DE2039724C - Amphtudengeregelter Oszillator - Google Patents

Description

Schwing-Transistor (1) und der Basis des Ver- 35 werden nachstehend an Hand eines in der Zeichnung stärker-Transistors (7) veibunden ist. dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert.

5. Oszillator nach Anspruch 4, dadurch ge- Die Zeichnung zeigt einen quarzgesteuerten Oszilkennzeichnet, daß die beiden Basiswiderstände lator mit dem Schwingtransistor 1, eineTi dreistrfigen (12 und 13) gleich gioß bemessen sind. Trennverstärker mit den Transistoren 7, 14 und 17

6. Oszillator nach einem der vorhergehenden 40 sowie zwei der Regelung dienenden Transistoren 9 Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Ba- und 20.

sis des Verstä-xer-Transistors (7) mittels eines Die Schwingstufe mit dem Transistor 1 arbeitet in

Kondensators (8) mit Wechselstrom-Nullpoten- kapazitiver Dreipunktschaltung mit einer zwischen tial verbunden ist. den Kollektor und der Basis des Schwingtransistors 1

7. Oszillator nach einem der vorhergehenden 45 eingeschalteten Serienschaltung des Schwingquar-Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der zes 2 und einer Ziehkapazität, welche als eine Paral-Gleichstrom-Regeltransis'rir (9) aus einem vom lelschaltung eines Festkondensators 3 und eines verstärkten Ausgangssignal des Oszillators abge- Trimmers 4 zusammengesetzt ist. Außerdem enthält leiteten Gleichsignal gesteuert ist. das Rückkopplungsnetzwerk zwei einseitig mit Erde

8. Oszillator nach Anspruch 7, dadurch ge- 50 verbundene Kapazitäten, von denen die eine Kapazikennzeichnet, daß das verstärkte Ausgangssignal tat 5 an die Basis und die andere Kapazität 6 an den durch eine Transistorstufe (17) in Kollektorbasis- Kollektor des Schwingtransistors 1 angeschlossen ist. schaltung erregt ist. Die Serienschaltung des Quarzes 2 und der Ziehka-

9. Oszillator nach Anspruch 7 oder 8, dadurch pazität 3, 4 wirkt hierbei als eine induktive Reaktanz, gekennzeichnet, daß der Gleichstrom-Regeltran- 55 die zusammen mit den Kapazitäten 5 und 6 einen sistor (9) galvanisch durch einen das verstärkte Resonanzkreis bildet.

Ausgangssignal des Oszillators gleichrichtenden Zur Auskopplung der Oszillatorspannung dient

Transistor (20) gesteuert ist. der Verstärkertransistor 7 in Basisschaltung, dessen

10. Oszillator nach einem der vorhergehenden Basis mittels eines Kondensators 8 mit Erde verbun-Ansprüche, gekennzeichnet durch Einbau in 60 den ist und somit hochfrequenzmäßig auf Nullpoteneinen Thermostaten. tial liegt. Di; beiden Emitter des Schwingtransi-

11. Oszillator nach Anspruch 9 und 10, da- stors I und des VerstärkerSransistors 7 sind miteinandurch gekennzeichnet, daß der gleichrichtende der verbunden und an den Kollektor des Gleich-Transistor (20) ebenfalls innerhalb des Thermo- Stromregeltransistors 9 angeschlossen, welcher als staten untergebracht ist. 65 eine regelbare Stromquelle geschaltet ist.

Der Schwingtransistor 1 'ind der Verstärkertransistor 7 sind durch den Differentialverstärker-Schaltkreis eines integrierten Universalschaltkreises reali-

siert, so daß sich bei der Regelung dieser beiden einen nicht näher bezeichneten Trennkondensator an Transistoren durch den Gleichstromregeltransistor 9 den Ausgang 27 abgegeben wird. sehr gute Symmetrieeigenschaften (geringer Offset) Zur Regelspannungserzeugung; ist die ^aasmks

ergeben. Zur Unterstützung dieser Symmetrieeigen- gleichrichtenden Transistors 20 «*««"!™™* schäften sind die beiden Transistoren 1 und 7 kollek- 5 tor 19 an den Emitter des Endtransistori 17 angctorseitig über gleich große ohmsche Kollektorwider- koppelt. Eine unerwünschte *£™™%™^™~ stände 28 bzw. 29 an das mit Erde verbundene kcl- sators 19 durch den ΒμοΛΜμ« J^ und lektorseitige Versorgungsspannungspotentia! und ba- 2G wird durch die Diode 21 zwisctien Basisuna sisseitig über gleich große ohmsche Basiswiderstände Emitter des Transistors 2© veri«n(fcrt.Hieme liegen 12 bzw. 13 an den Abgriff eines ohmschen Span- io der Emitter des Transistors ^MJ^.™ ™τ" *ⁿ nuntsteilers 10, il angeschlossen. Dieser Spannung*- dem stabilisierten Minuspotenüal der ™^8™Β*- teiler besteht aus den zwei ohmschen Widerständin spannung. Ebenfalls ^/as stabihsierte Minuspoten^ 10 und 11 und ist zwischen das den Emitter des tial sind die Emitterwiderstande der^Transistoren M Gleichstrom-Regeltransistors9 speisende Gleichpo- und 17 sowie der Emitter ^d.^M .^G1^trom-Kegeitential und Erde eingeschaltet. 15 transistors 9 geführt. Die Basis des Gleichsrom-Re-

Da sämtliche Transistoren vom npn-Leitfähigk^its- ^!transistors 9 ist galvanic; 1 über den Wioersiana typ sind, ist das mit Erde verbundene kollektorseitige 25 an den Kollektor des gleichrichtenden IY ans is ο r Versorgungsspannungspotential positiv. Das den 20 angeschlossen. Ein ^"f^^r. ™^re™??_n„ _e ^UeK' Emitter des Gleichstrom-Regeltransistors 9 speisende zwischen Erde und der Bas « ^to T™!^ist?£»· ^s^ negative Potential ist über einen längsgeschalteten »o daß über diesen Widerstand 22 und den in Serie Ik Siebwiderstand, eine quergeschaltete Zenerdiode und genden Widerstand 25 Pluspotential an den Kollek einen quergeschalteten Siebkondensator stabilisiert tor des gleichrichtenden Transistors » «wangt. Die und gesiebt Kondensatoren 23 und 24, die den Kollektor des

Wegen der guten Symmetrieeigenschaften der inte- Transistors 20 und die Basis des ^T™^sisto" ' J^¹J* grierten Transistoren 1 und 7 und des über die a₅ n.;t dem stabilisierten Minuspotenüal verbinden be_ Widerstände 10, 11, 12 und 13 erzeugten gemeinsa- wirken zusammen mit dem ohmschen Widerstand^a men Basispotentials ist der Emittergleichstrom, in eine Siebung der Regelspannung von Hocnfrequenzbeiden Transistoren 1, 7 gleich groß und beträgt je resten.

die Hälfte des Kollektorgleichstromes des Gleich- überschreitet die Wechselspannungsamplitude am

strom-Regeltransistors 9. Bezüglich des Wechselstro- 30 Emitter des Endtransistors 17 den wen aer atnweimes sind die Emitter-Basisstrecken des Schwing- und lenspannung der Emitter-Basis-Diode des gleicnnchdes Verstärkertransistors in Serie geschaltet, so daß tenden Transistors 20, so wird dieser leitend und resich wegen der gleich großen Emitterströme dieser duziert somit den Ober Jen. Widened 22zugefuhr-Transistoren 1 und 7 eine Linearisierung und insbe- ten Basisstrom des Gleichstrom-Regeltransistors 9. sondere eine Aufhebung der geradzahligen Harmoni- 35 Der Kollektorstrom des eine gesteuerte Gleichs ronv schen in den Emitterwechselströmen einstellt. Die quelle darstellenden Gleichstrom-Rege transistors 9 Steilheit bzw. die Spannungsverstärkung des sinkt dabei so weit ab, bis die zum stationären Be-Schwingtransistors 1 ist dabei proportional dem trieb erforderliche Verstärkung des Schwingtransidurch den Gleichstrom-Regeltransistor 9 eingepräg- stors 1 erreicht ist Die Regelverstarkung ist hierbei ten Gleichstrom. Wird dieser Gleichstrom einstellbar 40 wegen der Verstärkang der Regelabweichung durch geuacht, so erhält man eine einfache Möglichkeit, die Transistoren 20 und 9 vergleichsweise hoch die Amplitude der Schwingstufe klirrarm zu re- Der gestrichelt umranaeie Teil der Schaltungsan-

_m Ordnung ist für den Einbau in einen Thermestaten

^W Der dreistufige Trennverstärker erhält außer dem vorgesehen. Da sich der gleichrichtende Transistor Verstärkertransistor 7 noch zwei weitere Stufen 14 45 20 ebenfalls innerhalb des Thermostaten befindet, und 17. Der Transistor 14 arbeitet in Enitterschal- bleibt die Temperaturabhängigkeit der Schwellentung und ist basisseitig kapazitiv an den Kollektor spannung der Emitter-ßasis-Diode dieses Transistors des Verstärkertransistors 7 angekoppelt. Der wirkungslos, so daß diese Schwellenspannung eine Emitterwiderstand 26 des Transistors 14 ist zur Er- konstante Führungsgröße fur die Regelschaltung darzie'iung einer höheren Verstärkung für V/echselspan- 50 stellt. .

nung durch ein nach Erde geführtes RC-Serienglied Wie bereits erwähnt, sind der Schwingtransistor 1

15, 16 wechselstrommaßig überbrückt. An den KoI- und der Verstärkertransistor 7 jeweils Ted eines lektor des Transistors 14 ist die Basis des in Kollek- Diffcrentialverstärker-Schaltkreises eines integrierten tor-Basis-Schaltung arbeitenden Endtransistors 17 Universalschaltkreises. Aber auch die übrigen Halbangeschlossen, an dessen Emitter die Ausgängsspan- 55 lehrelement sind größtenteils durch denselben Umnung über einen Entkopplungswiderstand 18 und versalschaltkreis realisierbar.

Hierzu 1 Blatt Zeichnurgen

Claims (4)

Die Erfindung betrifft einen amplitudengeregelten Patentansprüche: Oszillator, vorzugsweise Hochtrequenzoszillator, mit einem Schwing-Transistor, zwischen dessen Kollektor

1. Amplitudengeregelter Oszillator, Vorzugs- und Basis ein Rückkopplungsnetzw-rk eingeschaltet weise Hochfrequenzoszillator, mit einem S ist. ,
Schwing-Transistor, zwischen dessen Kollektor Aufgabe der Erfindung ist es, einen Tnumstoros- und Basis ein RückkopplungsneLzwerk einge- zillator, vorzugsweise Hochfrequenzoszillator anzuschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, geben, der sich möglichst weitgehend in integrierter daß an den Emitter des Schwing-Transistors (1) Schaltungstechnik, insbesondere unter Verwendung der Emitter eines Verstärker-Transistors (7) und io von handelsüblichen Universalschaltkreisen mit z. B. der Kollektor eines Gleichstrom-Regeltransistors zwei emittergekoppelten und einer Reihe weiterer (9) galvanisch angeschlossen sind. ein.'elbestückbarer Transistoren realisieren läßt.

2. Oszillator nach Anspruch 1, dadurch ge- ■ Ausgehend von einem Oszillator mit einem kennzeichnet, daß das Rückkopplungsnetzwerk Schwingtransistor, zwischen dessen Kollektor und einen zwischen den Kollektor und die Basis des 15 Basis ein Rückkopplungsnetzwerk eingeschaltet ist, Schwing-Transistors (1) eingeschalteten Schwing- wird diese Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst, quarz (2) und zwei einseitig mit Wechselstrom- daß an dem Emitter des Schwingtransistors der Nullpotential verbundene Kapazitäten (5, 6) ent- Emitter eines Verstärker-Transistors und der Kollekhält, von denen die eine Kapazität (S) an die Ba- tor eines Gleichstrom-Regeltransistors galvanisch an sis und die andere Kapazität (6) an den Kollektor ao geschlossen sind.

des Schwing-Transistors (1) angeschlossen ist. Hierdurch wird eine einfache Möglichkeit zur klirr-

3. Oszillator nach Anspruch 2, dadurch ge- armen Amplitudenregelung der Schwingstufe eröffkennzeichnet, daß dem Schwingquarz (2) eine net, so daß eine quaMlineare Betriebsweise erzietbar vorzugsweise einstellbare Ziehkapazität (3, 4) in ist und abgesehen von den fi^quenzbestimmenden Serie geschaltet ist. as Elementen sich weitere selektive Mittel zur Erzielung

4. Oszillator nach einem der vorhergegangenen eines sinusförmigen Ausgangssignals erübrigen. Wei-Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein terhin sind bezüglich des Wechselstromes die Emitohmscher Spannungsteiler (10, 11) zwischen das ter-Basis-Strecken des Schwing- und des Verstärkerde i Emitter des Gleichstromregeltransistors (9) transistors in Serie geschaltet, so daß sich wegen der speisenden Gleichpotential und das den Kollektor 30 gleich großen Emitterströme dieser beiden Transistodes Verstärker-Transistors (1) speisenden Gleich- ren eine Linearisierung und insbesondere eine Aufpotential eingeschaltet ist und der Abgriff des hibung der geradzahligen Harmonischen in den ohmschen Spannungsteilers (10, 11) über je einen Emitterwechselströmen einstellt.

ohmschen Basiswiderstand mit der Basis des Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung