DE2116289C3 - Rasterelektronenmikroskop - Google Patents
RasterelektronenmikroskopInfo
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 16
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 claims 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
Description
Die Erfindung befaßt sich mit einem Elektronenmikroskop nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs.
Ein derartiges Elektronenmikroskop ist aus »Proceedings twentyseventh annual meeting, Electron Microscopy
Society of America«, 1969, Seiten 84—85, bekannt. Bei diesem bekannten Elektronenmikroskop werden
sowohl Durchstrahlungsrasterbilder als auch Rasterbilder aus den von der Probenoberfläche rückgestreuten
Elektronen, welche von einem dicht bei der Probe angeordneten Detektor empfangen werden, hergestellt.
Bei diesem bekannten Elektronenmikroskop ist jedoch die Möglichkeit, ein Sekundärelektronenbild zu erzeugen,
nicht angesprochen. Das Sekundärelektronenbild besitzt eine bedeutend höhere Auflösung als das aus den
rückgestreuten Elektronen gewonnene Bild.
Bei dem aus der GB-PS 1128107 bekannten
Elektronenmikroskop ist zwar eine Möglichkeit zur Erzeugung eines Rasterbildes aus den Sekundärelektronen
vorhanden, jedoch benötigt man hierzu zusätzliche Einrichtungen, um die Sekundärelektronen in den
Bereich des zum Einfangen der Sekundärelektronen vorhandenen Detektors zu bringen. Diese zusätzlichen
Einrichtungen können als negativ geladenes Gitter ausgebildet sein, das unmittelbar über der Probenoberfläche
angeordnet ist und welches die Sekundäreiektronen in Richtung zum Detektor hin senkrecht zur
Einfallsrichtung des Primärelektronenstrahls ablenkt. Diese zusätzlichen Einrichtungen können alternativ
auch als unmittelbar über der Probenoberfläche angeordnete Beschleunigungseiektrode, welche mit
einer zusätzlichen in Richtung auf den Detektor hingebogenen Spule zusammenwirkt, ausgebildet sein.
Die zusätzliche Spule erstreckt sich dabei zunächst in der Richtung der optischen Achse und ist aus dieser in
Richtung auf den Detektor hingebogen. Dadurch wird die Anordnung der für die Abrasterung benötigten
Ablenkspulen in der Nähe der Objektivlinse bzw. in der Nähe der Probe behindert
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Elektronenmikroskop der eingangs genannten Art zu schaffen, bei dem
ohne zusätzliche Ablenkmittel die für die Erzeugung eines Sekundärelektronenbildes zu erfassenden Elektronen
dem dafür vorgesehenen Detektor zugeführt werden können.
ίο Diese Aufgabe wird durch die im Kennzeichen des
Patentanspruchs angegebenen Merkmale gelöst
Geeignete, mit einer Saugelektrode versehene Detektoren sind beispielsweise aus der Veröffentlichung
P. R. Thornton, »Scanning Electron Microscopy«, 1968, veröffentlicht durch Chapman and Hall Ltd, 11
New Fetter Lane, London E. C: 4, Seiten 19 bis 22 bekannt
Bei Elektronenmikroskopen der im Oberbegriff des Patentanspruchs angegebenen Art wird der auftreffen-
2υ de Elektronenstrahl mit Hilfe des Vorfeldes fokussiert,
ehe er auf das Objekt auftrifft. Auf diese Weise werden Sekundärelektronen von dem Objekt ausgelöst. Da die
Energie der Sekundärelektronen gering ist, werden die Sekundärelektronen von dem magnetischen Vorfeld
spiralförmig um die optische Achse fokussiert und bei der Erfindung oberhalb der Ablenkeinrichtung aus der
optischen Achse »herausgenommen«. Aut diese Weise lassen sicii die Sekundärelektronen mit hohem Wirkungsgrad
auffangen.
Das Nachfeld (d. h., der unterhalb des Objekts
befindliche Teil des Magnetfeldes) fokussiert den Strahl, der das Objekt durchdringt, wie bei dem eingangs
genannten bekannten Elektronenmikroskop. Auf diese Weise kann mit dem gleichen Elektronenmikroskop
j5 sowohl ein Sekundärelektronen-Bild als auch ein
normales Durchstrahlungs-Bild erzeugt werden.
Ein Vorteil der Erfindung besteht darin, daß ein Sekundärelektronen-Bild höherer Auflösung erzeugt
werden kann als mit Hilfe von rückgestreuten Elektronen erzielbar ist.
Anhand der Zeichnungen werden Ausführungsbeispiele der Erfindung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 ein Elektronenmikroskop, bei dem das zu untersuchende Objekt in einem von einer Objektivlinse
erzeugten magnetischen Feld angeordnet ist,
F i g. 2 und 3 weitere Ausführungsbeispiele der bei der Erfindung verwendeten Objektivlinse und
F i g. 4 die Magnetfeldverteilung der Objektivlinse.
Bei dem in F i g. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel wird
F i g. 4 die Magnetfeldverteilung der Objektivlinse.
Bei dem in F i g. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel wird
so von einer Elektronenquelle 1 ein Elektronenstrahl erzeugt, der durch eine Sammellinse 2 verläuft. Eine in
der Sammellinse 2 angeordnete Spule 3 wird von einer Energiequelle 4 mit Erregerstrom versorgt, wodurch
der Elektronenstrahl von dem von der Sammellinse 2 erzeugten Magnetfeld fokussiert werden kann. Der
fokussierte Elektronenstrahl wird dann von einem Magnetfeld, das von einer Ablenkeinrichtung 5 erzeugt
wird, abgelenkt und einem Objekt 6 zugeführt. Das Objekt 6 befindet sich in einem Magnetfeld, das von
einer Objektivlinse 7 hoher Erregung erzeugt wird. Ein Abtastsignal wird von einem Signalgenerator 13 an die
Ablenkeinrichtung 5 abgegeben, so daß der auftreffende Elektronenstrahl die Oberfläche des Objekts 6 abtastet.
Durch den »Beschüß« des auftreffenden Elektronen-Strahls
werden Sekundärelektronen von dem Objekt ausgelöst. Da sich ferner das Vorfeld der Objektivlinse 7
bis zum oberen Teil der Ablenkeinrichtung 5 erstreckt, werden die Sekundärelektronen spiralförmig um die
elektronenoptische Achse nach oben fokussiert Die Sekundärelektronen werden schließlich von einem
Detektor 8 aufgefangen und an eine Anzeigevorrichtung 12 abgegeben. Um sicherzustellen, daß die
Sekundärelektronen vom Detektor aufgefangen werden, muß an den Detektor eine positive Spannung
angelegt werden.
Gleichzeitig werden die Elektronen, die das Objekt durchdringen, von einem Detektor 9, etwa in Form eines
Faraday-Käfigs, aufgefangen. Von den Ausgangssägnaien
der beiden Detektoren 8 und 9 wird mit Hilfe eines Schalters 10 jeweils eines ausgewählt, wobei das
gewählte Signal über einen Verstärker 11 der Anzeigevorrichtung 12 zugeführt wird. Das vom
Signalgenerator 13 erzeugte Abtastsignal wird einer Ablenkeinrichtung 14 zugeführt, die Teil der Anzeigevorrichtung
12 ist Wenn das vom Detektor 8 erzeugte Signal an die Anzeigevorrichtung abgegeben wird, wird
somit das Sekundärelektronen-Bild erzeugt. Wenn dagegen das vom Detektor 9 erzeugte Signal an die
Anzeigevorrichtung 12 abgegeben wird, wird das Durchstrahlungselektronen-Bild erzeugt
Da bei dieser Anordnung das Objekt 6 in der Objektivlinse 7 angeordnet ist, wird der auftreffende
Elektronenstrahl nicht von elektrischen und magnetischen Störungen aus der Umgebung beeinflußt Da
ferner eine Magnetlinse hoher Erregung verwendet wird, werden sowohl die chromatischen wie auch
sphärischen Aberrationsfehler beträchtlich verringert. Der Strahlfleck des auftreffenden Elektronenstrahls ist
somit sehr fein, und es wird ein Elektronenbild hoher Auflösung erzeugt.
Eine veränderliche Energiequelle 16 versorgt die Spule 15 der Objektivlinse 7 mit Erregerstrom. Der
Elektronenstrahl wird von der Sammellinse 2 fokussiert und von der Ablenkeinrichtung 5 abgelenkt und trifft auf
das Objekt 6 auf.
Die Sekundärelektronen werden dem Detektor 8 zugeführt, der im Abstand zu der Elektronenstrahlachse
angeordnet ist Der Detektor 8 besteht aus einem geerdeten Gehäuse, einem Photovervielfacher, einer
Lichtröhre 44, einer Elektrode 45, an die eine positive Spannung angelegt wird, und einem fluoreszierenden
Schirm 46. Die Sekundärelektronen treffen auf dem fluoreszierenden Schirm 46 auf und werden in
Lichtsignale umgewandelt. Diese Signale durchlaufen die Lichtröhre 44 und werden von dem Photovervielfacher
aufgefangen. Das Ausgangssignal des Detektors 8 wird der Kathodenstrahlröhre 12 zugeführt.
Die Linsenstärke ω der Objektivlinse, läßt sich wie
folgt ausdrücken:
8 IR0 V
Hierin bedeutet e die elektrische Ladung, 5b den
maximalen Wert des axialen Magnetfeldes, d die Halbwertbreite des axialen Magnetfeldes, im die Masse
des Elektrons und V die Beschleunigungsspannung. Bei einem Ausführungsbeispiel ist ω gleich 2 oder mehr. Die
Fig.4 zeigt die Magnetfeldverteilung, die von der Objektivlinse 7 bei starker Erregung erzeugt wird. Die
Ablenkeinrichtung ist hier nicht dargestellt Das Objekt 6 wird im Bereich der maximalen Feldstärke angeordnet
Ein Magnetfeld H\ vor dem Objekt 6 wirkt als die erste Linse und ein Magnetfeld ffe hinter dem Objekt
wirkt als zweite Linse. Auf diese Weise läßt sich sowohl ein Sekundärelektronen-Bild wie auch ein Durchstrahlungselektronen-Bild
erzeugen.
Wie in F i g. 2 gezeigt, befindet sich der Detektor 8 oberhalb der Ablenkeinrichtung. Da sich das magnetische
Vorfeld bis zum oberen Teil der Ablenkeinrichtung 5 erstreckt, werden die Elektronen von dem Feld längs
der optischen Achse erneut fokussiert und von dem Detektor 8 aufgefangen, selbst wenn die Sekundärelektronen
abgelenkt werden. Der Vorteil dieser Anordnung besteht darin, daß die Ablenkeinrichtung näher bei
der Objektivlinse, die mit einem zwei Magnetpole 62 und 63 aufweisenden Polstück 61 ausgestattet ist,
angeordnet werden kann, wodurch die durch die Ablenkung erzeugte Aberration des Elektronenstrahls
auf ein Minimum beschränkt und eine hohe Auflösung erzielt werden kann. Ferner ist es möglich, den
Beobachtungsbereich des Objekts zu vergrößern und ohne Schwierigkeiten Befestigungseinrichtungen (beispielsweise
für Heiz- und Kühlvorrichtungen für das Objekt) vorzusehen.
F i g. 3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel des Rasterelektronenmikroskops. Hier ist die Ablenkvorrichtung
5 zum Ablenken des auftreffenden Elektronenstrahls am oberen Teil des Magnetpols 62 der
Objektivlinse 7 befestigt. Ein bewegbares Bauteil 65, das einen Objekthalter 66 trägt, ist mittels Kugeln 64 auf der
Objektivlinse gelagert Der Detektor 8, der in der Objektkammer 67 angeordnet ist, fängt die aus dem
Objekthalter 66 austretenden Sekundärelektronen auf. Die Sammellinse 68 ist an der Oberseite der
Objektkammer 67 angebracht.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Elektronenmikroskop zur Erzeugung eines Rastermikroskopbildes aus den von der bestrahlten Objektoberfläche rückemittierten Elektronen und eines Durchstrahlungsbildes mit einer Elektronenquelle, einer Ablenkeinrichtung zum Ablenken des von der Elektronenquelle erzeugten, auf das Objekt gerichteten Primärelektronenstrahls, einem oberhalb der bestrahlten Objektoberfläche angeordneten Elektronendetektor und mit einer Objektivlinse, in welcher das Objekt angeordnet ist, und welche zur Fokussierung des Primärelektronenstrahls ein magnetisches Vorfeld und zur Fokussierung des durch das Objekt hindurchgetretenen Elektronenstrahls ein magnetisches Nachfeld erzeugt, dadurch gekennzeichnet, daß das magnetische Vorfeld (H\) der Objektivlinse (7) zum Fokussieren der Sekundärelektronen um die optische Achse sich bis zum oberen Teil der Ablenkeinrichtung (5) erstreckt und der mit einer Absaugelektrode (45) versehene Detektor (8) für die Sekundärelektronen oberhalb der Ablenkeinrichtung (5) angeordnet ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP45033284A JPS4936496B1 (de) | 1970-04-18 | 1970-04-18 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2116289A1 DE2116289A1 (de) | 1971-11-11 |
DE2116289B2 DE2116289B2 (de) | 1974-05-09 |
DE2116289C3 true DE2116289C3 (de) | 1982-04-01 |
Family
ID=12382218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2116289A Expired DE2116289C3 (de) | 1970-04-18 | 1971-04-02 | Rasterelektronenmikroskop |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3717761A (de) |
JP (1) | JPS4936496B1 (de) |
DE (1) | DE2116289C3 (de) |
GB (1) | GB1308839A (de) |
NL (1) | NL147883B (de) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU521225B2 (en) * | 1977-04-19 | 1982-03-25 | Delalande S.A. | Alkylenedioxy phenyl derivatives |
NL175245C (nl) * | 1977-05-26 | 1984-10-01 | Philips Nv | Elektronenmicroscoop met hulplens en elektromagnetische lens hiervoor. |
JPS5842935B2 (ja) * | 1978-04-07 | 1983-09-22 | 日本電子株式会社 | 走査電子顕微鏡等の対物レンズ |
JPS57118357A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-23 | Jeol Ltd | Objective lens for scan type electron microscope |
DE3138926A1 (de) * | 1981-09-30 | 1983-04-14 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektronenoptische anordnung fuer die hochaufloesende elektronenstrahl-messtechnik |
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US4544846A (en) * | 1983-06-28 | 1985-10-01 | International Business Machines Corporation | Variable axis immersion lens electron beam projection system |
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JPS60212953A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-25 | Hitachi Ltd | 電子線装置 |
JPS60220541A (ja) * | 1984-04-17 | 1985-11-05 | Jeol Ltd | 透過電子顕微鏡 |
FR2584234B1 (fr) * | 1985-06-28 | 1988-12-09 | Cameca | Testeur de circuit integre a faisceau d'electrons |
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US4962306A (en) * | 1989-12-04 | 1990-10-09 | Intenational Business Machines Corporation | Magnetically filtered low loss scanning electron microscopy |
JP4200104B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2008-12-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1128107A (en) * | 1965-06-23 | 1968-09-25 | Hitachi Ltd | Scanning electron microscope |
-
1970
- 1970-04-18 JP JP45033284A patent/JPS4936496B1/ja active Pending
-
1971
- 1971-03-08 NL NL717103034A patent/NL147883B/xx not_active IP Right Cessation
- 1971-04-02 DE DE2116289A patent/DE2116289C3/de not_active Expired
- 1971-04-14 US US00133894A patent/US3717761A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-04-19 GB GB2731271*A patent/GB1308839A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2116289A1 (de) | 1971-11-11 |
DE2116289B2 (de) | 1974-05-09 |
NL7103034A (de) | 1971-10-20 |
NL147883B (nl) | 1975-11-17 |
JPS4936496B1 (de) | 1974-10-01 |
GB1308839A (en) | 1973-03-07 |
US3717761A (en) | 1973-02-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |