DE2009947B2 - Geregelte verstaerkerschaltung - Google Patents

Description

4. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1,2 oder der DT-AS 1 08 277 beschrieben, wo ein durch eine

3, dadurch gekennzeichnet, daß der Treibertransi- Regelspannung in seinem Leitungszustand gesteuerstor(Q117) im dritten Regelspannungsbereich im 55 ter Dämpfungstransistor parallel zur Induktivität ei-Sättigungszustand arbeitet. nes Schwingkreises geschaltet ist und diesen zunehmend dämpft, je weiter der Transistor bei zunehmender Eingangssignalamplitude und sich di;mentspre-

chend ändernder Regelspannung in seinen Leitungs-

6o zustand hineingesteuert wird. Regelbare E'ämpfungsglieder, welche mit Dioden aufgebaut sind, die mit Hilfe der Regelspannung in ihrem Durchlaß- oder Sperrzustand vorgespannt werden, sind ferner aus den

)ie Erfindung betrifft eine geregelte Verstärker- US-PSen 3153189 und 3319177 bekannt,
iltung, wie sie im Oberbegriff des Anspruchs 1 65 Schließlich ist aus der DT-AS 1 170479 ein mehräusgesietzt ist. stufiger geregelter Verstärker bekannt, bei dem eine

iine solche Schaltung ist in der DT-OS 1 951 295 vom Demodulator abgenommene erste Regelspanorm eines in integrierter Schaltung ausgebildeten nung am Eingang der ZF-Verstarkerstufe wirksam ist

und vom Ausgang der ZF-Verstärkerstufe eine zweite Regelspannung dem Eingang der HF-Verstärkerstufe zugeführt wird, die infolge der Gleichstromkopplung J₁Is durch den Transistor der ZF-Verstärkerstufe verstärkte Regelspannung aus der der Basis dieses Transistors zugeführten ersten Regelspannung abgeleitet wird. Schließlich wird vom Ausgang der ebenfalls gleichspannungsgekoppelten zweiten ZF-Verstärkerstufe eine nochmals verstärkte Regelspannung auf den Emitter des HF-Verstärkertransistors geführt. Durch diese Maßnahme soll eine Verzögerung der Regelung der HF-Verstärkerstufe ohne zusätzliche Maßnahmen wie Einfügung einer Verzögerungsdiode (deren Vorspannung erst überwunden werden muß) oder eines zusätzlichen Transistors bewirkt werden. Die bekannte Schaltung dürfte wegen der mehrfachen Verstärkung der Regelspannung und der mehrfachen Kopplungen der einzelnen Stufen relativ kritisch hinsichtlich einer Eigenerregung sein.

Die Aufgabe der Erfindung besteht «i der Schaf- *° fung eines in einem besonders großen Bereich regelbaren Verstärkers für einen Überlagerungsempfänger durch eine Aufteilung des gesamten Regelbereiches in eine größere Zahl von weich ineinander übergehenden Teilbereichen, so daß ein größerer Eingangssi- ^a5 gnalbereich verzerrungsfrei verarbeitet wird und ohne daß ein kritisches Verhalten der Schaltung zu befürchten wäre. Ferner soll sich die Schaltung zur Ausbildung in integrierter Form besonders gut eignen. Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebenen Merkmale gelöst.

Die Erfindung schafft eine Abwandlung des eingangs beschriebenen vorgeschlagenen Verstärkers, bei welcher in genau geregelter Weise die erwähnte ZF-Verstärkungsregelung und ZF-Dämpfung mit einer verzögert einsetzenden Regelung des HF-Verstärkers in einer schaltungs- und wirkungsmäßig besonders günstigen Weise kombiniert werden. Die Herleitung der Regelspannung zum Regeln der HF-Verstärkung empfangener Signale erfolgt vor der Umsetzung in ZF-Signale in Verbindung mit der Verzögerungsschaltung, welche die ZF-Dämpfung steuert. Die Verwendung einer gemeinsamen Verzögerungsschaltung ermöglicht die genaue gegenseitige Zuordnung der jeweiligen Schwellwerte der HF-Ver-Stärkungsregelung und der ZF-Dämpfung. Zur Optimierung des vcm Empfänger verarbeitbaren Amplitudenbereiches erfolgt die Regelung in wenigstens drei getrennten Bereichen. Im ersten Bereich niedriger Signalamplituden beschränkt sich die Regelung so auf Änderungen des Verstärkungsgrades des ZF-Verstärkers; im zweiten Bereich mittlerer Signalamplituden wird zusätzlich zu Verstärkungsänderungen des ZF-Verstärkers der Verstärkungsgrad des HF-Verstärkers verändert, und im dritten Bereich großer Signalamplituden wird praktisch nur noch die ZF-Dämpfung verändert.

Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung ist ein Verzögerungstransistor, der in der oben beschriebenen Weise arbeitet, so angeordnet, daß er sowohl einen ZF-Dämpfungstransistor, als auch einen Treibertransistor für die Regelspannung des HF-Verstärkers steuert. Bei einem (durch die Vorspannung des ZF-Verstärkers bestimmten) Signalschwellwert wird der Treibertransistor in den Leitungszustand gesteuert, wobei dieser Schwellwert niedriger ist als derjenige, bei dem der Dämpfungstransistor aufgesteuert wird. Bevor der letztgenannte Pegel erreicht wird, ist der gesamte HF-Verstärkungsregelbercich durchlaufen. Wenn die Dämpfungswirkung beginnt, dient die obenerwähnte, sich schließende Gegenkopplungsschleife zum Stabilisieren, des Verstärkungsgrades des ZF-Verstärkers auf einem relativ konstanten Wert. In derselben monolithischen integrierten Schaltung, welche den geregelten ZF-Verstärker, den Verzögerungstransistorkreis und die Dämpfungsschaltung enthält, kann sich zweckmäßig auch der Treibertransistorkreis für die Regelspannung des HF-Verstärkers befinden.

Die Erfindung soll nun an einem bevorzugten Ausführungsbeispiel näher erläutert werden. Die Zeichnung zeigt teilweise in schematischer Detaildarstellung und teilweise als Blockschaltbild einen Überlagerungsempfänger gemäß der Erfindung.

Ein Empfangsteil 18 dient in üblicher Weise zur selektiven Verstärkung eines empfangenen HF-Signals und zum Umsetzen des gewählten HF-Signals in ZF-Signale. Eine Selektionsschaltung 20 mit Bandpaßverhalten entsprechend der speziellen ZF-Frequenz des Empfängers koppelt den Ausgang des Empfangsteiles 18 mit einem ZF-Eingang TS eines Halbleiterplättchens 30 mit einer monolithischen integrierten Schaltung, die sich innerhalb der gestrichelten Umgrenzungslinie befindet. Die integrierte Schaltung enthält einen ZF-Verstärker und liefert am Anschluß TS ein Ausgangssignal.

Eine zweite Selektionsschaltung 40 für den ZF-Bandpaßbereich koppelt die ZF-Signale vom Anschluß TS des Plättchens an eine Ausgangsklemme O. Die sich anschließenden Kreise des nicht weiter dargestellten Empfängers richten sich je nach den speziellen Signalen, für welche der Empfänger vorgesehen ist. Beispielsweise können zusätzliche ZF-Verstärkerstufen zwischen die Klemme O und den ZF-Signaldemodulator des Empfängers geschaltet werden.

Eine Regelspannungsquelle 50 für die ZF-Regelspannung legt an den ZF-Eingang TS des Schaltungsplättchens 30 eine veränderliche Spannung an. Beim hier behandelten Ausführungsbeispiel sei angenommen, daß die Regelspannungsquelle 50 an den Eingang TS eine positive Spannung anlegt, die mit wachsenden Amplituden des empfangenen Signals weniger positiv wird. Um die sich ergebenden Änderungen des Empfängerbetriebes zu erläutern, welche den Einfluß der Signalpegeländerungen des empfangenen Signals auf den Ausgangssignalpegel an der Klemme O herabsetzen, soll nun auf Einzelheiten der Zeichnung eingegangen werden.

Im dargestellten Schaltungsplättchen 30 werden die von der Selektionsschaltung 20 dem Eingang TS zugeführten ZF-Signale direkt an die Basis eines als Emitterfolger geschalteten Transistors QlOl angelegt. Als F.mitterimpedanz dient die Kollektor-Emitter-Strecke eines Transistors Q119.

Die am Emitter des Transistors QlOl erscheinenden Signale werden an eine Dämpfungsschaltung angelegt, die aus einem Widerstand RlOl und der Emitter-Kollektor-Strecke eines Dämpfungstransistors Q103 gebildet ist. In gedämpfter Form wird das Ausgangssignal des Emitterfolger an der Verbindungsstelle zwischen dem Widerstand und dem Transistor erscheinen, wobei das MaB der Dämpfung von der Impedanz der Emitter-Kollektor-Strecke des Dämpfungstransistors Q103 abhängt. Die Wirkungsweise

dieser Dämpfungsschaltung wird noch genauer beschrieben werden.

Das Ausgangssignal der Dämpfungsschaltung wird über ein Paar hintereinandergeschaltete Emitterfolger mit den Transistoren QlOS und Q107 geführt und erscheint an einem Emitterwiderstand R107, von dem es an die Basis eines Transistors Q109 angelegt wird. Der Transistor Q109 ist mit einem Transistor QlIl in Kaskode geschaltet und bildet mit diesem eine Verstärkerstufe mit hohem Verstärkungsfaktor, deren Ausgangssignal an den ZF-Ausgangsanschluß 78 des Schaltungsplättchens 30 geführt ist. Die Betriebsspannung für die Kaskode-Verstärkerstufe wird über einen äußeren Widerstand 56 und eine Spule der Selektionsschaltung 40 von einem Anschluß 712 (B + ) zugeführt.

An den Eingang 75 wird zusätzlich zu den ZF-Eingangssignalen eine Regelspannung angelegt. Aufgrund einer direkten Kopplung über den Emitterfolgertransistor QlOl, den Widerstand RlOl und die ^ao Emitterfolgertransistoren QlOS und Q107 beeinflußt diese Regelspannung unmittelbar die Vorspannung an der Basis des Transistors Q109. Bei wachsenden Signalamplituden wird die Basisvorspannung des Transistors Q109 weniger positiv, so daß sich der Verstär- ^a5 kungsgrad des Kaskodeverstärkers im gewünschten Maß verringert.

Wie in der eingangs erwähnten DT-OS 1951 295 erläutert ist, ist es wünschenswert, zusätzlich zu Änderungen des Verstärkungsgrades der Kaskodeverstärkerstufe noch weiter zur Herabsetzung der Verstärkung beizutragen, insbesondere derart, daß bei großen Signalamplituden der an die Basis des Transistors Q109 angelegte Spannungshub begrenzt wird, so daß Verzerrungen in dieser Sufe vermieden werden. Aus diesem Grund ist die aus dem Widerstand Λ101 und dem Transistor Q103 gebildete Dämpfungsschaltung vorgesehen.

Die Dämplungsschaltung wird auf folgende Weise gesteuert. Es ist eine Verzögerungsschaltung mit eincm Transistor Ql 13 vorgesehen, der seine Kollektorspannung über einen äußeren Widerstand 52 von einer äußeren Stromversorgung des Empfängers erhält. Die Basis dieses Transistors Q113 ist über einen Widerstand /U13 mit der Basis des Transistors Q109 verbunden. Wenn keine oder nur schwache Signale erscheinen, ist die Basis des Transistors Q113 so stark in Durchlaßrichtung vorgespannt, daß der Transistor sich im Sättigungszustand befindet. Bei diesem Sättigungsbetrieb wird ein als Emitterfolger geschalteter so Transistor Ql 15 gesperrt, dessen Basis direkt mit dem Kollektor des Transistors QI13 verbunden ist und dessen Emitter über eine Sericnschaltung aus zwei Widerständen R115 und K116 an Masse liegt und nußcrdcm direkt mit der Basis des Transistors Q103 SS in der Dämpfungsschaltung verbunden ist.

Im Falle kleiner Signalamplitudcn ist also der Transistor Q103 ebenfalls gesperrt, wobei die Dampf ungsschultungaus dem Widerstand MlOl und dem Transistor Ql03eine konstante, relativ schwache Dämpfung βο bewirkt. Durch die Einschaltung der HmitlerfolgeitraiiMslorcn QlOS und Q107 in den Signalweg zum Eingung der Kaskodcvcrstärkcrstufe ergibt sich eine dynumischc Eingangsimpedan/., die im Vergleich mit der Impedanz des Widerstandes RlOX genügend groß «s Ist, damit die Dämpfung schwacher Signale bei gesperrtem Transistor Q103 wirklich klein ist

Im lall von Signalen großer Amplituden wird je· doch die von der Regelspannungsquelle 50 gelieferte Regelspannung die Spannung an der Basis des Transistors Q109 herabsetzen und einen Punkt erreichen, bei welchem der Transistor Q113 nicht mehr gesättigt ist, so daß sein Kollektorpotential auf einen Wert ansteigt, bei dem der Emitterfolgertransistor Q115 in Durchlaßrichtung vorgespannt wird. Die Emitterspannung des Transistors Q115 folgt anschließend dei steigenden Basisspannung. Der Transistor Q103 wird zu leiten beginnen, wenn die Emitterspannung des Transistors Q115 auf eine zur Überwindung dei Sperrvorspannung am Emitter des Transistors Q103 ausreichende positive Spannung angestiegen ist.

Wenn die Signalamplituden noch größer werden als im soeben beschriebenen Fall, steigt der Strom im Transistor Q103 weiter an, und die Impedanz seinei Emitter-Kollektor-Strecke sinkt mit wachsender Signalstärke. Dabei wird das an die Basis des Transistors Q109 angelegte ZF-Signal in immer stärkerem Maße gedämpft.

Die über den Anschluß 76 dem HF-Verstärker zugeführte verzögerte Regelspannung wird über einer zusätzlichen Transistor Q117 geführt. Die Basis dieses Treibertransistors Q117 ist direkt mit dem Verbindungspunkt zwischen den Widerständen Λ115 und R116 im Emitterkreis des Emitterfolgertransistors Q115 verbunden. Der Emitter des Transistors QIlT liegt über einen Emitterwiderstand Ä117 an Masse während der Kollektor des Transistors Q117 über die Klemme 76 des Schaltungsplättchens 30 und einer äußeren Widerstand 58 mit der schon erwähnter Stromversorgungsschaltung ( + 30V) gekoppelt ist deren Spannung in einer integrierten Schaltung 80 geregelt wird. Im Falle fehlender und schwacher Signale ist ebenso wie der Transistor Q115 auch der Transistor Q117 gesperrt.

Wenn jedoch die Signalamplituden so groß sind daß der Emittcrfolgertransistor Q115 ausrcichent stark leitet, wird die Basis des Transistors Q117 ir Durchlaßrichtung vorgespannt, und der Transistoi Q117 beginnt zu leiten. Die Einstellung des Schwell wertes bei der Zuführung der HF-Verstärkci -Regel spannung kann von außen gesteuert werden, ctwi durch die Wahl des Wertes des Widerstandes 52. im den Sättigungsstrom des Verzögerungstransistor! Ql 13 zu bestimmen.

Für Signalpcgcl oberhalb des gewählten Schwell wertes, wenn also die Regelspannung ausreicht, dei Transistor Ql 13 aus der Sättigung zu bringen und du Transistoren QIlS und Q117 auf/ustcucrn, wird du Spannung am Anschluß 76 in Übereinstimmung mi der Rcgelspunnungundcr Basis des Transistors QlO' schwanken. Die mit Hilfe einer Rcgclvcrschicbungs schaltung aus den Widerständen 54 und 55 in Verbin dung mit einer negativen Spannung in einen niedrige rcn Spannungsbereich verschobene veränderlich« Spannung am Verbindungspunkt /.wischen den Wi clcrständcn 54 und 55 stellt eine geeignet verzögert« Rcgelspannung zur Regelung des HF-Verstärkers in Empfangsteil 18dur. Die Einschaltung eines Konden sators 57 /wischen den Verbindungspunkt der Wider stände und den über einen Kondensator 53 nacl Masse überbrückten Anschluß Il trägt /ur Filterun der Rcgelspannung für den HF-Verstärker bei

I'.h ist nun wünschenswert, daß der dem Treiber transistor Ql 17 zugeordnete Verzögerungsschwcll wert kleiner ist als der Vcrzögcrungsschwcllwcrt fu den Dämpfungstransistor Q103. Dies bedeutet, dal

Io

die HF-Verstärkungsregelwirkung schon bei einem niedrigeren Pegel der Signalamplituden beginnt als die Dämpfungswirkung. Vorzugsweise wird vor dem Beginn der Dämpfungswirkung der volle Bereich der HF-Verstärkungsregelung durchlaufen. Bei der dargestellten Schaltung erreicht beispielsweise der Treibertransistor Q117 die Sättigung bei einem Regelspannungswert am Emitter des Transistors Q115, der niedriger ist als der Wert, bei welchem der Dämpfungstransistor Q103 zu leiten beginnt. Es ist auch zu beachten, daß nach Beginn der Dämpf ungswirkung durch den leitenden Transistor (2103 eine Gleichstrom-Gegenkopplungsschleife relativ hohen Verstärkungsgrades geschlossen ist, die den Widerstand Λ113 und die Transistoren Q113, QIlS, Q103, Q105 und Q107 enthält. Eine Folge dieser Kopplung besteht darin, daß die Vorspannung an der Basis des Transistors Q109 bei einem weiteren Ansteigen der am Eingang TS angelegten Regelspannung relativ konstant gehalten wird.

Demgemäß erfolgt die Regelung aus wenigstens drei getrennten Bereichen. Im ersten Bereich relativ schwacher Signale ist die Regelwirkung auf Änderungen des Verstärkungsgrades des Kaskodeverstärkers aus den Transistoren Q109und QlIl beschränkt. Im ^a5 zweiten Bereich mittlerer Signalamplituden kommen zu den Verstärkungsänderungen des Kaskodeverstärkers Änderungen der HF-Verstärkung hinzu. Im dritten Bereich großer Signalamplituden ist die Regelwirkung im wesentlichen auf Änderungen der Dämpfung der Dämpfungsschaltung aus dem Widerstand RlOl und dem Transistor Q103 beschränkt. Auf Wunsch kann ein vierter Bereich vorgesehen sein, bei welchem eine Rückkehr zu einer Betriebsweise erfolgt, bei der nur die Verstärkung des ZF-Verstärkers geändert wird, und zwar beim Übergang zwischen dem zweiten und (.!ritten Bereich. Dies richtet sich danach, wie weit die Grenzwerte für die Sättigung des Transistors Ql 17 und die Aufsteuerung des Transistors Q103 getrennt sind.

Wie schon erwähnt wurde, verbindet die Kollcktor-Emittcr-Strcckc des Transistors Q119dcn Emitter des Eingangstransistors QlOl mit Masse. Der Transistor Q119 wird anstelle eines Emittcrwiderstandes verwendet, um einen relativ konstanten Vcrsorgungsstrom für clic Emitter der Transistoren QlOl und Q103 zu liefern. Der Strom ist dabei genügend groß, so daß der Regelbereich nicht dadurch beschränkt wird, daß dem Transistor QlOl vom Transistor Q1G3 zuviel Strom cnt/ogcn wird. Wenn im Bc 5<> reich sturkcr Signale nämlich der Transistor Q103 /u leiten beginnt und einen immer größeren Strom zieht, so wird der Strom durch ilen Tiunsistor QlOl ent sprechend verringert werden. Um /u verhindern. dHll der Transistor QlOl unter solchen Umstünden ge- SS sperrt wird, müssen die Emitter un eine leistungsfähige Stromquelle angeschlossen sein. Der Transistor QX19. dessen Basis so vorgespannt ist. diiß er einen relativ konstnnten Strum der gewünschten Ciriiße liefert, dient nls solche Quelle. ^e°

Der notwendige Hasisstrom fm den Transistor Ql 19 wird vorn Emitter des Transistors QlOS über eine Vorspunnungsschaltung geliefert, welche die Reihenschaltungnus dem Widerstund Ä104. dem Widerstund ftlOS und einer In Durchlaßrichtung vorgc- «8 spannten stabilisierenden Diode />101 enthalt. Die Basis des Transistors Ql 19 ist an den VcrMndungspunkt /wischen den beiden Widerstünden R104 und Ä105 angeschlossen. Der Gesamtwiderstandswert dieser Reihenschaltung ist so gewählt, daß sich ein Vorstrom ergibt, welcher den konstanten Versorgungsstrom im gewünschten Bereich ermöglicht. Der Widerstandswert des Widerstandes Λ104 ist gegenüber demjenigen des Widerstandes RlOS genügend groß, damit der Transistor Q119 beim Empfang schwacher Signale die Regelspannung nicht wesentlich durch Gegenkopplung beeinträchtigt.

Die integrierte Schaltung des Schaltungsplättchens 30 enthält zusätzlich ein Entkopplungsnetzwerk zum Anlegen der Betriebsspannungen an eine Anzahl der beschriebenen Transistoren. Eine geregelte Gleichspannung (B +, beispielsweise + 11 V) wird von einer Schallung 80 aus einem (nicht dargestellten) Stromversorgungsteil gewonnen, der sich an anderer Stelle im Empfänger befindet. Die geregelte Gleichspannungwird dem Anschluß ΤΊ2 der Scheibe 30 zugeführt und an eine einfache Entkopplungsschaltung mit einem Widerstand Λ119 und einer mit diesem in Reihe liegenden Zenerdiode ZlOl angelegt.

Diese einfache Schaltung gewährleistet zwar eine ausreichende Entkopplung, doch könnte die Zenerdiode eine unerwünschte Rauschspannung einführen. Deshalb wird die an ihr liegende Spannung über einen Emitterfolgertransistor Q121 an eine dynamische Rauschfilterschaltung angelegt, die durch einen Transistor Q123, einen Widerstand Rill und einen Kondensator ClOl gebildet ist. Der Kollektor des Transistors Q123 ist direkt mit dem Emitter des Transistors Q121 verbunden. Der Widerstand Ä121 koppelt die Basis des Transistors Q123 mit dem Emitter des Transistors Q121, während der Kondensator ClOl zwischen die Basis des Transistors Q123 und dem Masseanschluß 74 gekoppelt ist. An einem Emitter des Filtertransistors Q123 steht also eine praktisch rauschfreie Vcrsorgungsglciehspannung (B + ) zur Verfügung, die in angemessener Weise von weiteren an den Anschluß 712 angeschlossenen Kreisen entkoppelt ist.

Es hat sich gezeigt, daß es ratsam ist. zusätzlich die Kollektoren der Transistoren QlOl und Q103 vom Kollektor der nachfolgenden Stufen in der integrierten Schaltung zu entkoppeln. Aus diesem Grunde ist der Transistor Q123 ein Doppcl-Emitter-Transistor. Der erste Emitter liefert die Vcrsorgungsgleichspannung (B + ) an die Kollektoren der Transistoren QlOl und Q103, während der zweite Emitter eine isolierte Vcrsnrgungsspunnungsqucllc für die Kollektoren der Transistoren Q105. Q107, QlO9und QIlS darstellt. Die Basis des um Emitter angesteuerten Transistors QlU des Kaskodeverstärkers liegt ebenfalls an der letztgenannten Vcrsorgungsspannungsqucllc.

Hin Anwendungsbeispiel für einen hier beschriebenen Überlagerungsempfänger ist ein Farbfernsehempfänger. Bei diesem Beispiel, das sich in der Praxis bereits bewährt hat, war die dargestellte Schaltung 30 auf demselben Halblciterplattchcn wie /usUtzlichc Schaltkreise /ur ZF-Endvcrstarkung, Vidcodcmodulution, Videoverstärkung. Erzeugung der Rcgelsnannung. zur Diffcrenztragcr-Tondcmodulation und für deren Steuerung. Dlffcrenzträger-ZF-Tonverstärkung, automatische Feinabstimmungsstcuerung und Rcglcrreferenzatcuerung enthalten.

Nur uls Beispiel sind nachstehende Werte für die Integrierte Schaltung des Plättchen* 30 und die zugehörigen äußeren Schultungskomponcnlcn zusammengestellt, die In dem erwähnten Farhfcmschemp-

709 530/213

ίο

inger einen befriedigenden	Tabelle	Betrieb gewährleistet	Widerstand «121	3000 Ohm	100000 Ohm
aben:	(Komponenten auf dem 5		Kondensator ClOl	2OpF	2400 Ohm
Widerstand Λ101	A	Tabelle B		62000 Ohm
Widerstand /?104	schaltungsplättchen) 5	(Komponenten außerhalb des Schaltungsplättchens)	1200 0hm
Widerstand R105	1000 Ohm	Widerstand 52	6800 Ohm
Widerstand Λ107	2000 Ohm	Widerstand 54	0,001 μΡ
Widerstand Λ113	360 Ohm	Widerstand 55	0,100 μ¥
Widerstand Ä115	700 Ohm	Widerstand 56	0,001 μ¥
Widerstand K116	1000 Ohm ίο	Widerstand 58
Widerstand Λ117	1600 Ohm	Kondensator 53
	3200 Ohm	Kondensator 57
800 Ohm	Kondensator 59
Hierzu 1 Blatt	Zeichnungen

Claims (3)

ZF-Verstärkers mit regelbarer Verstärkung vorge- Patentansprüche· schlagen. Dabei werden die Eingangssignale an eine Spannungsverstärkerstufe über eine regelbare Dämp-

1. Geregelte Verstärkerschaltung für einen fungsschaltung angelegt. Ein in den Sättigungszustand Überlagerungsempfänger mit einem Tuner, einem 5 vorgespannter Verzögerungstransistor halt innerhalb ZF-Verstärker und einer Regelspannungsquelie, eines» ersten Regelspannungsbereiches, in dem die welche eine Regelgleichspannung in Abhängigkeit Amplituden der Eingangssignale unter einem gegebevon den Empfangssignalen erzeugt, und mit einer nen Schwellwert liegen, einen weiteren Transistor gezwischen den Tuner und den ZF-Verstärker ein- sperrt, welcher zusammen mit einem Widerstand eigefügten, mittels der Regelspannung regelbaren " nen Spannungsteiler für die Signalspannung bildet und Dämpfungsschaltung, welche einen Dämpfungs- eine konstante schwache Dampfung bewirkt. Andetransistor enthält, der mit einer Hauptelektrode rungen der Regelspannung an der Verstarkerstufe än-2.n den Eingang des ZF-Verstärkers angeschlossen dem während dieses ersten Bereiches nicht die ist und dessen Leitungszustand die Dämpfung der Dämpfung der Dämpfungsschaltung, sondern nur den Schaltung bestimmt, dadurch gekennzeich- i5 Verstärkungsgrad der ZF-Verstärkerstufe. Die den net, daß die Regelgleichspannung von einer ein- Verzögerungstransistor aufsteuernde Basisvorspanganjiisseitig an den ZF-Verstärker (Q1Ö9, ßlll) nung ist von der Regekpannung abhängig. Bei einem angeschlossenen Verzögerungsschalitung (Q113, bestimmten Wert der Regelspannung, der einem ge-QlJ5) einem Treibertransistor (Q117) für die gebenen Siignalpegel der empfangenen Signale entdem Tuner (18) zuzuführende Regelspannung und *° spricht, kommt der Verzögerungstransistor aus der dem Dämpfungstransistor (Q103) 2:ugeführt ist, Sättigung, so daß sich sein Kollektorpotential im um- und daß die Vorspannungsverhältnisse für die gekehrten Sinn mit der Regelspannung ändern kann. Transistoren so gewählt sind, daß in einem ersten Bei einem noch größeren Signalpegel weicht das KoI-Regdspannungsbereich bei niedrigen Signalam- lektorpotential des Verzögerungstransistors so stark plituden sowohl der Treibertransistor (Q107) als «5 vom Sättigungswert ab, daß der Dämpf ungstransistor auch der Dämpfungstransistor (Q103) gesperrt aufgesteuert wird. Bei Signalamplituden, die über diesind, in einem zweiten Regelspannungsbereich bei sen Sch-veüwert ansteigen, bewirkt der Dämpfungsmittleren Signalamplituden der Dämpfungstransi- transistor in entsprechend zunehmendem Maße eine stör noch gesperrt ist und der Treibertransistor Dämpfung, die den Spannungshub an der Eingangsaufgcsteuert wird, und in einem dritten Regel- 3° elektrode des Verstärkers begrenzt. Wenn der Dämpspannungsbereich bei großen Signalamplituden fungstransistor leitet, schließt er eine Gleichstromsowohl der Treibertransistor als auch der Dämp- Gegenkopplungsschleife, welche die Vorspannung an fungstransistor leitend sind. der Eingangselektrode der Verstarkerstufe bei Regel-

2. Verstärkerschaltung nach Anspruch 1, da- Spannungsänderungen, die über dem Schwellwert Hedurch gekennzeichnet, daß die Vcrzögerungs- 35 genden Signalpegeln entsprechen, relativ konstant schaltung einen bei fehlenden Empfangssignalen hält. Im zweiten Betriebsbereich oberhalb des in den Sättigungsbereich vorgespannten Transi- Schwellwertes ist die Regelung also im wesentlichen stör (Q113) enthält, dessen Eingang an den ZF- auf die Dämpfungswirkung beschränkt, während der Verstärker (Q109, QlIl) und dessen Ausgang Verstärkungsgrad der Verstärkerstufe verhältnismäan die Eingänge des Dämpfungs- und des Treiber- 4° ßig konstant bleibt. Dieser vorgeschlagene Verstärker transistors (Q103, Q117) zur Steuerung von de- erleichtert die Bewältigung eines großen Amplitudenren Leitungszustand angeschlossen ist. bereiches der Eingangssignale durch den ZF-Verstär-

3. Verstärkerschaltung nach Anspruch I oder ker, wobei eine Verzerrung bei den großen Signalam-

2, dadurch gekennzeichnet, daß der im dritten Re- plituden des Bereiches vermieden wird, ohne daß sich gelspannungsbereich leitende Dämpifungstransi- 45 der Rauschabstand bei den niedrigen Signalamplitustor (Q103) eine Änderungen der arn Eingangs- den verschlechtert. Wie ferner in der erwähnten Ofkreis des ZF-Verstärkers (Q109, QlIl) liegen- fenlegungsschrift angegeben ist, können die Dämpden Gleichspannung entgegenwirkende Gleich- fungsschaltung und der zugehörige Verzögerungsstroni-Gegenkopplungsschleife schließt, welche transistorkreis zweckmäßig in integrierter Form in der den Eingang des ZF-Verstärkers (Q1109, QlIl), 5° gleichen monolithischen integrierten Schaltung entdie Verzögerungsschaltung (Q113, Q115) und halten sein wie die zugehörige Verstärkerstufe,
den Dämpfungstransistor (Q103) umfaßt. Eine regelbare Dämpfungsschaltung ist ferner in