DE20319104U1 - Anordnung zur Wärmebehandlung von Siliziumscheiben in einer Prozesskammer - Google Patents

Anordnung zur Wärmebehandlung von Siliziumscheiben in einer Prozesskammer Download PDF

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Abstract

Anordnung zur Wärmebehandlung von Siliziumscheiben in einer Prozesskammer, in der die zu beschichtende Siliziumscheibe, zum Schutz der Prozesskammer gegen Niederschlag, von Linerplatten umgeben ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Linerplatte (7) geteilt ausgeführt ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Wärmebehandlung von Siliziumscheiben in einer Prozesskammer, in der die zu beschichtende Siliziumscheibe, zum Schutz der Prozesskammer gegen Niederschlag, von Linerplatten umgeben ist.
  • Bei verschiedenen RTP-Prozessen (Rapid Thermal Processing) dampft Schichtmaterial von der Siliziumscheibe ab und schlägt sich in der Prozesskammer der RTP-Anlage nieder. Durch diesen Niederschlag werden die optischen Eigenschaften der Prozesskammer verändert. Diese Veränderungen können dazu führen, dass die absolute Temperatur auf der Scheibe verändert wird und/oder dass die Temperaturhomogenität auf der Scheibe mit zunehmender Zahl von prozessierten Scheiben abnimmt.
  • Zur Vermeidung der Kontamination der Prozesskammer werden, im Stand der Technik, so genannte Linerplatten aus optisch transparentem Quarzglas, vorzugsweise oberhalb und unterhalb der zu behandelnden Siliziumscheibe, in die Kammer eingebaut. Das abgedampfte Material schlägt sich auf diesen Linerplatten nieder und nicht mehr in der Prozesskammer selbst. Diese Platten können einfach ausgetauscht werden. Der kostenintensive Austausch der Prozesskammer selbst ist somit nicht mehr nötig.
  • Die optische Transparenz der Linerplatten wird mit zunehmender Zahl von prozessierten Siliziumscheiben durch den Niederschlag verringert, wobei die oberhalb der Siliziumscheibe angeordnete Linerplatte wesentlich stärker belegt wird als die unter der Siliziumscheiben angeordnete Linerplatte. Durch diesen ungleichmäßigen Niederschlag treten hohe lokale Unterschiede in der Transparenz der Platten auf.
  • Zur Reduzierung des Einflusses der Kontamination auf die zu behandelnden Siliziumscheiben werden die Linerplatten in regelmäßigen Abständen ausgetauscht. Dabei können die Linerplatten entweder durch neue Platten ersetzt werden, oder durch entsprechende Verfahrensschritte aufbereitet werden. Die Verfahrensschritte zur Aufbereitung der Linerplatten bestehen beispielsweise aus einem mechanischen Reinigungsschritt, bei dem die Platte durch Abwischen gesäubert wird, und einem chemischen Reinigungsschritt, bei dem die Platte nasschemisch gereinigt wird.
  • Durch einen derartigen Reinigungsvorgang kann der Ausgangszustand der Linerplatte, in Bezug auf ihre optischen Parameter, nicht mehr hergestellt werden, was zu einer Abnahme der Transparenz der Linerplatte mit zunehmender Anzahl der Reinigungsvorgänge führt. Somit wird nach einer Zeitdauer von beispielsweise 4 bis 5 Wochen der Einsatz von neuen Platten notwendig.
  • Jeweils nach dem Einsatz neuer oder gereinigter Linerplatten ist ein Temperaturkalibrierungsvorgang der RTP-Anlage, über Ausheilen von implantierten Siliziumscheiben mit anschließender Schichtwiderstandsmessung, notwendig, da die Strahlungsbedingungen für die pyrometrische Temperaturmessung verändert wurden.
  • Der Nachteil im Stand der Technik besteht darin, dass Linerplatten nur etwa fünfmal aufbereitet werden können, da ein Entglasen des Quarzglases der Linerplatte, durch ein diffundierendes abgeschiedenes Material aus den Prozessscheiben, erfolgt. Der Austausch einer Linerplatte verursacht Kosten von etwa 450,00 Euro.
  • Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung zur Wärmebehandlung von Siliziumscheiben in einer Prozesskammer anzugeben, die einen Schutz der Prozesskammer vor Ablagerungen gewährleistet und den Aufwand sowie die Kosten für Instandhaltung reduziert.
  • Gemäß der Erfindung wird die Aufgabe bei einer Anordnung zur Wärmebehandlung von Siliziumscheiben in einer Prozesskammer der eingangs genannten Art dadurch gelöst, dass die Linerplatte geteilt ausgeführt ist.
  • Gemäß der erfinderischen Lösung bestehen die Linerplatten aus mindestens zwei Teilen. Somit ist es möglich die Linerplattenteile, in Abhängigkeit vom Abnutzungsgrad, getrennt auszutauschen. Durch die Möglichkeit eines teilweisen Austauschs von Linerplattenteilen fallen auch nur die Instandhaltungskosten für den auszutauschenden Teil an, was zu einer Reduzierung der Instandhaltungskosten führt.
  • In einer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Linerplatte aus einer rechteckigen Platte besteht, welche mit einer Öffnung für einen Einsatz versehen ist, wobei der Einsatz die Öffnung vollständig verschließt.
  • Bei den Wärmebehandlungsprozessen hat sich gezeigt, dass sich Ablagerungen durch abgedampftes Gut vorrangig oberhalb der zu behandelnden Siliziumscheiben auf der Linerplatte niederschlägt. Erfindungsgemäß ist beispielsweise die in der Prozesskammer oberhalb der behandelnden Siliziumscheiben angeordnete, geteilt ausgeführte Linerplatte mit einer kreisförmigen Öffnung versehen. Ein Einsatz, der ebenfalls aus dem Material der Linerplatte besteht, ist so gestaltet, dass er genau in die Öffnung der Linerplatte eingefügt werden kann. Die Einheit, bestehend aus der rechteckigen Linerplatte mit der Öffnung und dem Einsatz, weist die gleichen Eigenschaften in der Prozesskammer auf, wie eine vergleichbare ungeteilte Linerplatte. Damit der Einsatz in der Öffnung der Linerplatte fixiert werden kann, weist die rechteckige Linerplatte entsprechende Halterungen auf.
  • In einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Öffnung kreisförmig ist.
  • Eine Gestaltungsmöglichkeit der geteilten Linerplatte besteht in einer kreisförmigen Öffnung innerhalb der rechteckigen Linerplatte, mit einem entsprechenden Einsatz, die einen Durchmesser aufweist, welcher etwa der zu behandelnden Siliziumscheibe entspricht. Diese Dimensionierung der Öffnung und des Einsatzes hat den Vorteil, dass der Einsatz ausreichend groß ist, um abgedampftes Gut oberhalb der Siliziumscheibe aufzunehmen. Somit ist im Bedarfsfall nur die Reinigung oder der Austausch des Einsatzes erforderlich.
  • In einer besonderen Ausführung der Erfindung ist vorgesehen, dass die Linerplatte und der Einsatz aus Quarzglas bestehen.
  • Vorzugsweise bestehen sowohl die rechteckige Linerplatte mit der Öffnung als auch der zugehörige Einsatz aus Quarzglas und weisen somit die in der Prozesskammer notwendigen optischen Eigenschaften auf.
  • In einer Ausgestaltungsform der Erfindung ist vorgesehen, dass der Einsatz ein beschichteter Einsatz ist.
  • Ein weiterer Vorteil der kreisförmigen Gestaltung des Einsatzes, welcher etwa die Größe einer Siliziumscheibe aufweist, ist die Möglichkeit, den Einsatz in einer üblichen Halbleiterfertigungsanlage, mit einer Beschichtung zu versehen. Wird der Einsatz beispielsweise mit Siliziumnitrid beschichtet, erhält er eine, gegenüber einer Quarzglasoberfläche, verbesserte Diffusionsbarriere gegen abgedampftes Gut. Ein derart beschichteter Einsatz kann besser gereinigt werden und ist resistenter gegen das Entglasen, womit sich die Standzeit des Einsatzes erhöht.
  • Der Einsatz von Siliziumnitrid hat weiterhin die Vorteile, dass eine für die Anwendung in der Prozesskammer notwendige optische Transparenz bestehen bleibt, dass Siliziumnitrid Halbleiterkompatibel ist und somit keine Kontaminationsgefahr besteht und dass Siliziumnitrid eine sehr gute Haftung auf Quarzglas aufweist.
  • Wenn die Siliziumnitridbeschichtung nach dem häufigen Reinigen seine Wirkung verliert, so kann die ohne Schädigung des Quarzglaseinsatzes erneuert werden. Hierzu wird das Siliziumnitrid nasschemisch von dem Quarzglaseinsatz abgeätzt.
  • Durch dieses, in der Halbleiterfertigung gängige, Verfahren wird das Quarzglas nicht geschädigt. Nachfolgend wird die Siliziumnitridbeschichtung, beispielsweise in einer LPCVD-Anlage erneuert.
  • Die Erfindung soll nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert werden. In den zugehörigen Zeichnungen zeigt
  • 1 einen schematischen Querschnitt durch eine RTP-Prozesskammer und
  • 2 eine erfindungsgemäße Anordnung zur Wärmebehandlung von Siliziumscheiben in einer Prozesskammer.
  • In der 1 ist der schematische Querschnitt durch eine aus dem Stand der Technik bekannte RTP-Prozesskammer 1 dargestellt, in der Siliziumscheiben 2 einer Wärmebehandlung unterzogen werden. Die Siliziumscheiben 2 werden dazu auf einem Scheibenträger 3 aufgebracht und in die Quarzkammer 4, welche von Quarzlampen 5 umgeben ist, eingeführt. Oberhalb und unterhalb der zu behandelnden Siliziumscheiben 2 befindet sich eine Linerplatte 6 zum Schutz der Quarzkammer 4 gegen Niederschlag.
  • In der 2 ist eine erfindungsgemäße Anordnung zur Wärmebehandlung von Siliziumscheiben in einer Prozesskammer dargestellt. In dieser Darstellung ist der Scheibenträger 3 dargestellt über dem die obere, erfindungsgemäß geteilte Linerplatte 7 angeordnet ist. Diese besteht aus der rechteckigen Linerplatte 7 mit einer kreisförmigen Öffnung und dem in der Öffnung angeordneten beschichteten Einsatz 8. Die Anordnung einer erfindungsgemäß geteilten Linerplatte 7 unter dem Scheibenträger 3 stellt eine weitere Möglichkeit dar. Die in der 2 dargestellte Anordnung wird zur Durchführung des Wärmebehandlungsvorgangs in die Prozesskammer 1 eingebracht. Ist eine entsprechende Anzahl von Siliziumscheiben 2 behandelt, tritt auf dem beschichteten Einsatz 8 eine Trübung durch den Niederschlag auf. Da diese Ablagerungen bevorzugt oberhalb der Siliziumscheiben 2 auftreten, muss nur der beschichtete Einsatz 8 gereinigt oder mit einer neuen Siliziumnitridbeschichtung versehen werden. Zur Durchführung dieser Instandhaltungsarbeiten wird die gesamte in 2 dargestellte Anordnung aus der Prozesskammer 1 entnommen. Nachfolgend kann der Einsatz 8 aus der geteilten Linerplatte 7 entnommen und behandelt werden.
  • 1
    Prozesskammer
    2
    Siliziumscheibe
    3
    Scheibenträger
    4
    Quarzkammer
    5
    Quarzlampen
    6
    Linerplatte
    7
    geteilte Linerplatte
    8
    Einsatz

Claims (5)

  1. Anordnung zur Wärmebehandlung von Siliziumscheiben in einer Prozesskammer, in der die zu beschichtende Siliziumscheibe, zum Schutz der Prozesskammer gegen Niederschlag, von Linerplatten umgeben ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Linerplatte (7) geteilt ausgeführt ist.
  2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Linerplatte (7) aus einer rechteckigen Platte besteht, welche mit einer Öffnung für einen Einsatz (8) versehen ist, wobei der Einsatz (8) die Öffnung vollständig verschließt.
  3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnung kreisförmig ist.
  4. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Linerplatte (7) und der Einsatz (8) aus Quarzglas bestehen.
  5. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Einsatz (8) ein beschichteter Einsatz (8) ist.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5846332A (en) * 1996-07-12 1998-12-08 Applied Materials, Inc. Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber
WO1999049101A1 (en) * 1998-03-23 1999-09-30 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for cvd and thermal processing of semiconductor substrates
US6192827B1 (en) * 1998-07-03 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Double slit-valve doors for plasma processing
CN1394351A (zh) * 2000-01-11 2003-01-29 纳幕尔杜邦公司 用于半导体蚀刻室的内衬
US6707011B2 (en) * 2001-04-17 2004-03-16 Mattson Technology, Inc. Rapid thermal processing system for integrated circuits
US20030198749A1 (en) * 2002-04-17 2003-10-23 Applied Materials, Inc. Coated silicon carbide cermet used in a plasma reactor

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