, von denen ausgehend sich die Elektroden erstrecken, sind auf
dem Substrat außerhalb des Randes der piezoelektrischen Lage 12 angeordnet und mit gleichen Kammrücken der unteren Elektrodenanordnung
verbunden. Die äußere Übertragungsleitung kann an die großen Bereiche der Kammrücken angeschlossen werden. Wie in Fig.
.7 für den Zeitraum einer Halbperiode dargestellt, ergeben sich derartige Polaritätsbedingungen, daß lediglich parallel zu einer
Seite des Substrats ausgerichtete Felder in der piezoelektrischen * Lage 12 auftreten.
Ein anderes Ausfühi-ungsbeispiel für Transversalwellen ist in Fig.
8 dargestellt. Es kann eine einzige Elektrodenanordnung 44 entweder oberhalb oder unterhalb, andernfalls zwei identische
Elektrodenanordnungen oberhalb und unterhalb der piezoelektrischen Lage 12 aufweisen. Die Elektrodenanordnung 44 enthält eine
Mehrzahl streifenförmiger Elektroden 44A, die untereinander durch einen Widerstandsfilm 44B wie etwa durch einen Nickel-Chrom-Film,
der einen Destimmten Potentialabfall zwischen oenachbarten
Elektroden 44A bewirkt, verbunden sind. Auf diese Weise wird ein nach einer Seite des Suostrats ausgerichtetes Feld ohne PolaritätSAvecnsel
ermöglicht.
Patentansprüche
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Claims (6)
- 21U607- a Patentansprüche;Elektroakusriscne Einricntung rait einem piezoelektrischen Wandler, der mit einer ein Leiterpaar mit einer charakteristischen Impedanz aufweisenden elektrischen Übertragungsleitung in Verbindung steht, dad urch gekennzeichnet, daß der piezoelektrische Wandler eine Mehrzahl auf einem einzigen Substrat (10) angeordnete, in Serie geschaltete piezoelektrische Wandlerelemente (18) mit einer im wesentlichen der Impedanz des Leiterpaares (20,22) angepaßten Gesamtimpedanz und einer im Vergleich zur Kapazität eines einzelnen Wandlerelementes (18) kleinen Gesamtkapazität aufweist.
- 2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß diein Serie geschalteten piezoelektrischen Wandlerelemente (18) β ^ angeordnete v 'eine erste,auf dem Substrat (lO)/scnablonenartige Elektrodenanordnung (14) mit einer Menrzahl einzelner Elektroden (14A) aufweisen, daß über der ersten Elektrodenanordnung (14) eine Lage (12) piezoelektrischen Materials mit einer auf der Lage angeordneten zweiten schablonenartigen Elektrodenanordnung (16) mit einer Mehrzahl einzelner Elektroden (16A) und eine durchgehende von Piezoeffekten freie Isolationsschicht (13) zwischen der Lage (12) aus piezoelektrischem Material und der zweiten Elektrodenanordnung (16) liegt, und daß die Elektroden (14A, 16A) der ersten und zweiten Elektrodenanordnung (14,16) über den Rand der Lage (12) aus piezoelektrischem Material hinausragen sowie selektiv untereinander verbunden sind.
- 3. Elektroakustische Einrichtung nach Aripruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die einzelnen Elektroden (14A, löA) derschablonenartigen Elektrodenanordnungen (14,16) im wesentli- b zueinander & v 'chen streifenförmig parallel/angeordnet sind und die erste Elektrodenanordnung (14) eine erste größere mit einer der streifenförmig angeordneten Elektroden (14A) verbundene Elektrodeni^che (14C), an die ein Leiter (20) der Übertragungsleitung (24) angeschlossen ist, sowie die zweite Elektroden-209812/154 72U4F5O7 - ίο -anordnung (16) eine zweite größere mit einer der streifenförmig angeordneten Elektroden (16A) der zweiten ,schabloneiw, Nverouudene EieKtrodeniascne TlGc)artigen Elektrodenanordnung (16)/, an die der zweite Leiter (22) der Übertragungsleitung angeschlossen ist, aufweisen.
- 4. Elektroakustische Einrichtung nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die leitenden Veroindungen zwischen Elektroden (14A, 16A) der ersten und der zweiten schablonenartigen Elektrodenanordnung (14,16) unmittelbar durch über die Begrenzung der Lage (12) aus piezoelektrischemψ Material hinausragende und aufeinanderliegende Bereiche der Elektroden (14A, 16A) gebildet sind.
- 5. Einrichtung nach einem der Ansprüche 2-4, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils abwechselnd auf zwei Seitenflächen der Elektrodenanordnungen (14, 16) ein Ende einer Elektrode (14A) der ersten Elektrodenanordnung (14) mit einem Ende einer Elektrode (16A) der zweiten Elektrodenanordnung (16) verbunden ist.
- 6. Elektroakustische Einrichtung nach einem der Ansprüche 2-5, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (10) aus einem schall-. wellen-verzögernden Material besteht und daß die einen unbeabsichtigt en elektrischen Kurzschluß durch die Lage (12) aus piezoelektrischem Material verhindernde Schicht (13) dünn im Vergleich zur Stärke der Lage (12) ist.to/sb 3209812/1547Leerseite
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2144607A1 true DE2144607A1 (de) | 1972-03-16 |
DE2144607B2 DE2144607B2 (de) | 1980-01-03 |
DE2144607C3 DE2144607C3 (de) | 1980-11-06 |
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Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3760299A (en) * | 1971-08-09 | 1973-09-18 | Hazeltine Corp | Acoustic surface wave-apparatus having dielectric material separating transducer from acoustic medium |
US3825779A (en) * | 1973-03-30 | 1974-07-23 | Westinghouse Electric Corp | Interdigital mosaic thin film shear transducer |
JPS5434519B2 (de) * | 1973-08-31 | 1979-10-27 | ||
DE2607837C2 (de) * | 1975-03-04 | 1984-09-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo, Kyoto | Mehrschichten-Interdigital-Wandler für akustische Oberflächenwellen |
GB1512593A (en) * | 1975-03-13 | 1978-06-01 | Murata Manufacturing Co | Elastic surface wave filter |
US4035675A (en) * | 1976-04-08 | 1977-07-12 | University Of Illinois Foundation | Capacitive tap weighted surface acoustic wave transducers |
US4259649A (en) * | 1979-07-26 | 1981-03-31 | Westinghouse Electric Corp. | Electroacoustic delay line apparatus |
US4292608A (en) * | 1979-07-26 | 1981-09-29 | Westinghouse Electric Corp. | Electroacoustic delay line apparatus |
US4482833A (en) * | 1981-04-01 | 1984-11-13 | Westinghouse Electric Corp. | Method for obtaining oriented gold and piezoelectric films |
US4480209A (en) * | 1981-10-09 | 1984-10-30 | Clarion Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having a specified crystalline orientation |
US4629927A (en) * | 1982-05-20 | 1986-12-16 | Samodovitz Arthur J | Acoustical wave aimer |
GB2123638B (en) * | 1982-06-22 | 1986-02-26 | Clarion Co Ltd | Surface acoustic wave device |
WO1995002279A1 (en) * | 1993-07-06 | 1995-01-19 | Motorola, Inc. | Surface acoustic wave device |
US5486800A (en) * | 1994-09-29 | 1996-01-23 | Motorola, Inc. | Surface acoustic wave device |
US5499003A (en) * | 1994-10-03 | 1996-03-12 | Motorola, Inc. | Differential saw filter including series coupled resonant/antiresonant tracks |
JP3412611B2 (ja) * | 2000-09-25 | 2003-06-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
JP3780415B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2006-05-31 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ、およびそれを用いた通信機装置 |
US9473106B2 (en) | 2011-06-21 | 2016-10-18 | Georgia Tech Research Corporation | Thin-film bulk acoustic wave delay line |
FR3033087B1 (fr) * | 2015-02-23 | 2018-03-23 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif piezoelectrique |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL253866A (de) * | 1959-07-17 | |||
NL261168A (de) * | 1960-03-07 | |||
US3401360A (en) * | 1963-07-19 | 1968-09-10 | Bell Telephone Labor Inc | Phased transducer arrays for elastic wave transmission |
US3360749A (en) * | 1964-12-09 | 1967-12-26 | Bell Telephone Labor Inc | Elastic wave delay device |
US3401275A (en) * | 1966-04-14 | 1968-09-10 | Clevite Corp | Composite resonator |
US3453711A (en) * | 1966-08-24 | 1969-07-08 | Corning Glass Works | Method of connecting together a plurality of transducer segments |
US3490055A (en) * | 1967-01-16 | 1970-01-13 | Microtek Electronics Inc | Circuit structure with capacitor |
US3587005A (en) * | 1968-01-03 | 1971-06-22 | Bell Telephone Labor Inc | Transducer array for elastic wave transmission |
US3505542A (en) * | 1968-02-28 | 1970-04-07 | Westinghouse Electric Corp | Surface wave piezoelectric resonator |
US3593214A (en) * | 1969-04-29 | 1971-07-13 | Westinghouse Electric Corp | High impedance transducer |
-
1970
- 1970-09-10 US US71094A patent/US3689784A/en not_active Expired - Lifetime
-
1971
- 1971-08-31 GB GB4047671A patent/GB1352538A/en not_active Expired
- 1971-09-07 DE DE2144607A patent/DE2144607C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2144607B2 (de) | 1980-01-03 |
DE2144607C3 (de) | 1980-11-06 |
GB1352538A (en) | 1974-05-08 |
US3689784A (en) | 1972-09-05 |
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---|---|---|
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