DE2058921C3 - Kathodenzerstäubungsvorrichtung - Google Patents
KathodenzerstäubungsvorrichtungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung
zum Aufbringen von Schichten auf Trägerelemente innerhalb eines vorzugsweise mit
ίο Edelgas gefüllten Zerstäubungsgefäßes, in dessen einem
Teil mittels eines hochfrequenten elektromagnetischen Feldes ein Ringentladungsplasma erzeugbar ist, dessen
Ionen zum Abstäuben von schichtbildendem Material einer Kathodenanordnung dienen, und bei der die
Trägerelemente in einem an den Plasmaerzeugungsraum angrenzenden Aufstäubraum des Zerstäubungsgefäßes
mit ihren zu bestäubenden Oberflächen der zum Aufstäubraum hin geöffneten Kathodenanordnung
flach zugewandt angeordnet sind.
Eine solche Kathodenzerstäubungsvorrichtung ist bereits bekannt (DT-AS 11 22 801). wobei dort durch die
induktive Einkopplung einer Hochfrequenz und die dadurch erzeugte Ringentladung im Plasmaraum eine
hohe Ionisierung erreicht wird. Dabei ist dort die
Plasmaerzeugung getrennt von der Abstäubspannung, welche als Gleichspannung an der Kathode anliegt. Die
Kathodenspannung kann also unabhängig von der Plasmaerzeugung variiert werden. Da die Ringentladung
eine effektivere Ionisierung bringt, kann dort ein
wesentlich niedrigerer Gasdruck gegenüber anderen Verfahren gewählt werden; damit sind dort auch
weniger Schadgase vorhanden, so daß reinere Schichten entstehen. Nachteilig bei dieser bekannten Anordnung
ist allerdings noch, daß immer noch ein relativ geringer
Anteil der erzeugten Ionen tatsächlich zur Kathode gelangt, und daß auch von den abgestäubten Kathodenatomen
ein Teil an den Wänden des Zerstäubungsgefäßes verloren geht.
Ditser Nachteil wird auch bei einer Anordnung nicht behoben, die in der DT-OS 18 07 097 beschrieben ist. Abgesehen davon, daß dort die Plasmaerzeugung kapazitiv durch Anlegen einer Hochfrequenzspannung an zwei einander gegenüberliegenden Elektrodenplatten erfolgt und damit weniger effektiv ist als bei der
Ditser Nachteil wird auch bei einer Anordnung nicht behoben, die in der DT-OS 18 07 097 beschrieben ist. Abgesehen davon, daß dort die Plasmaerzeugung kapazitiv durch Anlegen einer Hochfrequenzspannung an zwei einander gegenüberliegenden Elektrodenplatten erfolgt und damit weniger effektiv ist als bei der
vorstehend beschriebenen Anordnung, ist auch hierbei keine optimale Ausnutzung der erzeugten Ionen und der
abgestäubten Atome möglich. Dies ist auch nicht beabsichtigt, da es bei dieser Vorrichtung im wesentlichen
darum geht, einen sehr dünnen, sehr feinen Überzug auf die geschärften Metalloberflächen von
Rasiermessern aufzubringen. Zwar sind bei dieser Zerstäubungseinnchtung zwei flache Elektrodenplatten
derart zueinander angeordnet, daß sie an einem Ende eine Spitze und gegenüber der Spitze eine öffnung
bilden, doch können seitlich von diesen beiden flachen Platten Ionen und abgestäubte Atome entweichen. In
der von den beiden Elektrodenplatten gebildeten öffnung sind die Rasiermesser mit ihren Kanten
angeordnet, welche nur einen geringen Teil der abgestäubten Atome auffangen können, während der
größere Teil an ihnen vorbei verlorengeht.
Auch die in der DT-OS 19 60 641 beschriebene Hochfrequenz-Zerstäubungseinrichtung verwendet
eine kiipazitive Einkopplung der Hochfrequenz über die
abzustäubenden Elektrodenplatten.
Auch dort ist also keine von der Plasmaerzeugung unabhängige Regelung der Abstäubspannung möglich.
Im übrigen ist die geometrische Anordnung der zwei
,ohjna Target-Elektroden nicht geeignet, sehr große
Schichten auf ein Werkstück in entsprechend kurzer Zeit aufzustäuben.
Auch die Legierungsbildung durch Verwendung mehrerer unterschiedlicher Kathoden ist bereits belannt
(DT-PS 5 42404); doch ist bei der dortigen ringförmigen Kathodenanordnung jeweils eine Abschirmung
zwischen den Kathoden erforderlich, um eine gegenseitige Bestäubung der Platten zu verhindern.
Somit geht auch dort ein erheblicher Antei" des abgestäubten Materials verloren.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einer Kathodenzerstäubungsvorrichtung der eingangs genannten
Art höhere Aufstäubraten konstant über. größere Flächen zu erhalten. Diese Aufgabe wird
erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Kathodenanordnung den Plasmaerzeugungsraum umschließt und
etwa trichterförmig ausgebildet ist
Dadurch ergibt sich vorteihafterweise eine gute Ausnutzung des abgestäubten Materiis und die
Kathode bifdet aufgrund ihrer Form und Anordnung
eine verhältnismäßig große Fläche, so daß auch entsprechend viel Material abgestäubt werden kann. Ein
anderer Vorteil besteht darin, daß sich die Anode relativ klein ausführen und in der engen Trichteröffnung der
Kathode anordnen läßt, ohne daß zwischen beiden ein freier Raum verbleibt, durch den abgestäubtes Material
verlorengeht. Der Anode gegenüber sind vorteilhafterweise Trägerelemente großer Fläche oder in größerer
Anzahl zur Bestäubung angeordnet; da sich ihnen gegenüber die Kathode weit öffnet, haben die Ionen
jeweils nur kurze Wege zur Kathodenoberfläche und die abgestäubten Kathodenatome fliegen direkt auf die
Trägerelemente, ohne daß sie zwischendurch an irgendwelchen Wänden des Zerstäubungsgefäßes verlorengehen
könnten.
Zweckmäßigerweise besitzt die Kathode eine symmetrische Form und entspricht der Mantelfläche eines
Kegel- oder Pyramidenstumpfes. In einer vorteilhaften Ausführungsform weist die Kathodenanordnung mehrere
Abschnitte unterschiedlicher Materialzusammensetzung auf: denn dadurch können legierte Schichten
aufgestäubt werden. In Verbindung mit der Trichterform der Kathodenanordnung besteht hier vorteilhafterweise
sehr viel weniger die Gefahr eines gegenseitigen Bestäubens der Kathodenabschnitte und aufgrund
der Kathodenneigung wird der jeweils größte Teil des abgestäubten Materials direkt auf die Trägerelemente
gelenkt.
Vorteile ergeben sich auch, wenn die Abschnitte der Kathodenanordnung voneinander isoliert sind; denn
(Jurch Anlegen unterschiedlicher Spannunger zwischen
der Anode und den einzelnen Kathodenabschnitten läßt lieh eine Variierung des Legierungsverhältnisses erreichen
und dadurch, daß die Spannung für jeden einzelnen der genannten Kathodenabschnitte kontinuierlich verändert
wird, ist vorteilhafterweise mit wachsender Schichtdicke jeweils ein nahtloser Übergang in immer
neue Schichtzusammensetzungen möglich.
Zweckmäßig ist es auch, wenn das Edelgas mit einem chemisch aktiven Gas vermischt ist, und zwar in solchen
Fällen, in denen die Bildung von Oxydschichten auf den Trägerelementen oder der Einbau von Molekülen des
Füllgases in die aufgestäubten Schichten zur Erhöhung der Härte von Metallschichten erwünscht ist. Dieser
Effekt, der zunächst als unerwünschte Nebenerscheinung mit jedem Füllgas auftritt, kann vorteilhafterweise
durch Anlegen einer negativen Spannung an die Trägerelemente gesteigert und auch gesteuert werden.
Weitere Vorteile etgeben sieh auch dadurch, daß die Temperatur der Trägerelemente durch spezielle Heiz-
und Kühlvorrichtungen einstellbar ist, sowie dadurch,
daß im Aufstäubraum eine zur Kathode koaxiale und vorzugsweise gegen diese verdrehbare Aufhängerplatte
angeordnet ist. Eine vorteilhafte Weiterbildung der beschriebenen Vorrichtung besteht darin, daß das
Zerstäubungsgefäß mehrere Plasmaräume mit jeweils unterschiedlichen Kathodenmaterialien aufweist, und
daß die Trägerelemente im Aufstäubraum gleichzeitig oder nacheinander mit unterschiedlichen Schichten
bestäubbar sind.
Eine Steigerung der Ionisierung im Plasmaraum läßt sich vorteilhafterweise durch ein statisches Magnetfeld
erzielen, dessen Achse senkrecht zum Hochfrequenzfeld steht und das durch eine seitlich angeordnete Spule
erzeugt wird.
Im folgenden sind Ausführungsbeispiele der Erfindung
anhand der F i g. 1 bis 3 näher erläutert Es zeigen
F i g. 1 eine perspektivische Darstellung der beschriebenen Kathodenzerstäubungsvorrichtung im Schnitt,
F i g. 2 eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung der beschriebenen Art mit zwei parallelgeschalteten Kathoden,
Fig.3 eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung mit
zwei in Serie geschalteten Kathoden.
Das Kathodenzerstäuben zur Herstellung von Schichten, beispielsweise für elektrische Schaltkontakte,
ist seit langem bekannt. Dieses Verfahren beruht auf dem Impulsaustausch zwischen beschleunigten Ionen
eines Füllgasplasmas in einem Vakuumrezipienten und den Atomen des Kathodenmaterials. Gegenübci dem
üblichen Aufdampfen von Metallschichten besitzt es den Vorteil, daß die abgestäubten Atome mit einer sehr
hohen Energie auf das Trägerelement auftreffen und deshalb wesentlich besser haften. Außerdem können mit
dieser Methode auch sehr hoch schmelzende Metalle aufgebracht werden. Demgegenüber steht als Nachteil
eine gewisse Verunreinigung der aufgestäubten Schichten durch Einlagerung von Füllgasatomen. Eine
wirtschaftliche Anwendung des Verfahrens für die Herstellung von dickeren Schichten (>10μΐη)
scheiterte bis jetzt aber vor allem an den geringen Aufstäubraten, die man pro Zeiteinheit erreichen
konnte. Man war deshalb schon immer bestrebt, das Füllgas — im allgemeinen Argon — bei möglichst
geringem Druck möglichst hoch zu ionisieren.
Es ist zwar auch möglich, durch Vergrößern der Gleichspannung zwischen Anode und Kathode die
Energie der Gasionen zu erhöhen und damit die Zahl der abgestäubten Kathodenatome zu vergrößern, die
damit erzielte Verbesserung rechtfertigt aber nicht die großen technischen Schwierigkeiten, die durch Verwendung
hoher Gleichspannungen bedingt werden.
Ein wesentlicher Grund für die geringen erzielbaren Schichtdicken bei bekannten Zerstäubungsanlagen liegt
darin, daß ein Großteil des abgestäubten Kathodenmaterials an der Anode bzw. an den Wänden des
Zerstäubungsgefäßes verlorengeht. Darüber hinaus hat es sich gezeigt, daß die Flächen von Anode und Kathode
auf den aus dem Plasma zu ziehenden Strom und auf die Ionisierung einen starken Einfluß ausüben. Um eine
möglichst große Ladungsträgerdichte in HF-Plasr.;en zu erreichen, ist es zweckmäßig, eine möglichst große
Kathodenfläche einer möglichst kleinen \nodenfläche gegenüberzustellen.
In der F i g. 1 ist der grundsätzliche Aufbau der
beschriebenen Vorrichtung dargestellt. Das Zerstäubungsgefäß 1, das funktionsmäßig in einen Plasmaraum
la und einen Aufstäubraum \b unterteilt ist, wird durch die öffnung 2 evakuiert und mit einem Füllgas versorgt,
dessen Arbeitsdruck konstant gehalten wird. Dieses Füllgas — normalerweise Argon — wird im Plasmaraum
la durch die Hochfrequenzspule 3 ionisiert, die außen um die Glaswand 4 des Plasmaraums 1 a gelegt ist.
Verstärkt wird die Ionisierung noch durch eine zusätzliche Spule 5, die seitlich vom Plasmaraum
angeordnet ist und ein statisches Magnetfeld senkrecht zum Hochfrequenzfeld erzeugt. Innerhalb des Zerstäubungsgefäßes
ist der Plasmaraum von der Kathode 6 umgeben, die etwa die Form eines Kegelmantels mit
abgeschnittener Spitze besitzt. Die Mantelfläche ist außerdem durch Schlitze 7 unterbrochen, damit das
Hochfrequenzfeld der Spule 3 in den Plasmaraum innerhalb der Kathode eindringen kann. An der Spitze
des etwa kegelförmigen Plasmaraums ist eine scheibenförmige Anode 8 angeordnet, die flächenmäßig
wesentlich kleiner als die Kathode 6 ist und damit eine hohe lonendichte im Plasma ermöglicht. Kathode 6 und
Anode 8 sind gemeinsam über einen Isolierkörper 9 am Deckel 10 befestigt, der das Zerstäubungsgefäß nach
oben abschließt. 2S
Durch die Trennung von Plasmaraum und Aufstäubraum wird eine Störung der Ionenerzeugung durch die
zu bestäubenden Trägerelemente verhindert. Gleichzeitig gewinnt man im Aufstäubraum Platz für die
Anordnung von Drehmechanismen, Rotationstrommeln zur Bestäubung von Kleinteile u. dgl. Es ist dabei
vorteilhaft, die Trägerelemente möglichst nahe an die Kathode heranzubringen, um die Verluste an abgestäubtem
Kathodenmaterial möglichst klein zu halten.
Durch eine zwischen Anode 8 und Kathode 6 anliegende Gleichspannung werden die Ionen des
Füllgasplasmas auf die Kathode zu beschleunigt und stäuben das Kathodenmaterial ab. Dieses Abstäuben
beruht darauf, daß die Ionen durch den Stoß mit der Kathode ihre Energie an Atome des Kathodenmaterials
übertragen; als Folge eines vielfältigen Impulsaustausches werden dabei einzelne Atome aus dem Gitterverband
des Kathodenmaterials herausgeschossen. Die abgestäubten Atome fliegen dann durch den Gasraum,
wobei ihre Vorzugsrichtung durch die Neigung der Kathode bestimmt wird. Der größte Teil der abgestäubten
Atome gelangt aus dem Plasmaraum in den Aufstäubraum und schlägt sich dort auf einer Auffängerplatte
11 bzw. am daraufliegenden Trägerelement 12 nieder. -s°
Zur Herstellung von Legierungen können die einzelnen durch Schlitze getrennten Kathodenabschnitte
6 aus verschiedenen Materialien bestehen bzw. mit verschiedenen Materialien beschichtet sein. Durch
Anlegen verschiedener Spannungen an die einzelnen Kathodenabschnitte 6 gegenüber der Anode 8 kann das
Legierungsverhältnis in einem solchen Fall noch verändert werden, allerdings nur in einem engen
Bereich. Da sich die einzelnen Kathodenteile auch gegenseitig zustäuben, kann nämlich mit diesem
Legierungsverfahren nur bei nahezu gleichen Zusammensetzungsverhältnissen gearbeitet werden. Für die
Homogenität der Legierungen ist es weiterhin von Vorteil, wenn die Auffängerplatte 11 gegenüber der
Kathode 6 verdrehbar ist.
Eine Kathodenzerstäubungsvorrichtung, die speziell zur Herstellung der verschiedensten Legierungsverhältnisse
geeignet ist, wird in Fig. 2 dargestellt. Das Zerstäubungsgefäß 21 enthält wiederum einen Aufstäubraum
22, aber zwei getrennte Plasmaräume 23 und 24. Jeder dieser Plasmaräume besitzt eine Kathode 25.
eine Anode 26 und zur Ionenerzeugung eine eigne Hochfrequenzspule 27. Die Kathoden 25 der beiden
Plasmaräume bestehen aus verschiedenen Materialien, die beim Betrieb der Anlage gleichzeitig in den
gemeinsamen Aufstaubraum 22 abgestäubt werden und auf den Trägerelementen 28 Legierungsschichten
erzeugen. Diese Trägerelemente liegen auf einer Auffängerplatte 29, die zweckmäßigerweise eine rotierende
Bewegung ausführt Mit dieser Anordnung können Legierungen in beliebigem Verhältnis, natürlich
auch mit mehr als zwei verschiedenen Materialien, hergestellt werden, da sich die einzelnen Kathoden nicht
gegenseitig zustäuben können.
In der Fig. 3 ist eine weitere Anwendungsmöglichkeit dargestellt, durch die die Bildung von Mehrfachschichten
ermöglicht wird. Das Zerstäubungsgefäß 31 weist wiederum einen gemeinsamen Aufstäubraum 32
und zwei verschiedene Plasmaräume 33 und 34 auf. Die Plasmaräume besitzen wieder jeweils Kathoden 35 aus
verschiedenen Materialien, Anoden 36 und Hochfrequenzspulen 37. In diesem Fall sind aber die beiden
Plasmaräume in Reihe geschaltet Das bedeutet, daß das Trägerelement 38 zunächst vom Plasmaraum 33 mit
dem entsprechenden Kathodenmaterial bestäubt wird und dann durch eine geeignete Transportvorrichtung 39
unter den Plasmaraum 34 verbracht wird, wo dann eine zweite Schicht mit einem anderen Kathodenmaterial
aufgestäubt wird.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (11)
1. Kathodenzerstäubungsvorrichtung zum Aufbringen von Schichten auf Trägerelemente innerhalb
eines vorzugsweise mit Edelgas gefüllten Zerstäubungsgefäßes, in dessen einem Teil mittels
eines hochfrequenten elektromagnetischen Feldes ein Ringentladungsplasma erzeugbar ist, dessen
Ionen zum Abstauben von schichtbildendem Material einer Kathodenanordnung dienen, und bei der
die Trägerelemente in einem an den Plasmaerzeugungsraum angrenzenden Aufstäubraum des Zerstäubungsgefäßes
mit ihren zu bestäubenden Oberflächen der zum Aufstäubraum hin geöffneten Kathodenanordnung flach zugewandt angeordnet
sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Kathodenanordnung (6) den Plasmaetzeugungsiaum
(la) umschließt und etwa trichterförmig ausgebildet ist
2. Kathodenzerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Form der
Kathodenanordnung (6) der Mantelfläche eines Kegel- oder Pyramidenstumpfes entspricht.
3. Kathodenzerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
Kathodenanordnung (6) mehrere Abschnitte (25,35) unterschiedlicher Materialzusammensetzung aufweist.
4. Kathodenzerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Abschnitte
(25, 35) der Kathodenanordnung (6) elektrisch voneinander isoliert sind, und die jeweils an ihnen
anliegenden Spannungen gegenüber der Anode (8, 26,36) unabhängig voneinander veränderbar sind.
5. Kathodenzerstäubungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß
das Edelgas mit einem chemisch aktiven Gas vermischt ist.
6. Kathodenzerstäubungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß
an den Träge relementen (12, 28, 38) eine negative
Spannung anliegt.
7. Kathodenzerstäubungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß
die Temperatur der Trägerelemente (12, 28, 38) durch Heiz- bzw. Kühleinrichtungen einstellbar ist.
8. Kathodenzerstäubungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß
im Aufstäubraum (Ib) eine zur Kathodenanordnung
(6) koaxiale und vorzugsweise gegen diese verdrehbare Auffängerplatte (11,29) angeordnet ist.
9. Kathodenzerstäubungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnei, daß
das Zerstäubungsgefäß (21, 31) mehrere Plasnaerzeugungsräume (23, 24, 33, 34) mit jeweils
unterschiedlichen Kpthodenmaterialien aufweist.
10. Kathodenzerstäubungsvorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß dr Tragerelemente
(28) im Aufstäubraum (22) gleichzeitig bestäubbar sind, oder daß die mittels einer
Transporteinrichtung (39) im Aufstäubraum bewegbaren Trägerelemente (38) nacheinander mit unterschiedlichen
Schichten bestäubbar sind.
11. Kathodenzerstäubungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet,
daß seitlich vom Plasmaerzeugungsraum (la) eine Magnetspule (5) angeordnet ist, deren Achse
auf der Achse der Hochfrequenzspule (3) senkrecht steht
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