DE202009002383U1 - Schaltung zur potenzialfreien Ansteuerung mit entgegen gerichteten Signalen mittels eines Übertragers - Google Patents

Schaltung zur potenzialfreien Ansteuerung mit entgegen gerichteten Signalen mittels eines Übertragers Download PDF

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Abstract

Schaltung zur potenzialfreien Ansteuerung mit entgegen gerichteten Signalen mittels eines Übertragers, dadurch gekennzeichnet, dass ein zu übertragendes Signal (SIG1) in positiver magnetischer Flussrichtung einer gemeinsamen primären Wicklung (w13) oder einer einzelnen primären Wicklung (w1) in einer ersten sekundären Wicklung (w3) in gleicher Koppelrichtung ein positives Steuersignal unmittelbar erzeugt und ein Signal (SIG2) in negativer magnetischer Flussrichtung einer zweiten (w2) oder der gleichen Wicklung (w13) in einer zweiten sekundären Wicklung (w7) in entgegengesetzter Koppelrichtung zur ersten sekundären Wicklung (w3) ein ebenfalls positives Steuersignal unmittelbar erzeugt oder in der ersten sekundären Wicklung ein negatives Steuersignal erzeugt, und dass, wenn kein weiteres Signal übertragen werden soll, eine durch Schaltungselemente automatische oder digital gesteuerte Entmagnetisierung des Übertragers durch eine oder zwei als Kurzschluss angesteuerte Wicklung, bzw. Wicklungen unmittelbar am Ende eines zuvor übertragenen Signals (SIG1, SIG2) erfolgt.

Description

  • Schaltungen üblicher Ausführung, wie beschrieben in der Motorola Publikation: "TMOS PowerFET Design Ideas" Issue:A 1985 S11, haben, wenn Sie nur einen Impulstrafo anwenden, zwei sekundäre Wicklungen. Hierbei ist die Wechselstromansteuerung mit nur einer primären Steuerleitung in der Frequenz eingeschränkt, da eine Signalansteuerung zum Einschalten eines MOSFETs nur so lange gesichert erfolgen kann, wie der Impulstransformator nicht in die magnetische Sättigung geht.
  • Hat man die Absicht mit nur einem Impulstransformator eine niedrige Takt-Frequenz an einem sekundärseitigen MOSFET zu erzeugen, zum Beispiel im Bereich von 500 Hz, so wird die bauliche Ausführung eines solchen Ansteuertrafos unwirtschaftlich groß. Falls man eine Ansteuerung mit baulich kleinen Impulstrafos vornehmen möchte, wie Sie in dem Patent DE 4312300 B4 beschrieben ist, so muss man zwei Impulstransformatoren einsetzen. Die Steueraufgabe des Ein- und Ausschaltens jeweils eines MOSFETs wird dabei auf zwei unterschiedliche kleine Transformatoren, also zwei physikalisch unterschiedliche Signalkanäle aufgeteilt.
  • Der Nachteil dieser Schaltung besteht also darin, dass man zwei Impulstransformatoren einsetzen muss.
  • Die vorliegende Erfindung ermöglicht nun, mit nur einem kleinen Impulstransformator entgegen gerichtete und potenzial getrennte Signale zu übertragen, ohne dass diese in der Bandbreite zu niedrigen Frequenzen hin, durch magnetische Sättigung des Impulstransformators eingeschränkt werden.
  • Dies wird mit den im Schutzanspruch 1 aufgeführten Merkmalen erreicht.
  • Bei der erfindungsgemäßen Schaltung können entgegen gerichtete Signale, potenzial getrennt, mit nur einem Impulstransformator übertragen werden, bei dem eine oder zwei Wicklungen durch zwei Transistoren richtungs gebunden kurz geschlossen werden, sodass ein ungewolltes Steuersignal auf der sekundären Seite in falscher Richtung in Folge einer Kernsättigung mit ungewolltem Entmagnetisierungsimpuls des Impulstransformators in Gegenrichtung vermieden wird.
  • Die primären Steuersignale werden auf der Sekundärseite weiter verarbeitet. Es stehen im Wechsel zwei unterschiedliche Kanäle ohne Einschränkung der Bandbreite zur Verfügung. Ein Kanal K1 kann zum Beispiel ein erstes Signal SIG1 zum Einschalten, der andere entgegen gerichtete Kanal K2, kann als zweites Signal SIG2 zum Ausschalten genutzt werden. Es wird aber vermieden, dass bereits unmittelbar am Ende von SIG1 ein ungewolltes, entgegen gerichtetes zweites Signal im Kanal 2 entsteht, obwohl ein zweites Signal SIG2 erst zu einem späteren Zeitpunkt folgen soll oder umgekehrt. Zu diesem Zweck schließt je ein Transistor richtungsgebunden nach jedem Signal SIG1 oder SIG2 jeweils eine, zum betreffenden Signal entgegen gerichtete zugeordnete Wicklung elektrisch kurz, wenn durch einen Entmagentisierungsimpuls eine Fehlsteuerung zwangsläufig zu erwarten wäre. Durch diesen richtungsabhängigen Windungskurzschluss werden alle anderen Wicklungen im entsprechenden Wicklungssinn ebenfalls kurzgeschlossen, so dass eine Fehlübertragung in falscher Richtung effektiv ausgeschlossen wird. Die Steuerung dieser, die Entmagnetisierung bewirkenden Transistoren, kann gemeinsam oder jeder für sich sowohl automatisch am Ende jedes vorausgegangenen Signals SIG1 oder SIG2, aber auch Programm gesteuert, durch einen Mikrocontroller erfolgen. Die erfindungsgemäße Schaltung ermöglicht potenzial getrenntes Ein- und Ausschalten einzelner MOSFETs insbesondere auch die wechselseitige Ansteuerung durch Auf- und Entladen der Gate Kapazitäten von MOSFETs in Brückenschaltungen, oder in Push-Pull Verstärkern, bei Verwendung nur eines Impulstransformators. Die Anzahl der MOSFETs, die man sekundär parallel voneinander potenzial getrennt ansteuern möchte, hängt von der Anzahl der sekundären Wicklungen ab.
  • Die große Anzahl der Wicklungen der Schaltung lassen sich nur mit hohem technischen Aufwand auf einem kleinen Wickelkörper unterbringen, da hierfür entsprechend viele Anschlussstifte und außerdem entsprechend große Isolationsabstände und Isolationsfestigkeiten der Wicklungen untereinander vorgesehen werden müssen.
  • Dieses Problem wird erfindungsgemäß im Schutzanspruch 8 dadurch gelöst, dass anstelle eines klassischen Wickelkörpers mit Kupferlackdraht, die Wicklungen durch eine Leiterplatte aus mehreren Lagen ausgeführt werden und ein sogenannter Planartransformator mit geringen Abmessungen zum Einsatz kommen kann. Die nötige Isolationsfestigkeit wird durch das Material der Leiterplatte und die einzuhaltenden Mindestabstände der Leiterbahnführung erreicht. Ein teurer, aufwendiger Wickelkörper kann so entfallen.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der 1 bis 5 und 7 bis 9 erläutert. 6 zeigt den Stand der Technik. Es zeigen:
  • 1 zeigt, wie der Impulstransformator mit den dazugehörigen Wicklungen Impulse auf die sekundäre Seite überträgt.
  • 2 zeigt eine zeitliche Verlaufsfolge von Signalen der Schaltung aus 1 bei der die Kurzschlusswicklungen w5 und w6 unabhängig voneinander aktiviert werden.
  • 3 zeigt eine zeitliche Verlaufsfolge von Signalen bei der die Kurzschlusswicklungen w5 und w6 beide gleichzeitig aktiviert werden.
  • 4 zeigt eine Erweiterung der Schaltung von 1 für in beide Richtungen automatisch und gleichzeitig erfolgende Ansteuerung der Kurzschlusswicklungen w5 und w6 des Transformators am Ende jedes Signals SIG1 oder SIG2.
  • 5 zeigt eine Erweiterung der Schaltung von 4 als Anwendung zum wechselseitigen Auf- und Entladen von Gatekapazitäten zweier MOSFETs M1 und M2.
  • 6 zeigt den Stand der Technik mit einem Impulstransformator Ü2 ohne gesteuerte Kurzschlusswicklung als Anwendung eines MOSFETs als hoch effektiver Synchrongleichrichter für Schaltnetzteile.
  • 7 zeigt eine Ausführung der erfindungsgemäßen Schaltung, bei der die Kurzschlusswicklungen aus 1 w5 und w6 durch eine Kurzschlusswicklung w12 ersetzt worden ist.
  • 8 zeigt eine Ausführung der erfindungsgemäßen Schaltung, bei der die Wicklungen w1, w2, w5 und w6 durch eine einzige primäre Steuerleitung w13 ersetzt worden sind.
  • 9 zeigt eine Anwendungs-Kombination mit den primären Schaltkreisen aus 8 und die Ansteuerung eines einzelnen sekundären MOSFETs M1 aus 5.
  • 1 zeigt die Grundschaltung und Wicklungsausführung des Impulstransformators Ü1. Der Impulstransformator kann in zwei unterschiedliche Richtungen angesteuert werden. Es liegen zwei Kanäle Kanal1 und Kanal2 vor. In beide Kanäle werden als Eingangssignale für SIG1 und SIG2 jeweils Rechteck Impulse kurzer Dauer eingespeist. Die Länge der Impulse ist so gewählt, dass eine ausreichend lange Ansteuerung auf den sekundären Wicklungen w3, w7, w8, w4 des Transformators gewährleistet ist, es aber nicht zu einer magnetischen Sättigung des Transformators kommt. Ein solcher Impuls in SIG1 steuert über R1 einen Transistor T1 an, der an die Wicklung w1 einen Spannungsimpuls mit dem Potenzial +VCC legt.
  • Der primäre Spannungsimpuls an w1 bewirkt einen positiven Spannungsimpuls am Ausgang der Wicklung w3, am Anschluss SIG3 Kanal1 gegenüber dem Anschluss GND A. Der primäre Spannungsimpuls an w1 bewirkt auch gleichzeitig einen positiven Spannungsimpuls am Ausgang der Wicklung w8, am Anschluss SIG8 Kanal1 gegenüber dem Anschluss GND B.
  • Entsprechendes gilt für Kanal2: Ein Impuls in SIG2 steuert über R2 einen Transistor T2 an, der an die Wicklung w2 einen Spannungsimpuls mit dem Potenzial +VCC legt.
  • Der primäre Spannungsimpuls an w2 bewirkt einen positiven Spannungsimpuls am Ausgang der Wicklung w4, am Anschluss SIG4 Kanal2 gegenüber dem Anschluss GND B. Der primäre Spannungsimpuls an w2 bewirkt auch gleichzeitig einen positiven Spannungsimpuls am Ausgang der Wicklung w7, am Anschluss SIG7 Kanal2 gegenüber dem Anschluss GND A.
  • In der Schaltung befinden sich zwei Wicklungen w5 und w6, die über zwei Signale DELSIG1 und DELSIG2 über entsprechenden Stromfluss durch R3 und R4 und einen Basisstrom durch T3 und T4 die Wicklungen elektrisch kurz schließen können. Dabei kann innerhalb einer der beiden Kurzschlusswicklungen der Strom nur jeweils in eine Richtung fließen. Ist ein Ansteuerpotenzial für DELSIG1 vorhanden und die Wicklung w5 kurzgeschlossen, so wird SIG1 Kanal1 unterdrückt. Der Wicklungskurzschluss wird auf alle anderen Wicklungen der entsprechend korrespondierenden magnetischen Flussrichtungen transformiert. Ist das Signal DELSIG2 aktiv, kann entsprechend der Signalfluss von SIG2 auf die entsprechenden sekundären Wicklungen für Kanal2 deaktiviert werden. DELSIG1 und DELSIG2 sind jedoch nicht nur für das Deaktivieren eines Signalflusses von SIG1 und SIG2 vorhanden, sie können auch den Impulstransformator entmagnetisieren und die im Magnetfeld des Impulstransformators gespeicherte Energie abbauen, ohne dass es zu einer fehlerhaften, sekundären Signalinterpretation auf dem jeweils anderen, entgegen gerichteten Kanal kommt. Kommen Impulsfolgen nur über Kanal1 SIG1 und man möchte überhaupt keine Signale SIG2 über den Kanal2 übermitteln, so ist dies nur dadurch möglich, dass der Entmagnetisierungsimpuls des Impulstrafos über ein Ansteuern von DELSIG2 dies verhindert. Das dazu nötige Ansteuern von DELSIG2 muss hierfür unmittelbar nach einem Signalimpuls von SIG1 erfolgen. Der Vorgang in die andere Richtung erfolgt entsprechend.
  • In 2 wird der zeitliche Signalablauf hierfür gezeigt. Der gestrichelte Bereich m1 zeigt ein einzelnes über den Impulstransformator übertragenes Signal SIG1 zu SIG3, auf deren Übertragungsende ein sofortiger DELSIG2 Pegel erfolgt, um eine Fehlübertragung auf SIG4 zu unterdrücken. Entsprechend sieht in Gegenrichtung die Ansteuerung für SIG2 und DELSIG1 aus. Im gestrichelten Block m2 wird deutlich, dass die Kurzschlusswicklungen w5 und w6 nicht aktiviert sein dürfen, falls eine hohe wechselseitige Impulsfolge von SIG1 und SIG2 stattfindet. Das Ummagnetisieren erfolgt hier wechselseitig gewollt. Ein ungewollter Entmagnetisierungsteuerimpuls kann nicht auftreten, weil der Transformator nicht in Sättigung kommen kann.
  • 3 zeigt den gleichen Signalflussverlauf aus der 2. In 3 wird jedoch gezeigt, dass zwecks einer Ansteuervereinfachung der Signalerzeugung innerhalb eines digitalen Steuerkreises oder Ähnlichem die Ansteuerung von DELSIG1 und DELSIG2 parallel erfolgen kann. Wie man aus den 2 und 3 entnehmen kann, ist die Ansteuerung der Signale DELSIG1 und DELSIG2 zeitlich länger aktiv als die Rechteckimpulse von SIG1 und SIG2. DELSIG1 und DELSIG2 müssen so lange angesteuert werden, bis der Transformator vollständig entmagnetisiert ist. Dieser Vorgang kann zeitlich länger notwendig sein. Es ist möglich DELSIG1 und DELSIG2 dauernd aktiv zu schalten und nur dann zu deaktivieren, wenn ein Signalfluss über einen Kanal erfolgen soll. Dies kann technisch sinnvoll sein, falls es gilt, Störimpulse in einer bestimmten Betriebsphase vollständig auszuschließen. Um die Steuerleistungen in den Widerständen R3 und R4 zu minimieren, ist diese Betriebsart jedoch nicht unbedingt vorteilhaft und man sollte einen Kompromiss aus Effizienz und Betriebssicherheit hierbei wählen.
  • 4 zeigt eine Erweiterung der Schaltung von 1 für in beide Richtungen automatisch und gleichzeitig erfolgende Entmagetisierungen des Transformators am Ende jedes SIG1 oder SIG2 Signals. Die Schaltung ist um den Widerstand R5, den Kondensator C1 und der Diode D1 ergänzt. Der Widerstand R5 begrenzt die Stromaufnahme der jeweiligen Primärwicklungen wl und w2. Der an jedem Signalende von SIG1 und SIG2 am Widerstand R5 entstehende Spannungsanstieg verursacht an dem Kondensator C1 Verschiebeströme, die über die Widerstände R2 und R3 die Transistoren T3 und T4 ansteuern und so die zugeordneten Wicklungen w5 und w6 für sich richtungsgebunden, aber gleichzeitig kurzschließen. Die Wiederaufladung des Kondensators C1 erfolgt über die Diode D1.
  • 5 zeigt eine Erweiterung der Schaltung von 4 als Anwendung zur wechselseitigen Ansteuerung zweier MOSFETs M1 und M2. Die Signalübertragung von SIG1 und SIG2 beinhaltet auch die gleichzeitig nötige Steuerenergie zur Auf- und Entladung der Gatekapazitäten der MOSFETs.
  • Es kann statt eines einzigen Signals auch eine Impulsfolge generiert werden, falls ein einzelner Impuls zur Aufladung einer Kapazität nicht ausreichen sollte oder eine Ladungserneuerung bei sehr langen Periodenzeiten nötig sein sollte. Die Schaltung enthält zusätzlich auf der Sekundärseite des Transformators Ü1 die Dioden DG1 und DG2 sowie die Transistoren T5 und T6 und die Widerstände R6, R7, R8 und R9.
  • Die Dioden DG1 und DG2 haben die Aufgabe, die von den Wicklungen w3 oder w4 übertragenen Ladungsmengen immer so lange in den Gate Kapazitäten der MOSFETs zu fangen, bis diese von einem Signal der Wicklungen w7 oder w8 gesteuerten Transistoren T5 oder T6 entladen werden. Die Widerstände R6, R7, R8 und R9 begrenzen die Basisströme der Transistoren T5 und T6 und bestimmen deren Verstärkungsfaktor.
  • 6 zeigt den Stand der Technik, bei der durch eine primäre Wicklung w9 einen gleichzurichtenden Strom durch die Diode eines MOSFETs M3 einen Steuerpuls in der Wicklung w11 auslöst. Dieser Steuerpuls wird über die Diode D2 in Richtung des Gates des MOSFETs geführt und dieser durchgeschaltet. Die Diodenstrecke des MOSFETs wird nun durch den niedrigen RDS ON Widerstandes des MOSFETs überbrückt. Bricht das Magnetfeld des Impulstrafos Ü2 zusammen, so entsteht ein Impuls in der Wicklung w10, der wiederum einen Transistor T7 ansteuert und damit das Gate des MOSFETs M3 entlädt. Die maximale Periodendauer über der das Gate des MOSFETS leitend geschaltet werden kann, wird durch die Größe und das Sättigungsverhalten des Impulstrafos selbst bestimmt.
  • Für eine Anwendung mit hohen Schaltfrequenzen innerhalb von Schaltnetzteilen und einer sekundären Gleichrichtung innerhalb dieser, stellt dieses Verfahren eine interessante Lösung dar. Dies hängt damit zusammen, dass das Ansteuerungssignal durch w9 bei dieser Art der Anwendung aus einer stetig steigenden Kurve besteht, die dann abrupt abfällt. Für eine Gleichrichtung eines sinusförmigen Signals mit niedriger Frequenz ist hingegen diese Schaltung nicht effektiv einsetzbar.
  • Die erfindungsgemäße Schaltung ermöglicht jetzt das Ansteuern mit nur einem kleinen Impulstransformator für sehr lange Periodendauern, da die Einflussnahme des Entmagnetisierungsimpulses des Impulstransformators auf die Eigenschaften der sekundären Schaltungsanwendung und auf die Signalübertragung aufgehoben wird. Dadurch, dass der Entmagnetisierungsimpuls keinen Einfluss mehr nehmen kann, können zwei Kanäle über beide primär unterschiedlichen Ansteuerungsrichtungen voll genutzt werden und unterliegen keiner Einschränkung, beispielsweise hinsichtlich der Periodendauer der Ansteuerschaltungen von MOSFETs.
  • 7 zeigt eine Schaltungsausführung mit 4 Transistoren auf der primären Ansteuerungsseite, bei der die Kurzschlusswicklung w12 mit Hilfe von zwei MOSFETs M4 und M5 in beide Richtungen aktiviert werden kann. Der Einsatz von MOSFETs ermöglicht eine dauerhafte Ansteuerung der Kurzschlusswicklung mit nur geringer Steuerleistung. Wenn beide MOSFETs leiten, hat dies den Vorteil, dass die Kurzschlusswicklung nur zweimal den RDS ON der MOSFETS als Widerstand in Serie mit geschaltet bekommt, was der Entmagnetisierung und der falschen Signalunterdrückung zugute kommt.
  • 8 zeigt nun eine Ausführung, bei der jetzt nur noch eine primäre Steuerleitung zum Einsatz kommt, bei der die gleichen Signalsteuerungsabläufe aus 1 immer noch zum Einsatz kommen. Die extra Ansteuerung DELSIG1 und DELSIG2 entfällt jetzt und ist automatisch gegeben durch eine direkte Beschaltung, wie im Prinzip schon in 4 eine beschrieben wurde. Die Kurzschlusswicklung w12, wie sie in 7 funktionell beschrieben wird, kommt zunächst dauerhaft zum Einsatz, indem die MOSFETs M4 und M5 beide Wicklungsenden von w13 auf das gleiche Potenzial legen, das Masse Potenzial. Soll jetzt ein Steuerimpuls SIG1 auf den Kanal1 übermittelt werden, so muss M4 hierfür deaktiviert werden, damit ein Stromimpuls vom Kollektor T9 über die Wicklung w13 über M5 nach Masse fließen kann. Hierfür wird T1 über den Basiswiderstand R1 leitend geschaltet, der das Gate von M4 entlädt und gleichzeitig über R11 die Basis von T9 leitend steuert. Am Ende des Steuerimpulses von SIG1 wird über R3 das Gate von M4 erneut aufgeladen und T9 abgeschaltet. Der Gegenimpuls in Folge der Entmagnetisierung kann durch den leitend geschalteten MOSFET M5 in der Steuerwicklung w13 in umgekehrter Richtung sofort vernichtet werden. Bei der Impulsübertragung auf Kanal2 SIG2 in Gegenrichtung erfolgen bei der symmetrischen Schaltungsausführung die Schaltabläufe über die übrigen Elemente voll analog: Zunächst muss M5 deaktiviert werden und ein Stromimpuls vom Kollektor T8 kann über die Wicklung w13 über M4 nach Masse fließen. Hierfür wird T2 über den Basiswiderstand R2 leitend geschaltet, der das Gate von M5 entlädt und gleichzeitig über R10 die Basis von T8 leitend steuert. Am Ende des Steuerimpulses von SIG2 wird über R4 das Gate von M4 erneut aufgeladen und T8 abgeschaltet, der Gegenimpuls in Folge der Entmagnetisierung kann durch den leitend geschalteten MOSFET M4 in der Steuerwicklung w13, in umgekehrter Richtung sofort vernichtet werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - DE 4312300 B4 [0002]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • - Motorola Publikation: "TMOS PowerFET Design Ideas" Issue:A 1985 S11 [0001]

Claims (8)

  1. Schaltung zur potenzialfreien Ansteuerung mit entgegen gerichteten Signalen mittels eines Übertragers, dadurch gekennzeichnet, dass ein zu übertragendes Signal (SIG1) in positiver magnetischer Flussrichtung einer gemeinsamen primären Wicklung (w13) oder einer einzelnen primären Wicklung (w1) in einer ersten sekundären Wicklung (w3) in gleicher Koppelrichtung ein positives Steuersignal unmittelbar erzeugt und ein Signal (SIG2) in negativer magnetischer Flussrichtung einer zweiten (w2) oder der gleichen Wicklung (w13) in einer zweiten sekundären Wicklung (w7) in entgegengesetzter Koppelrichtung zur ersten sekundären Wicklung (w3) ein ebenfalls positives Steuersignal unmittelbar erzeugt oder in der ersten sekundären Wicklung ein negatives Steuersignal erzeugt, und dass, wenn kein weiteres Signal übertragen werden soll, eine durch Schaltungselemente automatische oder digital gesteuerte Entmagnetisierung des Übertragers durch eine oder zwei als Kurzschluss angesteuerte Wicklung, bzw. Wicklungen unmittelbar am Ende eines zuvor übertragenen Signals (SIG1, SIG2) erfolgt.
  2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die zur Entmagnetisierung angesteuerten Wicklungen aus zwei zusätzlichen Wicklungen (w5, w6) mit jeweils mindestens einem Transistor (T3, T4) in Serie bestehen, die diese Wicklungen jeweils einzeln und richtungsgebunden oder gleichzeitig in beide Richtungen bei anliegendem Steuersignal (DELSIG1, DELSIG2) über Basiswiderstände (R3, R4) kurz schließen.
  3. Schaltung nach Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein Widerstand (R5) die beiden Wicklungsanfänge zweier Primärwicklungen (w1 und w2) gemeinsam in Serie mit einer Spannungsquelle (+Vcc) verbindet, ein gemeinsam daran mit angeschlossener Kondensator (C1) in Serie mit einer Diode (D1) nach Masse verbunden ist, und wenn ein Signal SIG1 oder SIG2 über diesen Widerstand (R5) einen Spannungsabfall bewirkt, ein Entladestrom des Kondensators aus Richtung Masse über die Diode fließt und dadurch gekennzeichnet, dass der Verbindungspunkt des Kondensators mit der Kathode der Diode mit zwei Widerständen verbunden ist, die in Serie jeweils mit zwei Basis Emitterstrecken zweier Transistoren verbunden sind, sodass bei Signalende von SIG1 oder SIG2 ein sofortiger Rückladestrom des Kondensators über diese Basiswiderstände (R3 und R4) und über die Basisstrecken der Transistoren T3 und T4 zu fließen beginnt und die zwei Wicklungen (w5 und w6) über die Kollektoren der Transistoren nach Masse kurz schließen, solange wie der Rückladestrom durch den Kondensator (C1) anhält.
  4. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zur Entmagnetisierung des Übertragers für beide Richtungen eine Wicklung (w12) mit zwei in Serie verbundenen N-Kanal-MOSFETs (M4, M5) verwendet wird, deren Drain Anschluss jeweils an den Enden und deren Source Anschluss jeweils an Masse liegt, die jeweils den Wicklungsanfang oder das Wicklungsende oder auch beide gleichzeitig nach Masse schalten können, wenn durch ein Netzwerk eines oder beide Gates positive Ladung besitzen.
  5. Schaltung nach Ansprüchen 1, 2 und 4, dadurch gekennzeichnet, dass mithilfe eines digitalen Signalgenerators einem Signal (SIG1 oder SIG2) ein entsprechendes Steuersignal oder Signale (DELSIG1 und/oder DELSIG2) zur Aktivierung der Kurzschlusswicklung oder Wicklungen unmittelbar folgt und diese damit wahlweise einzeln oder gleichzeitig beide Richtungen aktiv schaltet, wenn eine Entmagnetisierung des Übertragers erfolgen soll.
  6. Schaltung nach Ansprüchen 1 und 4, dadurch gekennzeichnet, dass nur eine gemeinsame primäre Wicklung (w13) zum Einsatz kommt, die an ihren Enden mit dem Drain Anschluss je eines N-Kanal-MOSFETs (M4, M5) verbundenen ist und deren Source Anschluss jeweils an Masse liegt, die jeweils einen der beiden Wicklungsenden oder auch beide gleichzeitig mit Masse verbinden können, sodass bei nicht vorhandenen Signalen SIG1 und SIG2 beide Wicklungsenden über die MOSFETs leitend ständig nach Masse geschaltet sind und die Primärwicklung damit kurz geschlossen ist, weil die Gates über Widerstände (R3 und R4) an positiver Spannung liegen, und dadurch gekennzeichnet, dass wenn ein Signal SIG1 oder SIG2 anliegt, jeweils ein Basissteuerstrom über in Serie mit verbundenen Widerständen jeweils einen Transistor T1 oder T2 leitend schaltet, der jeweils gleichzeitig über den Kollektor eines der Gates der MOSFETS (M4 oder M5) nach Masse entlädt und diesen MOSFET abschaltet und die Transistoren gleichzeitig in Serie über Basiswiderstände R10 oder R11 verbunden mit einem PNP Transistor T9 oder T8 jeweils leitend schalten, der dann einen Strom aus der Versorgung vom Emitter über den Kollektor des Transistors in das Wicklungsende, auf der Seite des jeweils deaktivierten MOSFETS M4 oder M5 fließen lässt, der über das andere Wicklungsende des noch jeweils aktivierten MOSFET M5 oder M4 den Signalstrom nach Masse fließen lässt und so einen sekundären Impuls erzeugt, wobei der auf das Signalende folgende ungewollte Gegenimpuls sofort durch den weiterhin jeweils aktivierten MOSFET M5 oder M4 und des nun wieder jeweils aktiv werdenden MOSFET M4 oder M5 beziehungsweise auch durch dessen interne Diodenfunktion sofort unterdrückt wird.
  7. Schaltung nach Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass den sekundären Wicklungen weitere potenzialfreie Wicklungen auf dem Übertrager hinzugefügt werden können, falls dies Anwendungen z. B. für das Ansteuern eines Inverters mit mehreren MOSFETs erforderlich machen.
  8. Schaltung nach 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die große Anzahl der Wicklungen des Übertragers als mehrlagige Platine realisiert werden und so einen Planartransformator ergeben, wobei die hohe Spannungsfestigkeit der Leiterplattenlagen untereinander für die hohe Isolationsfestigkeit der primären zu den sekundären, und der sekundären Wicklungen unterschiedlicher Potenziale zueinander, ausgenutzt wird.
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