DE19800566A1 - A method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device manufactured in this way - Google Patents

A method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device manufactured in this way

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DE19800566A1
DE19800566A1 DE1998100566 DE19800566A DE19800566A1 DE 19800566 A1 DE19800566 A1 DE 19800566A1 DE 1998100566 DE1998100566 DE 1998100566 DE 19800566 A DE19800566 A DE 19800566A DE 19800566 A1 DE19800566 A1 DE 19800566A1
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semiconductor chip
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Abstract

The invention relates to a method for producing a semiconductor component where the semiconductor component consists of a semiconductor chip with a first structured metallized layer on a surface which is covered by a passivation layer having openings. The metallized layers uncovered by the openings can represent contact pads or isolating points. An adhesive layer is applied across the entire upper surface of the structured semiconductor chip, the isolating points in the first metallized layer of the semiconductor chip being covered by said adhesive layer.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes und ein Halbleiterbauelement, das aus einem einseitig strukturierten Halbleiterchip mit Kontaktpads und Bauelementkontakten besteht, wobei mittels einer Umver drahtungsfolie auf der strukturierten Seite des Halbleiter chips die Verbindung zwischen den Kontaktpads des Halbleiter chips und den Bauelementkontakten hergestellt wird. The invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device, which consists of a one-sided patterned semiconductor chip having contact pads and component contacts, wherein by means of a Umver drahtungsfolie on the patterned side of the semiconductor chips, the connection between the contact pads of the semiconductor chips and the component contacts is prepared ,

Es existiert eine Vielzahl von unterschiedlichen Gehäuse bauformen, die verschieden groß sind und eine unterschiedli che Anzahl an Anschlüssen aufweisen. There exists a variety of different housing designs which are different in size and have a differing number of surface connections. Um bei der Bauforment wicklung der stetig steigenden Anzahl der Bauelementkontakte gerecht zu werden, sind immer feinere Beinchenabstände ent wickelt worden. To meet with the Bauforment development of the ever-increasing number of component contacts, finer Beinchenabstände always been wrapped ent. Eine wirtschaftliche Montage auf einer Flach baugruppe ist jedoch ab einem Raster von 0,3 mm nicht mehr gegeben. An economical mounting on a flat assembly, however, is no longer possible from a grid of 0.3 mm. Als Alternative bietet sich hier das Ball-Grid-Array (BGA) an. Alternatively, here lends itself to the ball grid array (BGA).

Bei einem BGA sind heute Raster von 1,0 mm bei einem Ball durchmesser von rund 0,6 mm üblich. In a BGA today grid of 1.0 mm at a ball diameter of about 0.6 mm are common. Bei einem Gehäusemaß von 50 mm.50 mm(Rastermaß 1,0 mm) können bis zu 2.400 Bauele mentkontakte auf dem Halbleiterbauelement untergebracht wer den. In a Cover size of 50 mm.50 mm (pitch 1.0 mm) to 2.400 Bauele can be accommodated on the semiconductor device contacts who the element.

Eine Variante eines Ball-Grid-Array stellt das sogenannte Ta pe-BGA dar. Dieses benutzt als Substrat eine beidseitig me tallisierte Polyimid-Folie (Tape), die auf der Oberseite Lei terbahnen und Padstruktur für einen Flipchip-Prozeß enthält. A variant of a ball grid array represents the so-called Ta pe-BGA. This used as a substrate on both sides me tallisierte polyimide film (tape), the terbahnen on top and contains Lei pad structure for a flip-chip process. Auf der Unterseite befindet sich die Struktur für die An schlüsse der Balls. On the underside of the structure for the An is connections of the ball. Nachteilig bei dieser Bauform sind die hohen Kosten des Flipchip-Prozesses. The disadvantage of this design is the high cost of the flip chip process.

Das sogenannte FlexPac baut auf dem Prinzip des Tape-BGA auf. The so-called FlexPac based on the principle of the tape BGA on. Die strukturierte Seite eines Halbleiterchips weist eine Vielzahl an sogenannten Aluminiumpads auf. The structured side of a semiconductor chip has a plurality of so-called aluminum pads. Die Aluminiumpads werden auf galvanischem Wege stromlos vernickelt. The aluminum pads are electroless nickel plated by electroplating. Nach einer weiteren Behandlung der Nickelmetallisierung mit einem Gold überzug könnte der Halbleiterchip auf einem Substrat elek trisch kontaktiert werden. According to a further treatment of the nickel plating with a gold coating, the semiconductor chip may be contacted on a substrate elec tric. Da das Anschlußraster der Kontakt pads auf dem Halbleiterchip jedoch für einen Lötprozeß zu fein ist, ist auf der strukturierten Seite eine flexible Um verdrahtungsfolie, die aus einer Polyimidfolie mit aufge brachten Leiterbahnen aus Kupfer besteht, aufgeklebt. However, since the terminal pitch of the contact pads on the semiconductor chip is fine for a soldering process on, is on the structured side of the flexible film wiring order, brought from a polyimide film with applied conductor tracks made of copper, adhered. Die Um verdrahtungsfolie weist auf der Seite der Polyimidfolie Aus sparungen auf, in die die Bauelementkontakte eingebracht wer den können. The order wiring film has on the side of the polyimide film from savings in the incorporated the component contacts who can. Durch die Umverdrahtungsfolie ist ein leicht zu verarbeitendes Anschlußraster entstanden. By Umverdrahtungsfolie an easy to process connecting grid is created. Die Leiterbahnen der Umverdrahtungsfolie stellen die elektrische Verbindung zwischen den Bauelementkontakten und den Kontaktpads des Halbleiterchips her. The conductor tracks of the Umverdrahtungsfolie provide electrical connection between the device contacts and the contact pads of the semiconductor chip. Die Umverdrahtungsfolie ist mittels ei nes Klebers auf dem Halbleiterchip befestigt. The Umverdrahtungsfolie is mounted on the semiconductor chip by ei nes adhesive. In einem weite ren Prozeßschritt werden die elektrischen Kontakte zwischen den Leiterbahnen und den Kontaktpads des Halbleiterchips her gestellt. In a wide ren process step, the electrical contacts between the interconnects and the contact pads of the semiconductor chip are provided here.

Im folgenden wird das Fertigungsverfahren für ein BGA-Halbleitergehäuse nach dem Beispiel des FlexPac beschrieben. In the following, the manufacturing method will be described for a BGA semiconductor package according to the example of the FlexPac. Nach der Beendigung der Frontendfertigung weist der Halblei terchip eine Vielzahl an Aussparungen auf, in denen nachfol gend die zukünftigen Kontaktpads sowie sogenannte Fuses aus gebildet sind. After completion of the front-end manufacturing, the semiconducting terchip a plurality of recesses in which nachfol future contact pads as well as so-called fuses are off quietly formed. Fuses dienen dazu, einem Halbleiterchip seine vorgesehene Speicherkapazität zu verschaffen. Fuses are designed to provide its intended capacity of a semiconductor chip. Fuses sind me tallisierte Leiterbahnen, die falls notwendig von einem Laser zertrennt werden oder aber aufgrund ihrer verjüngten Form durch einen gezielten Stromfluß zerstört werden. Fuses are me tallisierte traces that are necessary if severed by a laser or be destroyed by a targeted current flow due to their tapered shape. Man unter scheidet zwischen zwei Arten von Fuses: den sogenannten Po lyfuses und den Metallfuses. One differs between two types of fuses: the so-called Po lyfuses and the metal fuses. Polyfuses werden bei Speicher halbleiterchips mit einer Größe von < 64 M eingesetzt. Polyfuses be used in memory semiconductor chips with a size of <64 M. Diese verhalten sich bei einem galvanischen Prozeß neutral. These are neutral in an electroplating process. Die zu künftigen Anschlußflecken bestehen aus Aluminiumpads, auf die in einem Galvanisierprozeß eine Nickelmetallisation mit einem Goldüberzug aufgebracht wird. To future pads are made of aluminum pads on which a plating process, a nickel metallization is applied with a gold coating. In einem weiteren Galvanisier prozeß wird eine Verbindung aus Gold und Zinn aufgebracht (sog. Gold-zinn-Soldering). In a further plating process, a compound of gold and tin is applied (so-called. Gold-tin Soldering). Nach dem Gold-Zinn-Soldering wird auf die strukturierte Chipoberfläche ein Klebetropfen aufge bracht, wobei die Kontaktpads und Fuses unter dem Klebetrop fen liegen. After the gold-tin Soldering an adhesive drop is be applied to the structured chip surface, wherein the contact pads and fuses below the Klebetrop fen. Für eine definierte Außenkontaktierung werden die Kontaktpads auf dem Halbleiterchip umverdrahtet. For a defined outer contacting the contact pads to be rewired on the semiconductor chip. Die Umver drahtung wird über ein flexibles Tape, das aus drei Lagen be steht, vorgenommen. The Umver wiring is made of a flexible tape, which is made of three layers be. Die oberste Lage ist ein Tape aus Polyi mid, das an den Stellen der Bauelementkontakte Aussparungen aufweist. The top layer is a tape of polyI mid having at the positions of the component contacts recesses. Die zweite Lage ist eine Klebeschicht, die dritte Lage besteht aus Leiterbahnen aus Kupfer. The second layer is an adhesive layer, the third layer is composed of copper conductor tracks. Die Umverdrahtungs folie wird mit der Seite, die die Leiterbahnen aufweist, auf den Halbleiterchip aufgebracht. The Umverdrahtungs foil is applied to the semiconductor chip with the side having the conductive tracks. Beim Aufbringen der Umver drahtungsfolie wird der über den Kontaktpads befindliche Kle ber vom Tape beiseite gedrückt. When applying the Umver drahtungsfolie the Kle located above the contact pads is about pushed aside from the tape. Hierdurch ist eine gleichmä ßige Verteilung des Klebers über der Chipoberfläche sicherge stellt. This enables a gleichmä even distribution of the adhesive on the chip surface sicherge provides. Die Leiterbahnen der Umverdrahtungsfolie sind so an geordnet, daß diese eine elektrische Verbindung zwischen den Kontaktpads des Halbleiterchips und den in den Aussparungen der Polyimidfolie befindlichen Balls, die die Bauelementkon takte darstellen, übernehmen. The conductor tracks of the Umverdrahtungsfolie are arranged at that they represent, assume an electrical connection between the contact pads of the semiconductor chip and the ball located in the recesses of the polyimide film which contacts the Bauelementkon. Durch eine Vorrichtung wird an den Stellen der Kontaktpads des Halbleiterchips, über denen sich die Leiterbahnen der Umverdrahtungsfolie befinden, ein notwendiger Druck erzeugt, der eine Leiterbahn auf einen Kon taktpad drückt. By a device, a necessary pressure is generated at the locations of the contact pads of the semiconductor chip over which the conductor tracks of the Umverdrahtungsfolie are pushing a conductor track on a taktpad Kon. Durch einen gezielten Laserstrahl der Vor richtung auf den Kontaktpad wird dafür Sorge getragen, daß das Kupfer der Leiterbahnen der Umverdrahtungsfolie mit der Gold-Zinn-Schicht des Kontaktpads fest miteinander verbunden wird. By a laser beam directed towards the front of the contact pad will be ensured that the copper of the conductor tracks of the Umverdrahtungsfolie with the gold-tin layer of the contact is firmly connected with each other. Nach dem Verschmelzen aller auf dem Halbleiterchip be findlichen Kontaktpads mit den jeweiligen Kupferleiterbahnen wird der Halbleiterchip mit Umverdrahtungsfolie zum Aushärten des Klebers gebracht. After merging all on the semiconductor chip-sensitive contact pads be with the respective copper interconnects of the semiconductor chip with Umverdrahtungsfolie is made to cure the adhesive. Nach dem Aushärten werden die Soller balls in die auf der Umverdrahtungsfolie freigelassen Ausspa rungen eingebracht und mit den anderen Enden der Leiterbahnen fest miteinander verbunden. After curing, the Soller balls are placed and connected to the other ends of the conductor tracks fixed to each other in the released on the Umverdrahtungsfolie Ausspa requirements.

Der Nachteil des beschriebenen Fertigungsverfahrens besteht darin, daß nach diesen Verfahren nur Speicherchips < 64M ge fertigt werden können, da diese mit Polyfuses hergestellt werden. The disadvantage of the manufacturing method described is that can be produced according to this method, only memory chips <64M ge, since they are prepared with polyfuses. Bei der Verwendung von Metallfuses, die bei der Her stellung von Speicherbausteinen ≧ 64M eingesetzt werden sol len, ist dieses Verfahren nicht anwendbar. be used when using metal fuses, the position in the Her ≧ of memory devices 64M sol len, this method is not applicable. Bedingt durch die Nickelmetallisation der Aluminiumpads wachsen die vor der Nickelmetallisation z. Due to the nickel metallization of aluminum pads grow before the nickel metallization for. B. mittels Laser aufgetrennten Metall fuses wieder zusammen und werden wieder elektrisch leitend, was der gewünschten Sollspeicherkapazität abträglich ist. Example by means of laser fuses together the separated metal again and again electrically conductive, which is detrimental to the desired nominal capacity. Das Auftrennen der Metallfuses müßte folglich erneut nach dem Aufbringen des Klebertropfens auf den Halbleiterchip erfol gen. Dieser zusätzliche Fertigungsschritt ist arbeitsintensiv und kostenträchtig. The separation of the metal fuses must therefore again after application of the adhesive drop on the semiconductor chip SUC gene. This additional manufacturing step is labor intensive and costly.

Die Aufgabe der bestehenden Erfindung besteht deshalb darin, das zuvor beschriebene Herstellungsverfahren bzw. Halbleiter bauelement so weiter zu entwickeln, daß im Halbleiterbauele ment Metallfuses eingesetzt werden können. The object of the current invention is the above production method and the semiconductor-described device so as to further develop that in Halbleiterbauele ment metal fuses may be used.

Die Aufgabe wird durch die Schritte des Patentanspruchs 1 bzw. Mit den Mitteln des Patentanspruchs 3 gelöst. The object is achieved by the steps of claim 1 and with the means of claim. 3

Eine Weiterbildung ist im Unteranspruch 2 ausgeführt. A further development is carried out in the dependent claim. 2

Der Erfindung liegt der Gedanke zu Grunde, daß zur Herstel lung eines Halbleiterbauelementes, das aus einem Halbleiter chip mit einer ersten strukturierten Metallisierung an einer Oberfläche besteht, die durch eine Passivierung abgedeckt ist und in die Öffnungen eingebracht sind, die potentielle Trenn stellen und Anschlußflecken bilden. The invention is based on the idea that for the manufacture development of a semiconductor device, which consists of a semiconductor chip having a first patterned metallization on a surface that is covered by a passivation and are inserted into the openings, provide the potential separation and form pads , In der zumindest einen Öffnung wird zumindest eine Trennstelle durch Auftrennen der ersten Metallisierung erzeugt. In the at least one opening, a separation point is at least generated by separating the first metallization. Anschließend wird der Halblei terchip ganz flächig mit einer Klebeschicht versehen, wobei die Klebeschicht auf der strukturierten Seite des Halbleiter chips aufgebracht wird. Thereafter, the semiconducting is terchip entire surface provided with an adhesive layer, wherein the adhesive layer is applied to the structured side of the semiconductor chips. Die Klebeschicht zeichnet sich da durch aus, daß sie photosensitiv und photostrukturierbar ist. The Klebeschicht characterized as by the fact that they photosensitiv and photostructurable is. Die Klebeschicht ist dabei so maskiert, daß sie an Stellen, an denen die Passivierung die Öffnungen aufweist, wobei die Metallisierung an diesen Stellen keine Trennstellen bildet, weggeätzt werden kann. The adhesive layer is masked so that it can be etched away at locations where the passivation having openings, wherein the metallization forms no separation points at these locations. Der Vorteil beim Auftragen der Klebe schicht nach dem Auftrennen der potentiellen Trennstellen be steht darin, daß dieser bereits nach der Frontendfertigung, in denen Halbleiterchips noch im Waferverbund vorliegen, auf getragen werden kann. The advantage of applying the adhesive layer after the separation of the potential separation points be is that these can be carried on after the front-end manufacturing, in which semiconductor chips are still present in the wafer assembly. Aufgrund dieser Tatsache ist eine ko stengünstige und einfache Herstellung dieses Fertigungs schritts möglich. Because of this, a ko-effective and easy production of this production is step possible. Weiterhin ist durch den Kleberauftrag be reits von Beginn an eine Schutzschicht auf der strukturierten Seite des Halbleiterchips erzielt. Furthermore, by the application of adhesive already from the start be a protective layer on the patterned side of the semiconductor chip obtained. Dadurch, daß die Klebe schicht photosensitiv und strukturierbar ist, kann die Klebe schicht genau an den Stellen weggeätzt werden, an denen Kon taktpads zur externen Kontaktierung des Halbleiterchips vor gesehen sind. Characterized in that the adhesive layer is photosensitive and configurable, the adhesive layer can be etched away precisely at the points where Kon taktpads are seen for external contacting of the semiconductor chip before. Die bereits aufgetrennten Trennstellen hingegen bleiben unter der als Schutzschicht dienenden Klebeschicht beim galvanischen Aufbringen von Zwischenkontakten bedeckt. The already separated points of separation, however, remain covered with the protective layer serving as the adhesive layer during electrodepositing of intermediate contacts. An den Stellen der Öffnungen an der ersten Metallisierung, die als Kontaktpads vorgesehen sind, werden in einem weiteren Schritt die Zwischenkontakte aufgebracht. At the points of the openings on the first metallization which are provided as contact pads, the intermediate contacts are applied in a further step. Um ein vorgegebenes Anschlußraster des Halbleiterbauelementes zu erzielen, wird auf dem Halbleiterchip eine Umverdrahtung aufgebracht, die eine zweite strukturierte Metallisierung auf einem Trägerma terial aufweist. In order to obtain a predetermined terminal pitch of the semiconductor device, a rewiring is applied to the semiconductor chip having a second patterned metallization on a Trägerma TERIAL.

Das Trägermaterial besteht zum Beispiel aus einer Polyimidfo lie, in die Aussparungen eingebracht sind. The carrier material consists for example of a Polyimidfo lie, are introduced into the recesses. Auf der einen Sei te des Trägermaterials wird eine zweite Metallisierungs schicht, zum Beispiel Leiterbahnen, aufgebracht, die dafür sorgt, daß die Zwischenkontakte mit den in den Aussparungen des Trägermaterials befindlichen Bauelementkontakten verbun den werden. On the one Be te of the support material layer, a second metallization, for example, conductor tracks, is applied, which ensures that the intermediate contacts with the verbun located in the recesses of the support material component contacts are the. Durch Erwärmen der Klebeschicht wird die Umver drahtung fest mit dem Halbleiterchip verbunden. Umver the wiring is fixed to the semiconductor chip bonded together by heating the adhesive layer. In einen wei terem Herstellungsschritt wird eine metallurgische Verbindung zwischen den Zwischenkontakten des Halbleiterchips und der zweiten Metallisierung der Umverdrahtung erzeugt. In a white terem manufacturing step a metallurgical bond between the intermediate contacts of the semiconductor chip and the second metallization of the rewiring is generated. Dies kann beispielsweise durch eine Vorrichtung geschehen, die an Stel len der zwischenkontakte einen Druck zwischen Zwischenkontakt und Metallisierung der Umverdrahtung erzeugt und durch einen gezielten Laserstrahl für eine Erwärmung an der Verbindungs stelle der zweiten Metallisierung und dem Zwischenkontakt sorgt. This can for example be done by a device which ensures the len of Stel between contacts generates a pressure between the intermediate contact and metallization of rewiring and a targeted laser beam for heating at the connection point of the second metallization and the intermediate contact. Ist die Vorrichtung in der Lage, mittels einer Infra rotsensorik die umgesetzte Energie in der Verbindung zu regi strieren, so kann die Zeitdauer der gezielten Laserstrahles genau geregelt werden. If the device is capable of rotsensorik means of an Infra the converted energy in the compound strieren to regi, the time duration of the focused laser beam can be accurately controlled. Es ist jederzeit denkbar, daß gleich zeitig mehrere Verbindungen durch mehrere Laservorrichtungen hergestellt werden können. It is always possible that multiple connections can be made by a plurality of laser devices simultaneously. Dies erlaubt eine sehr schnelle und hocheffiziente Umverdrahtung. This allows a very fast and highly efficient rewiring. Im Gegensatz zu einem Flip chip-Verfahren ist diese Verbindungstechnik Kostengünstiger. Unlike a flip chip method this connection technique is Cheaper. Nach dem metallurgischen Verbinden aller Zwischenkontakte mit den jeweiligen Metallisierungen der Umverdrahtung kann die Kleberschicht zwischen der Umverdrahtung und dem Halbleiter chip ausgehärtet werden. After the metallurgical joining all intermediate contacts with respective metallizations of the rewiring the adhesive layer between the rewiring and the semiconductor chip may be cured. Anschließend werden die Bauelement kontakte auf Kontaktflächen der Umverdrahtung aufgebracht. Then the device are contacts applied to contact surfaces of the rewiring. Die Bauelementkontakte können zum Beispiel Balls sein, die Kontaktflächen sind Aussparungen in dem Trägermaterial der Umverdrahtung. The component contacts can for example be ball, the contact surfaces are recesses in the support material of the rewiring.

Die Vorteile des beschriebenen Fertigungsverfahrens liegen in den Eigenschaften der aufzubringenden Klebeschicht: The advantages of the manufacturing process described are due to the properties of the applied adhesive layer:
bei Raumtemperatur besitzt die Klebeschicht eine feste Konsi stenz, sie bildet somit eine Schutzschicht der strukturierten Halbleiterchipoberfläche. at room temperature, the adhesive layer has stenz a fixed consignment, thus it forms a protective layer of the patterned semiconductor chip surface. Der Schmelzpunkt der Folie hingegen liegt über der bei allen Herstellungsschritten maximal auf tretenden Temperatur, die nach dem Aufbringen der Klebe schicht durchlaufen werden. The melting point of the film, however, is above the all fabrication steps on passing a maximum temperature which are traversed layer after application of the adhesive. Dadurch, daß die Klebeschicht photostrukturierbar und ätzbar ist, kann sie bereits vor dem Aufbringen der Zwischenkontakte auf Waferlevel auf den Halb leiterchip aufgebracht werden. Characterized in that the adhesive layer is photostructured and etchable, it may be applied at the wafer level on the semiconductor chip prior to the application of the intermediate contacts. Dies bedingt, daß die potenti ellen Trennstellen bereits vor dem Aufbringen der Klebe schicht auf dem Halbleiterchip durchtrennt worden sind. This has been caused that the potenti economic points of separation layer prior to the application of the adhesive is severed on the semiconductor chip. Die Durchtrennung beim Einsatz von Metallfuses erfolgt beispiels weise durch einen gezielten Laserbeschuß. The division in the use of metal fuses done example, by a targeted laser bombardment. Da die Klebeschicht auf Polyimidbasis hergestellt wird, ist eine kostengünstige Fertigung möglich. Since the adhesive layer is formed on polyimide, a low-cost production is possible.

Die Erfindung wird anhand folgender Figuren näher erläutert. The invention is illustrated by the following figures. Es zeigen: Show it:

Fig. 1 einen Halbleiterchip im Querschnitt mit Öffnungen in der Passivierung und der darunter befindlichen ersten Metallisierung, Fig. 1 is a semiconductor chip in cross section with the openings in the passivation and the underlying first metallization,

Fig. 2 einen Halbleiterchip im Querschnitt mit einer Trennstelle durch Auftrennen der ersten Metalli sierung, Fig. 2 tion a semiconductor chip in cross-section with a separating point by splitting the first Metalli,

Fig. 3 einen Halbleiterchip im Querschnitt mit einer ganz flächig aufgetragenen Klebeschicht auf der strukturierten Seite des Halbleiterchips, Fig. 3 is a semiconductor chip in cross section with an entire surface applied adhesive layer on the patterned side of the semiconductor chip,

Fig. 4 einen Halbleiterchip im Querschnitt mit geätzter Klebeschicht an Stellen von Öffnungen der Passi vierung, in der die erste Metallisierung keine Trennstelle aufweist, Fig. 4 is a semiconductor chip in cross-section etched adhesive layer at locations of openings of the passivation crossing, in which the first metallization has no point of separation,

Fig. 5 einen Halbleiterchip im Querschnitt, bei dem an den geätzten Stellen auf der ersten Metallisie rung Zwischenkontakte angebracht sind, Fig. 5 shows a semiconductor chip in cross-section, wherein the tion to the discharged areas on the first metallization intermediate contacts are mounted,

Fig. 6 eine Umverdrahtung im Querschnitt und Fig. 6 is a rewiring in cross section and

Fig. 7 ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement im Querschnitt. Fig. 7 shows an inventive semiconductor device in cross section.

Fig. 1 zeigt einen Halbleiterchip 1 bestehend aus einer er sten strukturierten Metallisierung 2 , 11 an einer Oberfläche des Halbleiterchips 1 , die durch eine Passivierung 3 abge deckt ist, wobei die Passivierung 3 eine Vielzahl an Öffnun gen 14 aufweist. Fig. 1 shows a semiconductor chip 1 consisting of a he most structured metallization 2, 11 to a surface of the semiconductor chip 1, which is covered by a passivation abge 3, wherein the passivation 3 has a plurality of outlets, to fourteenth Die freigelegte erste Metallisierung 2 , 11 kann sowohl eine potentielle Trennstelle 11 als auch ein Kon taktpad 2 , das für die weitere elektrische Kontaktierung ver wendet wird, darstellen. The exposed first metallization 2, 11, both a potential separation point 11 and a con taktpad 2, which is aimed ver for further electrical contact representing.

Fig. 2 zeigt im Querschnitt den Halbleiterchip 1 nach dem nächsten Herstellungsschritt, bei dem die potentiellen Trenn stellen 11 zum Beispiel mittels einen gezielten Laserstrahls erzeugt worden sind, um dem Halbleiterchip seine vorgegebene Speicherkapazität zu verpassen. Fig. 2 shows in cross section the semiconductor chip 1 after the next manufacturing step in which make the potential separation 11 have been generated, for example by means of a focused laser beam to miss the semiconductor chip its predetermined storage capacity. In der Figur ist nur eine aufgetrennte Trennstelle 11 dargestellt, es ist jedoch jeder zeit denkbar, daß eine Vielzahl an Trennstellen 11 unterbro chen ist. In the figure, only a fractionated separation point 11 is shown, but it is always conceivable that a plurality of separating points 11 unterbro Chen. Die als Kontaktpad 2 vorgesehenen ersten Metalli sierungen 2 , 11 werden nicht bearbeitet. The contact pad 2 which is provided as first Metalli sierungen 2, 11 are not processed. Es ist auch möglich, daß die potentiellen Trennstellen 11 in diesem Herstellungs schritt nicht durchtrennt werden. It is also possible that the potential separation points 11 in this manufacturing did not intervene to be severed.

Fig. 3 zeigt den nächsten Herstellungsschritt zum Fertigen eines Halbleiterbauelements. Fig. 3 illustrates the next fabrication step for fabricating a semiconductor device. Es ist ein Halbleiterchip 1 im Querschnitt dargestellt, auf dessen strukturierte Oberseite, die eine Vielzahl an Kontaktpads 2 und eine Vielzahl an Trennstellen 11 aufweist, ganzflächig mit einer Klebeschicht 7 aufgebracht ist. It is a semiconductor chip shown in cross section 1, is blanket deposited on the patterned upper surface that has a plurality of contact pads 2 and a plurality of separation points 11 with an adhesive layer. 7 Es besteht die Möglichkeit, die Klebe schicht 7 bereits nach der Frontendfertigung auf dem Wafer aufzutragen. There is a possibility, the adhesive layer 7 after the front-end production on the wafer bulk. Dies kann beispielsweise im bekannten "Spincoat"-Verfahren geschehen, wobei der Wafer auf einer Vorrichtung rotiert und der in flüssiger Form vorliegende Kleber auf den rotierenden Wafer aufgebracht wird, wobei die Klebeschicht 7 durch die Rotation sich vom Zentrum des Wafers zu dessen Randbereich hin verbreitet. This can be done for example in the well known "spin coat" process, the wafer rotates on a device and present in liquid form adhesive is applied onto the rotating wafer, wherein the adhesive layer 7 spread by the rotation from the center of the wafer to its edge region , Um den Kleber mittels Spincoating auftragen zu können, muß der Kleber in flüssiger, erwärmter Form vorliegen. In order to apply the adhesive by spin coating, the adhesive must be in liquid, heated mold. Die Klebeschicht 7 weist die Eigen schaft auf, daß diese bei Raumtemperatur eine feste und nicht klebende Konsistenz besitzt. The adhesive layer 7, the self-on shaft, that this has a fixed and non-tacky consistency at room temperature. Die Klebeschicht 7 stellt des halb einen Schutz der strukturierten Oberfläche des Halblei terchips 1 dar. The adhesive layer 7 is of the semi-protection of the structured surface of the semiconductor chips 1 is.

Im nächsten Schritt wird die Klebeschicht 7 phototechnisch maskiert und strukturiert. In the next step, the adhesive layer 7 is masked photo technically and patterned. Anschließend werden Teile der Kle beschicht 7 weggeätzt. Subsequently, parts of the Kle be beschicht 7 etched away. Die Klebeschicht 7 wird an den Stellen weggeätzt, an denen sich die Öffnungen 14 in der Passivierung 3 befinden, wobei die darunter liegende erste Metallisierung 2 , 11 an diesen Stellen keine Trennstelle 11 darstellt. The adhesive layer 7 is etched away at the locations at which the openings are in the passivation 3 14, wherein the first metallization is below 2, 11 at these locations no point of separation. 11

Fig. 4 zeigt einen Halbleiterchip 1 , bei dem die Klebe schicht 7 photomaskiert wurde und wobei Teile der Klebe schicht 7 weggeätzt sind. Fig. 4 shows a semiconductor chip 1, in which the adhesive layer was photo-masked and 7 with parts of the adhesive layer are etched away 7. Es sind die Öffnungen 14 in der Passivierung 3 zugänglich gemacht, die die Kontaktpads 2 auf der Oberfläche des Halbleiterchips 1 in der ersten Metalli sierung 2 , 11 bilden. There are made available to the openings 14 in the passivation 3, tion, the contact pads 2 on the surface of the semiconductor chip 1 in the first Metalli 2 form. 11 Die Trennstellen 11 , die sowohl aufge trennt als auch noch geschlossen sein können, liegen auch nach dem Ätzprozess unter der Klebeschicht 7 . The joints 11 that separates both checked and may still be closed, are also after the etching process of the adhesive layer. 7 Die Klebe schicht 7 dient in diesem Stadium des Herstellungsverfahrens als Schutzschicht der Oberseite des Halbleiterchips 1 . The adhesive layer 7 is used in this stage of the manufacturing process as the protective layer of the upper side of the semiconductor chip. 1

Fig. 5 zeigt den Halbleiterchip 1 im Querschnitt, wobei auf die Kontaktpads 2 durch einen galvanischen Prozeß Zwischen kontakte 4 aufgebracht worden sind. Fig. 5 shows the semiconductor chip 1 in cross-section, have been applied to the contact pads 2 by a galvanic process between contacts 4. Die Zwischenkontakte 4 haben dabei in etwa die gleiche Höhe wie die umgebende Schutzschicht 7 . The intermediate contacts 4 are in this case approximately the same height as the surrounding protective layer. 7 Durch die Klebeschicht 7 ist beim Galvanik prozess ein Zusammenwachsen der Trennstellen 11 verhindert worden. By the adhesive layer 7 is a coalescence of the separation points is prevented 11 during electroplating process.

Um ein vorgegebenes Raster der Bauelementkontakte zu ermögli chen, wird der Halbleiterchip 1 mit einer Umverdrahtung 12 verbunden. To Chen ermögli a predetermined grid of the component contacts, the semiconductor chip 1 is connected to a rewiring 12th Fig. 6 zeigt eine derartige Umverdrahtung 12 . Fig. 6 shows such a rewiring 12th Die Umverdrahtung 1 ? The rewiring one? besteht aus einem Trägermaterial 8 , einer klebenden Schicht 5 sowie einer zweiten Metallisierung 6 . consists of a substrate 8, an adhesive layer 5 and a second metallization. 6 Die zweite Metallisierung 6 ist beispielsweise in Form von Lei terbahnen ausgeführt, die nach dem Zusammenfügen der Umver drahtung 12 und des Halbleiterchips 1 dafür Sorge tragen, daß die Zwischenkontakte 4 mit den Bauelementkontakten 9 elek trisch miteinander verbunden werden. The second metallization 6 is executed terbahnen for example in the form of Lei, the wiring after the joining of the Umver 12 and the semiconductor chip 1 ensure that the intermediate contacts 4 are connected to the component contacts 9 elec tric with one another. In der dargestellten Fi gur weist das Trägermaterial 8 eine Vielzahl an Aussparungen 10 auf. In the illustrated Fi gur, the support material 8 to a plurality of recesses 10 degrees. In den Aussparungen 10 bildet die zweite Metallisie rung 6 , die beispielsweise in Form von den Leiterbahnen vor liegt, an einem Ende Kontaktflächen 13 , auf die die Bauele mentkontakte 9 , die beispielsweise als Balls ausgeführt sein können, eingebracht werden. In the recesses 10, the second metallization constitutes tion 6, which is for example in the form of conductor tracks before, at one end contact surfaces 13 on which the Bauele element contacts 9, which may for example be designed as balls, are introduced. Das Aufbringen der Umverdrahtung 12 auf die strukturierte Seite des Halbleiterchips 1 findet dergestalt statt, daß die einen Enden der zweiten Metallisie rung 6 sich über den Zwischenkontakten 4 befinden. The application of the rewiring 12 on the structured side of the semiconductor chip 1 is held such that the one ends of the second metallization tion 6 are located above the intermediate contacts. 4

Durch Erwärmen der Klebeschicht 7 wird der Kleber verflüssigt und klebend, wobei eine Verbindung der Umverdrahtung 12 mit dem Halbleiterchip 1 ermöglicht ist. By heating the adhesive layer 7, the adhesive is liquefied and adhesive, wherein a compound of rewiring 12 enables the semiconductor chip. 1 Der nächste Herstel lungsschritt stellt eine metallurgische Verbindung zwischen dem Zwischenkontakten 4 und der zweiten Metallisierung 6 der Umverdrahtung 12 her. The next herstel treatment step produces a metallurgical bond between the intermediate contacts 4 and the second metallisation 6 of the rewiring 12th Dies kann beispielsweise durch eine Vorrichtung geschehen, die an Stellen der Zwischenkontakte 4 auf die Umverdrahtung 12 einen leichten Druck ausübt, um eine mechanische Verbindung zwischen der zweiten Metallisierung 6 und dem Zwischenkontakt 4 herzustellen, wobei die Vorrichtung einen Laser aufweist, dessen Energie in den Zwischenkontakten 4 und der zweiten Metallisierung 6 eingesetzt wird. This can for example be done by a device which exerts at locations intermediate the contacts 4 on the rewiring 12 a slight pressure to make a mechanical connection between the second metallization 6 and the intermediate contact 4, wherein the device comprises a laser whose energy to the DC contacts 4 and the second metallization is used. 6 Durch die Erwärmung von Zwischenkontakten 4 und zweiter Metallisierung 6 findet die gewünschte feste metallurgische Verbindung statt. By heating of intermediate contacts 4 and the second metallization 6, the desired solid metallurgical bond takes place. Es ist denkbar, daß gleichzeitig mehrere Zwischenkon takte 4 mittels gleichzeitig arbeitender Laservorrichtungen metallurgisch mit den zweiten Metallisierungen 6 verbunden werden. It is conceivable that a plurality of Zwischenkon contacts 4 are connected by means of simultaneously operating laser devices metallurgically bonded to the second metallizations. 6 Nach dem alle auf dem Halbleiterchip 1 befindlichen Zwischenkontakte 4 mit der jeweiligen Metallisierung 6 der Umverdrahtung 12 metallurgisch verbunden wurden, wird die Klebeschicht 7 ausgehärtet. After all on the semiconductor chip 1 located intermediate contacts 4 to the respective metallization 6 of the rewiring 12 were metallurgically bonded, the adhesive layer 7 is cured. Im letzten Herstellungsschritt werden die Bauelementkontakte 9 auf den Kontaktflächen 13 , die sich auf der Umverdrahtung 12 befinden, aufgebracht. In the final preparation step, the component contacts 9 are on the contact surfaces 13, which are located on the rewiring 12, is applied. In der Figur weist das Trägermaterial 8 der Umverdrahtung 12 Aussparungen 10 auf, in die die Bauelementkontakte, zum Bei spiel Balls, eingebracht werden und mit der zweiten Metalli sierung 6 zum Beispiel mittels Lötung elektrisch und mecha nisch verbunden werden. In the figure 8, the support material of the rewiring 12 recesses 10, into which the component contacts, to be when the game ball, and introduced tion with the second Metalli 6 are electrically and mecha nically joined, for example by means of soldering.

Der Vorteil des beschriebenen Fertigungsverfahren besteht darin, daß die Trennstellen als sogenannte Metallfuses ausge führt sein können. The advantage of the manufacturing method described is that the separation points leads out as so-called metal fuses to be able to. Metallfuses weisen die Eigenschaft auf, daß diese, sofern sie nicht mit einer Schutzschicht überzogen sind, diese bei einem Galvanikprozess wieder elektrisch lei tend werden. Metal fuses have the property that they, if they are not coated with a protective layer, said electrically lei will again tend in an electroplating process. Metallfuses sind jedoch bei Halbleiterbauelemen ten, die als Speicherchips ausgeführt sind, zwingend vorgese hen, da sie im Gegensatz zu Polyfuses wesentlich weniger Flä che benötigen. Metal fuses, however, th at Halbleiterbauelemen, which are designed as memory chips, forcing vorgese hen, because they require much less FLAE che unlike polyfuses. Mit Metallfuses läßt sich ein Halbleiterchip deshalb kostengünstiger herstellen. With metal fuses a semiconductor chip, therefore, can be produced cost-effectively. Weiterhin läßt sich das Fertigungsverfahren zu beiden Teilen auf Waferlevel durchfüh ren. Dies bringt Kostenvorteile bei der Fertigung mit sich. Furthermore, the manufacturing process can ren imple on both parts at wafer level. This brings cost advantages in production with it. Weiterhin ist durch die in einem sehr frühen Fertigungsstadi um aufgebrachte Kleberschicht der Halbleiterchip vor mechani schen Beschädigungen geschützt. It is also protected by a very early Fertigungsstadi to applied adhesive layer of the semiconductor chip from mechanical damage rule. Dies bringt weitere Kosten vorteile mit sich, da die Ausschußquote erheblich reduziert werden kann. This brings further cost advantages with it because the reject rate can be significantly reduced. Die Halbleiterchips können theoretisch nach je dem der beschriebenen Verfahrensschritte vereinzelt werden. The semiconductor chips can be theoretically separated according to each of the steps of the method described. Besonders vorteilhaft ist es jedoch, wenn das Vereinzeln der Halbleiterchips aus dem Wafer erst nach dem Aufbringen der Umverdrahtung und der metallurgischen Verbindung von Zwi schenkontakten und zweiter Metallisierung Zwischenkontakte geschieht, da dann eine besonders rationelle Fertigung ge währleistet ist. It is particularly advantageous, it is, however, if the separation of the semiconductor chip's contacts from the wafer only after the application of the rewiring and the metallurgical bond of Zvi and second metallization occurs between contacts because then a particularly efficient production ge is ensured.

Fig. 7 zeigt im Querschnitt ein fertiggestelltes erfindungs gemäßes Halbleiterbauelement. Fig. 7 shows in cross section a completed Invention according semiconductor device. Das Halbleiterbauelement be steht aus dem Halbleiterchip 1 , auf dessen Oberseite sich ei ne erste Metallisierung 2 , 11 befindet, über der eine Passi vierung 3 aufgebracht ist. The semiconductor device be protrudes from the semiconductor chip 1, on top of which ei ne first metallization 2, 11 is surmounted by a passivation is applied vation. 3 An dem Stellen der ersten Metalli sierung 2 , 11 besitzt die Passivierung 3 die Öffnungen 14 . Tion 2 at the locations of the first Metalli, 11 3 has the passivation openings fourteenth Sofern die ersten Metallisierungen 2 , 11 als Kontaktpad 2 ausgeführt sind, weist die Metallisierung 2 , 11 Zwischenkon takte 4 auf. Provided that the first metallizations 2, 11 designed as a contact pad 2, the metallization 2, 11 Zwischenkon contacts 4 on. An Stellen, denen die Metallisierung 2 , 11 die potentiellen Trennstellen 11 darstellen, befindet sich in der Öffnung 14 die auf die strukturierte Seite des Halbleiter chips 1 ganzflächig aufgebrachte Klebeschicht 7 . At points where the metallization 2, 11 represent the potential separation points 11, located in the opening 14 on the patterned side of the semiconductor chips 1 the entire surface applied adhesive layer. 7 Die Klebe schicht 7 stellt die Verbindung zwischen der Umverdrahtung 12 und dem Halbleiterchip 1 sicher. The adhesive layer 7 ensures the connection between the rewiring 12 and the semiconductor chip. 1 Die Umverdrahtung 12 besteht aus dem Trägermaterial 8 , das Aussparungen 10 aufweist, in dem die Bauelementkontakte 9 eingebracht sind. The rewiring 12 consists of the carrier material 8 having recesses 10 in which the component contacts are inserted. 9 Auf dem Trä germaterial 8 ist mittels eines Klebers 5 eine zweite Metal lisierung 6 , die die Form von Leiterbahnen aufweist, aufge bracht, wobei die zweite Metallisierung 6 die elektrische Verbindung zwischen den Bauelementkontakten 9 und den Zwi schenkontakten 4 übernimmt. On the Trä germaterial 8, a second metal is capitalization 6 by means of an adhesive 5, which has the form of conductor tracks, be applied, said second metallization 6's contacts, the electrical connection between the component contacts 9 and Zvi 4 takes over. Weiterhin sind in der Figur me tallurgische Verbindungen 15 dargestellt, die durch die Er wärmung von Metallisierung 6 und Zwischenkontakt 4 zum Bei spiel durch einen gezielten Laserstrahl erzeugt sind, darge stellt. Furthermore me gical connections 15 are shown in the figure, by the He-heating of metallization 6 and are intermediate contact 4 generated at the time a game by a targeted laser beam, shown by way up. Das Trägermaterial 8 kann beispielsweise aus einer flexiblen Polyimidfolie bestehen, während die zweite Metalli sierung 6 aus einer Kupferfolie besteht. The carrier material 8 may consist of a flexible polyimide film, for example, while the second Metalli tion 6 of a copper foil. Die Bauelementkon takte 9 sind als Balls ausgeführt. The Bauelementkon contacts 9 are designed as balls. Die feste Verbindung zwi schen Umverdrahtung 12 und Halbleiterchip 1 ist durch Erwär mung der Klebeschicht 7 sichergestellt. The solid compound Zvi rule rewiring 12 and semiconductor chip 1 is secured by Erwär mung the adhesive layer. 7 Durch die Erwärmung der Klebeschicht 7 verflüssigt sich der Kleber und wird durch den ausgeübten Druck der Umverdrahtung 12 auf den Halbleiter chip 1 in Stellen gedrückt, die beispielsweise durch das Ät zen entstanden sein können. By heating the adhesive layer 7, the adhesive, and is liquefied by the applied pressure of the re-wiring 12 on the semiconductor chip 1 is pressed in places that may be caused for example by Ät zen.

Claims (5)

  1. 1. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, be stehend aus einem Halbleiterchip ( 1 ) mit einer ersten struk turierten Metallisierung ( 2 , 11 ) an einer Oberfläche, die durch eine Passivierung ( 3 ) abgedeckt ist, mit den Schritten: 1. A method of manufacturing a semiconductor device, be detached from a semiconductor chip (1) having a first constructive structured metal coating (2, 11) on a surface that is covered by a passivation (3), comprising the steps of:
    • a) Einbringen von Öffnungen ( 14 ) in die Passivierung ( 3 ) a) introducing openings (14) (in the passivation 3)
    • b) Erzeugen von mindestens einer Trennstelle ( 11 ) durch Auf trennen der ersten Metallisierung ( 2 , 11 ) b) generating at least one separation point (11) to separate the first metallization (2, 11)
    • c) Auftragen einer ganzflächigen Klebeschicht ( 7 ) auf die strukturierte Seite des Halbleiterchips ( 1 ) c) applying a whole-area adhesive layer (7) on the patterned side of the semiconductor chip (1)
    • d) Photomaskierung der Klebeschicht ( 7 ) und Ätzen der Klebe schicht ( 7 ) an Stellen von Öffnungen ( 14 ) in der Passivie rung ( 3 ), wobei die erste Metallisierung ( 2 , 11 ) an diesen Stellen keine Trennstellen ( 11 ) aufweist d) photo masking of the adhesive layer (7) and etching of the adhesive layer (7) at locations of openings (14) in the passivation tion (3), wherein the first metallization (2, 11) at these places no separation points (11)
    • e) Aufbringen von Zwischenkontakten ( 4 ) in den Öffnungen ( 14 ) an der ersten Metallisierung ( 2 , 11 ) e) applying intermediate contacts (4) in the openings (14) on the first metallization (2, 11)
    • f) Aufbringen einer Umverdrahtung ( 12 ), die eine zweite strukturierte Metallisierung ( 6 ) auf einem Trägermaterial ( 8 ) aufweist f has) applying a rewiring (12), a second patterned metallization (6) on a substrate (8)
    • g) Verbinden der Umverdrahtung ( 12 ) mit dem Halbleiterchip ( 1 ) durch Erwärmen der Klebeschicht ( 7 ) 7 g) connecting the rewiring (12) having the semiconductor chip (1) by heating the adhesive layer ()
    • h) Erzeugen einer metallurgischen Verbindung ( 15 ) zwischen den Zwischenkontakten ( 4 ) und der zweiten Metallisierung ( 6 ) der Umverdrahtung ( 12 ) h) creating a metallurgical bond (15) between the intermediate contacts (4) and the second metallization (6) of rewiring (12)
    • i) Aushärten des Klebeschicht ( 7 ) 7 i) curing the adhesive layer ()
    • k) Aufbringen von Bauelementkontakten ( 9 ) auf Kontaktflächen ( 13 ) der Umverdrahtung ( 12 ). k) applying component contacts (9) on contact surfaces (13) of the rewiring (12).
  2. 2. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements, dadurch gekennzeichnet, daß die metallurgische Ver bindung ( 15 ) mittels eines Vorrichtung erzeugt wird, die die Umverdrahtung ( 12 ) auf zumindest einen Zwischenkontakt ( 4 ) drückt und mit einem Laser erwärmt. 2. A method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that the metallurgical Ver compound (15) is produced by means of a device which presses the rewiring (12) on at least one intermediate contact (4) and heated with a laser.
  3. 3. Halbleiterbauelement, erzeugt durch ein Verfahren gemäß Patentanspruch 1 und 2, wobei die Trennstellen ( 11 ) in der ersten Metallisierung ( 2 , 11 ) des Halbleiterchips ( 1 ) von der Klebeschicht ( 7 ) abgedeckt sind. 3. A semiconductor device produced by a method according to claim 1 and 2, wherein the separation points (11) in the first metallization (2, 11) of the semiconductor chip (1) from the adhesive layer (7) are covered.
  4. 4. Halbleiterbauelement, erzeugt durch ein Verfahren gemäß Patentanspruch 1 und 2, und gemäß den Merkmalen des Patentan spruchs 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Klebeschicht ( 7 ) photosensitiv, strukturierbar und thermoplastisch ist und daß die Klebeschicht ( 7 ) auf Polyimidbasis hergestellt ist. 4. A semiconductor device produced by a method according to claim 1 and 2, and according to the features of patent applica entitlement 3, characterized in that the adhesive layer (7) is photo-sensitive, structurable and thermoplastic and that the adhesive layer (7) is fabricated on polyimide.
  5. 5. Halbleiterbauelement, erzeugt durch ein Verfahren gemäß Patentanspruch 1 und 2, und gemäß den Merkmalen des Patentan spruchs 3 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Klebeschicht ( 7 ) einen höheren Schmelzpunkt aufweist als die Herstellungsschritte d) bis k) aus Patentanspruch 1. 5. A semiconductor device produced by a method according to claim 1 and 2, and according to the features of patent applica entitlement 3 to 4, characterized in that the adhesive layer (7) has a higher melting point than the manufacturing steps d) to k) of claim. 1
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10101948A1 (en) * 2000-01-14 2002-04-18 Chen I Ming A method for disposing a semiconductor chip on a substrate and on a substrate mountable semiconductor module
FR2828334A1 (en) * 2001-08-03 2003-02-07 Schlumberger Systems & Service Restoration of electrical and mechanical connectability to an electrical device with a face equipped with contact studs using an fixing layer crossed by conducting tracks
DE10346460A1 (en) * 2003-10-02 2005-05-19 Infineon Technologies Ag Fuse/anti-fuse protection on chips, comprises a pacifying layer, a dielectric that covers it, and a redistribution layer
DE10355586A1 (en) * 2003-11-28 2005-07-07 Infineon Technologies Ag Improved chip-on-chip structure includes intervening layers of bonding agent with two photoimide layers

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0769812A2 (en) * 1995-10-19 1997-04-23 Nec Corporation Method of manufacturing chip-size package-type semiconductor device
WO1997040532A2 (en) * 1996-04-24 1997-10-30 Amkor Electronics, Inc. Molded flex circuit ball grid array and method of making

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0519817B2 (en) * 1984-02-23 1993-03-17 Tokyo Shibaura Electric Co
EP0696056B1 (en) * 1994-07-29 2000-01-19 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method of testing and repairing an integrated circuit structure and forming a passivation structure

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0769812A2 (en) * 1995-10-19 1997-04-23 Nec Corporation Method of manufacturing chip-size package-type semiconductor device
WO1997040532A2 (en) * 1996-04-24 1997-10-30 Amkor Electronics, Inc. Molded flex circuit ball grid array and method of making

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Datenbank: Inspec auf STN, AN 98:6010650 *
IEEE Electron Device Letters, 1998, Vol. 19,S.4-6 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10101948A1 (en) * 2000-01-14 2002-04-18 Chen I Ming A method for disposing a semiconductor chip on a substrate and on a substrate mountable semiconductor module
DE10101948B4 (en) * 2000-01-14 2008-01-10 Evergrand Holdings Ltd. A method for disposing a semiconductor chip on a substrate and on a substrate mountable semiconductor module
FR2828334A1 (en) * 2001-08-03 2003-02-07 Schlumberger Systems & Service Restoration of electrical and mechanical connectability to an electrical device with a face equipped with contact studs using an fixing layer crossed by conducting tracks
WO2003015153A3 (en) * 2001-08-03 2004-03-11 Schlumberger Systems & Service Process to allow electrical and mechanical connection of an electrical device with a face equipped with contact pads
US8508952B2 (en) 2001-08-03 2013-08-13 Gemalto S.A. Electrical assembly
WO2003015153A2 (en) * 2001-08-03 2003-02-20 Schlumberger Systemes Process to allow electrical and mechanical connection of an electrical device with a face equipped with contact pads
US8429813B2 (en) 2001-08-03 2013-04-30 Gemalto Sa Process to allow electrical and mechanical connection of an electrical device with a face equipped with contact pads
US7235859B2 (en) 2003-10-02 2007-06-26 Infineon Technologies Ag Arrangement and process for protecting fuses/anti-fuses
DE10346460A1 (en) * 2003-10-02 2005-05-19 Infineon Technologies Ag Fuse/anti-fuse protection on chips, comprises a pacifying layer, a dielectric that covers it, and a redistribution layer
DE10355586A1 (en) * 2003-11-28 2005-07-07 Infineon Technologies Ag Improved chip-on-chip structure includes intervening layers of bonding agent with two photoimide layers
DE10355586B4 (en) * 2003-11-28 2007-09-27 Infineon Technologies Ag Chip-on-chip structure and process for their preparation

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