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Verfahren zur Bildung von Metallstreifen auf Halbleiterelementen Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung von Metallstreifen oder -schienen auf
einem Halbleiterelement, welches aus einer intermetallischen Verbindung wie zum
Beispiel Indium-Antimon hergestellt ist und als ein magnetisch steuerbarer Widerstand,
als Gunn-Diode usw. dient.
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Es ist bekannt, in vielen Fällen, in denen diese Typen von Halbleiterelementen
verwendet werden, Kurzschlußschienen oder -streifen herzustellen, die dazu dienen,
die beiden Seiten des Elementes kurzzuschließen, so daß das Hall-Potential gleich
ist, und diese werden auf der Oberfläche des Elementes durch Aufdampfen einer metallischen
Schicht unter Vakuum rechtwinkelig zu der Richtung des Stromflusses gebildet und
Anschlußelektroden werden durch Aufdampfen eines Metalles im Vakuum gebildet, um
die Zuführungsdrähte anzuschließen. Die Kurzschlußstreifen dienen dazu, die magnetische
Empfindlichkeitscharakteristik des Halbleiterelementes zu verbessern.
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Das herkömmliche Verfahren zur Herstellung eines Metallstreiren ist
jedoch von dem Aufdampfen eines Metalles auf ein kleines Halbleiterelement abhängig,
welches in einer festgelegten Forim ausgebildet ist. Demgemäß ist es schwierig,
die Metallstreifen an bestimmten Stellen auszubilden. Zum Beispiel sind die Metall
streifen oft falsch ausgerichtet oder die Streifen stehen über das Halbleiterelement
vor.
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Die Herstellung von einheitlichen Erzeugnissen mit dem genannte Verfahren
ist schwierig und bei der Herstellung wird viel Ausschuß erzeugt. Darüber hinaus
ist das Herstellungsverfahren für die Streifen äußerst mühsam und entsprechend sind
die Herstellungskosten hoch.
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Ziel der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Metallstreifen,
welches die obengenannten Schwierigkeiten vermeidet.
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Erfindungsgemäß wird dazu ein Verfahren zur Herstellung von Metallstreifen
auf einem Halbleiterelement geschaffen, welches daraus besteht, daß wenigstens eine
vollständige Oberfläche einer Halbleiterbasis, die auf einem Substrat befestigt
ist, mit einer dünnen Schicht aus Metall überzogen wird, wobei die Basis aus einer
intermetallischen Verbindung besteht, daß ein empfindliches Harz auf die dünne,
metallische Schicht aufgebracht wird, um eine mehrfache Schicht zu bilden, daß wenigstens
ein Muster, das wenigstens einem Metallstreifen entspricht, auf der metallischen
Schicht gebildet wird, indem die empfindliche Harzschicht sensibilisiert wird und
die sensibilisierte Harzschicht geätzt wird, und daß das mehrfach beschichtete Material
mit einer Ätzlösung behandelt wird, um die Teile der dienen, metallischen Schicht
zu entfernen, die diesem Muster entsprechen, und um die Oberfläche der Basis bis
zum Sättigungspunkt der Oxydation zu oxydieren, wodurch wenigstens ein Metallstreifen
auf der Halbleiterbasis gebildet wird.
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Im folgenden wird die Erfindung beispielsweise in verschiedenen Ausführungsformen
anhand der beigefügten Zeichnung näher erlOutert.
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Fig. la bis ic sind Seitenanichten eines Halblelterplätt chens, die
das Läppen eines Plättchens als Vorbehandlung für das erfindungsgemäße Verfahren
zeigen.
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Fig. 2 ist eine Draufsicht auf ein Substrat mit zahlreichen darauf
aufgebrachten Basen.
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Fig. 3 bis 6 sind perspektivische Ansichten einer Basis, die aus
diesem Plättchen gebildet wird, in verschiedenen Stufen des erfindungsgemäßen Verfahrens.
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Fig. 7 ist ein Schnitt längs der Linie V-V der Fig. 5.
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Fig. 8 bis 14 sind perspektivische Ansichten einer Basis, die andere
Ausfffhrungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens darstellen.
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Fig. 15 ist ein Schnitt längs der Linie XIII-XIII der Fig. 13.
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Fig. 16 und 17 zeigen andere Ausführungsformen der erfindungsgemäß
hergestellten Streifen.
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Fig. 18 zeigt einen Schnitt eines Elementes gemäß einer anderen Ausführungsform
der Erfindung.
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Die Basis,die in dem erfindungsgemEßen Verfahren verwendet wird, ist
auf eine bestimmte Dicke bearbeitet.
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Der Halbleiterblock wird in Plättchen mit einer Dicke von etwa 300po
geschnitten. Eine Oberfläche dieses Plättchens wird auf einer Arbeitsplatte, zum
Beispiel einer keramischen Platte oder einer Messingplatte, die die mechanischen
Genauigkeitsanforderungen erfüllt, mit einem wärmelöslichen Verbindungsmittel, zum
Beispiel Wachs, befestigt. Die andere Oberfläche des Plättchens wird mit einer mechanischen
Läppeinrichtung geläppt, so daß die Dicke des Plättchens 180 bis 280 P wird, und
wird mit einer mechanischen Poliereinrichtung hochglanzpoliert. Nach diesem Läppvorgang
wird das Plättchen durch Schmelzen des Wachses mit Wärme entfernt und die rohe Oberfläche
des Plättchens, die nicht poliert ist, wird auf einem provisorisch verwendeten Substrat,
um
Beispiel Glas oder Keramik, mit diesem Befestigungsmittel befestigt.
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In diesem Zustand wird das Plättchen durch chemische Behandlung auf
eine Dicke von 160 bis 180 µ bearbeitet. Nach der chemischen Behandlung wird das
Plättchen durch Schmelzen des Wachses mit Wärme von dem provisorischen Substrat
weggenommen. Dann wird die polierte Oberfläche des Plättchens auf dem Substrat S,
zum Beispiel Ferrit oder Glas, mit einem wärmehärtenden Verbindung3mittel 101, zum
Beispiel Epoxyharz, befestigt. Die rohe Oberfläche des Plättchens, die nicht bearbeitet
ist, wird durch die mechanische läppeinrichtung gelGppt, so daß die Dicke des PlSttchens
etwa 50 P wird, und wird durch dieselbe mechanische Poliereinrichtung, wie oben
beschrieben wurde, hochglanzpoliert.
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Danach wird die behandelte Oberfläche des Plättchens durch die chemische
Behandlung bearbeitet, so daß eine vorbestimmte Dicke von zum Beispiel iOju erhalten
wid.
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Das herkömmliche chemische Behandlungsverfahren ist Jedoch mit den
folgenden Schwierigkeiten behaftet. Da die Menge des Materiales, die von dem Plättchen
durch die chemische Behandlung entfernt wird, eine Funktion der Zeit ist, ist es
erforderlich, die Bedingungen sorgfältig zu wählen, und daher ist das Verfahren
äußerst schwierig. Ein Unterschied in der Menge des entfernten Materiales ist unvermeidlich,
da sich die metallischen Ionen in dem Ldsungsmittel ändern, auch wenn die Behandlungsbedingungen
genau eingehalten werden. Demgemäß ist die Dicke von Plättchen, die dieselbe Zeitdauer
bei derselben Temperatur behandelt wurden, verschieden und eine direkte Bestimmung
der Ungleichmäßigkeiten in der Dicke der einzelnen Plättchen ist äußerst schwierig.
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Aus diesen Gründen ist es vorteilhaft, die folgende Behandlungstechnik
als Behandlungsverfahren für ein Halbleiterplättchen zu verwenden.
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Die Fig. 1a bis 1c zeigen das vorteilhafte chemische Behandlungsverfahren.
Das Halbleiterplättchen 1, das in den Fig. ia bis le
gezeigt ist,
ißt aus einer intermetallischen Verbindung, wie zum Beispiel GaAs, GaP, InSb oder
InAs,hergestellt und seine Dicke ist etwa 30 µ. Beide Oberflächen des Plättchens
sind hochglanspoliert und eine Oberfläche ist auf dem Substrat 5 aufgebracht.
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Das Plättchen 1, welches durch ein mechanisches Läppverfahren, wie
es oben beschrieben wurde, bearbeitet ist, wird in eine Lösung eines Oxydationsmittels,
das in Tabelle 1 gezeigt ist, eingetaucht, um eine Oberfläche zu oxydieren, und
auf diese Weise wird die oxydierte Schicht 11 gebildet, wie in Fig. ib gezeigt ist.
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Tabelle 1
| Halbleiter Oxydationsmittel- Reduktionsmittel |
| lösung |
| InSb HN03.H20 HF.H20 |
| H2O2.H2O HF H2O |
| HN03.CH3COOH BP .CH3COOH |
| HNO3 E |
| Inka HN03 BP |
| H2O2 BP |
| GaAs HNO3.H2O HC1.H20 |
| H2O2.H20 NaOH.H2O |
| HNO3.H2O AgNO3.H20 |
| GaP HNO3.H2O HC1.H2O |
| HNO3.CH3COOH HF.Br2.CH3COOH |
Diese Oxydation kann zum Beispiel durchgeführt werden, indem einfach
ein Plättchen aus InSb in eine Lösung von HN03 mit einer Konzentration von etwa
60% für einige Sekunden eingetancht wird und eine oxydierte Schicht 11 wird auf
dem Plättchen 1 gebildet, die dem Sättigungspunkt der Oxydation nahekommt.-Die vorteilhafte
Eintauchzeit ist etwa 5 bis 10 Sekunden, um die Dicke der oxydierten Schicht 11
einheitlich zu machen.
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Da diese Behandlung bei Zimmertemperatur, das heißt bei einer Temperatur
von OOC bis 320C, durchgefthrt~werden kann, besteht keine Schwierigkeit bezüglich
der Temperaturregelung. Wenn die oxydierte Schicht 11 durch das beschriebene Oxydationsverfahren
gebildet ist, ändert sich die Oberflächenfärbung des Plättchens 1 Je nach dem speziellen
Halbleitermaterial, zum Beispiel Silicium, Germanium usw. Demgemäß kann die Bildung
der oxydierten Schicht durch die Änderung der Färbung auf der Oberfläche festgestellt
werden, und die Dicke der oxydierten Schicht 11 ist einheitlich, da die oxydierte
Schicht 11 gebildet wird, ohne daß sie durch eine Änderung der Metallionenkonzentration
in der Lösung beeinflußt wird.
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Das oxydierte Plättchen wird in ein Reduktionsmittel getaucht, welches
die oxydierte Schicht Ii entfernt, wie es zum Beispiel in Tabelle 1 gezeigt ist,
und auf diese Weise wird das Plittw chen reduziert, indem die oxydierte Schicht
gelöst wird, wie in Fig. 1c gezeigt ist.
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Wenn in diesem Falle das Plättchen 1 wieder den ursprünglichen Glanz
einer intermetallischen Verbindung annimmt, sollte das Plättchen aus dem Reduktionsmittel
entfernt werden. In dieser Stufe ist die oxydierte Schicht 11 des Plättchens 1 bis
dick undeine Menge, die der Dicke der'oxydierten Schicht entspricht, ist chemisch
entfernt.
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Wenn die Oxydations- und Reduktionsbehandlung als ein Verfahrensschritt
der chemischen Behandlung betrachtet werden, liefert ein Verfahrensschrltt eine
Größenverringerung der otydierten Schicht bis zu 1 bis 21u, und durch Wiederholung
dieses
Verfahrens kann das Plättchen 1 auf Jede gewünschte Dicke
verringert werden.
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Die oxydierte Schicht 11 wird im allgemeinen bis zum Sättigungspunkt
der Oxydation entwickelt. Da Jedoch die Bildung der oxydierten Schicht durch Überprüfen
der Änderung der Farbe der Schicht festgestellt werden kann, dienen Unterschiede
in der Menge des reflektierten Lichtes als Maß für die Dicke, wobei eine geeignete
Vorrichtung zum Messen der Menge des reflektierten Lichtes verwendet wird, und die
Zeit für die Oxydation des Plättchens kann gemäß der entsprechenden Dickenmessung
gesteuert werden.
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Da in diesem Falle die Dicke der oxydierten Schicht 11 gemessen werden
kann, auch wenn ihre Bildung nicht bis zum. Sättigungspunkt entwickelt ist, kann-die
oxydierte Schicht in einerDicke von 1 p oder weniger ausgebildet werden und die
Schicht 11 kann dann durch die Reduktionsbehandlung entfernt werden.
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Demgemäß ist das erfindungsgemäße Verfahren dahin vorteilhaft, daß
das Plättchen 1 in der Größe in einem äußerst feinen Bereich verringert werden kann,
und daß das Ausmaß der Größenverringerung genau gesteuert werden kann.
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Ein Plättchen 1 in einer gewünschten Dicke wird durch die chemische
Behandlung gemäß dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt.
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Eine Anzahl von Basen wird durch chemisches Ätzen aus dem PlEttchen
1 erhalten, wie in Fig. 2 gezeigt ist. Das Plättchen kann so in Basen geteilt werden,
daß die Form und Größe jeder Basis mit einem Halbleiterelement zusammenfällt, wie
in Fig. 2 gezeigt ist, oder daß Form und Größe jeder Basis groß genug ist, um zahlreiche
Halbleiterelemente zu erhalten, oder das Plättocten selbst kann so als Basis verwendet
werden, daß zahlreiche Halbleiterelemente am Ende erhalten werden, indem es geteilt
wird. In den Fig. 3 bis 7 ist die Beschreibung auf ein Halbleiterelement allein
beschränkt, um die Beschreibung zu vereinfachen.
Fig. 3 zeigt den
ersten Schritt des erfindungsgemäßen Vrfahrens. Bei diesem Schritt wird eine dünne,
metallische Schicht 2 gebildet, indem ein Metall, wie zum Beispiel Cu, Zn, Cd, Pb,
Se, Te, In, Pt, Au, Ag oder mi, auf die Oberfläche der Basis 1' durch Spritzen oder
galvanisch aufgebracht wird.
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Das Metall, das für dieses Verfahren verwendet wird, sollte entsprechend
seiner Verträglichkeit mit dem Metall der Basis 1 und ebenso entsprechend dem Zweck
der Verwendung ausgewählt werden; zum Beispiel kann Indium verwendet werden, um
Metallstreifen auf einer Basis 1' zu bilden, die aus Indium-Antimon hergestellt
ist.
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Nach dem Beschichten der Basis lt mit einer dünnen, metallischen Schicht
2 wird eine empfindliche Harzschicht 3, zum Beispiel K.T.F.R., K.M.E.R. und K.P.R.
von KODAK, auf der dünnen, metallischen Schicht gebildet, so daß ein Mehrschichtenstück
M gebildet wird.
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Nach diesem Schritt wird ein Muster 4, das den gewEnsqhten Metallstreifen
entspricht, gebildet, indem die Harzschicht sensibilisiert und die sensibilisierte
Harzschicht geätzt wird. Das Muster 4 ist in diesem Schritt als parallele Streifen
so gebildet, daß diese die gesamte Länge des Mehrschichtenstückes M in Querrichtung
überdecken, wie in den Fig. 5, 16 und 17 gezeigt ist. Wie in diesen Figuren gezeigt
ist, kann das Muster in geraden Linien, in gebogenen Linien, in abgewinkelten Linien
oder in irgendeiner anderen gewünschten Form ausgebildet sein.
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Schließlich werden aus dem Muster die Metallstreifen verhalten, die
dazu dienen, die beiden Seiten des Elementes kurzzuschließen, so daß das Hall-Potential
einheitlich wird. Wenn das Muster nur an den beiden Enden des Mehrschichtenstückes
M ausgebildet wird, werden die Metallstreifen die Anschlußelektroden. Nachdem das
Muster 4 auf-dem Mehrschichtenstück M ausgebildet ist, wird dieses geätzt, um die
dünne, metallische Schicht 2 entsprechend dem Muster zu entfernen und eine Vielzahl
von Metallstreifen 5, auf welchen das sensibilisierte Harz 3t bleibt, werden gebildet,
wie in Fig. 6 gezeigt ist, das heißt die Kurzschlußschienen und/oder
Anschlußelektroden
sind gebildet.
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Für diesen Schritt wird ein Oxydationsmittel, wie es zum Beispiel
inTab. 2 ausgeführt ist, als Ätzlösung verwendet und eine oxydierte Schicht 11 wird
auf der Oberfläche der Basis 1. gebildet, wie in Fig. 7 gezeigt ist.
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Tabelle 2
| Metall Ätzlösung Metall Ätzlösung |
| Cu NH3.H20 oderHNO3 In HN03 oder HC1 |
| Zn NH3.H20 oder NHO3 Pt Br2.H20 |
| |
| Se Conc.H2SO3 Ni H2SO4 |
| Te HNO3 |
In diesem Falle ist es erforderlich, eine Ätzlösung zu verwenden, die sowohl dazu
dient, die Basis 1'u oxydieren, als auch dazu, die dünne, metallische Schicht 2
aufzulösen. Die Ätzdauer beträgt gewöhnlich 2 bis 60 Sekunden.
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Bei diesem Schritt wird eine oxydierte Schicht 11 auf der Basis ausgebildet,
und das Ätzen der Basis wird daher durch die oxydierte Schicht beendet, die nur
bis zu dem Sättigungspunkt der Oxydation
fortschreitet.
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Schließlich wird das Halbleiterelement fertiggestellt, indem das sensibilisierte
Harz 31, das auf den Metallstreifen bleibt, mit einer später beschriebenen Einrichtung
zum Entfernen des lichtbeständigen Materiales entfernt wird.
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Die Erfindung, wie sie oben beschrieben wurde, hat folgende Vor teile.
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In dem in Fig. 6 geseigt-en Schritt wird die oxydierte Schicht ii
auf der Oberfläche der Basis 1' gebildet und das Ätzen des Halbleitermateriales
wird abgestoppt. Demgemäß wird wegen dev Ausbildung der oxydierten Schicht bis zum
Sättigungspunktver hindert, daß die Basis durch die Ätzlösung weiter geätzt wird,
und das Ätzen der dünnen, metallischen Schicht kann erleichtert werden und die Dicke
des Elementes kann einheitlich gemacht werden. Da die Metallstreifen auf der Basis
lt mit Hilfe eines Photoätzverfahrens gebildet werden, nachdem die Basis vollständig
mit der dünnen, metallischen Schicht 2 bedecirt wurde, können die Metallstreifen
nicht falsch ausgerichtet sein oder überstehen.
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Daher kann die Erzeugung von Ausschuß wirkungsvoll verhindert werden
und die Breite W der Metallstreifen kann genau kontrolliert werden, da die Form
der Metallstreifen durch das sensibilisierte Muster 4 bestimmt ist. Das Verfahren
in der in den Fig. 3 bis 7 beschriebenen Ausführungsform liefert eine sehr wirkungsvolle
Möglichkeit zur Herstellung der gewünschten Art von Metallstreifen.
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Mit Bezug auf die Fig. 8 bis 15 wird eine andere husSuErungsform der
Erfindung gezeigt, bei der eine Anzahl von Halbleiterelementen von einer Basis erhalten
wird.
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Die Fig. Ii bis 14 sind vergrößerte Ansichten des schnittes der Fig.
10, der durch die Linien X-X bezeichnet ist, um das Verständnis zu erleichtern
Diese
Ausführugsform des Verfahrens besteht aus einem ersten Schritt, bei dem eine Oberfläche
der Basis lt mit einem Metall beschichtet wird, wie in Fig. 8 zeigt ist, wobei die
Basis aus einer intermetallischen Verbindung, sie zum Beispiel InSb, InAs, GaAs
und GaP usw., gebildet ist, wobei die Große der Oberfläclle mehr als zweimal so
groß ist wie die der gewünschten Elemente, wodurch eine dünne, mctallisce Schicht
2 auf der gesanlteu Oberfläche der Basis gebildet wird. Im zweiten Schritt wird
eine empfindliche Harzschicht 3 gebildet, indem die gesamte Oberfläche der dünnen,
metallischen Schicht 2 mit dem empfindlichen Harz beschichtet wird, und ein Mehrschichtenstilck
M wird hergestellt, wie in Fig. 9 gezeigt ist. Im dritten Schritt wird die Oberfläche
der empfindlichen Harz schicht vorläufig in eine Vielzahl von Oberflächen 6 geteilt,
die jeweils der Form eines Elementes entsprechen, sensibilisiert und geätzt, um
eine Vielzahl von Mustern 4 zu erhalten, die jeweils einer Gruppe von Metallstreifen
entsprechen, die auf der entsprechenden Oberfläche 6 ausgebildet sind, wie in Fig.
10 gezeigt ist. Im vierten Schritt wird die metallische Schicht 2 des Mehrschichtenstückes
M mit der in Tabelle 2 gezeigten Ätzlösung geätzt, die das Material der Basis 1'
nach dem dritten Schritt oxydieren kann, Metallstreifen 5, wie in Fig. 11 gezeigt
ist, das heißt die Kurzschlußschienen und Anschlußelektroden, werden gebildet und
die oxydierte Schicht 11, ähnlich der oxydierten Schicht, die in Fig. 7 gezeigt
ist, wird auf der Oberfläche der Basis 1' durch die Ätzlösung gebildet. Im fünften
Schritt wind die gesamte Oberfläche des Mehrschichtenætückes M, welches durch Ätzen
behandelt wurde, nocheinmal mit empfindlichem Harz beschichtet, wie in Fig. 12 gezeigt
ist, wobei die empfindliche Schicht 7 gebildet wird, wie in Fig. 15 gezeigt ist.
Im sechsten Schritt werden Muster 8 durch Photoätzen gebildet, die die sensibilisierte
Harzschicht 7' in derselben Form wie die Halbleiterelemente enthalten, wie in Fig.
13 gezeigt ist. Im siebten Schritt wird das Mehrschichtenstück, auf welchem nach
dem sechsten Schritt die sensibilisierten Muster ausgebildet sind, wieder mit der
in Tabelle 3 gezeigten Xtzlösung geätzt, welche dazu dient, die Basis 1' dünner
zu machen, und die Basis 1 f wird in die Muster geteilt, wie in Fig. 14 gezeigt
ist, und auf diese Weise
wird eine Vielzahl von Mehrschichtenhalbleiterelementen
D erhalten, die mit inneren Metallstreifen versehen sind.
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Tabelle 3
| Halbleiter Ätzlösung |
| InSb HF.HNO3.H2O;HF.H2O2.H20; |
| HNO3.HF.CH3COOH oder HNO3HCl |
| 3 |
| InAs HF-HE03 oder H202.HF |
| GaAs HC1.HNO3.H2O;H2O2.NaOH oder |
| HNO3.H2O.AgNO3 |
| GaP HCl.HNO3*H2O oder HNO3.HF.Br2.CH3COOH |
Im achten Schrittwird die sensibilisierte Harzschicht 7' auf den Halbleiterelementen
D einschließlich des sensibilisierten Harzes 3', das auf den Metallstreifen bleibt,
durch mechanische oder chemische Mittel entfernt. (Die mechanischen Mittel umfassen
Abdeckschichtentferner, die Hochfrequenzbrennen verwenden, und die chemischen Mittel
umfassen Abdeckschichtverdünner, Gemische von Schwefelsäure und oberflächenaktiven
Mitteln, wobei die oberflächenaktiven Mittel, die verwendet werden, Styrolsulfonatbasen,
Kationenbasen, Anionenbasen oder amphotere Basen sind.) Im neunten Schritt wird
das Substrat, auf welchem eine Anzahl von Halbleiterelementen gebildet ist, geschnitten
und in einzelne Haibleiterelemente durch mechanische Mittel, wie zum Beispiel Mikroanreißnadeln,
getrennt.
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Die Behandlungen können bei dem obigen Verfahren folgendermaßen durchgeführt
werden: Die Basis wird in eine Anzahl von Halbleiterelementen durch den fünften,
sechsten und siebten Schritt
nach dem ersten Schritt geteilt. Nachdem
die empfindliche Harzschicht 7' auf jedem Element mit Hilfe der im achten Schritt
beschriebenen Mittel entfernt ist, werden Metallstreifen nach den zweiten, dritten
und vierten Schritten hergestellt. Der sensibilisierte Harz 3' auf jedem Streifen
wird mit Hilfe der im achten Schritt beschriebenen Mittel entfernt und das Substrat
kann in Halbleiterelemente wie im neunten Schritt geteilt werden.
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Erfindungsgemäß können andere Metallstreifen auf der anderen Oberfläche
des Halbleiterelementes mit Hilfe derselben beschriebenen Schritte ausgebildet werden,
wie in Fig. 18 gezeigt ist.
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In diesem Falle werden Metallstreifen auf der chemisch behandelten
Oberfläche eines Plättchens durch die in den Schritten 1 bis 4 beschriebenen Maßnahmen
gebildet, bevor das Plättchen von dem vorläufigen Substrat entfernt wird. Das Plättchen
wird mit der Oberseite nach unten gedreht, nachdem das sensibiliserte Harz entfernt
ist und wird auf dem Substrat befestigt.
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Das oben beschriebene erfindungsgemäße Verfahren ist in folgender
Hinsicht vorteilhaft. Eihe Anzahl von Halbleiterelementen D, auf welchen Metallstreifen
ausgebildet sind, kann gleichzeitig erhalten werden und eine Massenherstellung mit
geringen Kosten ist möglich.
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Da eine Basis 1' mit großer Oberfläche verwendet wird, ist sie bei
jedem Schritt des Verfahrens einfach zu handhaben. Eine Anzahl von Elementen D wird
erhalten, indem ein Mehrschichtenstück M geteilt wird, und daher sind die Charakteristiken
der geteilten Elemente D einheitlich.
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Da das erfindungsgemäße Verfahren die oben beschriebenen Vorteile
aufweist, ist dieses Verfahren für die Herstellung von solchen Halbleiterelementen
sehr wirtschaftlich, für die ein ständig wachsender Bedarf besteht.