DE2104300A1 - Halbleiter-Einrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Halbleiter-Einrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

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wafer
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Sumio Kodaira Tokio Nishida (Japan). M
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Hitachi Ltd
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    • H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
    • H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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