DE2120891A1 - Verfahren zum Herstellen beliebig langer Hohlkörper aus Halbleitermaterial, insbesondere aus Silicium - Google Patents

Verfahren zum Herstellen beliebig langer Hohlkörper aus Halbleitermaterial, insbesondere aus Silicium

Info

Publication number
DE2120891A1
DE2120891A1 DE19712120891 DE2120891A DE2120891A1 DE 2120891 A1 DE2120891 A1 DE 2120891A1 DE 19712120891 DE19712120891 DE 19712120891 DE 2120891 A DE2120891 A DE 2120891A DE 2120891 A1 DE2120891 A1 DE 2120891A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
welding
hollow bodies
silicon
semiconductor material
carried out
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19712120891
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Wolfgang Dr. 8551 Pretzfeld Keller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19712120891 priority Critical patent/DE2120891A1/de
Priority to BE778659A priority patent/BE778659A/xx
Priority to CH206272A priority patent/CH536656A/de
Priority to NL7201952A priority patent/NL7201952A/xx
Priority to GB1379572A priority patent/GB1345126A/en
Priority to IT7327/72A priority patent/IT959424B/it
Priority to DD162589A priority patent/DD96850A5/xx
Priority to FR7215001A priority patent/FR2135185A1/fr
Publication of DE2120891A1 publication Critical patent/DE2120891A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K9/00—Arc welding or cutting
    • B23K9/23—Arc welding or cutting taking account of the properties of the materials to be welded
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K10/00—Welding or cutting by means of a plasma
    • B23K10/02—Plasma welding
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K15/00—Electron-beam welding or cutting
    • B23K15/04—Electron-beam welding or cutting for welding annular seams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)
DE19712120891 1971-04-28 1971-04-28 Verfahren zum Herstellen beliebig langer Hohlkörper aus Halbleitermaterial, insbesondere aus Silicium Pending DE2120891A1 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19712120891 DE2120891A1 (de) 1971-04-28 1971-04-28 Verfahren zum Herstellen beliebig langer Hohlkörper aus Halbleitermaterial, insbesondere aus Silicium
BE778659A BE778659A (fr) 1971-04-28 1972-01-28 Procede de fabrication de corps creux de longueur quelconque enmatiere semi-conductrice, en particulier en silicium
CH206272A CH536656A (de) 1971-04-28 1972-02-14 Verfahren zum Herstellen beliebig langer Hohlkörper aus Halbleitermaterial, insbesondere aus Silicium
NL7201952A NL7201952A (en:Method) 1971-04-28 1972-02-15
GB1379572A GB1345126A (en) 1971-04-28 1972-03-24 Production of hollow bodies of semi-conductor material
IT7327/72A IT959424B (it) 1971-04-28 1972-04-21 Procedimento per preparare corpi a cavita di lunghezza a piacere costituiti da un materiale semi conduttore specie da silicio
DD162589A DD96850A5 (en:Method) 1971-04-28 1972-04-26
FR7215001A FR2135185A1 (en:Method) 1971-04-28 1972-04-27

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19712120891 DE2120891A1 (de) 1971-04-28 1971-04-28 Verfahren zum Herstellen beliebig langer Hohlkörper aus Halbleitermaterial, insbesondere aus Silicium

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2120891A1 true DE2120891A1 (de) 1972-11-09

Family

ID=5806245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19712120891 Pending DE2120891A1 (de) 1971-04-28 1971-04-28 Verfahren zum Herstellen beliebig langer Hohlkörper aus Halbleitermaterial, insbesondere aus Silicium

Country Status (8)

Country Link
BE (1) BE778659A (en:Method)
CH (1) CH536656A (en:Method)
DD (1) DD96850A5 (en:Method)
DE (1) DE2120891A1 (en:Method)
FR (1) FR2135185A1 (en:Method)
GB (1) GB1345126A (en:Method)
IT (1) IT959424B (en:Method)
NL (1) NL7201952A (en:Method)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106270975A (zh) * 2016-08-29 2017-01-04 张家港华日法兰有限公司 一种管材的焊接工艺

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2475574B (en) * 2010-04-16 2011-12-21 Rapid Heat Systems Ltd Method and apparatus for preheating in welding operations
FI20175456A7 (fi) 2017-05-19 2018-11-20 Primoceler Oy Menetelmä ja laitteisto hermeettisen tyhjiöliitoksen valmistamiseksi matalassa lämpötilassa
CN112548493A (zh) * 2020-11-17 2021-03-26 西安飞机工业（集团）有限责任公司 一种高强度钢非正圆管状拉杆结构件的加工方法
CN117680807B (zh) * 2024-02-02 2024-04-16 潍坊市连庆封头制造有限公司 一种压力容器抽真空焊接装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106270975A (zh) * 2016-08-29 2017-01-04 张家港华日法兰有限公司 一种管材的焊接工艺

Also Published As

Publication number Publication date
DD96850A5 (en:Method) 1973-04-12
BE778659A (fr) 1972-05-16
GB1345126A (en) 1974-01-30
CH536656A (de) 1973-05-15
FR2135185A1 (en:Method) 1972-12-15
NL7201952A (en:Method) 1972-10-31
IT959424B (it) 1973-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3544812C2 (en:Method)
DE1933690C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines mindestens bereichsweise einkristallinen Films auf einem Substrat
DE2945177A1 (de) Kombinierte, feinfokussierende, regelmaessige mikrolinsenanordnung und mikrodeflektoranordnung fuer fliegenaugenartige elektronenstrahlroehren und verfahren zu deren herstellung
DE2654063A1 (de) Verfahren zum herstellen eines bandes aus polykristallinem halbleitermaterial
DE10353540A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von röhrenförmigen Bauteilen
DE2718273A1 (de) Verfahren zum vakuum-abdichten eines vakuum-gegenstandes
DE69219114T2 (de) Verfahren zur behandlung einer mit radionukliden kontaminierten oberflaeche
DE2120891A1 (de) Verfahren zum Herstellen beliebig langer Hohlkörper aus Halbleitermaterial, insbesondere aus Silicium
EP1200976B1 (de) Herstellungsverfahren für eine gasentladungslampe
DE2220086A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Aufbringung von dünnen Schichten
DE2157695A1 (de) Verfahren zur Herstellung von vakuumdichten Leitungsdurchführungen in einer Dewar-Einrichtung
EP0307608A1 (de) Anordnung zur Durchführung eines Ausheilprozesses an einer Halbleiterscheibe und Verfahren zum Ausheilen einer Halbleiterscheibe
DE1769405B2 (de) Verfahren zur herstellung von einkristallen aus schmelzbaren stoffen
DE1063774B (de) Verfahren zum Verbinden eines eine metallische Oberflaeche aufweisenden Gegenstandesmit einem aus glasartigem Werkstoff bestehenden Koerper und danach hergestellter Glasgegenstand
DE4111876C2 (de) Verfahren zum Fügen von Metallteilen mit einem Energiestrahl
DE3306984A1 (de) Supraleitender generator mit waermestrahlungsabschirmung
DE69626741T2 (de) Linearstrahl-Mikrowellenröhre mit einer planaren Kaltkathode als Elektronenstrahlquelle
DE4236538A1 (de) Gekapselte Funkenstrecke
DE2837750A1 (de) Verfahhren zum herstellen von halbleiterbauelementen
DE2743641A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum herstellen von amorphen halbleitervorrichtungen
EP0348748A1 (de) Verfahren zum stoffschlüssigen Verbinden von Werkstücken grosser Abmessungen aus siliciuminfiltriertem Siliciumcarbid und Vorrichtung zu dessen Durchführung
DE19825635C1 (de) Verfahren zur Herstellung polykristalliner Siliciumdünnschichten für mikroelektronische Bauelemente, insbesondere Dünnschichttransistoren, auf Glassubstraten
DE2717264A1 (de) Verfahren zum abdichten einer bildverstaerkerroehre und nach diesem verfahren erhaltene bildverstaerkerroehre
DE1917016C (de) Verfahren zur Herstellung von Hohlkörpern aus Halbleitermaterial
DE2008783C3 (de) Verfahren zum Zusammenbau einer Röntgenröhre