DE2005730C - Verfahren zum Beschichten gekrumm ter optischer Flachen durch Vakuumauf dampfen - Google Patents
Verfahren zum Beschichten gekrumm ter optischer Flachen durch Vakuumauf dampfenInfo
- Publication number
- DE2005730C DE2005730C DE19702005730 DE2005730A DE2005730C DE 2005730 C DE2005730 C DE 2005730C DE 19702005730 DE19702005730 DE 19702005730 DE 2005730 A DE2005730 A DE 2005730A DE 2005730 C DE2005730 C DE 2005730C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- residual gas
- vapor deposition
- layer
- molecules
- atmosphere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003287 optical Effects 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 title claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 21
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L Magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 claims 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims 2
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 claims 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 claims 2
- 241000287523 Ara Species 0.000 claims 1
- 125000000241 L-isoleucino group Chemical group [H]OC(=O)[C@@]([H])(N([H])[*])[C@@](C([H])([H])[H])(C(C([H])([H])[H])([H])[H])[H] 0.000 claims 1
- 210000004072 Lung Anatomy 0.000 claims 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 1
- 239000003337 fertilizer Substances 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 claims 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton(0) Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 230000001960 triggered Effects 0.000 claims 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon(0) Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- REHXRBDMVPYGJX-UHFFFAOYSA-H Sodium hexafluoroaluminate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].F[Al-3](F)(F)(F)(F)F REHXRBDMVPYGJX-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- MZQZQKZKTGRQCG-UHFFFAOYSA-J Thorium tetrafluoride Chemical compound F[Th](F)(F)F MZQZQKZKTGRQCG-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910001610 cryolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 nitrogen nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- GTLQJUQHDTWYJC-UHFFFAOYSA-N zinc;selenium(2-) Chemical compound [Zn+2].[Se-2] GTLQJUQHDTWYJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
Restgas stören. Zum Beispiel werden durch Sauer- selnd Zinksulfid und Magnesiumflucrid, darauffolgend
stoff Oxide, durch Stickstoff Nitride, durcii andere . „ .. . . n. . k + λ, ., _ , .,.„,.,
Gase andere Verbindungen gebildet und in die 60 cme Sch<ctU der D>cke 2 M^ ÜGa schließlich
Schicht eingebaut (bei Drücken über 10"4 Torr wer- nochmals neun Schichten abwechselnd au ZoS urjd
den sogst oft nur diese Verbindungen erhalten). .. P ■ n- · ii . . . . n
Durch L· Einschluß von Molekülen des Restgas« MSF* der Dicke i **' <** 1^1*1 R««^«**-
und dessen Verbisdusgen in die Schicht wird das spbare aufgedampfi, wobei X1 und /2 zwei vorgewähiie
Sehicmgefügc gestört und dadurch <hs Haften der 65 Weilenrärigcn bedeBien, die für eisen ^buchen Ksii-
Schichten auf der Unterlage und ihre Eigenfestigkeit Hchtspicgei mit Ix = 480 πΐμ und /I5, « όΟΟοίμ gc-
(Härte) vermmfkrt. Durch eine nachträgliche Wärme- wäb't werden könscn. AHe Dicktnangzben beziehen
behandlung können zwar etwa in die Schicht einge- sich auf die sogenaüiüe optische Schichtdicke.? * rJ>
wobei η den Brechungsindex der Schicht und d die
gogenannte geometrische Schichtdicke bezeichnet
Selbstverständlich können auch andere Schichtsysteme mit anderen Schichtdicken und Schichtzahlen
mit dem beschriebenen Aufdampfverfahren hergestellt werden. In dem vorerwähnten Beispiel wurden
gleichmäßig dicke Schichten über der ganzen Spiegelfläche erreicht, wobei der Abstand des Spiegels von
der Verdampferquelle 40 cm, sein Krümmungsradius etwa 50 cm und der Spiegeldurchmesser ebenfalls
50 cm betrug.
Durch Veränderungen des Druckes der Restgasatmosphäre kann der Schichtdickenverlauf beeinflußt
werden, und zwar kann durch Erhöhung dieses Druckes eine Zunahme der Schichtdicke von der
Mitte zum Rand, durch Erniedrigung ein umgekehrter Dicken verlauf erzielt werden. Im allgemeinen wünscht
man aber gleichmäßig dicke Schichten zu erhalten; der hierfür optimale Druck der Restgasatmosphäre
kann durch einen Vorversuch leicht ermittelt werden.
Meistens ist es zweckmäßig, die zu beschichtenden Unterlagen schon während der Bedampfung oder
nachträglich zu erwärmen.
Besonders bewährt hat sich das erfindungsgemäße Verfahren in Anwendung auf die Aufdampfstoffe Magnesiumfiuorid und Zinksulfid. Dies mag auf den besonderen chemischen Eigenschaften dieser Stoffe und ihrem Molekulargewicht beruhen. Die genannten Stoffe sind bekanntlich wichtige AusgangsinateriaHen
Besonders bewährt hat sich das erfindungsgemäße Verfahren in Anwendung auf die Aufdampfstoffe Magnesiumfiuorid und Zinksulfid. Dies mag auf den besonderen chemischen Eigenschaften dieser Stoffe und ihrem Molekulargewicht beruhen. Die genannten Stoffe sind bekanntlich wichtige AusgangsinateriaHen
ίο für die Herstellung von dünnen Schichten für optische
Zwecke. Das erfindungsgemäße Verfahren ist jedoch auch auf andere, häufig verwendete Aufdampfstoffe
anwendbar, wie Kryolith, Thoriumfluorid und Zinkselenid.
Mögliche Anordnungen von Verdampferquelle und
Trägern für die zu bedampfenden Unterlagen in einer Vakuumaufdampfanlage zur Durchführung des Verfahrens
nach der Erfindung sind dem Fachmann bekannt; eine davon ist in der eingangs zitierten
ίο Patentschrift beschrieben.
Claims (3)
1. Verfahren zum Beschichten gekrümmter op- düngen jedoch können durch die übliche Wärmetischer
Flächen durch Aufdampfen der schicht- 5 behandlung nicht mehr aus der Schicht entfernt
bildenden Stoffe im Vakuum unter Einwirkung werden, vielmehr werden sogar mögliche chemische
eines gegenüber diesen chemisch inerten Rest- Reaktionen zwischen eingeschlossenen Molekülen
gases, wobei der Abstand zwischen der Dampf- des Restgases und dem Schichtmaterial dutch die
Quelle und den zu beschichtenden Flächen größer Wärmebehandlung unterstützt, d. h. ausgelöst oder
tls die mittlere freie Weglänge der Dampfmole- IO beschleunigt.
lüle in der Restgasatmosphäre gewählt wird. Es hat sich auch gezeigt, daß Schichten, die unter
dadurch gekennzeichnet, daß die Einwirkung einer Restgasatmosphäre aufgedampft
Aufdampfung in einer Kohlendioxid enthaltenden werden, oft eine für optische Anwendungen unzu-
Atmosphäre durchgeführt wird. lässig hohe Lichtstreuung aufweisen, was ebenfalls
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- r5 auf die durch den Einbau von Restgasmolekülen und
Kichnet, daß die Aufdampfung bei einem CO2- deren Verbindungen gestörte Schichtstruktur zurück-Druck
zwischen 10~4 und 10~3 Torr durchgeführt geführt wird. Die Lichtverluste infolge Lichtstreuung
wird. scheinen um so größer zu sdn, je höher das MoIe-
3. Anwendung des Verfahrens nach dem An- kulargewicht des beim Aufdampfen verwendeten Restspruch
1 zur Aufdampfung von Schichten aus 2o gases wa , d. h., die Ansicht, daß schwerere MoIe-Magnesiumflu3rid
und/oder Zinksulfid. küle für den vorliegenden Zweck geeigneter seien als
leichte, gilt, wie Untersuchungen des Erfinders gezeigt
haben, nicht unbedingt.
Die Erfindung hat sich zur Aufgabe gestallt, ein
25 Verfahren zum Beschichten optischer Flächen durch
Aufdampfen der schichtbildenden Stoffe im Vakuum
Bei der Vakuumbedampfung von gekrümmten unter Einwirkung eines gegenüber diesen chemisch
optischen Flächen, z. B. bei der Herstellung von inerten Restgases anzugeben, welches dem bekannten
Hohlspiegeln, liegt eine schwierige Aufgabe darin. Verfahren in bezug auf die optischen und mecha-
»Ile Teile dieser Flächen mit Schichten vorgeschrie- 30 nischen Eigenschaften der erhaltenen Schichten minbenen
Dickenverlaufs zu belegen. In der österrei- destens ebenbürtig ist, jedoch die Notwendigkeit,
chischen Patentschrift 264 954 ist eine Lösung dieser teure Edelgase zu verwenden, vermeidet und daher
Aufgabe beschrieben worden, die darin besteht, daß wesentlich wirtschaftlicher durchzuführen ist. UberbeLn
Aufdampfen der Abstand zwischen dem zu raschenderweise wurde gefunden, daß es doch ein
beschichtenden Substrat und der Dampfquelle bei 35 Nicht-Edelgas gibt, welches die Vorteile des Aufeinem
Restgasdruck zwischen 0,5 x 10 und 1,5 χ dampfens in einer Edelgasatmosphäre zu erhalten,
iO~J Torr so bemessen wird, daß dieser Abstand die üblichen Nachteile des Aufdampfens in einer
größer ist als die mittlere freie Weglänge der Dampf- nicht aus Edelgas bestehenden Restgasatmosphäre
moleküle, wobei das Restgas aus Argon, Krypton aber zu vermeiden gestattet. Das neue erfmdungs-
©der Xenon oder Gemischen dieser Gase gebildet 40 gemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß
wird und das beschichtete Substrat nach Auftragen die Aufdampfung in einer Kohlendioxid entha' ^n-•11er
vorgesehenen Schichten einer Wärmebenand- den Atmosphäre durchgeführt wird. Dabei ist, wie
lung unterworfen wird. Die Wirksamkeit dieser be- im bekannter* Falle, der Abstand zwischen der Dampffcannfrn
Problemlösung beruht auf der Streuung quelle und den zu beschichtenden Flächen größer
tfer Moleküle des aufzudampfenden Stoffes ara den 45 als die mittlere freie Weglänge der Dampfmoleküle
Molektüsn bzw Atomen des Restgases im Auf- in der Restgasatmosphäre zu wählen,
dampfraum, wodurch die nachteilige Wirkung der Nachfolgend werde das erfindungsgernäUe Ververschiedenen Abstände der einzelnen Teile der zu fahren an Hand eines Ausfuhrungsbeispiels näher beschichtenden gekrümmten Fläche von der Auf- erläutert: Zur Herstellu!-; eines sogenannten KaItt£iy unH des verschiedenes EisMbwiakets jt- üchsspkgds auf eaer koakaver Spiegelfläche wurde hl f di il Flähil f Sl
dampfraum, wodurch die nachteilige Wirkung der Nachfolgend werde das erfindungsgernäUe Ververschiedenen Abstände der einzelnen Teile der zu fahren an Hand eines Ausfuhrungsbeispiels näher beschichtenden gekrümmten Fläche von der Auf- erläutert: Zur Herstellu!-; eines sogenannten KaItt£iy unH des verschiedenes EisMbwiakets jt- üchsspkgds auf eaer koakaver Spiegelfläche wurde hl f di il Flähil f Sl
pq j pg pg
der Dampfetrahlen auf die einzelnen Flächem.ile auf eine Spiegelschale aus Glas zuerst eine Schicht
weitgehend ausgeglichen wird. .. _ .. ä, · . „■ 1
Der Nachteil <£ bekannten Verfahrens liegt darin ails Magnesiumfluond von \ optischer Dicke in
«faß Edelgase teuer sind. Versucht man dagegen andere einer Restgasatmosphäre von 3 χ 10 * Torr CO2
Gase for die Sireuimg der Dampimcncsüie zu vcr- 55 aufgedampft, darauffolgend wurden in derselben CO2-tvetiden,
stellt man fest, daß häufig die möglichen ., ... jl .. . . . . , . .
Chemischen Reaktionen zwischen diesen »nd dem Atmosphäre neun ^ dtcice Schichten aus abwech-
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH391269A CH508561A (de) | 1969-03-12 | 1969-03-12 | Verfahren zum Beschichten gekrümmter optischer Flächen durch Aufdampfen |
CH391269 | 1969-03-12 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2005730A1 DE2005730A1 (de) | 1970-10-01 |
DE2005730B2 DE2005730B2 (de) | 1973-01-11 |
DE2005730C true DE2005730C (de) | 1973-08-23 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0718418B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Gradientenschicht | |
DE892193C (de) | Selengleichrichter | |
DE2359535A1 (de) | Durch plasmapolymerisation von allylamin hergestelltes polymerisat und verfahren zu seiner herstellung | |
DE2256435C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines hohlen Kaltlichtspiegels | |
DE2638097B2 (de) | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Kunststofflinsen | |
DE4216999C2 (de) | Verfahren zur Oberflächenbeschichtung von Silbergegenständen und nach diesem Verfahren hergestellte Schutzschicht | |
DE2751221A1 (de) | Verfahren zur aufbringung eines reflexionsvermindernden belages auf unterlagen aus organischem material | |
CH664377A5 (de) | Dekorative schwarze verschleissschutzschicht. | |
DE3535022A1 (de) | Verfahren zur herstellung von ueberzugsschichten durch ionenstrahlplattieren | |
DE135118T1 (de) | Verfahren zur herstellung von feinen partikeln. | |
DE2005730C (de) | Verfahren zum Beschichten gekrumm ter optischer Flachen durch Vakuumauf dampfen | |
DE2347525C3 (de) | Sonnenschutzglas | |
DE2005730B2 (de) | Verfahren zum beschichten gekruemmter optischer flaechen durch vakuumaufdampfen | |
DE2708792A1 (de) | Ionenaetzverfahren zum strukturieren von halbleiterschichten | |
DE1621246C3 (de) | ||
DE19634334C1 (de) | Wisch- und kratzfeste Reflexionsbeschichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE883546C (de) | Oberflaechenschutz von Metallen | |
DE3425468C2 (de) | ||
DE2940789C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Bauteils für Flüssigkristalldisplays | |
DE816909C (de) | Augenhaftglas und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE1104283B (de) | Verfahren zum Herstellen von duennen Schichten auf Unterlagen durch Verdampfen von Metallverbindungen | |
DE2028252A1 (de) | Oberflachenspiegel und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE864703C (de) | Verfahren zur Bearbeitung von als Elektroden dienenden metallischen Oberflaechenschichten piezoelektrischer Schwingkristalle | |
DE2145254A1 (de) | Spinnplatte mit titannitrid- bzw. titankarbid-ueberzug und verfahren zur herstellung dieses ueberzuges | |
DE1771370A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von in der Durchsicht klaren,farbigen duennen Schichten |