DE2039806B2 - Semiconductor component with pressure contacts - Google Patents

Semiconductor component with pressure contacts

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einem scheibenförmigen, mindestens einen pn-Übergang aufweisenden Halbleiterkörper, welcher »nter Zwischenschaltung duktiler Elektroden zwischen zwei Druckkontaktkörpern eingespannt ist. The invention relates to a semiconductor component with a disk-shaped semiconductor body which has at least one pn junction and which is clamped between two pressure contact bodies between two pressure contact bodies.

Zur großflächigen Kontaktierung von Aktivteilen von Halbleiter-Leistungsbauelementen werden üblicherweise Molybdän- oder Wolframscheiben verwendet Diese dienen gleichzeitig als Trägerplatten für die sehr spröden Halbleiterkörper. Molybdän oder Wolfram bieten den besten Kompromiß zwischen Wärmeleitvermögen, Leitfähigkeit und thermischen Ausdehnungskoeffizienten. Letzterer stimmt in etwa mit dem des Halbleitermaterial überein. Es wäre sonstFor large-area contacting of active parts of semiconductor power components Usually molybdenum or tungsten disks are used. These serve as carrier plates for the very brittle semiconductor bodies. Molybdenum or tungsten offer the best compromise between thermal conductivity, conductivity and thermal expansion coefficient. The latter roughly agrees that of the semiconductor material. Otherwise it would be nicht möglich, die Trägerplatten mit dem Halbleiterkörper staffschlüssig zu verbinden, was bislang zur Erzielung einer guten Wärmeabfuhr und wir guten elektrischen Stromleitung unumgänglich schien.it is not possible to connect the carrier plates with the semiconductor body in a permanent manner, which up to now seemed inevitable to achieve good heat dissipation and good electrical current conduction.

Die Verwendung von anlegierten Trägerplatten aus Molybdän oder Wolfram ist nachteilig Es bereitet Schwierigkeiten, derartige Scheiben mit dem Halbleiterkörper stoffschlüssig zu verbinden. Es ist allgemein bekannt, sowohl Halbleiterkörper,The use of alloyed support plates made of molybdenum or tungsten is disadvantageous Difficulties in materially joining such wafers to the semiconductor body. It is well known that both semiconductor bodies,

ίο als auch die Trägerplatten mit einer oder mehreren Metallschichten zu überziehen und die einzelnen Scheiben dann hart oder weich zu verlöten.ίο as well as the carrier plates with one or more To coat metal layers and then to solder the individual discs hard or soft.

Es wurden ferner Zwischenschichten, beispielsweise aus Aluminium, verwendet, welche sowohl mit demThere were also intermediate layers, for example made of aluminum, which is used with both the Halbleitermaterial, als auch mit dem Trägerplattenmaterial Legierungen bilden (DT-AS 1 210 489).Semiconductor material as well as alloys with the carrier plate material (DT-AS 1 210 489).

Die Träger- oder Kontaktplatten werden normalerweise auf Kühlvorrichtungen aufgesetzt, die auch der Stromabfuhr dienen. Diese bestehen meist aus KupferThe carrier or contact plates are usually placed on cooling devices, which is also the Serve current discharge. These are usually made of copper

so oder einer Kupferlegierung. Auf Grund der unter schiedlichen Ausdehnungskoeffizienten von Trägerplattenmaterial und dem der Kühlvorrichtungen ist man schon sehr früh zur Druckkontaktierung übergegangen. Diese erfordert keine stoffschlüssige Verbin-so or a copper alloy. Due to the under different expansion coefficients of carrier plate material and that of the cooling devices, pressure contacting was adopted very early on. This does not require a cohesive connection

a5 dung zwischen Trägerplatte und Kühlkörper und sichert bei hoher, den Halbleiterkörper nicht gefährdender Flächenpressung einen guten Strom- und Wärmeübergang. In letzterem Zusammenhang ist es bekannt, eine duktile Silberfolie zwischen Kühlkörper und Trägerplatte zu legen, die eine gleitfähige Anlage und damit eine gleichmäßige und gleichbleibende Flächenpressung sicherstellt (DT-AS 1210 489, DT-AS 1213 924).
Weiterhin hat man versucht, auch die stoffschlüssige Verbindung zwischen Halbleiterkörper und Trägerplatte zu vermeiden. Aus der US-PS 3 313 987 ist ein druck kontaktiertes Halbleiterbauelement bekannt, bei dem ein Halbleiterkörper unter Vermeidung von anlegierten oder angelöteten Trägerplatte unter Zwischen schaltung von duktilen Elektroden zwischen Druckkontaktkörpern eingespannt ist.a5 connection between carrier plate and heat sink and ensures good current and heat transfer at high surface pressure that does not endanger the semiconductor body. In the latter context, it is known to place a ductile silver foil between the heat sink and the carrier plate, which ensures a smooth contact and thus an even and constant surface pressure (DT-AS 1210 489, DT-AS 1213 924).
Attempts have also been made to avoid the integral connection between the semiconductor body and the carrier plate. From US Pat. No. 3,313,987 a pressure-contacted semiconductor component is known in which a semiconductor body is clamped between pressure contact bodies while avoiding alloyed or soldered-on carrier plates with the interposition of ductile electrodes.

Bei der praktischen Ausführung derartiger Elemente treten jedoch eine Reihe von Schwierigkeiten auf. Es hat sich nämlich gezeigt, daß es ganz wesentlich auf die Art der Einspannung des Halbleiterkörpers ankommt. Die in der vorgenannten Patentschrift angegebene Ausbildung der Druckkontaktkörper konnte deshalb nicht zum Erfolg führen, weil der Halbleiterkörper sowohl im Ruhezustand als auch und erst, recht bei voller elektrischer und thermischer Belastung den dabei auftietenden inhomogenen Flächenpressungen nicht gewachsen ist. Beide Stirnflächen werden unterschiedlich belastet, die dabei auftretenden Kräfte führen zur Zerstörung des Halbleiterkörpers.However, a number of difficulties arise in the practical implementation of such elements. It it has been shown that it depends very much on the type of clamping of the semiconductor body. The design of the pressure contact body specified in the aforementioned patent specification could therefore do not lead to success, because the semiconductor body both in the idle state and even more so at full electrical and thermal stress the resulting inhomogeneous surface pressures has not grown. Both faces become different loaded, the resulting forces lead to the destruction of the semiconductor body.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ausgehend vom vorbeschriebenen bekannten Gegenstand ein betriebssicherers druckkontaktiertes Halbleiterbauelement zu schaffen.
Die Lösung besteht in dem im vorstehenden An spruch 1 gekennzeichneten Merkmalen. The invention is based on the object of creating an operationally reliable pressure-contacted semiconductor component based on the known subject matter described above.
The solution consists in the features characterized in claim 1 above.

Erst durch die Vereinigung dieser Merkmale gelangt man zu einem direkt druckkontaktierten Halbleiterbauelement, das selbst extrem hohen thermischen und elektrischen Belastungen standhält Die für Wärme-Only through the combination of these features one arrives at a directly pressure-contacted semiconductor component, which itself has extremely high thermal and withstands electrical loads. und Stromübergang ausschlaggebende Größe Einspannkraft kann nun ohne Rücksichtnahme auf die mechanischen Eigenschaften des Halbleitermaterials frei gewählt werden. Durch die napfförmige Ausbildungand current transfer, the decisive variable clamping force can now be released regardless of the mechanical properties of the semiconductor material to get voted. Due to the cup-shaped training

der duktilen Elektroden wird die Drucksymmetrie sozusagen von vornherein gewährleistet.of the ductile electrodes, the pressure symmetry is guaranteed from the outset, so to speak.

Da die beiden Druckkontaktkörper gleiche Durchmesser aufweisen, ist eine symmetrische mechanische Belastung der Halbleiterscheibe sichergestellt Cs las- S sen sich zum Kontaktieren höhere Drücke anwenden, ohne daß eine Brachgefahr zu befürchten istSince the two pressure contact bodies have the same diameter, a symmetrical mechanical one Loading of the semiconductor wafer ensured Cs las- S higher pressures can be used for contacting without fear of the risk of breakage

Wenn die Kontakt- oder Trägerplatte auf der einen Seite der Halbleiterscheibe mit einem Schlitz od. dgl. versehen wird, um beispielsweise den Anschluß zur Steuerelektrode des Halbleiterbauelementes herzustellen bzw. einzulegen, so sollte mindestens rlie Napf elektrode auf der anderen Seite der Halbleiterscheibe ebenfalls mit einem solchen Schlitz versehen sein, und zwar ebenfalls der Drucksymmetrie wegen.If the contact or carrier plate on one side of the semiconductor wafer with a slot or the like. is provided, for example, to establish or insert the connection to the control electrode of the semiconductor component, at least one cup electrode should be on the other side of the semiconductor wafer also be provided with such a slot, also because of the pressure symmetry.

Die napfförmigen Elektroden werden zweckmäßigerweise aus Silber hergestellt und sollen mindestens 0.05 nun dick sein.The cup-shaped electrodes are expediently made of silver and should at least 0.05 should now be thick.

Es ist zwar wie vorbeschrieben bekannt, bei Druckkontakten dünne Zwischenschichten aus Silber zu ver- ao wenden. Sie liegen dort aber zwischen einer Träger- oder Kontaktplatte aus Molybdän oder Wolfram und einer Druckkontaktelektrode oder zwischen der mit einer Legierungsschicht aus Gold-Antimon-Folie versehenen Halbleiterscheibe und der Komaktplatte. Die Träger- oder Kontaktplatten können bei vorliegender Erfindung zwar aus Wolfram, Molybdän oder Tantal hergestellt werden. Zweckmäßiger ist es, die Trägeroder Kontaktplatten aus hartem Kupfer oder einer harten Kupferlegierung herzustellen, weil dadurch die Wärmeabfuhr aus der Halbleiterscheibe besser wird und die Scheibe elektrisch stärker belastet werden kann. As described above, it is known to use thin intermediate layers of silver for pressure contacts. They are there, however, between a carrier or contact plate made of molybdenum or tungsten and a pressure contact electrode or between the semiconductor wafer provided with an alloy layer made of gold-antimony foil and the compact plate. In the present invention, the carrier or contact plates can be made of tungsten, molybdenum or tantalum. It is more expedient to manufacture the carrier or contact plates from hard copper or a hard copper alloy, because this improves the dissipation of heat from the semiconductor wafer and the wafer can be subjected to greater electrical loads.

Man kann den Halbleiterkörper noch nach geeigneter Vorbehandlung, z. B. Vernickelung, vergolden und die Kontakt- oder Trägerplatten mit Hartmetallschichten versehen.You can still use the semiconductor body after suitable pretreatment, for. B. nickel plating, gilding and the contact or carrier plates are provided with hard metal layers.

Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung siht vor, die Elektroden am Halbleiterkörper mittels eines haftfesten, elastischen Kunststoffes zu befestigen. Auf diese Weise wird der Zusammenbau des Elementes wesentlich vereinfacht. Überraschenderweise bringt dieses Vorgehen einen weiteren, nicht ohne weiteres vorhersehbaren Effekt mit sich. Wird aus irgendeinem Grunde, z. B. im Rahmen einer Fertigungskontrolle, die Dnickkontaktverbindung gelöst und der Halbleiterkörper gegenüber den Elektroden und/oder den Druckkontaktkörpern verdreht wieder eingebaut, so zeigte sich in vielen Fällen, das Element sich in seinen elektrischen und thermischen Eigenschaften verändert, im allgemeinen verschlechtert, hatte. Die Ursache für dieses Verhalten ist in folgendem zu sehen:An advantageous development of the invention provides that the electrodes on the semiconductor body by means of a to attach adhesive, elastic plastic. In this way the assembly of the element becomes essential simplified. Surprisingly, this approach results in a further, not readily predictable one Effect with itself. If for some reason, e.g. B. as part of a production control that Thick contact connection released and the semiconductor body Installed again twisted in relation to the electrodes and / or the pressure contact bodies, so showed in many cases, the element changes in its electrical and thermal properties, in general worsened, had. The reason for this behavior can be seen in the following:

Beim Anlegen der Einspannkraft erleiden die Elektroden — sie sind meist aus Silber gefertigt — eine Veränderung. Sie passen sich den mit ihnen in Beruhrung stehenden Flächen an — dies ist letztlich ihre Aufgabe — und verhärten sich, verlieren also die Eigenschaft duktil zu sein. Damit können sie nach dem Umspannen nicht mehr ihre Aufgabe erfüllen. Dieser Tatsache begegnet nun die Erfindung, indem sie die Elektroden von vornherein mit dem Halbleiterkörper verbindet Der haftfeste und elastische Kunststoff behindert dabei nicht eventuell auftretende Relativbewegungen zwischen Halbleiterkörper und Elektroden, welche durch die unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten von Halbleitermaterial und dem der Elektroden verursacht werden.When the clamping force is applied, the electrodes - they are usually made of silver - undergo a change. They adapt to the surfaces in contact with them - this is ultimately their job - and harden, so they lose the property of being ductile. This means that they can no longer fulfill their task after reclamping. This fact now meets the invention by connecting the electrodes from the outset with the semiconductor body, the adhesive strength and elastic plastic may not be hindered thereby occurring relative movements between the semiconductor body and electrodes which are caused by the different expansion coefficients of semiconductor material and the electrode.

Besondere Merkmale und Ausführungsformen der Erfindung wer Jen nachstehend an Hand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert Special features and embodiments of the invention who Jen explained in more detail below with reference to an embodiment shown in the drawing

Es zeigt F i g. 1 ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemöß kontaktierten Halbleiterbauelements. Zur Verdeutlichung ist dabei die sogenannte Exprosionsdarstellung gewählt;It shows F i g. 1 shows an exemplary embodiment of a semiconductor component with which contact is made according to the invention. To the The so-called Exprosionsdarstellung is chosen for clarification;

F i g. 2 «igt eine Seitenansicht des Elements;F i g. Figure 2 shows a side view of the element; F i g. 3 eine DraufsichtF i g. 3 is a plan view

Die Darstellungen sind nicht maßstäblich, Elektroden und Halbleiterkörper sind, wie üblich, übertrieben dick eingezeichnetThe illustrations are not to scale, electrodes and semiconductor bodies are, as usual, drawn in exaggeratedly thick

In F i g. 1 ist mit t ein Halbleiterkörper bezeichnet Dieser kann aus Silizium oder Germanium bestehen. Er weist einen oder mehrere pn-ÜbergäBge auf und kann beispielsweise der Aktivteil eines Thyristors sein. Der Rand des Halbleiterkörpers 1 ist in bekannter Weise doppelt abgeschrägt, um die Durchschlagfestigkeit zu erhöhen. 2 und 3 bedeuten zwei napfförmige Elektroden, deren hochgebogene Ränder den Stirnflächen des Halbleiterkörpers 1 abgewandt sind. Diese Elektroden sind aus Silberblech gefertigt, dessen Dicke mindestens 0,05 mm betragen sollte. Mn > kann aber auch ein anderes duktiles Material verwenden, das die notwendige elektrische und thermische Leitfähigkeit aufweist. An die Elektroden 2 und 3 schließen sich als Druckkontaktkörper 4, 5 dienende Metallscheiben an. Diese müssen die notwendige Härte aufweisen, um als Druckwiderlager für die Elektroden bzw. den Halbleiterkörper dienen zu können. Ihr Ausdehnungskoeffizient braucht dagegen nicht mit dem des Halbleitermaterials und/oder dem der Elektroden übereinstimmen, da erfindungsgemäß eine stoffschlüssige Verbindung nicht erfolgt. Es ist lediglich erforderlich, daß diese Metailscheiben 4 und 5 bei radialer Ausdehnung gegenüber dem Material der Elektroden 2,3 gleiten können. Um die Gleiteigenschaften der genannten Druckpartner bei hohen Einspanndrucken zu verbessern, können die Metallscheiber! 4, 5 hartverchromt oder vernickelt werden, gegebenenfalls poliert werden. In Fig. 1, t denotes a semiconductor body. This can consist of silicon or germanium. It has one or more pn junctions and can, for example, be the active part of a thyristor. The edge of the semiconductor body 1 is bevelled twice in a known manner in order to increase the dielectric strength. 2 and 3 denote two cup-shaped electrodes, the upturned edges of which face away from the end faces of the semiconductor body 1. These electrodes are made of silver sheet, the thickness of which should be at least 0.05 mm. Mn > can, however, also use another ductile material that has the necessary electrical and thermal conductivity. Metal disks serving as pressure contact bodies 4, 5 adjoin the electrodes 2 and 3. These must have the necessary hardness in order to be able to serve as pressure abutments for the electrodes or the semiconductor body. On the other hand, their coefficient of expansion does not have to match that of the semiconductor material and / or that of the electrodes, since according to the invention there is no material connection. It is only necessary that these metal disks 4 and 5 can slide with respect to the material of the electrodes 2, 3 when they expand radially. The metal discs! 4, 5 are hard chrome-plated or nickel-plated, if necessary polished.

Die Metallscheiben 4 und 5 können — aber brauchen nicht— aus Molybdän, Wolfram oder Tantal bestehen. Vorteilhaft ist es, hierfür Metalle oder Metallegierungen mit einem guten thermischen und elektrischen Leitvermögen zu verwenden Beispiele hierfür sind Hartkupfer oder Kupfeirlegierungen.The metal disks 4 and 5 can - but need not - consist of molybdenum, tungsten or tantalum. It is advantageous to use metals or metal alloys with good thermal and electrical properties for this purpose Conductivity to use Examples of this are hard copper or copper alloys.

Die im Ausführungsbeispiel als Metallscheiben 4 und 5 ausgebildeten Druckkontaktkörper weisen gleiche Durchmesser ihrer dem Halbleiterkörper 1 zugewandten Stirnfäden auf. Auf diese Weise wird der Halbleiterkörper symmetrisch belastet, sofern natürlich beide Druckkontaktkörper symmetrisch zur Mittelachse des Halbleiterkörper angreifen. Allgemein gilt, daß bei beliebig gestalteten Druckkontaktkörpern deren dem Halbleiterkörper zugewandten Stirnflächen symmetrisch zu einer Mittellinie liegende Druckflächen aufweisen sollen.The pressure contact bodies, which are designed as metal disks 4 and 5 in the exemplary embodiment, are identical Diameter of their end threads facing the semiconductor body 1. In this way, the semiconductor body symmetrically loaded, provided that both pressure contact bodies are of course symmetrical to the central axis attack the semiconductor body. The general rule is that with any designed pressure contact bodies their dem Semiconductor body facing end faces have symmetrical to a center line lying pressure surfaces should.

Die F i g. 2 zeigt das Halbleiterbauelement im zu sammengesetzten Zustand. In dieser Form kann es in ein übliches Druckkontaktgehäuse, was nicht weiter dargestellt ist, eingebaut werden. Vorzugsweise kann es den Aktivteil sogenannter Scheibenzellen bilden. Die Elektroden 2 und 3 sind mittels eines Siliconkautschuks 10 am Halbleiterkörper fixiert. Die Druckkontaktkörper 4 und 5 sind lose in die Elektroden 2 und 3 eingelegt. Ihre radiale Lage wird durch den Rand der Elektroden festgelegt. Aus diesem Grunde muß bei der Befestigung der Elektroden auf dem Halbleiterkörper 1The F i g. 2 shows the semiconductor component in the assembled state. In this form it can be in a conventional pressure contact housing, which is not shown further, can be installed. Preferably it can form the active part of so-called disc cells. the Electrodes 2 and 3 are fixed to the semiconductor body by means of a silicone rubber 10. The pressure contact body 4 and 5 are loosely inserted into electrodes 2 and 3. Their radial position is determined by the edge of the electrodes set. For this reason, when mounting the electrodes on the semiconductor body 1

beachtet werden, daß diese symmetrisch zur Achse des Halbleiterkörpers 1 zu liegen kommen. Dies läßt sich jedoch in einfacher Weise bewerkstelligen.it must be ensured that these come to lie symmetrically to the axis of the semiconductor body 1. This can be but can be done in a simple manner.

Zur Verbesserung des thermischen und elektrischen Überganges zwischen Halbleiterkörper 1 und Elektroden 2 bzw. 3 können die Kontaktflächen desselben metallisiert werden (nicht eingezeichnet). Diese Metallschichten bestehen aus einer dünnen Nickelauflage, welche dann vergoldet wird.To improve the thermal and electrical transition between the semiconductor body 1 and electrodes 2 or 3, the contact surfaces of the same can be metallized (not shown). These metal layers consist of a thin layer of nickel, which is then gilded.

Die Kontaktierung des Halbleiterkörpers 1 wird also erfindungsgemäß so durchgeführt, daß zwischen dem Halbleiterkörper 1 und Anschlußelektroden — abgesehen von den Metallisierungen des Halbleiterkörpers — keine stoffschlüssigen Verbindungen mehr erforderlich sind. Hieraus ergeben sich die eingangs aufgeführten VorteiletThe contacting of the semiconductor body 1 is carried out according to the invention so that between the Semiconductor body 1 and connection electrodes - apart from the metallizations of the semiconductor body - no more cohesive connections are required. This results in the ones listed at the beginning Benefits

Man braucht auf die unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten der in Druckkontakt stehenden Flächen keine Rücksicht mehr nehmen, die genannten Teile können bei Erwärmung gegenseitig glei-You no longer need to consider the different thermal expansion coefficients of the surfaces in pressure contact, the parts mentioned can be mutually equal when heated.

ten, wie es auch bei bisher üblichen Druckkontakten der Fall ist, da auf die Verwendung von Wolfram, Molybdän, Tantal als Trägerplattiinmaterial verzichtet werden kann, können die Driickkontaktkörper aus Materialien mit gutem thermischen und elektrischen Leitvermögen gefertigt werden, was neben der höheren Belastbarkeit eine wirtschaftlichere Herstellung mit sich bringt, es ist nicht mehr erforderlich, den fertig hergestellten Halbleiterkörper zur Kontaktierung einer nachträglichen Wärmebehandlung zu unterwerfen, die mit Lot- oder Legierungsschritten immer verbunden ist, so daß Verspannüngen im System vermieden werden.As is also the case with pressure contacts that have been customary up to now, since the use of tungsten, molybdenum and tantalum as carrier plate material is dispensed with can be, the push contact body can be made of materials with good thermal and electrical Conductivity are manufactured, which in addition to the higher load capacity, a more economical production with brings itself, it is no longer necessary, the finished semiconductor body for contacting a subject to subsequent heat treatment, which is always associated with soldering or alloying steps, so that tension in the system is avoided.

Schließlich sei noch auf einen besonderen Vorteil der erfindungsgemäßen Kontaktierung hingewiesen. Durch Wogfall einlegierter Schichten lassen sich sogenannte volldiffundierte Systeme, welche mit eingesinterten Kontaktschichten versehen sind, erfindungsgemäß kontaktieren. Hierdurch lassen sich in vielen Fällen erhebliche Verbesserungen im Verhalten der Bauelemente selbst erreichen.Finally, a particular advantage of the contacting according to the invention should be pointed out. By Wogfall of alloyed layers can be so-called fully diffused systems, which are sintered in Contact layers are provided, contact according to the invention. In many cases, this allows considerable improvements in the behavior of the components achieve yourself.

Hierzu 2 Blatt ZeichnungenFor this purpose 2 sheets of drawings

Claims (8)

Patentansprache:Patent address: 1. Halbleiterbauelement mit einem scheibenförmigen, mindestens einen pn-übergang aufweisenden Halbleiterkörper, welcher unter Zwischenschaltung duktiler Elektroden zwischen zwei Druckkontaktkörpern eingespannt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Druckkontaktkörper (4,5) auf ihren der Halbleiterscheibe (t) zugewandten Stirnflächen symmetrisch zu einer Mittellinie liegende Druckflächen aufweisen, daß die duktilen Elektroden (2, 3) napfförmig ausgebildet sind, daß die Durchmesser der inneren Böden der Elektroden (2, 3) annähernd gleich dem Durchmesser der Druckkontaktkörper (4, 5) sind, daß die hochgebogenen Ränder der Elektroden (2,3) den Druckkontaktkörpern (4, 5) zugewandt sind und daß die Druckkontaktkörper in die Elektroden eingelegt sind.1. A semiconductor component with a disk-shaped, at least one pn junction having semiconductor body which is clamped between two pressure contact bodies with the interposition of ductile electrodes, characterized in that the pressure contact body (4,5) their end faces facing the semiconductor wafer (t) lying symmetrically to a center line Have pressure surfaces that the ductile electrodes (2, 3) are cup-shaped that the The diameter of the inner bottoms of the electrodes (2, 3) is approximately equal to the diameter of the pressure contact body (4, 5) that the bent up The edges of the electrodes (2,3) face the pressure contact bodies (4, 5) and that the pressure contact bodies are inserted into the electrodes. 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die napfförmigen Elektroden (2,3) aus Silber hergestellt sind, dessen Stärke mindestens 0,05 mn-. b-?'r9gt2. Semiconductor component according to claim 1, characterized in that the cup-shaped electrodes (2,3) are made of silver, the thickness of which is at least 0.05 mm. b-? ' r 9gt 3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die napfförmigen Elektroden an der Halbleiterscheibe (1) durch einen haftfesten, elastischen Kunststoff, vorzugsweise Siliconkautschuk, befestigt sind.3. Semiconductor component according to claim 1 or 2, characterized in that the cup-shaped Electrodes on the semiconductor wafer (1) by means of an adhesive, elastic plastic, preferably silicone rubber, are attached. 4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Durchmesser der Dnu'xkontaktkörper gleich groß sind.4. Semiconductor component according to one of claims 1 to 3, characterized in that the diameter the Dnu'x contact body are the same size. 5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktplatten (4,5) aus Hartkupfer r der einer Kupferlegierung hergestellt sind.5. Semiconductor component according to one of claims 1 to 4, characterized in that the contact plates (4,5) are made of hard copper or a copper alloy. 6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Druckkontaktkörper (4,5) hartverchromt oder vernickelt sind.6. Semiconductor component according to claim 5, characterized in that the pressure contact body (4,5) are hard chrome-plated or nickel-plated. 7. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der Halbleiterscheibe (1) vergoldet ist.7. Semiconductor component according to one of claims 1 to 6, characterized in that the surface the semiconductor wafer (1) is gold-plated. 8. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß beim Vorhandensein einer öffnung zur Kontaktierung der Steuerelektrode des Halbleiterbauelementes in einem Druckkontaktkörper (4,5) sowie in der zugehörigen napfförmigen Elektrode (2 bzw. 3) zumindest die napfförmige Elektrode (5 bzw. 2) auf der anderen Seite der Halbleiterscheibe (1) mit einer ebensolchen öffnung versehen ist.8. Semiconductor component according to one of claims 1 to 7, characterized in that in the presence an opening for contacting the control electrode of the semiconductor component in a pressure contact body (4,5) and in the associated cup-shaped electrode (2 or 3) at least the cup-shaped electrode (5 or 2) on the other side of the semiconductor wafer (1) with a just such an opening is provided.
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