DE2010329A1

DE2010329A1 -

Info

Publication number: DE2010329A1
Application number: DE19702010329
Authority: DE
Priority date: 1969-03-17
Filing date: 1970-03-20
Publication date: 1970-09-24
Also published as: FR2031307A5; GB1292511A

Description

. Frankfurt am Main ^d^ⁿ 4. März 1970

Dipl. Ing. R. Mertens η 31 ρ 191

Patentanwalt , "^

Frankfurt/M., Ammeiburgstraße 34

Honeywell Inc.

27OI Fourth Afeenue South Minneapolis, Minn. USA

Elektrisches Widerstandsnetzwerk

Die Erfindung "betrifft ein elektrisches Widerstandsnetzwerk mit zwei in Reihe geschalteten Feldeffekttransistoren, von denen der eine als Konstantstromquelle geschaltet und der andere Transistor mit seiner Gatterelektrode an den Eingang des Netzwerkes angeschlossen ist, wobei der Netzwerkausgang an die mit dem anderen Transistor, verbundene Elektrode des einen Transistors angeschlossen ist.

Derartige Widerstandsnetzwerke dienen als Impedanzwandler für Spannungsquellen, wobei eine Spannungsquelle mit hohem Innenwiderstand in eine Spannungsquelle mit niedrigem Innenwiderstand umgeformt wird. Eine solche Impedanzwandlung ist beispielsweise dann angebracht, wenn eine hochohmige Spannungs- quelie nicht durch eine nlederohmlge Last beaufschlagt werden soll, well sonst ihre Ausgangsspannungs zusammenbricht.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Widerstandsnetzwerk der ,eingangs beschriebenen Art zu schaffen, bei dem unabhängig von der Höhe der Eingangsapsnroing die Ausgangsspannung gleioh UGr Eingangsspannung i st_s wobei das Widerstandsnetzwerls dar-über feAfiens noch sein? &istmh aisfgsfoattt ist und

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Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß zwischen die Transistoren ein Widerstand eingefügt ist, dessen Widerstandswert so gewählt ist, daß die am Widerstand abfallende Spannung ebenso groß ist wie die zwischen der Gatterelektrode des anderen Transistors und dem Verbindungspunkt von Widerstand und anderem Transistor liegende Spannung ist, wodurch die Ausgangsspannung immer die gleiche Große wie die Eingangsspannung des Netzwerkes hat.

Eine besondere günstige Lösung ergibt sich, wenn die Gatterelektrode des einen Transistors über einen weiteren Widerstand mit einer der beiden restlichen Elektroden dieses Transistors verbunden ist.

Bei weiterer Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Netzwerkes empfiehlt es sich, daß die beiden Transistoren gleiche elektrische Eigenschaften haben, und daß die Widerstandswerte des Widerstandes und des weiteren Widerstandes einander gleich sind.

In vorteilhafter Weiterbildung der Erfindung ist das Netzwerk derart ausgestaltet, daß der weitere Widerstand in seinem Widerstandswert veränderbar ist.

Ein Ausführungsbeispiel des erfindungssemäßen Widerstandsnetzwerkes wird nachfolgend anhand der Zeichnung erläutert.

In der der, Aufbau des Ausf'ihrungsbeispieles symbolisch darstellenden Zeichnung ist eier eine Feldeffekttransistor l4 mit 3.::;or C;je.ll>?: IC \. >.a einer-Senke 1;.". -:χ:β der andere Peldeffek': .rBHilst -■ 0 xit einer Quelle "2 einer Senke ?,1 verseh ■ · ",¹Io Q¹.'''" ' ..■ ,i.V. -;--:·^:·ι 16 c;<?s Tr- \-\*-^tors *l ist Ub.<: en.r-:!' s ία ■ ■ " : -. ■: ^" .-.rv.'-ert·;.· ·■ :L de ^ st ar ^: '·] ■-■■" ■ ■--:■ :>■ 'λ: ■ ' ;.. -..:■■>■' ■ v^^bu/u;;'. ■ In

BAD ORIGINAL

bezug auf den Transistor 10 ist der Transistor l4 als Konstantstromquelle geschaltet. Die Quellenelektrode 16 ist über den Widerstand l8 und den veränderbaren Widerstand 31 direkt mit dem negativen.Potential einer Gleiohspannungs- . quelle 19 verbunden, die beispielsweise einen Spannungswert von 10 V haben kann. DIe^- positive Klemme der Gleich- ' .Spannungsquelle liegt an Masse. Die Senkenelektrode 11 des Transistors 10 ist zu einer anderen Gleichspannungsquelle 20 geführt, die beispielsweise eine Spannung von 10 Volt haben kann. Die negative Klemme der anderen Gleichspannungsquelle ist an Masse gelegt. Die Gatterelektrode 13 des Transistors 10 ist mit den Eingangsklemmen 21,22 des Widerstandsnetzwerkes verbunden. Die Klemme 22 liegt wiederum an Masse. | Den Eingängsklemmen 21, 22 wird eine Gleichspannung oder Wechselspannung zugeführt.

Der Ausgang des Widerstandsnetzwerkes wird durch die Ausgangsklemmen 23,24 des Widerstandenetzwerkes gebildet. Die Klemme 24 liegt an Masse, während die Klemme 23 über ei-ne Ausgangsleitung 25 mit dem restliehen Teil des Widerstandsnetzwerkes verbunden ist. Wie x^elter unten noch erläutert, liegt zwischen den Ausgangsklemmen 23,24 die gleiche Spannung wie zwischen den Eingangsklemmen 21,22, also je nach Eingangsspannung eine Wechselspannung oder Gleichspannung. Die Quellenelektrode 12 ist an die Senkenelektrode 15 über einen g Widerstand 30 angeschlossen. Der Widerstandswert des Widerstandes ist kritisch und wird so gewählt, daß bei einer gegebenen Eingangs spannung an den Eingangs !klemme η 21,22 der · Spannungsabfall am Widerstand 30 ebenso groß aber umgekehrt gerichtet ist,'wie-die Spannung «!zwischen der Gatterelektrode 13 und der Quellenelektrode 12. Durch eine derartige Wahl der Größe des Widerstandes 30 wird die Ausgangsspannung zwischen den Ausgangsklemmen 22,23 gleich der Größe der Eingangsspannung an den Klemmen 21, 22.

009839/1436

Die beiden Feldeffekttransistoren 10, l4 werden vorteilhafterweise so ausgesucht, daß sie im wesentlichen die gleichen elektrischen Kennwerte haben. Die Summe der Widerstandswerte der Widerstände 18 und J>1 soll möglichst ebenso groß sein wie der V/iderstandswert des Widerstandes 30. Abweichungen der Transistordaten können durch Verstellen des V/iderstandes J51 ausgeglichen werden. Der Abgleich des Widerstandes J>1 geschieht dadurch, daß man anfangs die Klemme 21 mit der Klemme 22 verbindet. Nachfolgend mißt man die Spannung zwischen der Klemme 2^ und Masse und stellt dabei den Widerstandswert des Widerstandes 351 so ein, daß die Ausgangsspannung Null wird. Abschließend wird die Verbindung zwischen den beiden Eingangsklemmen und 22 entfernt, und die Spannung zwischen den Ausgangsklemmen ist jetzt immer gleich der Spannung zwischen den Eingangsklemmen.

009839/U36

Claims

P atent ansprüche

Elektrisches Widerstandsnetzwerk mit zwei in Reihe geschalteten Feldeffekttransistoren,von denen der eine als Konstantstromquelle geschaltet und der andere Transistor, mit seiner Gatterelektrode an den Eingang des Netzwerkes angeschlossen ist, wobei der Netzwerkausgang an die mit dem anderen Transistor verbundene Elektrode des einen Transistors angeschlossen ist, dadurch g e k e η η ζ e i e h net ',daß zwischen den Transistoren (10,14) ein Widerstand (j50) eingefügt ist, dessen Widerstandswert so gewählt ist, daß die·am Widerstand abfallende Spannung ebenso groß wie die zwischen der Gatterelektrode (13) des anderen Transistors (10) und dem VerbindüngSpunkt (12) von Widerstand und anderem Transistor liegende Spannung ist, wodurch die Ausgangs^ spannung immer die gleiche Größe wie die Eingangs spannung des Netzwerkes

Widerstandsnetzwerk nach Anspruch 1, dadurch g e kennzeichnet, daß öle Gatterelektrode (17) / des einen Transistors (14) über einen weiteren Widerstand (i8,£i) mi% einer 4er beiden restlichen Elektroden (15 oder 16} cUeseis ^»anslstors verbunden

inspected

3. Widerstandsnetzwerk nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Transistoren (10,l4) gleiche elektrische Eigenschaften haben, und daß die Widerstandsvjerte des Widerstandes (30) und des weiteren Widerstandes (l8,3l) einander gleich sind.

4. Widerstandsnetzwerk nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß der weitere Widerstand (l8,3l)'in seinem Widerstandswert veränderbar ist.