DE2047951B2 - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines HalbleiterbauelementesInfo
- Publication number
- DE2047951B2 DE2047951B2 DE19702047951 DE2047951A DE2047951B2 DE 2047951 B2 DE2047951 B2 DE 2047951B2 DE 19702047951 DE19702047951 DE 19702047951 DE 2047951 A DE2047951 A DE 2047951A DE 2047951 B2 DE2047951 B2 DE 2047951B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- vapor deposition
- insulation layer
- during
- deposition process
- sec
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes nach dem
Oberbegriff des Patentanspruches 1.
In integrierten Schaltkreisen werden bekanntlich Feldeffekttransistoren verwendet. Eine besondere Bauform
solcher Transistoren mit gegen die Halbleiterschicht elektrisch isolierter Steuerelektrode ist aus der
Literatur bekannt als »Metal-Insulator-Semiconductor
Field-Effect Transistor«. Die bekannteste Ausführung davon ist der Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor, der kurz MOS-FET genannt wird. Die Isolationsschicht zwischen der im allgemeinen metallischen
Steuerelektrode und dem leitenden Kanal zwischen den beiden Hauptelektroden, die nach ihrer
Funktion als Quellen- und Senkenelektrode bezeichnet werden, kann beispielsweise aus Siliziumdioxid SiO2
bestehen.
Zur Herstellung der Steuerelektrode wird eine Aluminiumschicht mit einer Dicke von etwa 300 nm auf
die Oxidschicht und das Halbleitermaterial in den s Fenstern im Vakuum aufgedampft Um eine gute
Haftung zu erhalten, wird der Halbleiterkörper während der Aufdampfung auf etwa 150° erhitzt
Die Erfindung beruht nun auf der Erkenntnis, daß während der Aufdampfung, insbesondere zu Beginn der
ίο Aufdampfung, chemische Umsetzungen an der Grenzfläche
stattfinden können. Diese Vorgänge können nicht nur die Haftung der Aluminiumschicht auf der
Unterlage während des späteren Betriebes, sondern darüber hinaus auch die elektrischen Eigenschaften des
is fertigen Bauelementes beeinträchtigen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, neben den mechanischen Eigenschaften des Bereiches der
Steuerelektrode vor allem die elektrischen Eigenschaften des Bauelementes zu verbessern. Diese Aufgabe
wird durch ein wie eingangs bereits erwähntes Verfahren gelöst, das durch die in dem kennzeichnenden
Teil des Patentanspruches 1 angegebenen Merkmale gekennzeichnet ist Es wurde nämlich erkannt daß die
elektrischen Eigenschaften des Baueienentes wesentlieh
bestimmt werden von dem an die Isolationsschicht angrenzenden Material der Metallschicht das zu Beginn
des Aufdampfprozesses auf die Isolationsschicht aufgetragen wird. Die hohe Aufdampfrate, insbesondere etwa
25 nm/sec, wird deshalb auch bei Beginn des Aufdampfprozesses
eingehalten.
Besonders vorteilhaft ist das Aufdampfen bei erhöhter Temperatur des Halbleiterkörpers von mehr
als 150° C. Die bekannte Erwärmung bis auf 150° C
bringt zwar eine verbesserte Haftung, nicht aber eine Verbesserung der elektrischen Eigenschaften des
Bauelementes, z. B. der Einsatzspannung. Dagegen erhält man mit einer Erwärmung auf vorzugsweise
mindestens 200° C, insbesondere etwa 250° C, nach der
Erfindung neben guter Haftfestigkeit auch eine verminderte Einsatzspannung und einen kleinen Sperrstrom.
Eine Temperatur von etwa 300°C sollte nicht wesentlich überschritten werden.
Das Verfahren nach der Erfindung kann vorzugsweise bei Bauelementen mit einer Aluminiumelektrode auf
einer Isolierschicht aus Siliziumdioxid angewendet werden.
Ferner ist das Herstellungsverfahren nicht nur für Feldeffekttransistoren, sondern bei allen Bauelementen
anwendbar, bei denen die Oberflächeneigenschaften der
so Elektroden sich auf die elektrischen Eigenschaften
auswirken, beispielsweise bei bipolaren Transistoren und Dioden.
Claims (5)
- Patentansprüche:U Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes mit einem Halbleiterkörper, der mit einer Elektrode aus aufgedampftem Aluminium versehen ist, die vom Halbleiterkörper durch eine Isolationsschicht getrennt ist, dadurch gekennzeichnet, daß zur Erzeugung sowohl einer guten Haftfestigkeit auf der Isolationsschicht als auch kleiner Sperrströme der pn-Obergänge die Aluminiumelektrode wenigstens annähernd gleichmäßig sowohl während des Beginns des Aufdampfprozesses als auch während des restlichen Aufdampfprozesses mit einer hohen Aufdampfrate von mindestens etwa 10 nm/sec. auf die Isolationsschicht aufgedampft wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Aufdampfrate von mindestens 20 nm/sec, insbesondere etwa 25 nm/sec, gewählt wird.
- 3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolationsschicht während des Aufdampfprozesses auf erhöhter Temperatur oberhalb 150° C gehalten wird.
- 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolationsschicht während der Abscheidung auf einer Temperatur oberhalb 200° C gehalten wird.
- 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolationsschicht während des Aufdampfprozesses auf einer Temperatur von etwa 250°Cgehalten wird.
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702047951 DE2047951C3 (de) | 1970-09-30 | 1970-09-30 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes |
| CH1159871A CH528820A (de) | 1970-09-30 | 1971-08-06 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes |
| NL7111383A NL7111383A (de) | 1970-09-30 | 1971-08-18 | |
| IT2913971A IT938833B (it) | 1970-09-30 | 1971-09-27 | Procedimento per la fabbricazione di un componente semiconduttore |
| BE773195A BE773195A (fr) | 1970-09-30 | 1971-09-28 | Procede de realisation d'un composant semiconducteur a trois electrode |
| LU63976D LU63976A1 (de) | 1970-09-30 | 1971-09-28 | |
| CA123855A CA922819A (en) | 1970-09-30 | 1971-09-28 | Method of producing a semiconductor component |
| FR7135096A FR2108115B1 (de) | 1970-09-30 | 1971-09-29 | |
| GB4567471A GB1320594A (en) | 1970-09-30 | 1971-09-30 | Manufacture of semi-conductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702047951 DE2047951C3 (de) | 1970-09-30 | 1970-09-30 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2047951A1 DE2047951A1 (de) | 1972-04-06 |
| DE2047951B2 true DE2047951B2 (de) | 1979-06-13 |
| DE2047951C3 DE2047951C3 (de) | 1980-02-14 |
Family
ID=5783733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19702047951 Expired DE2047951C3 (de) | 1970-09-30 | 1970-09-30 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| BE (1) | BE773195A (de) |
| CA (1) | CA922819A (de) |
| CH (1) | CH528820A (de) |
| DE (1) | DE2047951C3 (de) |
| FR (1) | FR2108115B1 (de) |
| GB (1) | GB1320594A (de) |
| IT (1) | IT938833B (de) |
| LU (1) | LU63976A1 (de) |
| NL (1) | NL7111383A (de) |
-
1970
- 1970-09-30 DE DE19702047951 patent/DE2047951C3/de not_active Expired
-
1971
- 1971-08-06 CH CH1159871A patent/CH528820A/de not_active IP Right Cessation
- 1971-08-18 NL NL7111383A patent/NL7111383A/xx unknown
- 1971-09-27 IT IT2913971A patent/IT938833B/it active
- 1971-09-28 LU LU63976D patent/LU63976A1/xx unknown
- 1971-09-28 BE BE773195A patent/BE773195A/xx unknown
- 1971-09-28 CA CA123855A patent/CA922819A/en not_active Expired
- 1971-09-29 FR FR7135096A patent/FR2108115B1/fr not_active Expired
- 1971-09-30 GB GB4567471A patent/GB1320594A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2047951A1 (de) | 1972-04-06 |
| CH528820A (de) | 1972-09-30 |
| FR2108115B1 (de) | 1977-04-22 |
| LU63976A1 (de) | 1972-03-01 |
| GB1320594A (en) | 1973-06-13 |
| DE2047951C3 (de) | 1980-02-14 |
| IT938833B (it) | 1973-02-10 |
| FR2108115A1 (de) | 1972-05-12 |
| CA922819A (en) | 1973-03-13 |
| NL7111383A (de) | 1972-04-05 |
| BE773195A (fr) | 1972-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2142146A1 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung | |
| DE1439754A1 (de) | Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE1910736B2 (de) | Verfahren zum herstellen von gegeneinander elektrisch isolierten, aus aluminium bestehenden leiterbahnen und anwendung des verfahrens | |
| DE2252832C2 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE2047951C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes | |
| DE102017201550A1 (de) | Siliciumcarbid-halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen einer siliciumcarbid-halbleitervorrichtung | |
| DE1923279A1 (de) | Transistor mit isolierter Steuerelektrode | |
| DE2039734A1 (de) | Verbessertes Metall-Isolator-Halbleiter-Bauelement | |
| DE1923265A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Transistors mit isolierter Steuerelektrode | |
| DE19721114B4 (de) | Verfahren zum Erzeugen einer Oxidschicht auf Siliciumcarbid und Verwendung des Verfahrens | |
| DE908043C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern, vorzugsweise solcher mit Leichtmetall-Traegerelektroden | |
| DE1614146A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
| DE2214384C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Thermokompressionskontaktes | |
| DE2216338A1 (de) | Feld-Effekt Transistor mit einer Gate-Elektrode aus Polysilizium mit geringem elektrischem Widerstand | |
| DE890102C (de) | Zuendeinrichtung fuer elektrische Entladungsgefaesse | |
| DE1764756A1 (de) | Duennschicht-Feldeffekt-Halbleiterbauelement | |
| DE2102919A1 (de) | Halbleiterbauelement mit verringerter Grenzflachenladung | |
| DE862198C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Trockengleichrichters | |
| DE1589900B2 (de) | Halbleiterbauelement mit oberflaechenschutzschicht und verfahren zu seiner herstellung | |
| DE739420C (de) | Keramischer Isolierkoerper | |
| DE1181822B (de) | Verfahren zur Herstellung von Selen-gleichrichtern | |
| DE1184423B (de) | Verfahren zum Herstellen einer Schutzschicht auf einem Halbleiterbauelement | |
| AT233674B (de) | Verfahren zum Herstellen eines stabilisierten Metallfilm-Widerstandes | |
| DE2021923A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors mit isolierter Steuerelektrode | |
| DE1958082C (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |