DE2111089A1 - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterschaltelementes - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterschaltelementes

Info

Publication number
DE2111089A1
DE2111089A1 DE19712111089 DE2111089A DE2111089A1 DE 2111089 A1 DE2111089 A1 DE 2111089A1 DE 19712111089 DE19712111089 DE 19712111089 DE 2111089 A DE2111089 A DE 2111089A DE 2111089 A1 DE2111089 A1 DE 2111089A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
epitaxial layer
layer
metal layer
metal
recess
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19712111089
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Driver Michael C
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Westinghouse Electric Corp
Original Assignee
Westinghouse Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Westinghouse Electric Corp filed Critical Westinghouse Electric Corp
Publication of DE2111089A1 publication Critical patent/DE2111089A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body (electrodes)
    • H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body (electrodes) consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
DE19712111089 1970-03-10 1971-03-09 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterschaltelementes Pending DE2111089A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US1822670A 1970-03-10 1970-03-10
US4510470A 1970-06-09 1970-06-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2111089A1 true DE2111089A1 (de) 1971-09-23

Family

ID=26690878

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19712111089 Pending DE2111089A1 (de) 1970-03-10 1971-03-09 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterschaltelementes

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPS5040947B1 (enExample)
DE (1) DE2111089A1 (enExample)
FR (1) FR2081829B1 (enExample)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2321797C3 (de) * 1973-04-30 1981-12-17 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Sperrschicht-Feldeffekttransistor
FR2339956A1 (fr) * 1976-01-30 1977-08-26 Thomson Csf Procede de realisation de contacts " metal-semiconducteur " a grande densite d'injection, et dispositifs obtenus par ledit procede
JPS5459536A (en) * 1977-10-20 1979-05-14 Toyosha Co Ltd Lubricating device of engine
JPS56135719A (en) * 1980-03-26 1981-10-23 Toyota Motor Corp Supplying device for lubrication oil for bearing part of turbocharger
JPS61149789U (enExample) * 1985-03-08 1986-09-16
JPS61149739U (enExample) * 1985-03-08 1986-09-16
JPS623116A (ja) * 1985-06-28 1987-01-09 Hino Motors Ltd オイルフイルタ

Also Published As

Publication number Publication date
FR2081829B1 (enExample) 1977-01-28
JPS5040947B1 (enExample) 1975-12-27
FR2081829A1 (enExample) 1971-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1764056C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE1614283C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung
DE2640525C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer MIS-Halbleiterschaltungsanordnung
DE1903961C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP0239652B1 (de) Verfahren zum Herstellen einer monolithisch integrierten Schaltung mit mindestens einem bipolaren Planartransistor
DE2212049C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung eines Transistors
DE2214935C2 (de) Integrierte MOS-Schaltung
DE2954481C2 (de) Leistungs-mosfet-anordnung.
DE68912482T2 (de) Dünnfilm-Transistoren, ihre Verfahren zur Herstellung und Anzeigeeinrichtung, die mit solchen Transistoren hergestellt sind.
DE2646308C3 (de) Verfahren zum Herstellen nahe beieinander liegender elektrisch leitender Schichten
DE2312413B2 (de) Verfahren zur herstellung eines matrixschaltkreises
DE4013643A1 (de) Bipolartransistor mit isolierter steuerelektrode und verfahren zu seiner herstellung
DE69505348T2 (de) Hochspannungs-MOSFET mit Feldplatten-Elektrode und Verfahren zur Herstellung
DE69420944T2 (de) Halbleitervorrichtung und herstellungsverfahren
DE69226223T2 (de) Kontaktausrichtung für Festwertspeicher
DE2453279C3 (de) Halbleiteranordnung
DE3240162A1 (de) Selbstjustierter leistungs-mosfet mit integralem source-basis-kurzschluss und verfahren zum herstellen derselben
DE1564829B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors
DE2111089A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterschaltelementes
DE3226097C2 (enExample)
DE3119137A1 (de) Halbleiter und verfahren zu deren herstellung
DE69215956T2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Kontakts auf einem Halbleiterbauelement
DE3003911C2 (de) Halbleiterschaltungsanordnung mit einem Halbleiterwiderstand
DE69422252T2 (de) Halbleiteranordnung mit einem Halbleiterelement ausgestaltet in einer Mesastruktur
DE3789003T2 (de) Statische Induktionstransistoren mit isoliertem Gatter in einer eingeschnittenen Stufe und Verfahren zu deren Herstellung.

Legal Events

Date Code Title Description
OHA Expiration of time for request for examination